標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB 13539.4-1992 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，專注于低壓熔斷器中專門用于半導(dǎo)體器件保護(hù)的熔斷體的補(bǔ)充要求。該標(biāo)準(zhǔn)在原有通用低壓熔斷器標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上，針對半導(dǎo)體器件（如晶體管、二極管、集成電路等）的特性，制定了更為具體和嚴(yán)格的規(guī)定，以確保這些精密電子組件得到恰當(dāng)?shù)倪^電流保護(hù)，避免因電流過大造成損壞。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽包括：

  1. 適用范圍：明確了標(biāo)準(zhǔn)適用于安裝在電路中，旨在保護(hù)半導(dǎo)體器件免受過電流危害的低壓熔斷器。這類熔斷器需能在過電流情況下快速響應(yīng)，以減少對半導(dǎo)體器件的潛在損害。

  2. 術(shù)語與定義：界定了與半導(dǎo)體保護(hù)熔斷體相關(guān)的專業(yè)術(shù)語，確保使用者對標(biāo)準(zhǔn)中的概念有統(tǒng)一理解。

  3. 技術(shù)要求：

    • 電氣性能：規(guī)定了熔斷體的額定電壓、分?jǐn)嗄芰?、熔斷特性等電氣參?shù)，確保其能適應(yīng)半導(dǎo)體器件的工作環(huán)境和保護(hù)需求。
    • 機(jī)械性能：包括熔斷體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、耐熱性、安裝尺寸及兼容性要求，保證安全穩(wěn)定地集成到電路系統(tǒng)中。
    • 環(huán)境條件：考慮到不同使用環(huán)境下（如溫度、濕度）熔斷體應(yīng)保持的功能穩(wěn)定性。

  4. 試驗(yàn)方法：詳細(xì)說明了對熔斷體進(jìn)行驗(yàn)證和測試的具體步驟和條件，如電氣試驗(yàn)、機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn)、環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)等，以驗(yàn)證其是否滿足規(guī)定的性能指標(biāo)。

  5. 檢驗(yàn)規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前的檢驗(yàn)項(xiàng)目、抽樣方案及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量控制。

  6. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存：要求熔斷體的標(biāo)識清晰，包裝適應(yīng)長途運(yùn)輸和儲存需要，防止因外因?qū)е碌膿p壞。

  7. 附加信息：可能包含參考標(biāo)準(zhǔn)、實(shí)施日期和標(biāo)準(zhǔn)的替代或廢止情況說明等。

此標(biāo)準(zhǔn)的制定和實(shí)施，對于提升半導(dǎo)體器件應(yīng)用的安全性和可靠性具有重要意義，為制造商、設(shè)計(jì)工程師以及使用這些保護(hù)器件的行業(yè)提供了統(tǒng)一的技術(shù)遵循依據(jù)。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 13539.4-2005
  • 1992-07-01 頒布
  • 1993-03-01 實(shí)施
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GB 13539.4-1992低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求_第1頁
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GB 13539.4-1992低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

UDC621.316.923.027.2K31中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.4-92低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01發(fā)布1993-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求GB13539.4-92中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月電子版制作書號：155066·1-26327版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：010)68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)低壓熔斷器GB13539.4-92半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本標(biāo)準(zhǔn)參照采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC269-4(1986)《低壓熔斷器華導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要術(shù)》本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與GB13539.1一92《低壓熔斷器本要求》一起使用。除非本標(biāo)準(zhǔn)另有說明，半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體，還應(yīng)符合GB13539.1的規(guī)定。1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時(shí)間-電流特性、分?jǐn)嗄芰?、截?cái)嚯娏魈匦浴?特性、電弧電壓特性、試驗(yàn)和標(biāo)志。本標(biāo)準(zhǔn)適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導(dǎo)體器件的設(shè)備上使用的熔斷體。注：在多數(shù)情況下，以組合設(shè)備的一部分作為塔斷體的底座。由于設(shè)備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設(shè)備是否通合用作熔斷體的底座，應(yīng)由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當(dāng)采用獨(dú)立的婚斷器底座或支持件時(shí),則它們應(yīng)符合GB13539.1的有關(guān)規(guī)定。②這種熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”2引用標(biāo)準(zhǔn)GB321優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系GB13539.11低壓熔斷器基本要求3術(shù)語、符號、代號3.1術(shù)語3.1.1半導(dǎo)體器件基本特性是由于載流子在半導(dǎo)體中流動引起的-j一種器件、3.1.2半導(dǎo)體熔斷體semiconductorfuse-link在規(guī)定條件下，能夠分?jǐn)?.2范圍內(nèi)的任何電流值的-一種限流熔斷體。注：GB13539.1中術(shù)語;“(熔斷體的)使用類別”本標(biāo)準(zhǔn)不適用.3.

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