電子元器件基礎(chǔ)知識講義

電阻器基礎(chǔ)知識與檢測方法一、基礎(chǔ)知識30%其質(zhì)量的好壞對電路工作的穩(wěn)定性有極大影響。它的主要用途是穩(wěn)定和調(diào)節(jié)電路中的電流和電壓，其次還作為分流器分壓器和負(fù)載使用。分式電阻器可分為：膜式電阻（碳膜RT、金屬膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY）、實芯電阻（有機(jī)RS和無機(jī)RN）、金屬線繞電阻（RX）、特殊電阻（MG型光敏電阻、MF型熱實物、、把碳黑、樹脂、粘土等混合物主要性能指標(biāo)用，一般選其額定功率比它在電路中消耗的功率高1-2倍。額定功率分19個等級，常表所列數(shù)值乘以10N歐，其中N為整數(shù)。1.01.11.21.31.51.62.02.22.42.73.33.63.94.34.75.16.26.87.58.21.01.21.51.82.22.73.94.75.66.81.01.52.23.34.7ⅠⅡⅢ棕11紅22橙33黃44綠55藍(lán)66紫77灰88白99黑001金銀在電阻體的一端標(biāo)以彩色環(huán)，電阻的色標(biāo)是由左向右排列的，圖1的電阻為27000Ω±0.5%表示 表示標(biāo)注68k。歐，可以標(biāo)注360k，也可以標(biāo)注0.36M。5.1；680680Ω680。標(biāo)稱功率12最高工作電壓即：式中：R1、R2分別為溫度t1和t2時的電阻即：式中：R1、R2分別是電壓為U1和U2時的電阻效電路，非線繞電阻器的LR=0.01-0.05微亨，CR=0.1-5皮法，線繞電阻器的LR達(dá)幾十微亨，CR達(dá)幾十皮法，即使是無感繞法的線繞電阻器，LR仍有零點幾微亨。命名方M線繞熱敏1234789額定功率-5.1k標(biāo)稱阻值-I誤差5%。選用二、檢測方法與經(jīng)驗固定電阻器的檢測kΩ水泥電阻的檢測熔斷電阻器的檢測表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷，可借助萬用表R×1擋來測量，為保證測量準(zhǔn)電位器的檢測通、斷時“喀噠”聲是否清脆，并聽一聽電位器內(nèi)部接觸點和電阻體摩擦，如正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)的檢PTCPTC負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)的檢25℃時進(jìn)行，以保證測試的可信度。值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計算。7. 光敏電阻的檢電容分類說明一、基礎(chǔ)知識1、常用電容的結(jié)構(gòu)和特點123456789G:高功率，W:微調(diào) 列如:CCG1:園片型高功率瓷介電容實物主要性能指標(biāo)三位數(shù)字則表示在后加0的個數(shù)，單位是pF。在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期可靠地工作，它能承受的最大直流電壓，就是電容的耐壓，也叫做電容的直流工作電壓。如果在交流電路中，要注意所加的交流電壓大過容直流作壓值常用固電容作壓有6.3V、10V16V、25V、50V、63V、100V、2500V、400V、500V、630V、1000V。(+20%-(+50%-(+100%-級ⅠⅡⅢⅣⅤⅥ紙介電容、金屬100pF-1.01.52.23.34.71uF-124681015205060801pF-1.11.21.31.51.61.82.42.73.03.33.63.94.75.15.66.26.87.58.21.01.21.51.82.23.33.94.75.66.81.01.52.23.34.7+50/-+100/- 1.01.52.23.34.7絕緣電阻：由于電容兩極之間的介質(zhì)不是絕緣體，它的電阻不是無限大，壓容470pF-63--0.01uF-250-Ⅰ>->1000-0.01uF-Ⅰ>-0.22uF-160-Ⅰ>->30-3pF-63-頻Ⅰ>-10pF-100-75-250下02-1pF-63-頻02-1uF-4-2/7pF-250->1000-7pF-頻命名方法CE（數(shù)字123456789選用電容在電路中實際要承受的電壓過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐不路應(yīng)該選用不同種類的電容?？窕芈房梢赃x用云母、高頻陶瓷電容，隔額定電壓：63-- 電容量：10p--額定電壓：100V--應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路5） 額定電壓：6。3--應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等9）額定電壓：6。3--可變電容量：100--應(yīng)用：通訊，廣播等 可變電容量：1--可變電容量：0.3u--電解電容的設(shè)計，一點小經(jīng)驗 pc觸時，可能腐蝕pc板上的線路。，以致生煙或著火。因此在電解電容下面不應(yīng)有任何線二、電容器檢測的一般方法固定電容器的檢測.檢測10PF～0 01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象進(jìn)而判斷其好壞萬用表號硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相容時，要反復(fù)調(diào)換被測電容引腳接觸A、B兩點，才能明顯地看到萬用表指針的擺動001μFR×10k電解電容器的檢測選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量?？勺冸娙萜鞯臋z測將萬用表置于R×10k擋，一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的晶體二極管基礎(chǔ)知識及檢測方法一、極管基礎(chǔ)知識二極管的主要參數(shù)常用二極通常，IF在1安以上的二極管采用金屬殼封裝，以利于散熱；IF在1安以下的采 （a)全密封金屬結(jié) （b）塑料封IF＜500穩(wěn)壓二極管是由硅材料制成的面結(jié)合型晶體二極管，它是利用PN結(jié)反向擊穿時的穩(wěn)壓作用，故稱為、穩(wěn)壓二極管（簡稱穩(wěn)壓管）其圖形符號見圖44、穩(wěn)壓二極管的圖形符號穩(wěn)壓管的伏安特性曲線如圖5所示，當(dāng)反向電壓達(dá)到Vz時，即使電壓有一微小的變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元Q6反向電壓電容量33362261593253332TVS（TransientVoltageSuppresser瞬態(tài)電壓抑制器二極管和MLV(Multi-LayerVaristor，多層變阻器)等ESD保護(hù)器是近幾年發(fā)展起來的一種固態(tài)二極管，專門用于ESD保護(hù)。發(fā)生雪崩，為瞬態(tài)電流提供通路，使內(nèi)部電路免遭超額電壓的擊穿或超額電流的過熱TVS用于在印制電路板面積緊張的情況下使用。很低的箝位電壓,經(jīng)過多次ESD過程后不會劣由于TVS響應(yīng)時間遠(yuǎn)小于1ns,能夠迅速地將ESD故障電流放電到接地端，而且其瞬態(tài)電壓抑制器（TransientVoltageSuppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10-12秒量級的速度，將1、將TVS二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機(jī)因瞬間的肪沖，如2、靜電放電效應(yīng)能釋放超過10000V、60A以上的脈沖，并能持續(xù)10ms；而一般的TTL器件，遇到超過30ms的10V脈沖時，便會導(dǎo)至損壞。利用TVS二極管，可有效吸3、將TVS二極管放置在信號線及接地間，能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪一、TVS的特性及主要參數(shù)1、TVS的特性曲為典型的PN結(jié)雪崩器件。2、TVS的特性參流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。VBRTVS5%VBR±10%VBR當(dāng)持續(xù)時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現(xiàn)的最大峰值電壓VC它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓VCIPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VCVBR1.2~1.4CTVS崩結(jié)1MHZCTVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重PM是TVS能承受的最大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗脈沖波形和各種TVS的TVSTVS1×10-11二、TVS二極管的分類TVS用型器件和特殊電路適用的型器件。如：各種交流電壓保護(hù)器、4~200mA電流環(huán)保軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列（適用多線保護(hù)）、貼片式、組件式和大功率三、TVS的選用技4、在規(guī)定的脈沖持續(xù)時間內(nèi)，TVS的最大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護(hù)電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定了最大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌6、根據(jù)用途選用TVS的極性及封裝結(jié)構(gòu)。交流電路選極性TVS較為合理；多線保護(hù)選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態(tài)電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作，由于其反向漏電流ID是隨增加而增大；功耗隨TVS結(jié)溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降50％雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。系列四、TVS與壓敏電阻的比較年壓敏電阻具有響應(yīng)速度更快、無極性、成本優(yōu)點。10-5×10-否有箝位因子一、二極管的選用選用二極管要注意的幾個方面：管為0.5-.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右?；颈３植蛔?，這時的電流稱為反向飽和電流（II。不同材料的二極管，1曲線III。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結(jié)構(gòu)、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1伏到幾百伏，甚至高達(dá)數(shù)千伏。由于結(jié)電容的存在，當(dāng)頻率高到某一程度時，容抗小到使PN結(jié)短路。導(dǎo)致二極管二、二極管檢測方法普通二極管的檢測向電阻來判斷（一般用R×100或×1K檔）具體方法如表一。表 二極管簡易測試方但不應(yīng)超過滿刻度的1/4（如上圖所針指在0位，則管子內(nèi)部已短路。普通發(fā)光二極管的檢測。為×10kΩ擋不能向LED提供較大正向電流。塊萬用表均置×10Ω紅外發(fā)光二極管的檢測1～3μmLED11一、晶體管基礎(chǔ)

三極管基礎(chǔ)知識及檢測方法PNEBCB電場的作用下到達(dá)集電區(qū)，形成集電極電流IC。在共發(fā)VBE很小，所以基極電流約為IB=5V/50kΩ=0.1mA。如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)ICIB=100,ICβ*IB=10mA。500Ω的集電極負(fù)載電阻上有電壓降行工作的。當(dāng)柵G電壓VG增大時，p型半導(dǎo)體表面的DVDS0IDS流過。使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時所VTVGS>VT并取不同數(shù)VDS下也將產(chǎn)生不同的IDS,實現(xiàn)柵源電壓VGS對源漏電流IDS的控二、晶體管名方晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號B（舊（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。PNPNPNPN3AX31，3，2APNPBNPNCPNPDNPNXDGAPWZPNP三、常用中小功率三極管參數(shù)表SI-SI-SI-SI-SI-SI-SI-SI-SI---SI-SI-SI---SI-SI-SI-1SI-1--SI-SI--SI-四、用萬用表測試三