GB/T 13592-1992表面分析術(shù)語

UDC620.18：001.4A42中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13592-92表面分析術(shù)語Termsrelatingtosurfaceanalysis1992-08-20發(fā)布1993-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

目次一主題內(nèi)容與適用范圍俄歇電子能譜術(shù)射線光電子能譜術(shù)二次離子質(zhì)譜術(shù)55離子散射譜術(shù)附錄A漢語拼音索引補充件）012附錄B英文索引補充件》·（14）

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13592-92析術(shù)面分語Termsrelatingtosurfaceanalysis1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了表面分析四種常用技術(shù)(俄歇電子能譜術(shù)、X射線光電子能譜術(shù)、二次離子質(zhì)譜術(shù)和離子散射譜術(shù))的基本術(shù)語。本標(biāo)準(zhǔn)適用于制訂表面分析標(biāo)準(zhǔn)與編寫技術(shù)文件和書刊時使用歌電子能譜術(shù)2.1歇電子能譜術(shù)Augerelectronspectroscopy用電子或其他激發(fā)源使樣品原子的內(nèi)電子殼層形成空位并發(fā)生俄歇過程.測量俄歇電子能量分布的技術(shù)。取英文字首簡稱AES。2.2俄歇過程Augerprocess內(nèi)電子殼層有空位的原子通過發(fā)射電子的弛豫過程.2.3歇電子Augerelectron俄歇過程所發(fā)射的電子。2.4俄歇電子產(chǎn)額Augerclcctornyield在特定的內(nèi)電子殼層有空位的原子，經(jīng)俄歇過程而弛豫的幾率2.5俄歇躍遷Augertransition俄歇躍遷以有關(guān)的電子殼層標(biāo)志。一般用三個字母,第一字母表示初始空位所在的殼層，后兩字母表示發(fā)生俄歌發(fā)射后形成的兩個空位所在的殼層(如KLL,LMN)。當(dāng)躍遷涉及鍵合電子時,用字母V表示(如LMV,KVV)。如果知悉躍遷有關(guān)的特定電子亞殼層,則可加亞殼層標(biāo)志(如KL.L.)。如果合項已知,則也可注明合項(如LaMi.M,.,D)。對復(fù)雜的俄歇過程(如多重起始電離、附加的電子激發(fā))可籽初態(tài)和終態(tài)用短劃"-"分開(如LL-VV、K-VVV)。2.6Coster-Kronig躍遷Coster-Kronigtransition俄歇過程涉及的電子中有一個電子與初始空位在同一主殼層(如L,LM),則稱此過程為Coster-Kronig躍遷。如果兩個電子都與初始空位在同一主殼層(如M.M.M.),則稱為超Coster-Kronig躍遷。2.7歇躍遷速率Augertransitionrate單位時間內(nèi)，兩個束縛電子發(fā)生能量狀態(tài)躍遷的幾率。在此躍遷中，一個電子填入內(nèi)電子殼層的初始空位，而另一個電子則進(jìn)入能量為正的連續(xù)區(qū)終態(tài)，2.8電離數(shù)面ionizationcross-section一入射粒子穿越氣體或固體時發(fā)生電離碰撞的幾率。總電離截面包括由初級電離碰撞和隨后的Coster-Kronig或俄歌衰變過程所產(chǎn)生的所有電子空位。分電離截面則僅含某一特定過程產(chǎn)生的電子空位,例如在一特定殼