模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-課后答案

26第一章雜質(zhì)半導體分為( N )型和( P)型自由電子是(N)型半導體中的多子?？昭ㄊ?P)型半導體中的少子。雜質(zhì)半導體中的少子因(本征激發(fā))(摻雜)而產(chǎn)生。常溫下多子濃度等于( 雜質(zhì))濃度而少于濃度隨( 溫度)變化顯著。(集中)電流與載流子濃度梯度成正比；(漂移)電流與電場強度成正比。當( P )區(qū)外接高電位而( N )區(qū)外接低電位時，PN結(jié)正偏。6，PN()、(耗盡層)、()和(勢壘區(qū))。IS(euD/UTIS(euD/UT1)()特性。此外，PN(電容)效應和()特性。PN結(jié)電容包( 勢壘)電容和(集中)電容PN結(jié)反偏時只存在(勢壘)電容。反偏越大，該電容越(越小)。一般Si二極管的導通電壓的典型值約為( 0.7)伏，而Ge二極管導通電壓的典型值約( 0.3)伏。10．( 鍺)二極管的反向飽和電流遠大( 硅)二極管的反向飽和電流。PN結(jié)的反向擊穿分( 齊納)擊穿和(雪崩)擊穿兩種機理。反向擊穿)特性工作的二極管。r dduDdiDQr dduDdiDQd二極管溝通電阻rd

的定義式是(

)，r

的估算式是(UTIDdT)，其中熱電壓U在T=300K時，值約為(UTIDdT當放射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時BJT工作(放大區(qū)，當放射結(jié)和U U UCBE放大偏置的NPNU U UCBEU U UCBEU U UCBE為了提高值，BJT在構(gòu)造上具有放射區(qū)雜質(zhì)密度(遠遠高于)基區(qū)雜()的特點。CBO

表示( 集電極反向飽和電流下標O表示( 放射極開路)ICEO表示( C-E間的穿透電流)，下標O表示( 基極開路)。這兩個電流之間的CEOIIICEO CBOC1C

ii與BC與B

iB

ICBO

Si管而言

BC20．共射直流放大系數(shù)與共基直流電流放大系數(shù)的關(guān)系是C )。1

(

則是(指)關(guān)系。

E C B BE放大偏置的BJT(基區(qū)寬度調(diào)制效應)。23．一條共射輸入特性曲線對應的函數(shù)關(guān)系是i i f(u)B BEuCEi f(u )

)。一條共射輸出特性曲線對應的函數(shù)關(guān)系是( C CE

i 常數(shù))。B當溫度增加時， (增大)，ICBO(增大)，而共射輸入特性曲(左移)使得UBE減小。maxBJT的三個主要極限參數(shù)(I )(maxC

)和(U PCM( PCM( iCiEiCiEuCE IICE特征頻率)。rbeβ其實是兩個共射H參數(shù)，它們與混合πrber rbr rbb be引入厄利電壓UA

gm berrgm berrcerbrbc其次章放大器的直流通路可用來(靜態(tài)工作點)在畫直流通路時應將電路元件中的( 電容 ，( 電感 )短路。溝通通路只反( 溝通 )電壓與( 溝通 )電流之間的關(guān)系。在畫溝通通路時，應將耦合和傍路電容及恒壓( 短路 )。3．題2.13(3)UCEUCEECIC(R RCe)RC1//RL載線是經(jīng)過RC1//RL(u(uCE,iC)()大器信號源的等效負載是放大器(輸入)電阻，而向放大器的負載RL輸出功率的等效信號源的內(nèi)阻是放大器( 輸出)電阻。多級放大器的增益等于各級增益分貝( 相加)。假設放大器A=-70．7倍，u則uA的分貝=( 37 )。則u級聯(lián)放大器常用的級間耦合方式( 直接耦合( 阻容耦合(變壓器)耦合。放大器級間產(chǎn)生共電耦合的緣由()，消退共電耦合的方法是承受()電路。高增益直流放大器要解決的一個主要問題(零點漂移〔溫漂〕)。()電阻是上一級的負載。任何放大器( 功率)增益總是大于一。從頻譜分析的角度而言放大器非線性失真的主要特征( 出信號產(chǎn)生了的頻率成分〕)。a圖P1〕和〕是兩個無源單口網(wǎng)絡。圖〕R等a于( 51.1k 0.02k )。〔a〕

圖P2．13(13)

〔b〕圖P2．14是某放大器的通用模型。假設該放大器的端電壓增A=-100，u則該放大器的A=(39)dB，A=(40.4)dB，A=( 34)dB，A=( 37 us uo i p100Ω2KΩ圖P2．13(14)

圖P2．13(18)功率)增益最大。當溫度增加時，晶體管的直流參數(shù)( )和( ICEO )增加，而3031UBE( )減小，使圖P2．13(16)(上)UBE當溫度增加時圖P2．13(16)電路的( 基極)電流幾乎不變而( 集電極)電流明顯增大，(

CER較大e圖P2(R較大eII1 II1 B

)時，穩(wěn)定Q效果較好。RC19．圖P2．13(18)RC(飽和)區(qū)。

第三章在半導體集成電路(IC)中，( BJT )元件占芯片面積最小，( R )和( C )元件的值越大，占芯片面積越大，( L )元件無法集成。()電路。而集成放大器的負載常承受(有源負載)(提高電壓增益)。IC中的恒壓源和恒流源電路屬于非線性電阻性單口器件。前者有很小的( 溝通)電阻，后者( 溝通)電阻很大。id3．19CE根本差動放大器的差模輸入電壓uid

的線性范圍約為( 26 )mV。id在圖3．19中，當u 超過大( 100 )mV時，輸出消滅明顯限幅。id差動放大器依靠電路( 對稱性)和( 共模)負反響來抑制零點漂移。(差放抑制共模信號)。承受恒流源偏置的差動放大器可以明顯提( 共模抑制比)。NPN-PNP互補對稱乙類功放在每管工作時都是( 共集電極)組態(tài)這種功放電路，對放射結(jié)加肯定正偏電壓的目的是為了抑制(交越失真)。NPN )管(標出各電)。其等效1 2r (11 2r (1 )rbe11 be2be使用P =lW的BJT作甲類功放時，只能輸( 0.25 )W功率，而用兩只CMP =lW的NPN和PNP管組成乙類成效，卻能輸( 5 )W功率。CM對于OCL或OTL電路，當負載電阻減小時，最大輸出功( 增大)。當功率管的飽和壓降UCES增大時，各指標的變化為P( 減小)，omaxEmaxT1maxma( 降低 P( 不變 和P ( 不變 。EmaxT1max第四章場效應(FET)依靠(柵源電壓uGS 器件。FET工作于放大區(qū)，又稱( 飽和)區(qū)或( 源uGS)電壓掌握，而iD幾乎不(漏源uDS)電壓的轉(zhuǎn)變而變化。3．N溝道FET放大偏置時，溝道電iD的方向是( 漏)極到(源)極；P溝放大偏置時，iD的方向是( 源)極到( 漏)極?？拷ODSGS()方程。iuDGSuD常數(shù)m．FET 的小信號跨導定義為iuDGSuD常數(shù)m2Iu2IuUDSS(1GS)GS(off)UGS(off)

gm0IiDDSS2gm0IiDDSS2IDOU(GS(th)uGSUGS(th)1)m．在放大區(qū)，耗盡型管轉(zhuǎn)移特性曲線近似滿足的平方律關(guān)系式為(I DSS

uGS )2UGS(off)

)，而增加型管的平方律關(guān)系式(I DO

uGSUGS(th)

1)2 依據(jù)FET在放大區(qū)的外特性它的柵極源極和漏極分別與BJT的(基)極、( 放射)極和(集電極)極相像。在FET分立元件放大電路中，常承受的偏置電路(自偏壓)電路和(分壓式自偏壓)(自偏壓式)MOSFET。FET的三種根本放大組態(tài)組態(tài)CD組態(tài)和CG組態(tài)，其放大特性分與BJT的( CE )組態(tài)、( CC )組態(tài)和( CB )組態(tài)相像。FET的(溝道調(diào)制)效應與BJT的基區(qū)寬調(diào)效應相像?；鶇^(qū)寬調(diào)效應使集電DS結(jié)反偏電壓變化對各極電流有影響，F(xiàn)ET的該效應( uDS

)電壓的變化對iD產(chǎn)生影響。DrdsFET的小信號參( )rds第五章放大器的頻率響應是指放大器的輸出信號對輸入信號(正弦穩(wěn)態(tài))信號放大器輸出信號與輸入信號的相量比(頻率特性)函數(shù)。(耦合電容、旁路電容〔等電抗元件〕)的存在，使放大器的增益是頻率的函數(shù)；在高頻段，由(極間電容、分布電容、雜散電容等)使增益也是頻率的函數(shù)。1當輸入信號頻率降低或上升至使增|A(jω)|下降到中頻段增|Ao|的( 2)倍通頻帶就是( fL～fH )dB(截止)頻3)dB帶寬。大器對輸入信號的高頻重量或低頻重量的放大倍數(shù)不一樣，輸出波形就會發(fā)生畸變，這種輸出失真稱( 幅頻失真)。放大器對輸入信號的某些頻率成分不同，或者說對不同頻率的輸入信號產(chǎn)生的附加相移不與頻率成正比，也會使輸出波形畸變，這種輸出失真稱( 相頻失真)。以上兩種失真統(tǒng)稱為()失真。與非線性失真最根本的區(qū)分是：發(fā)生頻率失真時，輸出波形中不會消滅(的頻率〔諧波〕)(線性)失真。j將頻率特性函數(shù)A(中( 代( S ，則成為放大器增益函數(shù)jA(s)。使A(s)→0的取值稱為放大器增益函數(shù)( 零點)，使A(s)→∞的取值稱為放大器增益函數(shù)( 極點)。．電壓增益的頻率特性函數(shù)

A(j)A

()ej()

。其中A

(ω)的含義是 80u u u 60( 幅頻特性－表示放大器增益的幅值與頻率 4020的關(guān)系)，()含義是(相頻特性－表示放大器增益的相位與頻率的關(guān)系)。

圖P5．12(8)

8．如圖P5．12(8)所示，Au(jω)Auo=(105)倍，1RCOfH=( 106/2Hz1RCO(

)。(其中RO

)10．某放大器的電壓增益函數(shù)

u

(s2

31014s2計算，該放大器的Auo=( －300 )，ωL=( 100rad)，ωH=( )。〔此為全頻段的增益函數(shù)，需畫出波特圖才能知道中頻增益的大小〕先將增益函數(shù)變?yōu)樽優(yōu)闃藴首鲌D式： A(s)

s2 u s s

s s (1 )2(1

(1 )2(1 )2102

102 106 20lg(3102)dB第六章負反響的根本型式有電壓串聯(lián)，電壓并聯(lián)，電流串聯(lián)，電流并聯(lián)四種；假設把輸出端短路后，反響因而消逝者，就是電壓 反響；反響并不因而消逝者則是電流 反響假設把輸入端 短路后反響因而消逝者，就是并聯(lián) 反響，否則，則是串聯(lián) 反響。為了充分提高負反響的效果，串聯(lián)反響要求信號源內(nèi)阻小，并聯(lián)反響要求信號源內(nèi)阻大；電流反響要求負載電阻小載電阻大。電流串聯(lián)負反響放大器是一種輸出端取樣為電流，輸入端比比賽為增大，輸出電阻增大。電壓，輸入端比比賽為的負反響放大器，它使輸入電阻減小，輸出電阻減小。串聯(lián)負反響，假設要提高放大器帶負載力量，應引入電壓負反響。一個電壓串聯(lián)負反響放大器，無反響時電壓增益80dB，為使有反響時的20dB，則反響深度〔1+AB〕應為60dBB約等于AjAjBj1負反響系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是AjAjBj1 (2n1)T A B

，相應的振幅條件是。40dB10%，閉環(huán)增益變1%，則開環(huán)增益為60dB第七章〔1〕抱負集成運放開環(huán)電壓放大倍A= ，輸入電阻R= ，輸ud id出電阻R