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文檔簡介

2021年全球NAND閃存市場份額、閃存容量及出貨量分析預(yù)測

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存包括SLCNAND,MLCNAND,TLCNAND和QLCNAND。

中國市場低密度SLCNAND閃存主要出口目的地為亞洲地區(qū)。隨著信息技術(shù)的三波創(chuàng)新革命,以移動互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算和物聯(lián)網(wǎng)為代表的新一代信息技術(shù)發(fā)展正在推動信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,對海量數(shù)據(jù)的處理、存儲提出了越來越高的要求。隨著大數(shù)據(jù)時代的到來,NANDFlash芯片將在未來得到巨大發(fā)展。

NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC,從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類。四種類型的NAND閃存顆粒性能各有不同。

Flash技術(shù)主要分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類,對應(yīng)不同的空間結(jié)構(gòu),這四類技術(shù)可又分為2D結(jié)構(gòu)和3D結(jié)構(gòu)兩大類。

SLC(Single-LevelCell,SLC)NAND單元存儲量為1bit/cell,單元擦/寫壽命為10萬次;MLCNAND單元存儲量為2bit/cell,單元擦/寫壽命為3000-10000次;TLCNAND單元存儲量為3bit/cell,單元擦/寫壽命為500次;QLCNAND單元存儲量為4bitcell,單元擦/寫壽命為150次。

NAND閃存,產(chǎn)品應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關(guān)行業(yè)。

《2021-2027年中國NAND閃存行業(yè)市場運營態(tài)勢及發(fā)展趨勢研究報告》顯示:按類型劃分來看,2020年TLCNAND市場份額為55.61%;MLCNAND市場份額為32.15%;SLCNAND市場份額為1.82%;QLCNAND市場份額為10.43%,目前市場上應(yīng)用最廣泛的是TLCNAND,QLC作為新興產(chǎn)品將在未來幾年快速占領(lǐng)市場,SLCNAND的市場份額會進一步縮小。

目前,研究的NAND閃存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLCNAND閃存,從不同種類低密度SLCNAND閃存產(chǎn)量市場份額來看,8GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場份額為10.48%;4GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場份額為22.70%;2GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場份額為28.74%;其他SLCNAND閃存產(chǎn)量市場份額為38.08%。

從全球各國家及地區(qū)NAND閃存生產(chǎn)情況來看,北美占23.48%的生產(chǎn)份額;日本占21.26%的生產(chǎn)份額;中國占31.97%的生產(chǎn)份額;中國臺灣占12.76%的生產(chǎn)份額;韓國占6.32%的生產(chǎn)份額。

雖然2019年存儲市場經(jīng)歷了貿(mào)易戰(zhàn),出現(xiàn)了需求趨緩、價格下跌、庫存壓力等情況,但市場需求一直在,產(chǎn)品技術(shù)也不斷提高。經(jīng)過50年的閃存芯片發(fā)展,閃存容量增勢迅猛。到2004年,閃存存儲容量進入GB時代,從2004年閃存存儲容量只有1GB;到2011年閃存存儲容量的達(dá)到128GB;2013年3DNAND閃存顆粒技術(shù)的實踐使閃存容量進一步提升,發(fā)展到128GB;目前,閃存存儲容量高達(dá)TB,預(yù)計2022年發(fā)展到2TB。

據(jù)統(tǒng)計,2019年NAND閃存顆粒存儲密度將達(dá)到3050億GB當(dāng)量,同比增長34.96%;2020年NAND閃存顆粒存儲密度將達(dá)到4420億GB當(dāng)量,同比增長44.92%;預(yù)計2021年NAND閃存顆粒存儲密度將達(dá)到6300億GB當(dāng)量,同比增長42.53%。

2015-2016年,整個內(nèi)存市場發(fā)展疲軟,2017-2018年存儲器IC市場出現(xiàn)了強勢增長,2019年存儲器IC市場出貨

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