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年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件發(fā)展現(xiàn)狀分析中國(guó)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國(guó)際市場(chǎng)占有舉足輕重的地位并保持著持續(xù)、快速、穩(wěn)定的進(jìn)展。隨著電子整機(jī)、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等市場(chǎng)的持續(xù)升溫,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的進(jìn)展空間,因此,有關(guān)SIC基、GSN基以及封裝等新技術(shù)新工藝的進(jìn)展,新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等熱點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用前景等成了廣受關(guān)注的問(wèn)題。當(dāng)前全球分立器件市場(chǎng)總體保持穩(wěn)步向上,而亞洲地區(qū)特殊是中國(guó)市場(chǎng)表現(xiàn)猶為惹眼。
以下是整理的我國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)展現(xiàn)狀分析:
1、我國(guó)半導(dǎo)體分立器件分布現(xiàn)狀
我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)地區(qū)分布相對(duì)集中。按國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)銷售總額比重分布,其中長(zhǎng)三角地區(qū)占41.3%,京津環(huán)渤海灣地區(qū)占10%,珠三角地區(qū)占43.2%,其他地區(qū)占5.5%。我國(guó)生產(chǎn)分立器件的企業(yè)主要分布在江蘇、浙江、廣東、天津等省市,占到全國(guó)的76.4%以上。
2、半導(dǎo)體分別器件市場(chǎng)規(guī)模
前瞻產(chǎn)業(yè)討論院發(fā)布的《2022-2022年中國(guó)集成電路行業(yè)市場(chǎng)需求猜測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》顯示:2022-2022年,中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額逐年上漲,2022年均為最大值,但是增速呈現(xiàn)波動(dòng)趨勢(shì)。2022年,2022年,中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額為1135.40億元,同比增長(zhǎng)28.50%,增速為近年來(lái)的最大值。2022年,中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)銷售額為1642.50億元,同比增長(zhǎng)18.17%,,增長(zhǎng)速度有所加快。
3、分立器件的進(jìn)展趨勢(shì)
事實(shí)證明,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的進(jìn)展空間。半導(dǎo)體分立器件通常總是沿著功率、頻率兩個(gè)方向進(jìn)展,進(jìn)展新的器件理論、新的結(jié)構(gòu),消失各種新型分立器件,促進(jìn)電子信息技術(shù)的迅猛進(jìn)展。
一是進(jìn)展電子信息產(chǎn)品急需的高端分立器件,如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變?nèi)莨芗靶ぬ鼗O管等。隨著理論討論和工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大進(jìn)展,先后消失了從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、功率MOSFET等自關(guān)斷、全控型器件。近年來(lái),電力電子器件正朝著大功率、高壓、高頻化、集成化、智能化、復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向進(jìn)展,如IGPT、MCT、HVIC等就是這種進(jìn)展的產(chǎn)物。
二是進(jìn)展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的新型器件。
三是跟蹤世界半導(dǎo)體分立器件進(jìn)展趨勢(shì),加強(qiáng)對(duì)納米器件、超導(dǎo)器件等領(lǐng)域的討論。
四是分立器件封裝技術(shù)的進(jìn)展趨勢(shì)仍以片式器件為進(jìn)展方向,以適應(yīng)各種電子設(shè)備小型化、輕量化、薄型化的需要。封裝形式的進(jìn)展,一是往小型化方向進(jìn)展,由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的,如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封裝型式進(jìn)展;二是片式小型化往功率器件方向延長(zhǎng),從1W功率的SOT-89始終到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封裝,如TO-247、TO-3P等;三是另一類則望更大尺寸、更大體積以滿意各類更大功率的新型電力電子封裝,如全壓接式大功率IGBT及各類模塊封裝等。
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