GB/T 13062-2018半導體器件集成電路第21-1部分：膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范(采用鑒定批準程序)

ICS31200

L57.

中華人民共和國國家標準

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

代替:

GB/T13062—1991

半導體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程序

()

Semiconductordevices—Integratedcircuits—

Part21-1Blankdetailsecificationforfilminteratedcircuitsandhbridfilm

:pgy

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21-1:1997,IDT)

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

前言

半導體器件集成電路已經(jīng)或計劃發(fā)布以下部分

《》:

半導體器件集成電路第部分總則

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984);

半導體器件集成電路第部分數(shù)字集成電路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985);

半導體器件集成電路第部分模擬集成電路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986);

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第一篇線性數(shù)

———GB/T18500.1—20014::

字模擬轉(zhuǎn)換器空白詳細規(guī)范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993);

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第二篇線性模

———GB/T18500.2—20014::

擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器空白詳細規(guī)范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993);

半導體器件集成電路第部分半定制集成電路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5);

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規(guī)范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合電路

)(idtIEC60748-11:1990);

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規(guī)范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21:1997,IDT);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路

———GB/T13062—201821-1:

空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT);

膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用能力批準程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22);

膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范采用能力批準程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)。

本部分為半導體器件集成電路的第部分

《》21-1。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程

GB/T13062—1991《(

序與相比主要技術(shù)變化如下

)》,GB/T13062—1991,:

修改了鑒定檢驗程序由一個程序擴展為程序和程序兩個程序見表表年版的

———,AB(4、5,1991

表表

2、3);

刪除了有關(guān)文件的規(guī)定見年版的第章

———“”(19913);

增加了封蓋前目檢和電耐久性兩個試驗項目見表

———“”“”(2);

增加了可焊性試驗見表

———“4.5.10”(3b)。

本部分采用翻譯法等同采用半導體器件集成電路第部分膜集成

IEC60748-21-1:1997《21-1:

電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程序

()》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關(guān)系的我國文件如下

:

膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988);

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規(guī)范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)。

本部分做了下列編輯性修改

:

Ⅰ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

表中易燃性試驗欄增加腳注建議該試驗宜規(guī)定為破壞性試驗見表

———3b“D/ND”,(3b);

表中分組電耐久性有誤改為電耐久性見

———IEC60748-21-1:19974bB8“4.4.14”,,“4.5.14”(

表

4b)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第四十三研究所中國電子技術(shù)標準化研究院

:、。

本部分主要起草人馮玲玲陳裕焜雷劍王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T13062—1991。

Ⅱ

GB/T13062—2018/IEC60748-21-11997

:

半導體器件集成電路

第21-1部分膜集成電路和混合膜集成

:

電路空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程序

()

引言

電子元器件質(zhì)量評定體系遵循章程并在授權(quán)下工作該體系的目的是確定質(zhì)量評

IECIECIEC。

定程序以這種方式使一個參加國家按有關(guān)規(guī)范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有

,

參加國同樣接受

。

編制詳細規(guī)范時將總規(guī)范中和分規(guī)范中和的內(nèi)容考慮進去

,3.52.33.2。

本空白詳細規(guī)范是半導體器件的一系列空白詳細規(guī)范之一并與下列標準一起使用

,:

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合集成電路總規(guī)范

IEC60748-2020:(Semi-

conductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecificationforfilmintegratedcircuitsand

hybridfilmintegratedcircuits)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

IEC60748-20-120-1:

第部分內(nèi)部目檢要求

1:(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part20:Genericspecification

forfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuits—Section1:Requirementsforinternal

visualexamination)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范采用

IEC60748-2121:(

鑒定批準程序

)(Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part21:Sectionalspecificationforfilm

integratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofqualificationapprovalprocedures)

對于目錄內(nèi)電路已經(jīng)出版詳細規(guī)范其格式及最少內(nèi)容應符合表表要求

a),,2~4;

對于定制電路未出版詳細規(guī)范其格式和內(nèi)容是可以選擇的但是定制電路與其外形安裝

b),,;,、

和功能等方面有關(guān)的要求需經(jīng)過驗證可在鑒定批準的維持試驗程序中規(guī)定也可在詳細規(guī)范

,,

中規(guī)定亦或兩者組合規(guī)定

,;

對于未出版詳細規(guī)范其格式及內(nèi)容宜符合表表要求

c)CQCs,,2~4。

本部分規(guī)定了編制膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規(guī)范采用鑒定批準程序的基本要求