GB/T 13062-2018半導(dǎo)體器件集成電路第21-1部分：膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)

ICS31200

L57.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

代替:

GB/T13062—1991

半導(dǎo)體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

Semiconductordevices—Integratedcircuits—

Part21-1Blankdetailsecificationforfilminteratedcircuitsandhbridfilm

:pgy

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21-1:1997,IDT)

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

前言

半導(dǎo)體器件集成電路已經(jīng)或計(jì)劃發(fā)布以下部分

《》:

半導(dǎo)體器件集成電路第部分總則

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分模擬集成電路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分接口集成電路第一篇線性數(shù)

———GB/T18500.1—20014::

字模擬轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分接口集成電路第二篇線性模

———GB/T18500.2—20014::

擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半定制集成電路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合電路

)(idtIEC60748-11:1990);

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()(IEC60748-21:1997,IDT);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路

———GB/T13062—201821-1:

空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT);

膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用能力批準(zhǔn)程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22);

膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范采用能力批準(zhǔn)程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)。

本部分為半導(dǎo)體器件集成電路的第部分

《》21-1。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程

GB/T13062—1991《(

序與相比主要技術(shù)變化如下

)》,GB/T13062—1991,:

修改了鑒定檢驗(yàn)程序由一個(gè)程序擴(kuò)展為程序和程序兩個(gè)程序見(jiàn)表表年版的

———,AB(4、5,1991

表表

2、3);

刪除了有關(guān)文件的規(guī)定見(jiàn)年版的第章

———“”(19913);

增加了封蓋前目檢和電耐久性兩個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目見(jiàn)表

———“”“”(2);

增加了可焊性試驗(yàn)見(jiàn)表

———“4.5.10”(3b)。

本部分采用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成

IEC60748-21-1:1997《21-1:

電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()》。

與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)。

本部分做了下列編輯性修改

:

Ⅰ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

表中易燃性試驗(yàn)欄增加腳注建議該試驗(yàn)宜規(guī)定為破壞性試驗(yàn)見(jiàn)表

———3b“D/ND”,(3b);

表中分組電耐久性有誤改為電耐久性見(jiàn)

———IEC60748-21-1:19974bB8“4.4.14”,,“4.5.14”(

表

4b)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本部分主要起草人馮玲玲陳裕焜雷劍王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T13062—1991。

Ⅱ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

半導(dǎo)體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序

()

引言

電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系遵循章程并在授權(quán)下工作該體系的目的是確定質(zhì)量評(píng)

IECIECIEC。

定程序以這種方式使一個(gè)參加國(guó)家按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無(wú)需進(jìn)一步試驗(yàn)而為其他所有

,

參加國(guó)同樣接受

。

編制詳細(xì)規(guī)范時(shí)將總規(guī)范中和分規(guī)范中和的內(nèi)容考慮進(jìn)去

,3.52.33.2。

本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一并與下列標(biāo)準(zhǔn)一起使用

,:

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合集成電路總規(guī)范

IEC60748-2020:(Semi-

conductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecificationforfilmintegratedcircuitsand

hybridfilmintegratedcircuits)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

IEC60748-20-120-1:

第部分內(nèi)部目檢要求

1:(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecification

forfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuits—Section1:Requirementsforinternal

visualexamination)

半導(dǎo)體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用

IEC60748-2121:(

鑒定批準(zhǔn)程序

)(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part21:Sectionalspecificationforfilm

integratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofqualificationapprovalprocedures)

對(duì)于目錄內(nèi)電路已經(jīng)出版詳細(xì)規(guī)范其格式及最少內(nèi)容應(yīng)符合表表要求

a),,2~4;

對(duì)于定制電路未出版詳細(xì)規(guī)范其格式和內(nèi)容是可以選擇的但是定制電路與其外形安裝

b),,;,、

和功能等方面有關(guān)的要求需經(jīng)過(guò)驗(yàn)證可在鑒定批準(zhǔn)的維持試驗(yàn)程序中規(guī)定也可在詳細(xì)規(guī)范

,,

中規(guī)定亦或兩者組合規(guī)定

,;

對(duì)于未出版詳細(xì)規(guī)范其格式及內(nèi)容宜符合表表要求

c)CQCs,,2~4。

本部分規(guī)定了編制膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細(xì)規(guī)范采用鑒定批準(zhǔn)程序的基本要求