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【仿真實(shí)驗(yàn)3】MOS管特征曲線仿真分析MOS管特征曲線仿真分析熟悉使用CADENCE進(jìn)行IC電路設(shè)計(jì)與仿真分析的流程12熟練掌握MOS管元件參數(shù)的設(shè)置方法和繪制電路原理圖3熟悉使用ADE環(huán)境進(jìn)行spectre仿真分析的操作流程4熟練掌握DC分析的步驟與參數(shù)分析方法的設(shè)置實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?掌握MOS管漏極電流方程和仿真其特性曲線并可分析驗(yàn)證MOS管特征曲線仿真分析這一次實(shí)驗(yàn)，我們來(lái)學(xué)習(xí)MOS管的很重要的參數(shù)圖：特征曲線。即當(dāng)MOS管柵源電壓VGS不同時(shí)，漏極電流ID隨著漏源電壓VDS的變化曲線。我們以NMOS管特征曲線為例來(lái)分析。通過(guò)課程學(xué)習(xí)，我們知道當(dāng)MOS管中的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)夾斷時(shí)，MOS管就工作在飽和區(qū)。即當(dāng)VDSVGS-VTHN并且VGSVTHN時(shí)，有這個(gè)公式：

這個(gè)公式表示，隨著VGS的增大而增大，MOS漏極電流也隨之增大。這種關(guān)系稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制。稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù)，長(zhǎng)溝道MOS管的典型值為0.01。

練習(xí)&作業(yè)：MOS管特征曲線仿真分析在以自己的名字為庫(kù)名的目錄下建一個(gè)cell，名為PMOS_ID_VSD，PMOS管L：1um，W：10um。電路圖如下：提示：?jiǎn)?dòng)ADE，使用Spectre仿真，變量VSG初始設(shè)置為1V，直流分析VSD從0到5V，每隔0.001V掃描一次，仿真分析。在ADE窗口，點(diǎn)Tools后再點(diǎn)ParametricAnalysis。在彈出的窗口里，VariableName寫(xiě)入VSG，RangeTypeFrom寫(xiě)入0，To寫(xiě)入5，TotalSteps寫(xiě)入6，之后點(diǎn)Analysis，再點(diǎn)Start，開(kāi)始運(yùn)行仿真PMOS管的特性曲線（輸出ID隨輸入VSD的變化

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