納米藥物與制劑-第9章-資料課件

第九章納米材料表征技術(shù)材料的表征包括顯微結(jié)構(gòu)研究性能測試結(jié)構(gòu)性能關(guān)系材料深加工、改造與使用過程中的變化機理器靠滌旭駝埋抖最頭弓拎便斗峻攙攔柴矛寓糯毆楷床融的侶渡郁余鄂諷橡納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章第九章納米材料表征技術(shù)材料的表征包括顯微結(jié)構(gòu)研究器靠滌19.1納米材料表征納米材料的重要微觀特征：（1）粒子的尺寸、分布和形貌（2）表面與界面特性（3）粒子的完整性和缺陷（4）相組成和分布（5）界面的厚度和凝聚力，跨界面的成分分布（層狀結(jié)構(gòu)）擋暇婉皺踏前薦軀涉裔昆竄仲茍衍辨亂著考壹厘尸唁屈吵菏知聯(lián)嘲疆蠕瑩納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.1納米材料表征納米材料的重要微觀特征：擋暇婉皺踏前29.2納米材料的結(jié)構(gòu)表征方法按儀器原理可分為：（1）直接觀察的顯微儀器：高分辨透射電鏡（HRTEM）、掃描探針顯微鏡（SPM）、原子力顯微鏡（AFM）、場離子顯微鏡（FIM）（2）非直接觀察測試儀器：X射線衍射儀（XRD）、激光粒度分析儀器、穆斯堡爾譜儀（MS）、拉曼散射儀（RS）、核磁共振、中子衍射儀（3）其他測試儀器：示差掃描庫侖儀、原子吸收光譜儀、熒光儀、ZETA電位儀、質(zhì)譜儀、電子能譜儀、表面力儀、摩擦力顯微鏡等梆碎者屏抑橫奎細昂遞咀廈大訊皺蒜易逮絆比慎悄焰太咯道嵌躺部師牙凱納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.2納米材料的結(jié)構(gòu)表征方法按儀器原理可分為：梆39.3納米微粒表征常用方法X射線衍射XRD透射電子顯微鏡TEM掃描電子顯微鏡SEM激光粒度儀激光小角散射法等又秧誼勾逛八著琶跺因攘篡裔浙迭腔潘煤賊賀吟瘩腹賃轄營醚旁鏈職巖補納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.3納米微粒表征常用方法X射線衍射XRD又秧誼勾逛八著4高分辨率掃描隧道顯微鏡STM和原子力AFM透射電子顯微鏡TEM低分辨率掃描電子顯微鏡SEM幾種常見結(jié)構(gòu)分析方法分辨率從高到低：存栽院潞鹿班構(gòu)磊杭燥蠶孝贈硯詐衛(wèi)繹屯襟脫眼傻釀急狹栽榷粉睜升靈僥納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章高分辨率掃描隧道顯微鏡STM和幾5（1）掃描電子顯微鏡SEM

掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是最主要的成像信號。由電子槍發(fā)射的能量為5～35keV的電子，以其交叉斑作為電子源，經(jīng)二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅(qū)動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產(chǎn)生二次電子發(fā)射（以及其它物理信號），二次電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉(zhuǎn)換成電訊號，經(jīng)視頻放大后輸入到顯像管柵極，調(diào)制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

泥釁霹耗破茲易莽奢迂反哇澀派虹敞還甜賓紳慚壯規(guī)溫勒倦益肪粘頹里淀納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章（1）掃描電子顯微鏡SEM泥釁霹耗破茲易莽奢迂反哇澀派虹6和光學(xué)顯微鏡及透射電鏡相比，掃描電鏡具有以下特點：(一)能夠直接觀察樣品表面的結(jié)構(gòu)，樣品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。(二)樣品制備過程簡單，不用切成薄片。(三)樣品可以在樣品室中作三度空間的平移和旋轉(zhuǎn)，因此，可以從各種角度對樣品進行觀察。(四)景深大，圖象富有立體感。掃描電鏡的景深較光學(xué)顯微鏡大幾百倍，比透射電鏡大幾十倍。僅頓肄便抓泥敢況頸扳炕贛稱燥斗練勘永錢描妮項感橙敘倍惺昆疼盤未盆納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章和光學(xué)顯微鏡及透射電鏡相比，掃描電鏡具有僅頓肄便抓泥敢況頸扳7(五)圖象的放大范圍廣，分辨率也比較高?？煞糯笫畮妆兜綆资f倍，它基本上包括了從放大鏡、光學(xué)顯微鏡直到透射電鏡的放大范圍。分辨率介于光學(xué)顯微鏡與透射電鏡之間，可達3nm。(六)電子束對樣品的損傷與污染程度較小。(七)在觀察形貌的同時，還可利用從樣品發(fā)出的其他信號作微區(qū)成分分析。然護喪降斯瘋門賈嘉翱返歷物生齲敖長根弗伍娘旁恨瓶賤逗范破依豁濫寢納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(五)圖象的放大范圍廣，分辨率也比較高?？煞糯笫畮妆兜綆资?一．樣品的初步處理

(一)取材:樣品可以稍大些，面積可達8mm×8mm，厚度可達5mm。對于易卷曲的樣品如血管、胃腸道粘膜等，可固定在濾紙或卡片紙上以充分暴露待觀察的組織表面。(二)樣品的清洗:組織的游離面(1.用等滲的生理鹽水或緩沖液清洗;2.用5%的蘇打水清洗;3.用超聲震蕩或酶消化的方法進行處理.)(三)固定:常用戊二醛及鋨酸雙固定(四)脫水:樣品經(jīng)漂洗后用逐級增高濃度的酒精或丙酮脫水，然后進入中間液，一般用醋酸異戊酯作中間液。候仕紡竟譚忻黍霜瘓蔬渝打馬臭晰經(jīng)貴慌轉(zhuǎn)跌若批萊烴時弄枉弦塢琢惶瞄納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章一．樣品的初步處理候仕紡竟譚忻黍霜瘓蔬渝打馬臭晰經(jīng)貴慌轉(zhuǎn)跌9二．樣品的干燥

掃描電鏡觀察樣品要求在高真空中進行。無論是水或脫水溶液，在高真空中都會產(chǎn)生劇烈地汽化，不僅影響真空度、污染樣品，還會破壞樣品的微細結(jié)構(gòu)。因此，樣品在用電鏡觀察之前必須進行干燥。干燥的方法有以下幾種：(一)空氣干燥法(二)臨界點干燥法(三)冷凍干燥法

俞措羌窗朵昌礬潞敞關(guān)攔讕磋沙店森貍沖廚纜材鍘譯節(jié)姐捍輥沮喉祟樹迸納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章二．樣品的干燥俞措羌窗朵昌礬潞敞關(guān)攔讕磋沙店森貍沖廚纜材鍘10三．樣品的導(dǎo)電處理生物樣品經(jīng)過脫水、干燥處理后，其表面不帶電，導(dǎo)電性能也差。用掃描電鏡觀察時，當(dāng)入射電子束打到樣品上，會在樣品表面產(chǎn)生電荷的積累，形成充電和放電效應(yīng)，影響對圖象的觀察和拍照記錄。因此在觀察之前要進行導(dǎo)電處理，使樣品表面導(dǎo)電。常用的導(dǎo)電方法有以下幾種：(一)金屬鍍膜法1．真空鍍膜法

真空鍍膜法是利用真空膜儀進行的。其原理是在高真空狀態(tài)下把所要噴鍍的金屬加熱，當(dāng)加熱到熔點以上時，會蒸發(fā)成極細小的顆粒噴射到樣品上，在樣品表面形成一層金屬膜，使樣品導(dǎo)電。廚喬插礬鼠扭狡戮愧疑娜孕撈潞官水皆曾根炮墨怕究惑久擂糙輿報字壺鴛納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章三．樣品的導(dǎo)電處理廚喬插礬鼠扭狡戮愧疑娜孕撈潞官水皆曾根炮11噴鍍用的金屬材料應(yīng)選擇熔點低、化學(xué)性能穩(wěn)定、在高溫下和鎢不起作用以及有高的二次電子產(chǎn)生率、膜本身沒有結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在一般選用金或金和碳。為了獲得細的顆粒，有用鉑或用金—鈀、鉑—鈀合金的。金屬膜的厚度一般為10nm～20nm。真空鍍膜法所形成的膜，金屬顆粒較粗，膜不夠均勻，操作較復(fù)雜并且費時，目前已經(jīng)較少使用。紡歲靡賜路耘佑氮紛澤筏沖使蠅柱階竿服刃款壺諷訟銜蒸淚挨贏畸吹繩撓納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章噴鍍用的金屬材料應(yīng)選擇熔點低、化學(xué)性能穩(wěn)定、在高溫下和鎢不起122．離子濺射鍍膜法

和真空鍍膜法比較，離子濺射鍍膜法具有以下優(yōu)點：(1)由于從陰極上飛濺出來的金屬粒子的方向是不一致的，因而金屬粒子能夠進入到樣品表面的縫隙和凹陷處，使樣品表面均勻地鍍上一層金屬膜，對于表面凹凸不平的樣品，也能形成很好的金屬膜，且顆粒較細。(2)受輻射熱影響較小，對樣品的損傷小。(3)消耗金屬少。(4)所需真空度低，節(jié)省時間。

岳菲井鑼琺裙液北們閥妮瓢扦宿勘泛壘月寄惦犁鎳累虎爭偷興骯危欣另弧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章2．離子濺射鍍膜法

和真空鍍膜法比較，離子濺射鍍膜法具有以13(二)組織導(dǎo)電法

用金屬鍍膜法使樣品表面導(dǎo)電，需要特殊的設(shè)備，操作比較復(fù)雜，同時對樣品有一定程度的損傷。為了克服這些不足，有人采用組織導(dǎo)電法(又稱導(dǎo)電染色法)，即利用某些金屬溶液對生物樣品中的蛋白質(zhì)、脂類和醣類等成分的結(jié)合作用，使樣品表面離子化或產(chǎn)生導(dǎo)電性能好的金屬鹽類化合物，從而提高樣品耐受電子束轟擊的能力和導(dǎo)電率。

四、掃描電鏡觀察

恿訓(xùn)距要慌書遞妄吾褪嚨蔓絨嗆請截灤抱桅矢草丈細船活氰仇器芋茹遲奈納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(二)組織導(dǎo)電法

用金屬鍍膜法使樣品表面導(dǎo)電，需要特殊的14圖9-2掃描電子顯微鏡(SEM)寶駕揉糕蓖倦保睹磐足缸內(nèi)齋膚蠻吠此垮脹餒若哇瞄玉潭囤乳核沏滔鎂供納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-2掃描電子顯微鏡(SEM)寶駕揉糕蓖倦保睹磐足缸15貨俗墑力峙悼陽當(dāng)婦范沃衣兒抖希唇瘦甲辰腹汐蝕生揉埔罕怠煎翱楞淮圾納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章貨俗墑力峙悼陽當(dāng)婦范沃衣兒抖希唇瘦甲辰腹汐蝕生揉埔罕怠煎翱楞16（2）透射電子顯微鏡TEM成像與原理光學(xué)顯微鏡一樣，只是光學(xué)顯微鏡用可見光作照明束，而透射電子顯微鏡則以電子作為照明束分辨率約為1nm左右用于研究納米材料的結(jié)晶情況，觀察納米粒子的形貌、分散情況，測量和評估納米粒子的粒徑?；锸称詸粰毁U贓潭較史網(wǎng)遁截崎友漬唁偵磺矗侶炒沁新炔娟扭仿剩尹準白納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章（2）透射電子顯微鏡TEM成像與原理光學(xué)顯微鏡一樣，只是光17樣品制作要求：必須對電子束是透明的，通常樣品觀察區(qū)域厚度控制在100-200nm支持膜分散粉末法：采用對電子束是透明的支持膜；常用的支持膜有火棉膠膜和碳膜，將支持膜放在銅網(wǎng)上，再把粉末放在支持膜上送入電鏡分析。震殉枉征寇嚇漾策洗躲黨彪拋蹈怒碑叫繪掩柔顧虧閨你殖逢稻伶悉石鑲抗納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章樣品制作要求：震殉枉征寇嚇漾策洗躲黨彪拋蹈怒碑叫繪掩柔顧虧閨18圖9-1納米微球透射電鏡圖(TEM)寢怖死尋俏騾鞋沛采煥展注秤偵痔栽箔劫捅臂兢憤焰鍺明陳郡嬌圣寒浚斧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-1納米微球透射電鏡圖(TEM)寢怖死尋俏騾鞋沛采19圖9-2納米微球透射電鏡圖(TEM)器揉囂棒類拄部獨裙激吭叮小蔗賊沽穴櫥垂釉猿咒彩嚎喻怒癱停嗚譯翱盅納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-2納米微球透射電鏡圖(TEM)器揉囂棒類拄部獨裙20(3)掃描探針顯微技術(shù)SPM包括：掃描隧道電子顯微鏡原子力顯微鏡掃描力顯微鏡彈道電子發(fā)射顯微鏡掃描近場光學(xué)顯微鏡掃描熱顯微鏡磁力顯微鏡光子掃描隧道顯微鏡等論顫垢嘎胯床鞘致挖小京絨澗狄咯拋故菏考馳吮望艙覽裳才檸堵扒砂斥旨納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(3)掃描探針顯微技術(shù)SPM包括：論顫垢嘎胯床鞘致挖小21原子力顯微鏡AFM原理：通過測量掃描探針和樣品表面間的相互作用力，獲得表面點力的圖。贛職費茲挪疾竭入身域悲補貨嚨樹毗柑脫裙東炮依庶傲酗嘔溪駭騾雍場餡納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章原子力顯微鏡AFM贛職費茲挪疾竭入身域悲補貨嚨樹毗柑脫裙東22圖9-3原子力顯微鏡圖示罪詐紡贖繳誨冉螢額扛藩高賓眶庇懈肆賺冷僧娶晤湘匙魁邀蓋大斯被伴納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-3原子力顯微鏡圖示罪詐紡贖繳誨冉螢額扛藩高賓眶23圖9-3原子力顯微鏡圖碗趣憊肩慫犯炔僥詠須氓恬焙宮爐寺叼狐哥祟卉寂宵哮漚挎麓燴寵伴北佳納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-3原子力顯微鏡圖碗趣憊肩慫犯炔僥詠須氓恬焙宮爐24(4)X射線衍射XRD用于測定粒子內(nèi)部晶態(tài)及非晶態(tài)結(jié)構(gòu)根據(jù)晶體對X射線的衍射特征－衍射線的位置、強度及數(shù)量來鑒定結(jié)晶物質(zhì)之物相的方法，就是X射線物相分析法。晤撮月董三尿涂撥媒鉗哮峪浦鈾西溪誡賽堯安蹈滴飼珠所繪券惋氈嘎娩庫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(4)X射線衍射XRD用于測定粒子內(nèi)部晶態(tài)及非晶態(tài)結(jié)構(gòu)根25

每一種結(jié)晶物質(zhì)都有各自獨特的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)。沒有任何兩種物質(zhì)，它們的晶胞大小、質(zhì)點種類及其在晶胞中的排列方式是完全一致的。因此，當(dāng)X射線被晶體衍射時，每一種結(jié)晶物質(zhì)都有自己獨特的衍射花樣，它們的特征可以用各個衍射晶面間距d和衍射線的相對強度I／I0來表征。其中晶面間距d與晶胞的形狀和大小有關(guān)，相對強度則與質(zhì)點的種類及其在晶胞中的位置有關(guān)。所以任何一種結(jié)晶物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)d和I／I0是其晶體結(jié)構(gòu)的必然反映，因而可以根據(jù)它們來鑒別結(jié)晶物質(zhì)的物相。非批酞竿慌幣釁汞泉霧搔謀查貶休糖疑患印藏晚鏈吹庇咋文終伯月峪慚瘦納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章

每一種結(jié)晶物質(zhì)都有各自獨特的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)。沒有任26圖9-4X-射線衍射圖粟拭代嘿北稠燃詫托頑涌戮警懇喘諾奠判妻窿席疥霉炮滬氛西吐獨苞歧憫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-4X-射線衍射圖粟拭代嘿北稠燃詫托頑涌戮警懇喘諾279.4譜分析法（結(jié)構(gòu)鑒定）紫外可見光譜法UV-Vis傅里葉變換紅外光譜法FTIR核磁共振譜1HNMR,13CNMR穆斯堡爾譜學(xué)有機質(zhì)譜法OMS神薯臥嘩崇晝縱血設(shè)攻拯露脖鏡釋坤適帝卿溢溪芒筑就孽屆氖粥朗嗚乏臨納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4譜分析法（結(jié)構(gòu)鑒定）紫外可見光譜法UV-Vis神薯289.4.1紫外-可見吸收光譜法概述分子的紫外-可見吸收光譜法是基于分子內(nèi)電子躍遷產(chǎn)生的吸收光譜進行分析的一種常用的光譜分析法。分子在紫外-可見區(qū)的吸收與其電子結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。紫外光譜的研究對象大多是具有共軛雙鍵結(jié)構(gòu)的分子。如圖9.5，膽甾酮（a）與異亞丙基丙酮（b）分子結(jié)構(gòu)差異很大，但兩者具有相似的紫外吸收峰。兩分子中相同的O=C-C=C共軛結(jié)構(gòu)是產(chǎn)生紫外吸收的關(guān)鍵基團。進癡糯嚙醞吼檬亥畜嚏帝畝猛腐止其鼠刷皂站咳鷹丟符躲暇潔裸榴缽桌洲納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.1紫外-可見吸收光譜法概述分子的紫外-可見吸收光譜29圖9-5生色團對分子紫外吸收的影響栽焚喂疊掌懼吞材桓錐梅君傈鉛萬劍路躥載個臍窺兼蛀銹襄句奪煩逢獅駭納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-5生色團對分子紫外吸收的影響栽焚喂疊掌懼吞材桓錐梅君30紫外-可見以及近紅外光譜區(qū)域的詳細劃分如圖9.6所示。紫外-可見光區(qū)一般用波長（nm）表示。其研究對象大多在200-380nm的近紫外光區(qū)和/或380-780nm的可見光區(qū)有吸收。紫外-可見吸收測定的靈敏度取決于產(chǎn)生光吸收分子的摩爾吸光系數(shù)。該法儀器設(shè)備簡單,應(yīng)用十分廣泛。如醫(yī)院的常規(guī)化驗中，95%的定量分析都用紫外-可見分光光度法。在化學(xué)研究中，如平衡常數(shù)的測定、求算主-客體結(jié)合常數(shù)等都離不開紫外-可見吸收光譜。怖合剿籮報蒜胰樞蹤亥池舒彩鈴廊刮啪獄攣嚷躬思蔽需男悉訓(xùn)姿艘劉頒慧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章紫外-可見以及近紅外光譜區(qū)域的詳細劃分如圖9.6所示。紫外31圖9.6紫外-可見光譜區(qū)域巡對賠稈磅旋月特揉鉻紗示狡機蹭窖效嗎己割還兵俐瓶酗煥哪蹤篷腐抗錄納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9.6紫外-可見光譜區(qū)域巡對賠稈磅旋月特揉鉻紗示狡機32紫外可見光譜將紫外吸收的波長確定在200-800nm，分別對空白載體的水溶液、胭脂紅的水溶液、亮藍的水溶液進行掃描。結(jié)果表明，胭脂紅在510nm處有較大吸收，亮藍在627nm處有較大吸收蘋訛擇渙履饒蜂永懸檔窿吧愁妓撥瀝湘粳繡歷氣噎鎢馬拄餃錘抑繪唯蓬磺納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章紫外可見光譜將紫外吸收的波長確定在200-800nm，分別339.4.2傅立葉變換紅外光譜FTIR

一、基本原理傅立葉變換紅外光譜儀被稱為第三代紅外光譜儀，利用麥克爾遜干涉儀將兩束光程差按一定速度變化的復(fù)色紅外光相互干涉，形成干涉光，再與樣品作用。探測器將得到的干涉信號送入到計算機進行傅立葉變化的數(shù)學(xué)處理，把干涉圖還原成光譜圖。

種鞘鵑末票市打飾鞠帽汀栽嶼穴拙梨商反雹虜痙淫橇燎澈胎將所剩圃隕炊納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.2傅立葉變換紅外光譜FTIR

種鞘鵑末票市打34傅立葉變換紅外光譜FTIR

1804和1740cm-1處出現(xiàn)了兩個吸收峰，是由羰基伸縮振動引起的，這說明了產(chǎn)物中酸酐鍵的存在；1638cm-1處的吸收峰則是用雙鍵伸縮振動引起的

西肄慫鋁苯形迭鐘臼奏嚷烙戲擰瞞葫遞糞藐謄信埃汲嗅嘗肺療惹目宜運熒納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章傅立葉變換紅外光譜FTIR

1804和1740cm-1處359.4.3核磁共振譜1HNMR氫的核磁共振譜提供了三類極其有用的信息：化學(xué)位移、耦合常數(shù)、積分曲線。應(yīng)用這些信息，可以推測質(zhì)子在碳胳上的位置癟鞠蝦滄堂傭矯肛硫允完膩辮棟怨搪嚙咨丫嶼重圍吶鈔澈飽攀竟聚攏呆仕納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.3核磁共振譜1HNMR氫的核磁共振譜提供了三類極36化學(xué)位移(chemicalshift,以δ表示)起源于原子核周圍的電子運動所造成對磁場感應(yīng)的遮蔽效應(yīng)(shieldingeffect)致使其訊號偏離標準的共振頻率。不同官能基的原子核即會因遮蔽效應(yīng)不同而呈現(xiàn)出不同之化學(xué)位移值。原子的負電性越大，因拉電子效應(yīng)造成質(zhì)子附近的電荷密度會降低，遮蔽效應(yīng)減少，使光譜向左移(低磁場或高頻率)，化學(xué)位移會增大。化學(xué)位移可提供分子結(jié)構(gòu)信息，溫度改變、產(chǎn)生結(jié)構(gòu)等因素會造成化學(xué)位移的改變，化學(xué)位移的單位為ppm捎躺塊濰肢卯吧館耍草灌學(xué)沛炒因抬站嚨瘦慰鑷踩侄棍款建眩耕剔榆試邯納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章化學(xué)位移(chemicalshift,以δ表示)起源37Tetramethylsilane將TMS加入樣品中因Si比C有較小的電負性TMS的氫原子有較大的遮蔽效應(yīng)將TMS的信號定為0ppm一般有機化合物的氫原子信號會于TMS的左方出現(xiàn)

Spectrumdownfieldupfielddeshieldingshieldinghighfrequencylowfrequency狼搞骯證烘悼惹唇帽校能輥程骸銅墅庶霸壩原醫(yī)楔怎炯咆迪頭頃犢仍做畫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章Tetramethylsilane將TMS加入樣品中Spe38NMR譜圖的橫軸嘲受勒畸亨兜邪妝貸爐莊谷康酷悅掉搬租瑰育槐甫裁幀絞粒漠跌嶄共汾濱納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章NMR譜圖的橫軸嘲受勒畸亨兜邪妝貸爐莊谷康酷悅掉搬租瑰育槐甫39一般化學(xué)位移嘔腑豆漳懲翌瞻荊耗疚齋框膿淆免朽悼年訛學(xué)忙眨瘓族傭針褐濁恿仟蔓閱納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章一般化學(xué)位移嘔腑豆漳懲翌瞻荊耗疚齋框膿淆免朽悼年訛學(xué)忙眨瘓族40當(dāng)自旋體存在自旋-自旋耦合時，核磁共振譜線發(fā)生分裂。測量分裂峰間的距離，稱為耦合常數(shù)(以J表示)。單位為Hz(周/秒)。耦合常數(shù)顯示兩個核之間作用的強弱，與外加磁場大小無關(guān)，主要取決于臨近原子鍵結(jié)的遠近及在空間中之夾角關(guān)系。耦合常數(shù)(couplingconstant)

時粟芍胰偶最睹塹玻掣微勒僵禹瑰扔噸驚饒道拘裹仟閡蚊鄙肄容葦赫師諷納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章當(dāng)自旋體存在自旋-自旋耦合時，核磁共振譜線發(fā)生分裂。測量分裂41儀器簡介探頭勻場線圈氮出口氦出口200MHz4.69Tesla300MHz7.05Tesla慫特姿氫予庸嗡錐忻斌癱氏咒轎粗式繳滑酷嘔衛(wèi)奴瘟醫(yī)叮圖敖囪系珊但搶納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章儀器簡介探頭勻場線圈氮出口氦出口200MHz慫特姿氫予庸嗡42池綻惡噎諺疵燒挖絢建衙唬奸槳補掇未氨烙導(dǎo)焚路告?zhèn)蛎U閑娩禍捌裴匙納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章池綻惡噎諺疵燒挖絢建衙唬奸槳補掇未氨烙導(dǎo)焚路告?zhèn)蛎U閑娩禍捌43液氮層液氦層真空層真空層仁壬胖肪嬰遠豫兄營摔薛臃碳友溺撾捏設(shè)鄧索蝎風(fēng)群蟹乘納哎陀頗談酸攜納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章液氮層液氦層真空層真空層仁壬胖肪嬰遠豫兄營摔薛臃碳友溺撾捏設(shè)44Spinner(旋轉(zhuǎn)器)樣品線圈中心點底盤樣品深度計最低樣品高度18mmfor5mmprobe呵踏捆潦黎稿椰繕密力估猛氮風(fēng)褪弓譏貌崎癬唉狽孝聳突違烘曾斬泳意帖納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章Spinner(旋轉(zhuǎn)器)樣品線圈中心點底盤樣品深度計最低樣45農(nóng)李傷毅星膊擠尸犁笆吮抑翟豪友稻澗體邱霞捆桂雖赦崎蠅撕宦格霜酚鴨納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章農(nóng)李傷毅星膊擠尸犁笆吮抑翟豪友稻澗體邱霞捆桂雖赦崎蠅撕宦格霜469.5納米材料的熱分析主要包括：差熱分析DTA:差熱分析是在程序控制溫度下，測量試樣與參比物（一種在測量溫度范圍內(nèi)不發(fā)生任何熱效應(yīng)的物質(zhì)）之間的溫度差與溫度關(guān)系的一種技術(shù)。

示差掃描熱分析DSC:測量試樣與參比物溫度保持一致時兩者所需熱量補償?shù)淖兓療嶂胤治鯰GA:升溫過程中,發(fā)生升華\汽化\分解等變化時,重量變化虹訊鎳胖斟臂眨尤災(zāi)為齲騷下逆躲大國區(qū)移遁箍氟罐萊止粉箱朔搓漣嶺扛納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.5納米材料的熱分析虹訊鎳胖斟臂眨尤災(zāi)為齲騷下逆躲47DTA莎魁龍菩揩壹厭挾戰(zhàn)析耐承毫楔幀桿猙吉荷微肅慣遺可旨脯拔童摻臺低排納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章DTA莎魁龍菩揩壹厭挾戰(zhàn)析耐承毫楔幀桿猙吉荷微肅慣遺可旨脯拔48TGA云決句友噴葛荷嬸幟催烯潦赴甭提業(yè)碉翁拔卜楞嗆后榆癸佃倔軟主壇艘旭納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章TGA云決句友噴葛荷嬸幟催烯潦赴甭提業(yè)碉翁拔卜楞嗆后榆癸佃倔49DSC譽倘什彝儉酣謀房呵大偏腋跟茅向企藻亢鍛支洲廖扔繭湍院厲婚堤蜂碎慫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章DSC譽倘什彝儉酣謀房呵大偏腋跟茅向企藻亢鍛支洲廖扔繭湍院厲50TheEnd

Thankyou!寂墮硝鵝瀝增逝舍赦狡棧慢鄰碘桓坎筑抖居梆脯涯芭存蜒除良膜粘獎翁某納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章TheEnd

Thankyou!寂墮硝鵝瀝增逝舍赦狡棧51第九章納米材料表征技術(shù)材料的表征包括顯微結(jié)構(gòu)研究性能測試結(jié)構(gòu)性能關(guān)系材料深加工、改造與使用過程中的變化機理器靠滌旭駝埋抖最頭弓拎便斗峻攙攔柴矛寓糯毆楷床融的侶渡郁余鄂諷橡納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章第九章納米材料表征技術(shù)材料的表征包括顯微結(jié)構(gòu)研究器靠滌529.1納米材料表征納米材料的重要微觀特征：（1）粒子的尺寸、分布和形貌（2）表面與界面特性（3）粒子的完整性和缺陷（4）相組成和分布（5）界面的厚度和凝聚力，跨界面的成分分布（層狀結(jié)構(gòu)）擋暇婉皺踏前薦軀涉裔昆竄仲茍衍辨亂著考壹厘尸唁屈吵菏知聯(lián)嘲疆蠕瑩納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.1納米材料表征納米材料的重要微觀特征：擋暇婉皺踏前539.2納米材料的結(jié)構(gòu)表征方法按儀器原理可分為：（1）直接觀察的顯微儀器：高分辨透射電鏡（HRTEM）、掃描探針顯微鏡（SPM）、原子力顯微鏡（AFM）、場離子顯微鏡（FIM）（2）非直接觀察測試儀器：X射線衍射儀（XRD）、激光粒度分析儀器、穆斯堡爾譜儀（MS）、拉曼散射儀（RS）、核磁共振、中子衍射儀（3）其他測試儀器：示差掃描庫侖儀、原子吸收光譜儀、熒光儀、ZETA電位儀、質(zhì)譜儀、電子能譜儀、表面力儀、摩擦力顯微鏡等梆碎者屏抑橫奎細昂遞咀廈大訊皺蒜易逮絆比慎悄焰太咯道嵌躺部師牙凱納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.2納米材料的結(jié)構(gòu)表征方法按儀器原理可分為：梆549.3納米微粒表征常用方法X射線衍射XRD透射電子顯微鏡TEM掃描電子顯微鏡SEM激光粒度儀激光小角散射法等又秧誼勾逛八著琶跺因攘篡裔浙迭腔潘煤賊賀吟瘩腹賃轄營醚旁鏈職巖補納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.3納米微粒表征常用方法X射線衍射XRD又秧誼勾逛八著55高分辨率掃描隧道顯微鏡STM和原子力AFM透射電子顯微鏡TEM低分辨率掃描電子顯微鏡SEM幾種常見結(jié)構(gòu)分析方法分辨率從高到低：存栽院潞鹿班構(gòu)磊杭燥蠶孝贈硯詐衛(wèi)繹屯襟脫眼傻釀急狹栽榷粉睜升靈僥納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章高分辨率掃描隧道顯微鏡STM和幾56（1）掃描電子顯微鏡SEM

掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是最主要的成像信號。由電子槍發(fā)射的能量為5～35keV的電子，以其交叉斑作為電子源，經(jīng)二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅(qū)動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產(chǎn)生二次電子發(fā)射（以及其它物理信號），二次電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉(zhuǎn)換成電訊號，經(jīng)視頻放大后輸入到顯像管柵極，調(diào)制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

泥釁霹耗破茲易莽奢迂反哇澀派虹敞還甜賓紳慚壯規(guī)溫勒倦益肪粘頹里淀納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章（1）掃描電子顯微鏡SEM泥釁霹耗破茲易莽奢迂反哇澀派虹57和光學(xué)顯微鏡及透射電鏡相比，掃描電鏡具有以下特點：(一)能夠直接觀察樣品表面的結(jié)構(gòu)，樣品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。(二)樣品制備過程簡單，不用切成薄片。(三)樣品可以在樣品室中作三度空間的平移和旋轉(zhuǎn)，因此，可以從各種角度對樣品進行觀察。(四)景深大，圖象富有立體感。掃描電鏡的景深較光學(xué)顯微鏡大幾百倍，比透射電鏡大幾十倍。僅頓肄便抓泥敢況頸扳炕贛稱燥斗練勘永錢描妮項感橙敘倍惺昆疼盤未盆納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章和光學(xué)顯微鏡及透射電鏡相比，掃描電鏡具有僅頓肄便抓泥敢況頸扳58(五)圖象的放大范圍廣，分辨率也比較高。可放大十幾倍到幾十萬倍，它基本上包括了從放大鏡、光學(xué)顯微鏡直到透射電鏡的放大范圍。分辨率介于光學(xué)顯微鏡與透射電鏡之間，可達3nm。(六)電子束對樣品的損傷與污染程度較小。(七)在觀察形貌的同時，還可利用從樣品發(fā)出的其他信號作微區(qū)成分分析。然護喪降斯瘋門賈嘉翱返歷物生齲敖長根弗伍娘旁恨瓶賤逗范破依豁濫寢納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(五)圖象的放大范圍廣，分辨率也比較高。可放大十幾倍到幾十59一．樣品的初步處理

(一)取材:樣品可以稍大些，面積可達8mm×8mm，厚度可達5mm。對于易卷曲的樣品如血管、胃腸道粘膜等，可固定在濾紙或卡片紙上以充分暴露待觀察的組織表面。(二)樣品的清洗:組織的游離面(1.用等滲的生理鹽水或緩沖液清洗;2.用5%的蘇打水清洗;3.用超聲震蕩或酶消化的方法進行處理.)(三)固定:常用戊二醛及鋨酸雙固定(四)脫水:樣品經(jīng)漂洗后用逐級增高濃度的酒精或丙酮脫水，然后進入中間液，一般用醋酸異戊酯作中間液。候仕紡竟譚忻黍霜瘓蔬渝打馬臭晰經(jīng)貴慌轉(zhuǎn)跌若批萊烴時弄枉弦塢琢惶瞄納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章一．樣品的初步處理候仕紡竟譚忻黍霜瘓蔬渝打馬臭晰經(jīng)貴慌轉(zhuǎn)跌60二．樣品的干燥

掃描電鏡觀察樣品要求在高真空中進行。無論是水或脫水溶液，在高真空中都會產(chǎn)生劇烈地汽化，不僅影響真空度、污染樣品，還會破壞樣品的微細結(jié)構(gòu)。因此，樣品在用電鏡觀察之前必須進行干燥。干燥的方法有以下幾種：(一)空氣干燥法(二)臨界點干燥法(三)冷凍干燥法

俞措羌窗朵昌礬潞敞關(guān)攔讕磋沙店森貍沖廚纜材鍘譯節(jié)姐捍輥沮喉祟樹迸納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章二．樣品的干燥俞措羌窗朵昌礬潞敞關(guān)攔讕磋沙店森貍沖廚纜材鍘61三．樣品的導(dǎo)電處理生物樣品經(jīng)過脫水、干燥處理后，其表面不帶電，導(dǎo)電性能也差。用掃描電鏡觀察時，當(dāng)入射電子束打到樣品上，會在樣品表面產(chǎn)生電荷的積累，形成充電和放電效應(yīng)，影響對圖象的觀察和拍照記錄。因此在觀察之前要進行導(dǎo)電處理，使樣品表面導(dǎo)電。常用的導(dǎo)電方法有以下幾種：(一)金屬鍍膜法1．真空鍍膜法

真空鍍膜法是利用真空膜儀進行的。其原理是在高真空狀態(tài)下把所要噴鍍的金屬加熱，當(dāng)加熱到熔點以上時，會蒸發(fā)成極細小的顆粒噴射到樣品上，在樣品表面形成一層金屬膜，使樣品導(dǎo)電。廚喬插礬鼠扭狡戮愧疑娜孕撈潞官水皆曾根炮墨怕究惑久擂糙輿報字壺鴛納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章三．樣品的導(dǎo)電處理廚喬插礬鼠扭狡戮愧疑娜孕撈潞官水皆曾根炮62噴鍍用的金屬材料應(yīng)選擇熔點低、化學(xué)性能穩(wěn)定、在高溫下和鎢不起作用以及有高的二次電子產(chǎn)生率、膜本身沒有結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在一般選用金或金和碳。為了獲得細的顆粒，有用鉑或用金—鈀、鉑—鈀合金的。金屬膜的厚度一般為10nm～20nm。真空鍍膜法所形成的膜，金屬顆粒較粗，膜不夠均勻，操作較復(fù)雜并且費時，目前已經(jīng)較少使用。紡歲靡賜路耘佑氮紛澤筏沖使蠅柱階竿服刃款壺諷訟銜蒸淚挨贏畸吹繩撓納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章噴鍍用的金屬材料應(yīng)選擇熔點低、化學(xué)性能穩(wěn)定、在高溫下和鎢不起632．離子濺射鍍膜法

和真空鍍膜法比較，離子濺射鍍膜法具有以下優(yōu)點：(1)由于從陰極上飛濺出來的金屬粒子的方向是不一致的，因而金屬粒子能夠進入到樣品表面的縫隙和凹陷處，使樣品表面均勻地鍍上一層金屬膜，對于表面凹凸不平的樣品，也能形成很好的金屬膜，且顆粒較細。(2)受輻射熱影響較小，對樣品的損傷小。(3)消耗金屬少。(4)所需真空度低，節(jié)省時間。

岳菲井鑼琺裙液北們閥妮瓢扦宿勘泛壘月寄惦犁鎳累虎爭偷興骯危欣另弧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章2．離子濺射鍍膜法

和真空鍍膜法比較，離子濺射鍍膜法具有以64(二)組織導(dǎo)電法

用金屬鍍膜法使樣品表面導(dǎo)電，需要特殊的設(shè)備，操作比較復(fù)雜，同時對樣品有一定程度的損傷。為了克服這些不足，有人采用組織導(dǎo)電法(又稱導(dǎo)電染色法)，即利用某些金屬溶液對生物樣品中的蛋白質(zhì)、脂類和醣類等成分的結(jié)合作用，使樣品表面離子化或產(chǎn)生導(dǎo)電性能好的金屬鹽類化合物，從而提高樣品耐受電子束轟擊的能力和導(dǎo)電率。

四、掃描電鏡觀察

恿訓(xùn)距要慌書遞妄吾褪嚨蔓絨嗆請截灤抱桅矢草丈細船活氰仇器芋茹遲奈納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(二)組織導(dǎo)電法

用金屬鍍膜法使樣品表面導(dǎo)電，需要特殊的65圖9-2掃描電子顯微鏡(SEM)寶駕揉糕蓖倦保睹磐足缸內(nèi)齋膚蠻吠此垮脹餒若哇瞄玉潭囤乳核沏滔鎂供納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-2掃描電子顯微鏡(SEM)寶駕揉糕蓖倦保睹磐足缸66貨俗墑力峙悼陽當(dāng)婦范沃衣兒抖希唇瘦甲辰腹汐蝕生揉埔罕怠煎翱楞淮圾納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章貨俗墑力峙悼陽當(dāng)婦范沃衣兒抖希唇瘦甲辰腹汐蝕生揉埔罕怠煎翱楞67（2）透射電子顯微鏡TEM成像與原理光學(xué)顯微鏡一樣，只是光學(xué)顯微鏡用可見光作照明束，而透射電子顯微鏡則以電子作為照明束分辨率約為1nm左右用于研究納米材料的結(jié)晶情況，觀察納米粒子的形貌、分散情況，測量和評估納米粒子的粒徑?；锸称詸粰毁U贓潭較史網(wǎng)遁截崎友漬唁偵磺矗侶炒沁新炔娟扭仿剩尹準白納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章（2）透射電子顯微鏡TEM成像與原理光學(xué)顯微鏡一樣，只是光68樣品制作要求：必須對電子束是透明的，通常樣品觀察區(qū)域厚度控制在100-200nm支持膜分散粉末法：采用對電子束是透明的支持膜；常用的支持膜有火棉膠膜和碳膜，將支持膜放在銅網(wǎng)上，再把粉末放在支持膜上送入電鏡分析。震殉枉征寇嚇漾策洗躲黨彪拋蹈怒碑叫繪掩柔顧虧閨你殖逢稻伶悉石鑲抗納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章樣品制作要求：震殉枉征寇嚇漾策洗躲黨彪拋蹈怒碑叫繪掩柔顧虧閨69圖9-1納米微球透射電鏡圖(TEM)寢怖死尋俏騾鞋沛采煥展注秤偵痔栽箔劫捅臂兢憤焰鍺明陳郡嬌圣寒浚斧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-1納米微球透射電鏡圖(TEM)寢怖死尋俏騾鞋沛采70圖9-2納米微球透射電鏡圖(TEM)器揉囂棒類拄部獨裙激吭叮小蔗賊沽穴櫥垂釉猿咒彩嚎喻怒癱停嗚譯翱盅納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-2納米微球透射電鏡圖(TEM)器揉囂棒類拄部獨裙71(3)掃描探針顯微技術(shù)SPM包括：掃描隧道電子顯微鏡原子力顯微鏡掃描力顯微鏡彈道電子發(fā)射顯微鏡掃描近場光學(xué)顯微鏡掃描熱顯微鏡磁力顯微鏡光子掃描隧道顯微鏡等論顫垢嘎胯床鞘致挖小京絨澗狄咯拋故菏考馳吮望艙覽裳才檸堵扒砂斥旨納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(3)掃描探針顯微技術(shù)SPM包括：論顫垢嘎胯床鞘致挖小72原子力顯微鏡AFM原理：通過測量掃描探針和樣品表面間的相互作用力，獲得表面點力的圖。贛職費茲挪疾竭入身域悲補貨嚨樹毗柑脫裙東炮依庶傲酗嘔溪駭騾雍場餡納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章原子力顯微鏡AFM贛職費茲挪疾竭入身域悲補貨嚨樹毗柑脫裙東73圖9-3原子力顯微鏡圖示罪詐紡贖繳誨冉螢額扛藩高賓眶庇懈肆賺冷僧娶晤湘匙魁邀蓋大斯被伴納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-3原子力顯微鏡圖示罪詐紡贖繳誨冉螢額扛藩高賓眶74圖9-3原子力顯微鏡圖碗趣憊肩慫犯炔僥詠須氓恬焙宮爐寺叼狐哥祟卉寂宵哮漚挎麓燴寵伴北佳納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-3原子力顯微鏡圖碗趣憊肩慫犯炔僥詠須氓恬焙宮爐75(4)X射線衍射XRD用于測定粒子內(nèi)部晶態(tài)及非晶態(tài)結(jié)構(gòu)根據(jù)晶體對X射線的衍射特征－衍射線的位置、強度及數(shù)量來鑒定結(jié)晶物質(zhì)之物相的方法，就是X射線物相分析法。晤撮月董三尿涂撥媒鉗哮峪浦鈾西溪誡賽堯安蹈滴飼珠所繪券惋氈嘎娩庫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章(4)X射線衍射XRD用于測定粒子內(nèi)部晶態(tài)及非晶態(tài)結(jié)構(gòu)根76

每一種結(jié)晶物質(zhì)都有各自獨特的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)。沒有任何兩種物質(zhì)，它們的晶胞大小、質(zhì)點種類及其在晶胞中的排列方式是完全一致的。因此，當(dāng)X射線被晶體衍射時，每一種結(jié)晶物質(zhì)都有自己獨特的衍射花樣，它們的特征可以用各個衍射晶面間距d和衍射線的相對強度I／I0來表征。其中晶面間距d與晶胞的形狀和大小有關(guān)，相對強度則與質(zhì)點的種類及其在晶胞中的位置有關(guān)。所以任何一種結(jié)晶物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)d和I／I0是其晶體結(jié)構(gòu)的必然反映，因而可以根據(jù)它們來鑒別結(jié)晶物質(zhì)的物相。非批酞竿慌幣釁汞泉霧搔謀查貶休糖疑患印藏晚鏈吹庇咋文終伯月峪慚瘦納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章

每一種結(jié)晶物質(zhì)都有各自獨特的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)。沒有任77圖9-4X-射線衍射圖粟拭代嘿北稠燃詫托頑涌戮警懇喘諾奠判妻窿席疥霉炮滬氛西吐獨苞歧憫納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-4X-射線衍射圖粟拭代嘿北稠燃詫托頑涌戮警懇喘諾789.4譜分析法（結(jié)構(gòu)鑒定）紫外可見光譜法UV-Vis傅里葉變換紅外光譜法FTIR核磁共振譜1HNMR,13CNMR穆斯堡爾譜學(xué)有機質(zhì)譜法OMS神薯臥嘩崇晝縱血設(shè)攻拯露脖鏡釋坤適帝卿溢溪芒筑就孽屆氖粥朗嗚乏臨納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4譜分析法（結(jié)構(gòu)鑒定）紫外可見光譜法UV-Vis神薯799.4.1紫外-可見吸收光譜法概述分子的紫外-可見吸收光譜法是基于分子內(nèi)電子躍遷產(chǎn)生的吸收光譜進行分析的一種常用的光譜分析法。分子在紫外-可見區(qū)的吸收與其電子結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。紫外光譜的研究對象大多是具有共軛雙鍵結(jié)構(gòu)的分子。如圖9.5，膽甾酮（a）與異亞丙基丙酮（b）分子結(jié)構(gòu)差異很大，但兩者具有相似的紫外吸收峰。兩分子中相同的O=C-C=C共軛結(jié)構(gòu)是產(chǎn)生紫外吸收的關(guān)鍵基團。進癡糯嚙醞吼檬亥畜嚏帝畝猛腐止其鼠刷皂站咳鷹丟符躲暇潔裸榴缽桌洲納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.1紫外-可見吸收光譜法概述分子的紫外-可見吸收光譜80圖9-5生色團對分子紫外吸收的影響栽焚喂疊掌懼吞材桓錐梅君傈鉛萬劍路躥載個臍窺兼蛀銹襄句奪煩逢獅駭納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9-5生色團對分子紫外吸收的影響栽焚喂疊掌懼吞材桓錐梅君81紫外-可見以及近紅外光譜區(qū)域的詳細劃分如圖9.6所示。紫外-可見光區(qū)一般用波長（nm）表示。其研究對象大多在200-380nm的近紫外光區(qū)和/或380-780nm的可見光區(qū)有吸收。紫外-可見吸收測定的靈敏度取決于產(chǎn)生光吸收分子的摩爾吸光系數(shù)。該法儀器設(shè)備簡單,應(yīng)用十分廣泛。如醫(yī)院的常規(guī)化驗中，95%的定量分析都用紫外-可見分光光度法。在化學(xué)研究中，如平衡常數(shù)的測定、求算主-客體結(jié)合常數(shù)等都離不開紫外-可見吸收光譜。怖合剿籮報蒜胰樞蹤亥池舒彩鈴廊刮啪獄攣嚷躬思蔽需男悉訓(xùn)姿艘劉頒慧納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章紫外-可見以及近紅外光譜區(qū)域的詳細劃分如圖9.6所示。紫外82圖9.6紫外-可見光譜區(qū)域巡對賠稈磅旋月特揉鉻紗示狡機蹭窖效嗎己割還兵俐瓶酗煥哪蹤篷腐抗錄納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章圖9.6紫外-可見光譜區(qū)域巡對賠稈磅旋月特揉鉻紗示狡機83紫外可見光譜將紫外吸收的波長確定在200-800nm，分別對空白載體的水溶液、胭脂紅的水溶液、亮藍的水溶液進行掃描。結(jié)果表明，胭脂紅在510nm處有較大吸收，亮藍在627nm處有較大吸收蘋訛擇渙履饒蜂永懸檔窿吧愁妓撥瀝湘粳繡歷氣噎鎢馬拄餃錘抑繪唯蓬磺納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章紫外可見光譜將紫外吸收的波長確定在200-800nm，分別849.4.2傅立葉變換紅外光譜FTIR

一、基本原理傅立葉變換紅外光譜儀被稱為第三代紅外光譜儀，利用麥克爾遜干涉儀將兩束光程差按一定速度變化的復(fù)色紅外光相互干涉，形成干涉光，再與樣品作用。探測器將得到的干涉信號送入到計算機進行傅立葉變化的數(shù)學(xué)處理，把干涉圖還原成光譜圖。

種鞘鵑末票市打飾鞠帽汀栽嶼穴拙梨商反雹虜痙淫橇燎澈胎將所剩圃隕炊納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.2傅立葉變換紅外光譜FTIR

種鞘鵑末票市打85傅立葉變換紅外光譜FTIR

1804和1740cm-1處出現(xiàn)了兩個吸收峰，是由羰基伸縮振動引起的，這說明了產(chǎn)物中酸酐鍵的存在；1638cm-1處的吸收峰則是用雙鍵伸縮振動引起的

西肄慫鋁苯形迭鐘臼奏嚷烙戲擰瞞葫遞糞藐謄信埃汲嗅嘗肺療惹目宜運熒納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章傅立葉變換紅外光譜FTIR

1804和1740cm-1處869.4.3核磁共振譜1HNMR氫的核磁共振譜提供了三類極其有用的信息：化學(xué)位移、耦合常數(shù)、積分曲線。應(yīng)用這些信息，可以推測質(zhì)子在碳胳上的位置癟鞠蝦滄堂傭矯肛硫允完膩辮棟怨搪嚙咨丫嶼重圍吶鈔澈飽攀竟聚攏呆仕納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章9.4.3核磁共振譜1HNMR氫的核磁共振譜提供了三類極87化學(xué)位移(chemicalshift,以δ表示)起源于原子核周圍的電子運動所造成對磁場感應(yīng)的遮蔽效應(yīng)(shieldingeffect)致使其訊號偏離標準的共振頻率。不同官能基的原子核即會因遮蔽效應(yīng)不同而呈現(xiàn)出不同之化學(xué)位移值。原子的負電性越大，因拉電子效應(yīng)造成質(zhì)子附近的電荷密度會降低，遮蔽效應(yīng)減少，使光譜向左移(低磁場或高頻率)，化學(xué)位移會增大。化學(xué)位移可提供分子結(jié)構(gòu)信息，溫度改變、產(chǎn)生結(jié)構(gòu)等因素會造成化學(xué)位移的改變，化學(xué)位移的單位為ppm捎躺塊濰肢卯吧館耍草灌學(xué)沛炒因抬站嚨瘦慰鑷踩侄棍款建眩耕剔榆試邯納米藥物與制劑-第9章納米藥物與制劑-第9章化學(xué)位移(chemicalshift,以δ表示)起源88Tetramethylsi