2021年中國(guó)氮化鎵行業(yè)相關(guān)政策匯總

2021年中國(guó)氮化鎵行業(yè)相關(guān)政策匯總\t"/zhengce/202112/_blank"2021年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)分析報(bào)告-市場(chǎng)調(diào)查與未來(lái)趨勢(shì)預(yù)測(cè)顯示，氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。氮化鎵行業(yè)是中國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，自2015年以來(lái)，國(guó)家政府部門發(fā)布了多項(xiàng)關(guān)于氮化鎵行業(yè)的鼓勵(lì)支持、引導(dǎo)政策；如2021年6月，由科技部、國(guó)家發(fā)改委等六部委發(fā)布的長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要與長(zhǎng)三角G60科創(chuàng)走廊建設(shè)方案中就說(shuō)到：長(zhǎng)三角C60科創(chuàng)走廊包括G60國(guó)家高速公路和滬蘇湖、商合杭高速鐵路沿線的上海市松江區(qū)，江蘇省蘇州市，浙江省杭州市、湖州市、嘉興市、金華市，安徽省合肥市、蕪湖市、宣城市9個(gè)市(區(qū))。方案提出在重點(diǎn)領(lǐng)域培育一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)，加快培育布局量子信息、類腦芯片、第三代半導(dǎo)體、基因編輯等一批未來(lái)產(chǎn)業(yè)。2015年-2021年6月國(guó)家層面氮化鎵行業(yè)相關(guān)政策規(guī)劃梳理日期相關(guān)部門政策名稱主要內(nèi)容2021.6科技部、國(guó)家發(fā)改委等六部《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》、《長(zhǎng)三角G60科創(chuàng)走廊建設(shè)方案》長(zhǎng)三角C60科創(chuàng)走廊包括C60國(guó)家高速公路和滬蘇湖、商合杭高速鐵路沿線的上海市松江區(qū)，江蘇省蘇州市，浙江省杭州市、湖州市、嘉興市、金華市，安徽省合肥市、蕪湖市、宣城市9個(gè)市(區(qū))。方案提出在重點(diǎn)領(lǐng)域培育一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)，加快培育布局量子信息、類腦芯片、第三代半導(dǎo)體、基因編輯等一批未來(lái)產(chǎn)業(yè)。2021.3兩會(huì)《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》提出需要集中優(yōu)勢(shì)資源攻關(guān)多領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，其中集成電路領(lǐng)域包括集成電路設(shè)計(jì)工具開(kāi)發(fā)、重點(diǎn)裝備和高純靶材開(kāi)發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。2020.7國(guó)務(wù)院《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率或減半征收企業(yè)所得稅。2019.12工信部《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》推薦材料:氮化鎵單晶襯底、功率器件用氮化鎵外延片、碳化硅外延片、碳化硅單晶襯底、碳化硅陶瓷膜過(guò)濾材料、立方碳化硅微粉、氮化鋁陶瓷粉體及基板等。2019.10發(fā)改委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整知道目錄(2019年本)》“第一類鼓勵(lì)類”:半導(dǎo)體、光電子器件、新型電子元器件(片式元器件、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高頻微波印制電路板、高速通信電路板、柔性電路板、高性能覆銅板等)等電子產(chǎn)品用材料。2019.6發(fā)改委、商務(wù)部《鼓勵(lì)外商投資產(chǎn)業(yè)目錄(2019年版)》支持引進(jìn)SiC超細(xì)粉體，高純超細(xì)氧化鋁微粉，高純氮化鋁(AIN)粉體等精密高性能陶瓷原料外資生產(chǎn)企業(yè)。2019.5財(cái)政部、稅務(wù)總局《關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》依法成立且符合條件的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和軟件企業(yè)，在2018年12月31日前自獲利年度起計(jì)算優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。2018.7工信部、發(fā)改委《擴(kuò)大和升級(jí)信息消費(fèi)三年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》加大資金支持力度，支持信息消費(fèi)前沿技術(shù)研發(fā)，拓展各類新型產(chǎn)品和融合應(yīng)用。各地工業(yè)和信息化、發(fā)展改革主管部要進(jìn)一步落實(shí)鼓勵(lì)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策，加大現(xiàn)有支持中小微企業(yè)稅收政策落實(shí)力度。2018.6工信部《智能傳感器產(chǎn)業(yè)三年行動(dòng)指南(2017-2019年)》總目標(biāo)提出:涵蓋智能傳感器模擬與數(shù)字/數(shù)字與模擬轉(zhuǎn)換(AD/DA)、專用集成電路(ASIC)、軟件算法等的軟硬件集成能力大幅攀升。2018.3國(guó)務(wù)院(《知識(shí)產(chǎn)權(quán)對(duì)外轉(zhuǎn)讓有關(guān)工作辦法(試行)》技術(shù)出口、外國(guó)投資者并購(gòu)境內(nèi)企業(yè)等活動(dòng)中涉及本辦法規(guī)定的專利權(quán)、集成電路布圖涉及專有權(quán)、計(jì)算機(jī)軟件著作權(quán)、植物新品種權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)對(duì)外轉(zhuǎn)讓的，需要按照本辦法進(jìn)行審查。2017.4科技部《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》在總體目標(biāo)、指標(biāo)體系、發(fā)展重點(diǎn)等各方面均提出要大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料。2016.12國(guó)家能源局《能源技術(shù)創(chuàng)新“十三五”規(guī)劃》2015-2023年間實(shí)施化合物半導(dǎo)體能源材料應(yīng)用示范:研究8英寸碳化硅村底材料穩(wěn)定制備技術(shù)，實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅晶體村底材料批量生產(chǎn);發(fā)展擊穿電壓大于5kV的GaN單晶生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)6英寸GaN單晶村底的量產(chǎn)，研究高功率LED射裝膠低成本國(guó)產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)。2016.12國(guó)家發(fā)改委、工信部《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平;建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系，重點(diǎn)發(fā)展12英寸集成電路成套生產(chǎn)線設(shè)備。2016.12國(guó)務(wù)院《“十三五”國(guó)家信息化規(guī)劃》大力推進(jìn)集成電路創(chuàng)新突破。加大面向新型計(jì)算、5G、智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)的芯片設(shè)計(jì)研發(fā)部署，推動(dòng)32/28nm、16/14nm工藝生產(chǎn)線建設(shè)，加快10/7nm工藝技術(shù)研發(fā)。2016.11國(guó)務(wù)院《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》啟動(dòng)集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃工程，實(shí)施一批帶動(dòng)作用強(qiáng)的項(xiàng)目，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)能力實(shí)現(xiàn)快速躍升。2016.9科技部等四部委《推進(jìn)“一帶一路”建設(shè)科技創(chuàng)新合作專項(xiàng)規(guī)劃》共同開(kāi)展高品質(zhì)特殊鋼等重點(diǎn)基礎(chǔ)材料產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，高性能膜材料、第三代半導(dǎo)體、納米材料、光電材料、綠色節(jié)能建筑材料等先進(jìn)材料制造技術(shù)合作研發(fā)。2016.8質(zhì)檢總局、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委、工信部《裝備制造業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化和質(zhì)量提升規(guī)劃》加快完善集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系，推進(jìn)高密度封裝、三維微組裝、處理器、高端存儲(chǔ)器、網(wǎng)絡(luò)安全、信息通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域集成電路重大創(chuàng)新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制修訂，開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)、IP核等方面的標(biāo)準(zhǔn)研究。2016.7國(guó)務(wù)院《“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃》規(guī)劃提出:支持面向集成電路等優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域建設(shè)若干科技創(chuàng)新平臺(tái);推動(dòng)我國(guó)信息光電子器件技術(shù)和集成電路設(shè)計(jì)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。2016.7國(guó)務(wù)院《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》構(gòu)建先進(jìn)技術(shù)體系。打造國(guó)際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破。2016.5國(guó)務(wù)院《國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略綱要》加大集成電路等自主軟硬件產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)攻關(guān)和推廣力度;攻克集成電路裝備等方面的關(guān)鍵核心技術(shù)。5016.5國(guó)家發(fā)改.委、財(cái)政部、工信部《關(guān)于軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策有關(guān)問(wèn)題的通知》明確了在集成電路企業(yè)的稅收優(yōu)惠資格認(rèn)定等非行政許可審批職消后，規(guī)定集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)可以享受《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》有關(guān)企業(yè)所得稅減免政策需要的條件，再次從稅收政策上支持集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的發(fā)展。2015.6科技部《科技部重點(diǎn)支持集成電路重點(diǎn)專項(xiàng)》“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”列為國(guó)家重點(diǎn)科技專項(xiàng)。2015.5國(guó)務(wù)院《中國(guó)制造2025》將集成電路作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動(dòng)突破發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域，著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平，掌握高密度封裝及三維(3D)未組裝技術(shù)。2015.3財(cái)政部、稅務(wù)局、發(fā)改委、工信部《關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》集成電路封裝、測(cè)試企業(yè)以及集成電路關(guān)鍵專用材料生產(chǎn)企業(yè)、集成電路專用設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)，根據(jù)不同條件可以享受有關(guān)企業(yè)所得稅減免政策，再次從稅收政策上支持集成電路行業(yè)的發(fā)展。除了國(guó)家層面的支持政策外，中國(guó)地方各級(jí)政府也進(jìn)一步支持氮化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如北京市的關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施，該政策就提出一是支持第三代半導(dǎo)體等先進(jìn)半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)展新型器件設(shè)計(jì)以及襯底外延、器件、模組、工藝線等制造環(huán)節(jié)輔助材料和關(guān)鍵核心設(shè)備的研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化，進(jìn)一步提升關(guān)鍵環(huán)節(jié)核心器件、材料和制造裝備的自主可控能力;二是支持企業(yè)投資新建大尺寸半導(dǎo)體工藝、材料、設(shè)備生產(chǎn)線，提高產(chǎn)品良率，降低工藝成本，不斷提升產(chǎn)能。全國(guó)各省市職業(yè)教育行業(yè)相關(guān)政策規(guī)劃梳理省市政策名稱主要內(nèi)容北京《關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施》，一是支持第三代半導(dǎo)體等先進(jìn)半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)展新型器件設(shè)計(jì)以及襯底外延、器件、模組、工藝線等制造環(huán)節(jié)輔助材料和關(guān)鍵核心設(shè)備的研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化，進(jìn)一步提升關(guān)鍵環(huán)節(jié)核心器件、材料和制造裝備的自主可控能力;二是支持企業(yè)投資新建大尺寸半導(dǎo)體工藝、材料、設(shè)備生產(chǎn)線，提高產(chǎn)品良率，降低工藝成本，不斷提升產(chǎn)能。上?！吨袊?guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策和集聚發(fā)展集成電路、人工智能、生物醫(yī)藥、航空航天產(chǎn)業(yè)若干措施》對(duì)集成電路裝備及材料類企業(yè)，年度銷售收入首次突破5000萬(wàn)元、1億元、5億元、10億元的，經(jīng)認(rèn)定后分別給予最高不超過(guò)200萬(wàn)元、800萬(wàn)元、1200萬(wàn)元、1500萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)，每上一個(gè)臺(tái)階獎(jiǎng)勵(lì)一次、實(shí)施晉檔補(bǔ)差。廣州《廣州市加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》組織實(shí)施“強(qiáng)芯”工程，注重內(nèi)培外引、自主創(chuàng)新、人才集聚、融合發(fā)展，到2022年，爭(zhēng)取納入國(guó)家集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃，建設(shè)國(guó)內(nèi)先進(jìn)的晶圓生產(chǎn)線，引進(jìn)一批、培育-批、壯大一批集成電路設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、分析以及深耕智能傳感器系統(tǒng)方案的企業(yè)，建成全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)、人才匯聚地、創(chuàng)新示范區(qū)。深圳《深圳市進(jìn)一步推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃》提升技術(shù)水平。制造能力初步具備全球競(jìng)爭(zhēng)力，設(shè)計(jì)水平整體進(jìn)入全球領(lǐng)軍陣營(yíng)，第三代半導(dǎo)體技術(shù)能力對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域形成有力支撐。到2023年，突破一-批關(guān)鍵核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和批量應(yīng)用。完善產(chǎn)業(yè)鏈條。先進(jìn)工藝和特色工藝制造生產(chǎn)線完成布局，裝備、材料、先進(jìn)封測(cè)等上下游環(huán)節(jié)配套完善，第三代半導(dǎo)體中試研發(fā)和器件生產(chǎn)線建成，帶動(dòng)襯底、外延等環(huán)節(jié)加速發(fā)展，本地產(chǎn)業(yè)鏈配套和協(xié)作能力明顯提升，產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)力顯著增強(qiáng)。濟(jì)南《濟(jì)南支持寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展的若干政策》支持濟(jì)南高新區(qū)發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。充分發(fā)揮濟(jì)南高新區(qū)在電子信息、智能制造等方面的綜合創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，聚焦發(fā)展金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料，加強(qiáng)規(guī)劃策劃，加快引進(jìn)一批寬禁帶半導(dǎo)體芯片和功率器件等重大項(xiàng)目。西安《西安市現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)布局規(guī)劃》1)發(fā)展重點(diǎn):重點(diǎn)突破碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代寬禁帶半導(dǎo)體用新型電子材料關(guān)鍵技術(shù)等。2)發(fā)展布局:以高新區(qū)為核心，打造光電能源新材料產(chǎn)業(yè)集群，重點(diǎn)發(fā)展新--代硅基半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料等。長(zhǎng)沙《長(zhǎng)沙市加快新-代半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策》結(jié)合長(zhǎng)沙產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)際，本政策主要支持集成電路設(shè)計(jì)和設(shè)備、第三代半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件及集成電路的行業(yè)融合應(yīng)用:明確產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)資金和基金，計(jì)劃每年列支3億元專項(xiàng)用于產(chǎn)業(yè)發(fā)展，基金規(guī)?？筛鶕?jù)產(chǎn)業(yè)需求增至100億元。成都《成都市人民政府辦公廳關(guān)于促進(jìn)電子信息產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)》打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。構(gòu)建基于射頻微波、功率等特色領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。優(yōu)化GaAs/CaN生產(chǎn)工藝制程，培育一批骨干設(shè)計(jì)企業(yè),積極引進(jìn)配套封測(cè)企業(yè)和設(shè)計(jì)企業(yè)，研發(fā)量產(chǎn)5C中高頻芯片、器件,超前布局太赫茲芯片。加快第二、三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)。江西《京九(江西)電子信息產(chǎn)業(yè)帶發(fā)展規(guī)劃》依托南昌光谷基礎(chǔ)，以硅襯底LED技術(shù)為主線，積極發(fā)展藍(lán)寶石、碳化硅襯底LED產(chǎn)品。山西《山西省加快推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展實(shí)施意見(jiàn)和若干政策》圍繞5G、電力電子、LED等關(guān)鍵應(yīng)用，重點(diǎn)支持太原碳化硅、氮化驚第三代半導(dǎo)體、紅外探測(cè)芯片，忻州砷化鯨第二代半導(dǎo)體，長(zhǎng)治深紫外半導(dǎo)體等光電半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。浙江《浙江省加快新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2019-2022年