標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 13150-2005 半導(dǎo)體器件 分立器件 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三級(jí)晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范》與《GB/T 13150-1991 100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范》相比,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和更新:
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適用范圍明確化:2005版標(biāo)準(zhǔn)更具體地界定了規(guī)范的適用對(duì)象,明確了是針對(duì)電流大于100A且同時(shí)考慮環(huán)境及管殼額定條件下的雙向三級(jí)晶閘管,而1991版標(biāo)準(zhǔn)則較為寬泛,僅提及100A以上的雙向三極晶閘管,未特別強(qiáng)調(diào)環(huán)境與管殼額定條件。
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技術(shù)參數(shù)更新:鑒于技術(shù)進(jìn)步,2005版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)晶閘管的關(guān)鍵性能指標(biāo)如電壓等級(jí)、電流容量、開(kāi)關(guān)速度、熱穩(wěn)定性等提出了更嚴(yán)格或更詳細(xì)的規(guī)范要求,以適應(yīng)電子設(shè)備更高的性能需求和使用環(huán)境的變化。
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測(cè)試方法與標(biāo)準(zhǔn)提升:新版本標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更為先進(jìn)的測(cè)試方法和評(píng)估體系,確保晶閘管的質(zhì)量控制和性能驗(yàn)證更加科學(xué)準(zhǔn)確。這可能包括對(duì)測(cè)試環(huán)境、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試程序的具體規(guī)定進(jìn)行了修訂和完善。
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安全與環(huán)保要求:隨著行業(yè)對(duì)產(chǎn)品安全性和環(huán)保性的重視增加,2005版標(biāo)準(zhǔn)可能加入了更多關(guān)于材料安全、有害物質(zhì)限制(如RoHS合規(guī))、以及廢棄處理等方面的規(guī)定,體現(xiàn)了對(duì)環(huán)境保護(hù)和用戶(hù)安全的關(guān)注。
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標(biāo)準(zhǔn)化語(yǔ)言與格式:按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制修訂的一般規(guī)律,2005版標(biāo)準(zhǔn)在表述上可能更加規(guī)范、清晰,采用了最新的標(biāo)準(zhǔn)化編寫(xiě)規(guī)則,便于讀者理解和執(zhí)行。
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引用標(biāo)準(zhǔn)更新:新版標(biāo)準(zhǔn)會(huì)引用最新版本的其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),確保整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)體系的協(xié)調(diào)一致和先進(jìn)性,這些被引用的標(biāo)準(zhǔn)可能涵蓋了材料、測(cè)試方法、安全規(guī)范等多個(gè)方面。
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- 2005-03-23 頒布
- 2005-10-01 實(shí)施
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GB/T 13150-2005半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三級(jí)晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31.080.20K46中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13150—2005代替GB/T13150—1991半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-Discretedevices-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs),ambienttandlcase-ratedforcurrentsgreaterthan100A(IEC60747-6-2/QC750111:1991,NEQ)2005-03-23發(fā)布2005-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T13150—2005前本標(biāo)準(zhǔn)是晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一,這一系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)包括-GB/T6352半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流品體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6590半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13150半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13151半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇:電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T131535A以上環(huán)境或管殼額定可關(guān)斷晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)參照IEC60747-6-2:1991《半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第二篇:電流小于等于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管(triacs)空白詳細(xì)規(guī)范》英文版),修訂(B/T13150-1991《100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范》而產(chǎn)生。本標(biāo)準(zhǔn)與IEC60747-6-2的一致性程度為非等效,主要差異如下:-適用電流范圍不同,本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電流大于100A的雙向三極晶閘管.IEC60747-6-2適用于額定電流小于等于100A的雙向三極品閘管:抽樣要求不同,IEC60747-6-2僅說(shuō)明"A組檢驗(yàn)的抽樣方案在詳細(xì)規(guī)范中可選擇AQL或LT-PD",對(duì)B、C、D組檢驗(yàn)的抽樣未加規(guī)定,而本標(biāo)準(zhǔn)明確要求:A組檢驗(yàn)對(duì)全部器件進(jìn)行.B組和C、D組檢驗(yàn)的抽樣分別按LTPD=30和LTPD=50;因勤誤的不同:"4.2財(cái)存溫度和等效結(jié)溫”應(yīng)編輯為"4.2財(cái)存溫度”和"4.3等效結(jié)溫”,后面條號(hào)作相應(yīng)調(diào)整;5.1中的"2倍"應(yīng)為"它倍”.5.3中的“最大值"應(yīng)為"最小值和最大值".5.7、5.8和5.9中的“最大值“均應(yīng)為“最小值",C組中刪去了與A組中重復(fù)的1a、Van、loe和Voo四項(xiàng)檢驗(yàn):本標(biāo)準(zhǔn)在B3分組中.增加了“轉(zhuǎn)矩(D)"項(xiàng)目.并作了文字完善.A4分組增加了“換向電壓臨界上升率(適用時(shí))"的檢驗(yàn),增加了"C2d分組熱阻(適用時(shí))”的檢驗(yàn);本標(biāo)準(zhǔn)極限值參數(shù)表中補(bǔ)充了四個(gè)符號(hào):M、F、和『。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13150—1991相比主要變化如下:標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)中增加了引導(dǎo)要素文字:半導(dǎo)體器件分立器件“并作了個(gè)別文字修改(見(jiàn)前版和本版的封面、首貞):增加了“前言".刪去了“附加說(shuō)明"(前版的“附加說(shuō)明”:本版的“前言"):刪去了第8章各表中的抽樣方案和附錄A追加抽樣表.增加了對(duì)A、B、C、D組抽樣要求的文字說(shuō)明(前版第8章各表和附錄A;本版第8章方括號(hào)中的文字):增增加了無(wú)再加反向電壓、有再加反向電壓的了/的符號(hào)分別為了和廠·并修改了廠試驗(yàn)的溫度條件(見(jiàn)前版和本版的4.5.5);“5.11熱阻”的文字和符號(hào)作了補(bǔ)充和完善:前版的A3分組(Ior、Vor)在本版并入了A2b分組.本版A2b分組中的斷態(tài)峰值電流僅是Jomwa·而A3分組項(xiàng)目變?yōu)?omweA4分組中刪去了“斷態(tài)電壓臨界上升率”項(xiàng)目(見(jiàn)前版和本版的A組檢驗(yàn));
GB/T13150—2005增加了"B3分組端子強(qiáng)度適用時(shí)轉(zhuǎn)矩(D)”檢驗(yàn):C7分組的“穩(wěn)態(tài)濕熱”的單一試驗(yàn)條件改為按空腔、非空腔器件分別規(guī)定不同的試驗(yàn)條件(見(jiàn)前版和本版的B組檢驗(yàn)、C組檢驗(yàn))。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)如下:GB/T2423.23—1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC60747-10:1984)GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法(idtIEC60749:1984)GB/T7581-—1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸(neqIEC60191-2:1974)GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)GB/T15291—1994半導(dǎo)體器件第6部分品閘管(eqvIEC60747-6:1983)本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:襄樊臺(tái)基半導(dǎo)體有限公司、北京京儀椿樹(shù)整流器有限公司、上海天公整流器有限公司、丹陽(yáng)可控硅元件廠、丹陽(yáng)威斯特整流器有限公司、西安電力電子技術(shù)研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:顏家圣、高占成、季節(jié)、徐志毅、蔣建明、秦賢滿(mǎn)。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時(shí)間:1991年8月29日,
GB/T13150—2005半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范引育國(guó)際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)遵循國(guó)際電工委員會(huì)的章程,在國(guó)際電工委員會(huì)授權(quán)下開(kāi)展工作。評(píng)定體系的目的是以這樣一種方式確定質(zhì)量評(píng)定程序,即一個(gè)成員國(guó)按照符合適用規(guī)范要求所放行的電子元器件在其他所有成員國(guó)無(wú)需再試驗(yàn)同樣為合格。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件一系列空白詳細(xì)規(guī)范的一個(gè).應(yīng)與下列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)一起使用。-GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范要求的資料本頁(yè)及下頁(yè)方括號(hào)內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的內(nèi)容相對(duì)應(yīng),這些內(nèi)容應(yīng)填人相應(yīng)空欄中詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別[1】授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱(chēng)。C2洋細(xì)規(guī)范的IECQ編號(hào)。C3總規(guī)范和分規(guī)范的編號(hào)和版本號(hào)?!?詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家編號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的任何更多的資料。器件的識(shí)別【57器件的型號(hào)、【6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿(mǎn)足幾種應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中說(shuō)明。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求應(yīng)子滿(mǎn)足。如器件對(duì)靜電敏感或含有危險(xiǎn)材料.如含
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