GB/T 14847-2010重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14847—2010

代替

GB/T14847—1993

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson

heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

GB/T14847—2010

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街號(hào)

16

郵政編碼

:100045

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20118

*

書號(hào)

:155066·1-42666

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T14847—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847—1993《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)內(nèi)容變化如下

GB/T14847—1993,:

修改原標(biāo)準(zhǔn)主題內(nèi)容與適用范圍中襯底和外延層室溫電阻率明確為在下電阻率增

———“1”23℃,

加在降低精度情況下該方法原則上也適用于測試之間的型和型外延層

,0.5μm~2μmNP

厚度

;

修改原標(biāo)準(zhǔn)引用標(biāo)準(zhǔn)為規(guī)范性引用文件增加有關(guān)的引用標(biāo)準(zhǔn)

———“2”“”,;

增加術(shù)語和定義部分

———“3”;

補(bǔ)充和完善測試方法原理內(nèi)容

———“4”;

增加干擾因素部分

———“5”;

原標(biāo)準(zhǔn)改為刪除襯底和外延層導(dǎo)電類型及襯底電阻率應(yīng)是已知的內(nèi)容增加防止

———57,“5.1”,

試樣表面大面積晶格不完整以及要求測試前表面進(jìn)行清潔處理的內(nèi)容

;

原標(biāo)準(zhǔn)改為對(duì)選取試樣的外延厚度的要求改為對(duì)襯底電阻率和譜圖波數(shù)位置的要求并

———68,,

增加采用中規(guī)定的方法在對(duì)應(yīng)的反面位置測試襯底電阻率

8.3.5GB/T1552;

原標(biāo)準(zhǔn)改為增加極值波數(shù)和波長的轉(zhuǎn)換公式刪除原經(jīng)驗(yàn)計(jì)算法內(nèi)容

———79,。7.2;

原標(biāo)準(zhǔn)改為增加多個(gè)實(shí)驗(yàn)室更廣范圍的測試數(shù)據(jù)分析結(jié)果

———810,;

原標(biāo)準(zhǔn)改為試驗(yàn)報(bào)告中要求增加紅外儀器的波數(shù)范圍掩?？讖讲〝?shù)掃描速度波長

———911,、、、

和極值級(jí)數(shù)等內(nèi)容

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波立立電子股份有限公司信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李慎重何良恩許峰劉培東何秀坤

:、、、、。

本部分所代替的歷次版本標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布情況為

:

———GB/T14847—1993。

Ⅰ

GB/T14847—2010

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的

紅外反射測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底在電阻率小于和外延層在電阻率大于且外

23℃0.02Ω·cm23℃0.1Ω·cm

延層厚度大于的型和型硅外延層厚度的測量在降低精度情況下該方法原則上也適用于測

2μmnp;,

試之間的型和型外延層厚度

0.5μm~2μmnp。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T1552、

測量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度正確度與精密度第部分確定標(biāo)準(zhǔn)測量方法重復(fù)

GB/T6379.2()2:

性與再現(xiàn)性的基本方法

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

折射率indexofrefraction

入射角的正弦相對(duì)折射角的正弦的比率這里的入射角和折射角是指表面法線和紅外光束的夾

。

角對(duì)電阻率大于硅材料當(dāng)波長范圍為時(shí)相對(duì)空氣的該比值為該

。0.1Ω·cm,6μm~40μm,3.42,

值可由斯涅爾定律求出

(Snell)。

4方法提要

41襯底和外延層光學(xué)常數(shù)的差異導(dǎo)致試樣反射光譜出現(xiàn)連續(xù)極大極小特征譜的光學(xué)干涉現(xiàn)象根據(jù)

.,

反射光譜中極值波數(shù)外延層與襯底光學(xué)常數(shù)和紅外光束在試樣上的入射角計(jì)算外延沉積層厚度

、。

42假設(shè)外延層的反射率n相對(duì)波長是獨(dú)立的

.1。

43當(dāng)外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長的整數(shù)倍時(shí)反射光譜中可以

.