功率半導(dǎo)體IDM老牌廠商華微電子專題報(bào)告

功率半導(dǎo)體IDM老牌廠商華微電子專題報(bào)告一、老牌功率半導(dǎo)體

IDM廠商，業(yè)績開始加速1.1

老牌功率半導(dǎo)體

IDM廠商，產(chǎn)品品類豐富基本業(yè)務(wù)介紹：華微電子前身為吉林市半導(dǎo)體廠,成立于

1965

年,是中國

首批建成的半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)廠家,2001

年公司上交所上市，公司致力于

功率半導(dǎo)體器件的制造和銷售方面,通過和飛利浦、仙童、Vishay等公

司合作不斷提升自己綜合技術(shù)，目前已建立從高端二極管、單雙向可控

硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代

IGBT、SiC等形成國內(nèi)比較齊全、具備綜合

競(jìng)爭力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系和整體解決方案供應(yīng)商。芯片規(guī)模能力突出，技術(shù)、服務(wù)、產(chǎn)能等優(yōu)勢(shì)突出。華微電子主要為

IDM生產(chǎn)模式，經(jīng)過

50

多年的積累，公司形成自己的全產(chǎn)品系列、產(chǎn)能保障、

技術(shù)實(shí)力、服務(wù)保障等優(yōu)勢(shì)：產(chǎn)品系列優(yōu)勢(shì)：公司產(chǎn)品種類基本覆蓋了功率半導(dǎo)體器件的全部范圍，

核心產(chǎn)品分為四大主類，以

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET(場(chǎng)效

應(yīng)晶體管)、BJT(雙極晶體管)為主的全控型功率器件；以

Thyristor（晶

體閘流管）為主的半控型功率器件；以

Schottky（肖特基二極管）、FRD

（快恢復(fù)二極管）為主的不可控型產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)：根據(jù)公司公告，公司擁有強(qiáng)大的芯片生產(chǎn)規(guī)模及交付能力，

公司目前形成

4-8

英寸產(chǎn)線年產(chǎn)量

400

萬片/年、封裝資源為

24

億只/

年，IPM模塊封裝能力為

1800

萬塊/年，處于國內(nèi)同行業(yè)的領(lǐng)先地位；

功率二極管器件；以及

IPM（功率模塊）、PM（功率模塊）。1.2

管理層豐富經(jīng)驗(yàn)，研發(fā)投入大幅增加管理層技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)豐富。公司管理層深耕行業(yè)多年，在董事長夏增文

先生為首的多數(shù)核心技術(shù)人員擁有在芯片設(shè)計(jì)和電子信息技術(shù)等半導(dǎo)體

產(chǎn)業(yè)鏈中豐厚的技術(shù)實(shí)力和數(shù)十年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，如董事長曾任吉林市半導(dǎo)

體廠廠長，具有豐富的業(yè)內(nèi)經(jīng)驗(yàn)和地區(qū)人脈，同時(shí)堅(jiān)持生產(chǎn)、研發(fā)、儲(chǔ)

備相結(jié)合的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略，不斷向功率半導(dǎo)體器件的中高壓

MOS、IGBT、

IPM、SiC等中高端技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域拓展。2021

年

H1

研發(fā)費(fèi)用同比增長

128%，推進(jìn)新一代產(chǎn)品平臺(tái)建設(shè)。公司積

極投入研發(fā)，截至

2020

年末公司研發(fā)人員為

616

人，占比為

30%，研發(fā)

費(fèi)用約

6620

萬元，營收占比

3.85%，根據(jù)公司半年報(bào)，2021

年上半年研

發(fā)費(fèi)用為

4408

萬元，同比增加

128%，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，推進(jìn)科

學(xué)化的技術(shù)研發(fā)管理，加快各級(jí)工藝技術(shù)平臺(tái)的技術(shù)創(chuàng)新和迭代，形成

以公司級(jí)、部門級(jí)和系列化產(chǎn)品研發(fā)的管理平臺(tái)，突出重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目。全力推進(jìn)新一代

IGBT及模塊、中低壓

CCTMOS、超結(jié)

MOS、超高壓

FRD、

平面可控硅、TVS及齊納二極管等產(chǎn)品系列平臺(tái)建設(shè)，產(chǎn)品性能、質(zhì)量

及供貨能力持續(xù)提升。1.3

受益行業(yè)需求，營收和凈利潤開始加速受益行業(yè)需求，營收迎來經(jīng)營拐點(diǎn)。復(fù)盤公司營收從

2016

年的

13.9

億

到

2020

年的

17.2

億，營收復(fù)合增速為

5.3%，其中，2019

年受中美貿(mào)易

沖擊及市場(chǎng)競(jìng)爭等因素影響，公司業(yè)務(wù)出現(xiàn)了一定衰減，營收下降

3.09%，而

2020

年及

2021

年年初受益功率半導(dǎo)體供不應(yīng)求以及公司產(chǎn)

品結(jié)構(gòu)不斷提高，公司扭轉(zhuǎn)了營收下跌的頹勢(shì)，根據(jù)公司公告

2021

年

H1

營收

9.92

億，同比增長高達(dá)

23%。受益行業(yè)需求疊加管理改善業(yè)績?cè)鏊匍_始高于營收。復(fù)盤公司歸母凈利

潤從

2016

年的

0.41

億降至

2020

年

0.34

億，呈現(xiàn)一定的下降，主要原

因是自

2017

年后，公司研發(fā)投入大額增加，同時(shí)財(cái)務(wù)費(fèi)用、管理費(fèi)用

大增。另外根據(jù)公司最新季報(bào)公司

2021

年上半年歸母凈利潤為

0.27

億，

同比增加

43.6%，高于營收增長主要是管理及費(fèi)用率控制，同時(shí)展望

2021

年下半年，公司將繼續(xù)穩(wěn)步開拓國內(nèi)外市場(chǎng)，通過新產(chǎn)品，新領(lǐng)域

的市場(chǎng)拓展，有效提升產(chǎn)能利用率，進(jìn)一步降低產(chǎn)品成本。毛利率保持穩(wěn)定，凈利率有望觸底回升：2018-2020

年，公司的綜合毛

利率分別為

23.23%/20.60%/19.71%，公司毛利率總體保持穩(wěn)定，

2018-2020

年，公司凈利率分別為

6.26%/3.65%/1.98%，逐年減少。這主

要是公司在管理、研發(fā)、財(cái)務(wù)方面加大投入導(dǎo)致的，而

2021

年

H1，公

司的銷售費(fèi)用同比增加

49%，管理成本同比上升

30%，研發(fā)投入增加

128%，

這些方面的投入增加導(dǎo)致了凈利率仍然保持

2.68%，但環(huán)比提高

0.42

個(gè)

百分點(diǎn)。二、功率半導(dǎo)體市場(chǎng)寬廣，國產(chǎn)替代帶來成長機(jī)遇2.1

功率半導(dǎo)體分立器件種類較多，應(yīng)用廣泛分立器件種類較多，產(chǎn)品多層次衍生。分立器件主要包括功率二極管、

功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件；其中，MOSFET和

IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控

制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)。分立器件

經(jīng)過

50

多年的發(fā)展迭代中，行業(yè)不斷往

MOSFET、IGBT以及

SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體分立器件為代表的多層次產(chǎn)品結(jié)構(gòu)發(fā)展，每種產(chǎn)品也在

應(yīng)用中不斷突破原有技術(shù)瓶頸，派生出眾多規(guī)格和型號(hào)。功率半導(dǎo)體的

發(fā)展趨勢(shì)是高功率高頻率領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體器件（PowerSemiconductorDevice）又稱為電力電子器件，

是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件。主要用途包括變

頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等，同時(shí)具有節(jié)能功效。功率半

導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、新能源交通、軌道交通、工

業(yè)控制、發(fā)電與配電等電力、電子領(lǐng)域，涵蓋低、中、高各個(gè)功率層級(jí)。

功率半導(dǎo)體器件種類眾多。功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類型可分為雙極型與

單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體

管

（

BipolarJunctionTransistor，

BJT

）、

電

力

晶

體

管

（

GiantTransistor，GTR）、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）等，單極型功率半導(dǎo)體包括功率

MOSFET、肖特基勢(shì)壘功率二極管等。按照材料類型可以分為傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)

體器件以及寬禁帶材料功率半導(dǎo)體器件。傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件基于硅基

制造，而采用第三代半導(dǎo)體材料（如

SiC、GaN）具有寬禁帶特性，是新

興的半導(dǎo)體材料。目前功率半導(dǎo)體器件可分為功率二極管，功率晶體管，以及功率晶閘管。

功率晶體管又可細(xì)分為

MOSFET，IGBT和

BJT。其中，MOSFET和

IGBT屬

于電壓控制型開關(guān)器件，相比

于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)

器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)。根據(jù)

WSTS，賽迪智

庫預(yù)測(cè)

2017

年全球功率器件的產(chǎn)品分類(按銷售額)其中，MOSFET占比

在

31%左右，IGBT占比

19%左右。（1）功率二極管：最傳統(tǒng)功率器件，應(yīng)用于工業(yè)、電子等領(lǐng)域。功率二

極管是基礎(chǔ)性功率器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電子等各個(gè)領(lǐng)域。功率二極

管（Diode）是一種具有兩個(gè)電極裝置的電子元件，只允許電流由單一方

向流過，同時(shí)無法對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制，屬于不可控型器件。二極管主

要用于整流、開關(guān)、穩(wěn)壓、限幅、續(xù)流、檢波等。根據(jù)其不同用途，可

分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、

肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。（

2

）

MOSFET

：

高

頻

化

器

件

，

應(yīng)

用

領(lǐng)

域

拓

展

至

4C。

硅

基

MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)簡稱金

氧半場(chǎng)效晶體管，高頻化運(yùn)行，耐壓能力有限。1960

年由貝爾實(shí)驗(yàn)室

BellLab.的

D.

Kahng和

MartinAtalla首次實(shí)作成功，制造成本低廉、整合度高、頻率可以達(dá)到上

MHz，廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路

的場(chǎng)效晶體管，具體有開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、通信電源等高頻領(lǐng)域，應(yīng)用

領(lǐng)域由二極管的工業(yè)、電子等拓展到了四個(gè)新的領(lǐng)域，即

4C：

Compute,Communication,Consumer,Car。（3）BJT：是雙極型二極管，它是一個(gè)“兩結(jié)三端”電流控制器件。從

所用半導(dǎo)體材料上看，有硅（Si）和鍺（Ge管之分）；從原理結(jié)構(gòu)上看，

可分為

NPN和

PNP兩種類型。BJT有兩種驅(qū)動(dòng)方式，一種是基極開關(guān)，

一種是射極開關(guān)。射極開關(guān)的效率和開關(guān)速度都優(yōu)于基極開關(guān)，是

BJT應(yīng)用的潮流。（4）IGBT：融合

BJT和

MOSFET，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道

交通。IGBT集

BJT與

MOSFET優(yōu)點(diǎn)于一身，1988

年以來已進(jìn)展至第六代

產(chǎn)品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，即絕緣柵雙極型晶

體管，是由

BJT(雙極型三極管)和

MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)

合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。IGBT在開通過程中，大部分時(shí)間

作為

MOSFET運(yùn)行，在斷開期間，BJT則增強(qiáng)

IGBT的耐壓性。自從

1988

年第一代

IGBT產(chǎn)品問世以來，目前已經(jīng)進(jìn)展至第六代產(chǎn)品，性能方面有

顯著的提升，工藝線寬由

5

微米縮小至

0.3

微米，功率損耗則將為

1/3

左右，斷態(tài)電壓大幅提高近

10

倍。2.2

國內(nèi)市場(chǎng)

2021

年約千億市場(chǎng)，國產(chǎn)替代帶來成長功率半導(dǎo)體國內(nèi)全球占比

35%左右，2021

年國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約

159

億美金。

根據(jù)

IHSMarkit預(yù)測(cè)，2019

年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為

404

億美元，預(yù)計(jì)至

2021

年市場(chǎng)規(guī)模將增長至

441

億美元，2018

年至

2021

年的年化

增速為

4.09%。而目前，中國已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)

國，伴隨功率半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，以及國產(chǎn)替代步伐的加快，2018

年市場(chǎng)需求規(guī)模達(dá)到

138

億美元，增速為

9.5%，占全球需求比例超過

35%。預(yù)計(jì)未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021

年市場(chǎng)

規(guī)模有望達(dá)到

159

億美元，2018

年-2021

年年化增速達(dá)

4.83%。（1）功率二極管：2021

年國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約

8672

萬美元屬于傳統(tǒng)功率器件，但應(yīng)用范圍廣泛。功率二極管種類眾多，包括碳化

硅二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、標(biāo)準(zhǔn)功率二極管等。主要應(yīng)

用領(lǐng)域包含消費(fèi)電子、新能源及汽車、工業(yè)電源等。華微電子在肖特基

二極管、快恢復(fù)二極管上具有穩(wěn)定的營收，并在大力研發(fā)、推廣碳化硅

二極管產(chǎn)品。2021

年國內(nèi)功率二極管市場(chǎng)規(guī)模約為

8672

萬美元。根據(jù)

IHS、中商產(chǎn)

業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2017-2020

年，全球功率二極管的市場(chǎng)份額分別為

4297

萬美元、4905

萬美元、4326

萬美元、3938

萬美元。而中國功率二極管

的市場(chǎng)份額則為

1444

萬美元、1617

萬美元、1439

萬美元、1307

萬美元。

市場(chǎng)規(guī)模的下跌主要原因是受疫情影響，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求下降，2021

年疫情開始恢復(fù)，產(chǎn)能也開始上升。根據(jù)

IHS預(yù)測(cè)，2021

年全球功率二

極管市場(chǎng)份額約為

4047

萬美元，增長

2.7%，中國市場(chǎng)份額約為

1344

萬

美元，增長

2.8%。（2）MOSFET：2021

年國內(nèi)

MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為

277

億元高頻領(lǐng)域應(yīng)用，按功率劃分層次。MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，

如導(dǎo)通電阻小，損耗低，驅(qū)動(dòng)電路簡單，熱阻特性好等優(yōu)點(diǎn)，特別適合

用于電腦、手機(jī)、移動(dòng)電源、車載導(dǎo)航、電動(dòng)交通工具、UPS電源等電

源控制領(lǐng)域。不同的工藝會(huì)使得

MOSFET耐壓和工作頻率及功率不同，進(jìn)

而影響其適用的工作領(lǐng)域，但根據(jù)下游場(chǎng)景所需電壓，一般認(rèn)為應(yīng)用電

壓低于

100V的

MOSFET為中低壓

MOSFET,一般用于消費(fèi)級(jí)應(yīng)用；高于

500V為高壓

MOSFET，一般用于汽車、航空應(yīng)用。另外根據(jù)不同功率

MOSFET的行業(yè)特性以及與上下游關(guān)系將功率

MOSFET分為了低端、中端和高端三

個(gè)層次。MOSFET：2021

年國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約

43

億美元，行業(yè)增速

10%左右。功率

半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)需求驅(qū)動(dòng)型的行業(yè)，其中

MOSFET由于輸入阻抗高、控

制功率小、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小，主要用于

10KHz以上以及輸出功

率

5KW以下的應(yīng)用，是功率分立器件占比最大份額品種，根據(jù)

IHSMarkit統(tǒng)計(jì)，2018

年中國

MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為

27.92

億美元，2016

年-2018

年增長率為

15.03%，高于功率半導(dǎo)體行業(yè)平均的增速，且隨著汽車電子

化比重提升以及手機(jī)快充、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）新應(yīng)用的發(fā)展，MOSFET用量

和增速大幅提高，我們保守假設(shè)由于基數(shù)原因復(fù)合增速放緩但仍保持約

10%，則預(yù)計(jì)

2021

年國內(nèi)

MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為

43

億美元約

277

億元。在汽車電子領(lǐng)域，MOSFET在電動(dòng)馬達(dá)輔助驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向及電

制動(dòng)等動(dòng)力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)

揮重要作用。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級(jí)換代、快充、Type-C接口的持

續(xù)滲透持續(xù)帶動(dòng)

MOSFET的市場(chǎng)需求。（4）IGBT：2025

年國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)

522

億元IGBT細(xì)分不同的品類。IGBT是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具

代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，IGBT的種類眾

多，綜合

IGBT原理和作用，可將

IGBT根據(jù)電壓等級(jí)劃分為低壓、中壓

和高壓

IGBT。IGBT可分為單管、模塊和智能功率模塊（IPM,將

IGBT芯

片、FRD芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、檢測(cè)電路等集成在同一個(gè)模塊內(nèi)）

三類產(chǎn)品，根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2018

年

IGBT模塊、IGBT單管和

IPM市

場(chǎng)規(guī)模占比分別約

52%、21%和

27%，三者生產(chǎn)制造技術(shù)和下游應(yīng)用場(chǎng)景

均有所差異單管主要應(yīng)用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功

率變頻器，標(biāo)準(zhǔn)模塊主要應(yīng)用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機(jī)、

新能源汽

車（電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁）等領(lǐng)域，IPM模塊主要應(yīng)用于變

頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電。市場(chǎng)規(guī)模上升，國產(chǎn)化趨勢(shì)明顯。長期以來，IGBT市場(chǎng)一直被英飛凌、

三菱、富士電機(jī)、安森美等少數(shù)供應(yīng)商所壟斷，缺貨漲價(jià)更是持續(xù)了較

長時(shí)間，業(yè)內(nèi)甚至一度傳出

IGBT供貨周期延長至

52

周。目前，政府對(duì)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度非常大，在未來的

3-5

年內(nèi)，國內(nèi)

IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)

和工藝制造能力會(huì)得到大力提高。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，受益于新能源汽

車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國

IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長，到

2025

年，中國

IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到

522

億人民幣，2018-2025

年復(fù)合增長率

達(dá)

19.15%。2.3

短期受益供需緊張帶來漲價(jià)，中長期受益國產(chǎn)替代短期趨勢(shì)：功率半導(dǎo)體供不應(yīng)求，行業(yè)漲價(jià)有望持續(xù)超預(yù)期。2020年疫

情恢復(fù)以來，以車用、電動(dòng)工具、光伏、LED等為代表的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

需求強(qiáng)勁，疊加全球晶圓制造8寸產(chǎn)能供應(yīng)緊張，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)供不應(yīng)

求，缺貨漲價(jià)頻繁發(fā)生，根據(jù)SEMI發(fā)布的最新報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體制

造商有望從2020年到2024年將200mm晶圓廠的產(chǎn)能提高17％，達(dá)到每

月660萬片晶圓的歷史新高，其中復(fù)合增速為4%，我們預(yù)計(jì)供需緊張將

維持1-2年。功率半導(dǎo)體龍頭公司紛紛宣布提價(jià)：5

月中旬，安森美宣布上

調(diào)部

分產(chǎn)品型號(hào)價(jià)格，定價(jià)周期于

7

月

10

日生效；比亞迪半導(dǎo)體宣布從

7

月

1

日起對(duì)

IPM、IGBT單管產(chǎn)品進(jìn)行價(jià)格調(diào)整，提漲幅度不低于

5%；聞泰科技并購的安世半導(dǎo)體也發(fā)布通知，宣布于

6

月

7

日提高

產(chǎn)品價(jià)格。中長期趨勢(shì)：國產(chǎn)廠家加強(qiáng)競(jìng)爭，國產(chǎn)替代加快。半導(dǎo)體行業(yè)周期性的

特征，使得國內(nèi)廠商在海外供應(yīng)商無法供貨的情況下有供貨的機(jī)會(huì)，國

內(nèi)廠商發(fā)展進(jìn)程加快。芯片外采比例逐步降低，自研比例逐步提升，國

內(nèi)本土企業(yè)提供從源頭設(shè)計(jì)定制的器件，為客戶進(jìn)行客制化服務(wù)，使客

戶可以不選擇昂貴并且功能冗余的國外產(chǎn)品。產(chǎn)品國產(chǎn)替代的應(yīng)用領(lǐng)域

從可靠性要求低，低電壓的變頻家電和傳統(tǒng)工業(yè)，逐步向可靠性要求高，

中高電壓的新能源變電、汽車領(lǐng)域升級(jí)。（1）MOS市場(chǎng)格局：國內(nèi)市占率不到

15%Mos國產(chǎn)市占率目前不到

15%，替代空間大。國內(nèi)功率半導(dǎo)體近幾年隨

著光伏、消費(fèi)電子等發(fā)展迅速，但產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓

Mos器

件、晶閘管等低端領(lǐng)域，生產(chǎn)工藝成熟且具有成本優(yōu)勢(shì)，但在新能源汽

車、航空、軌道交通等高端產(chǎn)品領(lǐng)域，國內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能

力，目前高端產(chǎn)品市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠

商所壟斷，根據(jù)

IHS的數(shù)據(jù)，2018

年全球

MOSFET市場(chǎng)中英飛凌與安森

美兩家占比

41%，而

2018

年國內(nèi)

MOSFET國內(nèi)市場(chǎng)銷售份額中，英飛凌

與安森美兩家外資廠商占比達(dá)到

45.3%，國內(nèi)廠商中僅華潤微位于前十

占有率到

8.7%、新潔能市占率約

3.6%，疊加其他國內(nèi)廠家我們預(yù)計(jì)國產(chǎn)

市占率不到

15%。隨著國內(nèi)下游需求疊加外資廠商相繼退出中低壓

MOSFET產(chǎn)品，MOSFET迎國產(chǎn)替代黃金時(shí)期，我們認(rèn)為短期內(nèi)設(shè)計(jì)廠商相

較于

IDM廠商更容易把握“進(jìn)口替代”進(jìn)程，取得快速發(fā)展。（2）IGBT市場(chǎng)格局：國內(nèi)市占率不到

20%IGBT市場(chǎng)：根據(jù)數(shù)據(jù)，自

2015

年以來，中國

IGBT自給率

超過

10%并逐漸增長，在

IGBT模塊市場(chǎng)，2019

年全球市場(chǎng)份額前五

位的企業(yè)分別為英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、賽米控和日立功率，

合計(jì)占據(jù)了

69.8%的市場(chǎng)份額。而根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)，國內(nèi)市場(chǎng)

IGBT模塊市占率不到

20%，主要企業(yè)包括采用

IDM模式的中車時(shí)代、比亞迪、士蘭微、華微電子等企業(yè)，以及具備設(shè)計(jì)和模塊封測(cè)的企業(yè)，

比如斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技、臺(tái)基股份等。2018

年

IPM市場(chǎng)國內(nèi)占比僅

0.5%：國內(nèi)僅華微電子占有

0.5%的市場(chǎng)份額。市場(chǎng)占

比前十的廠商中，有

4

家為日系企業(yè)，2

家為德系企業(yè)，2

家為美系

企業(yè)，1

家為瑞士企業(yè)，僅

1

家為國產(chǎn)企業(yè)。目前，國產(chǎn)廠商華微

電子、士蘭微等通過增加自研能力，優(yōu)化供應(yīng)速度來爭奪國內(nèi)市場(chǎng)。三、華微電子：老牌

IDM，MOS和

IGBT升級(jí)帶來成長3.1

老牌廠商技術(shù)扎實(shí)，客戶群體穩(wěn)定老牌廠商多年深耕功率半導(dǎo)體，技術(shù)扎實(shí)。作為國內(nèi)第一家上市的功率

半導(dǎo)體公司，公司經(jīng)過五十多年的不斷積累、完善提升，已成為國內(nèi)技

術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品種類齊全的功率半導(dǎo)體器件

IDM公司，公司同時(shí)擁有多項(xiàng)

功率器件領(lǐng)域的核心專利，涵蓋產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝制造、封裝和

IPM模塊，

被評(píng)為國家、省級(jí)技術(shù)創(chuàng)新型企業(yè)。先進(jìn)、成熟的工藝技術(shù)平臺(tái)、高品

質(zhì)的產(chǎn)品、迅捷專業(yè)的服務(wù)，為企業(yè)贏得了良好的市場(chǎng)口碑。公司在功

率半導(dǎo)體的多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)具有深厚的技術(shù)積累。超結(jié)

MOSFET：完成

8

寸超級(jí)

MOSFET平臺(tái)建設(shè)及系列化，拓展公司

在電源領(lǐng)域的產(chǎn)品市場(chǎng)份額。IGBT：拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領(lǐng)域

IGBT產(chǎn)品的份

額；開發(fā)新一代

TrenchFSIGBT產(chǎn)品和逆導(dǎo)型

IGBT產(chǎn)品平臺(tái)；豐富

PM和

IPM模塊產(chǎn)品，并積極推進(jìn)在工業(yè)和家電內(nèi)的市場(chǎng)應(yīng)用。CCTMOS：建立

80V、100V、150VCCTMOS的

8

寸工藝平臺(tái)，進(jìn)一步

降低產(chǎn)品導(dǎo)通電阻，拓展電源領(lǐng)域和電池保護(hù)（BMS領(lǐng)域）的應(yīng)用。超高壓

FRD：建立

3300V、4500V超高反壓快恢復(fù)二極管，推動(dòng)超高

壓

FRD模塊的市場(chǎng)推廣,為

FRD和

IGBT產(chǎn)品進(jìn)入軌道交通、電網(wǎng)等

領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)?？煽毓璁a(chǎn)品：進(jìn)行平面可控硅產(chǎn)品的系列化及在白色家電和漏電保

護(hù)領(lǐng)域的產(chǎn)品推廣。TVS和齊納二極管：開發(fā)

TVS和齊納二極管類產(chǎn)品工藝平臺(tái)，提升

公司產(chǎn)品配套能力。第三代半導(dǎo)體：開發(fā)

SiCSBD產(chǎn)品和

650VGaN器件，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)電

源和快充領(lǐng)域的應(yīng)用。客戶覆蓋國內(nèi)知名客戶。公司利用信息技術(shù)和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)客戶

的整合營銷，基于對(duì)客戶的價(jià)值管理原則，通過一對(duì)一營銷方式，滿足

不同客戶的需求，達(dá)到了客戶結(jié)構(gòu)調(diào)整和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的目的。公司已

具備成熟的計(jì)劃體系和生產(chǎn)系統(tǒng)以保證訂單及時(shí)交付率及客戶滿意度。

公司與供應(yīng)商、客戶建立的長期友好合作關(guān)系有利于提高生產(chǎn)效率，優(yōu)

化生產(chǎn)周期，提升運(yùn)營質(zhì)量。多年來，華微電子為眾多國內(nèi)外知名企業(yè)

長期提供功率半導(dǎo)體器件，合作伙伴遍布海內(nèi)外。3.2

IGBT、IPM、MOS三大產(chǎn)品升級(jí)帶來持續(xù)拉動(dòng)（1）

IGBT模塊在研第五代

GenTrench-FS產(chǎn)品華微電子于

2008

年開始研制第一代

IGBT芯片，是國內(nèi)率先量產(chǎn)

IGBT產(chǎn)品的企業(yè)之一，迄今為止已研發(fā)出四代

IGBT芯片。第四代

IGBT芯片

采用國際先進(jìn)的

TrenchFS技術(shù)，相應(yīng)的

IGBT產(chǎn)品在各領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，

擁有良好的口碑。根據(jù)公司公告，公司正在開發(fā)新一代

TrenchFSIGBT產(chǎn)品和逆導(dǎo)型

IGBT產(chǎn)品平臺(tái)，且加大拓展在白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領(lǐng)域

IGBT產(chǎn)品的份額。IGBT部分領(lǐng)域領(lǐng)先，未來往汽車等高階領(lǐng)域拓展。目前公司

IGBT主要應(yīng)用在變頻家電、工業(yè)變頻、光伏領(lǐng)域、電磁爐、電焊機(jī)、電動(dòng)汽車等

領(lǐng)域，其中部分領(lǐng)域如高端電焊機(jī)領(lǐng)域公司的

600V、1200V變頻

IGBT分立器件具備低功耗以及更安全的并聯(lián)操作和更高的魯棒性和可靠性，

未來的成長一方面是繼續(xù)拓展白色家電、工業(yè)變頻、UPS和新能源領(lǐng)域

IGBT產(chǎn)品的份額；另外部分是開發(fā)新一代

TrenchFSIGBT產(chǎn)品和逆導(dǎo)

型

IGBT產(chǎn)品平臺(tái)有望進(jìn)入汽車電力機(jī)車、動(dòng)車組等高端領(lǐng)域。（2）IPM模塊：立足先發(fā)優(yōu)勢(shì)，不斷加大家電等客戶導(dǎo)入傳統(tǒng)

IGBT等分立功率半導(dǎo)體器件向

IPM升級(jí)。與分立方案相比，智能

功率模塊（IPM）在減少占板空間、提升系統(tǒng)可靠性、簡化設(shè)計(jì)和加速產(chǎn)

品上市等方面都具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。IPM作為先進(jìn)的混合集成功率器

件，使用

IPM可以使生產(chǎn)廠家降低在設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造上的成本。與普

通

IGBT相比，在系統(tǒng)性能和可靠性上有進(jìn)一步的提升。由于

IPM集成了

驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，使得用戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)變的相對(duì)容易，并能縮短開發(fā)周

期；由于

IPM通態(tài)損耗和開關(guān)損耗都比較低，使得散熱器減小，因而系

統(tǒng)尺寸也減??；所有的

IPM均采用同樣的標(biāo)準(zhǔn)化與邏輯電平控制電路相

聯(lián)的控制接口，在產(chǎn)品系列擴(kuò)充時(shí)無需另行設(shè)計(jì)電路。IPM在故障情況

下的自保護(hù)能力，也減少了器件在開發(fā)和使用中過載情況下的損壞機(jī)會(huì)。布局

IPM多年，打開中長期市場(chǎng)空間。華微電子智能功率板塊是

2013

年建立，主要由華微電子控股子公司吉林華微斯帕克來主導(dǎo)。華微斯帕

克以建立國內(nèi)最大的智能功率模塊研發(fā)、制造及銷售公司為目標(biāo)，吸引

了一批從三洋、IR等出來的擁有十幾年工作經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)團(tuán)隊(duì)加盟。工廠

建筑面積

3500

平方米，現(xiàn)有員工

60

人，公司的

IPM封裝平臺(tái)，已經(jīng)完

成全系列產(chǎn)品開發(fā)，在白色家電、工

業(yè)領(lǐng)域已形成品牌口碑和規(guī)模優(yōu)勢(shì)。公司目前在白色家電、工業(yè)領(lǐng)域已形成品牌口碑和