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文檔簡介

碳化硅行業(yè)分析報告1、碳化硅性能優(yōu)勢突出主流半導體采用硅材料,射頻、功率、光通信等特殊應用對半導體材料提出特殊需求。SiC是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一,是由硅元素和碳元素組合而成的一種化合物半導體材料。1.1、SiC性能優(yōu)勢顯著同半導體材料硅(Si)相比,其禁帶寬度是硅(Si)的3倍,擊穿電壓是其8-10倍,導熱率是其3-5倍,電子飽和漂移速率是其2-3倍。SiC在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨特優(yōu)勢。耐高壓方面,SiC阻抗更低,禁帶寬度更寬,能承受更大的電流和電壓,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設計和更好效率;耐高頻方面,SiC不存在電流拖尾現(xiàn)象,能夠提高元件的開關速度,是硅(Si)開關速度的3-10倍,從而適用于更高頻率和更快的開關速度;耐高溫方面,SiC擁有非常高的導熱率,相較硅(Si)來講,能在更高的溫度下工作。因此,SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求,有望成為未來最被廣泛使用的半導體芯片基礎材料。SiC主要用于功率或射頻器件,適用于600V以上的高壓場景,包括光伏、新能源汽車、充電樁、風電、軌道交通等等電力電子領域。其中,新能源汽車領域,功率半導體主要應用于電機控制器、DC/DC變換器、車載充電機、壓縮機、水泵、油泵,同時還應用于配套充電樁。1.2、SiC襯底價值量最大,6英寸晶片成為主流SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游襯底、中游外延、下游器件制造和模塊封裝,產(chǎn)業(yè)鏈價值量倒掛,其中襯底制造技術壁壘最高、價值量最大,是未來SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心。襯底:最為核心的環(huán)節(jié),價值量最高,約為46%。根據(jù)電阻率的不同,可分為導電型和半絕緣型襯底,分別用于功率和射頻器件領域。高純硅粉和高純碳粉采用物理氣相傳輸法(PVT)生長SiC晶錠,之后經(jīng)過滾磨、切割、研磨、拋光、清洗等環(huán)節(jié)最終形成襯底,其中晶體的生長為核心工藝,核心難點在于提升良品率。晶片尺寸越大,對應晶體的生長與加工技術難度越大,長晶技術壁壘高,毛利率可達50%左右。外延:價值量占比約23%,是指在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產(chǎn)條件。其中導電型SiC襯底用于SiC外延,生產(chǎn)功率器件,應用于電動汽車和新能源領域;半絕緣型SiC襯底用于氮化鎵外延,生產(chǎn)射頻器件,應用于5G通信等領域。器件制造及模塊封裝:價值量占比約20%,產(chǎn)品包括SiC二極管、SiCMOSFET、全SiC模塊、SiC混合模塊。應用:依據(jù)電阻率區(qū)分,導電型SiC器件主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、充電樁等領域;半絕緣SiC器件主要用于5G通信、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天、國防軍工等領域。半絕緣型SiC襯底市場增長迅速,6英寸晶片成為發(fā)展趨勢。受益于5G基建加快布局和全球地緣政治動蕩,半絕緣型SiC襯底市場增長空間巨大。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2020年全球半絕緣型SiC襯底市場規(guī)模為1.8億美元,較2019年同比增長18%。此外,根據(jù)中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟數(shù)據(jù),2020年全球4英寸半絕緣型SiC晶片的市場需求約4萬片,6英寸約5萬片,兩者需求占比不相上下;預計到2025年,4英寸市場需求將減少至2萬片,6英寸成為發(fā)展趨勢。導電型SiC襯底市場發(fā)展前景良好,6英寸襯底占據(jù)絕大部分市場份額。受下游民用領域的持續(xù)景氣,如新能源汽車與光伏,導電型SiC襯底市場規(guī)模不斷擴容。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2018年,全球?qū)щ娦蚐iC襯底市場規(guī)模為1.7億美元,2020年增長至2.8億美元,復合增長率為26%。根據(jù)中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟數(shù)據(jù),全球6英寸導電型襯底需求從2020年的超8萬片增長至2025年的20萬片,而4英寸產(chǎn)品將逐步退出市場。SiC主流大廠正陸續(xù)推出8英寸晶圓片。當前,全球市場上6英寸SiC襯底已實現(xiàn)商業(yè)化,主流大廠也陸續(xù)開始推出8英寸樣品。SiC晶圓尺寸的擴大不僅可以降低生產(chǎn)成本,而且有利于保持晶圓幾何形狀,減少邊緣翹曲,提升晶圓生產(chǎn)的良率。2019年Cree完成了首批8英寸SiC晶圓樣品的制樣,意法半導體在2021年7月宣布了制造出首批8英寸SiC晶圓片。預計2023年開始,各大廠商將逐漸量產(chǎn)8英寸襯底,并繼續(xù)提高外延和器件方面產(chǎn)能及良品率。隨著6英寸襯底、外延晶片質(zhì)量提高,8英寸產(chǎn)線實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn),SiC器件和模塊逐漸普及為電動汽車主流配置,規(guī)模效應增大,成本可得到有效降低。1.3、SiC價格呈下降趨勢,滲透率有望隨之提升目前,SiC襯底成本高/制作難、長晶速度慢、損失率高導致了器件的高成本,影響了SiC器件的滲透率。根據(jù)中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)數(shù)據(jù)顯示,SiC功率器件最主要的原材料成本——SiC襯底、外延片的價格近年來持續(xù)下降,原因有:第一,伴隨大直徑襯底占比不斷提高,襯底單位面積生長成本下降;第二,單晶的平均可用厚度仍會持續(xù)增加,這將不斷降低單位面積襯底成本;第三,襯底質(zhì)量和晶片供貨量的提高,以及外延晶片成品率的提高,推動SiC器件成本逐步降低。未來SiC各環(huán)節(jié)成本有望持續(xù)下降,并迎來對于下游產(chǎn)業(yè)的加速滲透。2、歐美廠商高度壟斷,國內(nèi)廠商潛力巨大Wolfspeed壟斷SiC器件與外延片市場,歐美企業(yè)主導SiC器件市場。從襯底到器件環(huán)節(jié),目前以Wolfspeed、ST及羅姆等海外頭部企業(yè)占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈主要份額。其中,因布局較早,良率與產(chǎn)能規(guī)模全球領先,在SiC襯底及外延片市場Wolfspeed一家獨大。下游器件領域,歐美日企業(yè)領先,整體市占率達到95%,意法半導體作為特斯拉

SiC功率器件的第一梯隊供應商,市場占有率排名第一,達到41%。國際主流廠商大幅擴產(chǎn),釋放搶占SiC市場信號。國際企業(yè)大力完善第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局,計劃大幅擴產(chǎn)來強化競爭優(yōu)勢,以搶奪日漸增長的市場份額。安森美表示22年要將SiC產(chǎn)能擴充4倍;意法半導體計劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍,SiC營收將達到10億美元。在國際大廠加速擴產(chǎn)的背景下,SiC產(chǎn)業(yè)格局逐漸迎來空前重構和變化。國內(nèi)廠商加速布局,發(fā)展空間巨大。國內(nèi)企業(yè)也在積極研發(fā)和探索SiC器件的產(chǎn)業(yè)化,已經(jīng)形成相對完整的SiC產(chǎn)業(yè)鏈體系,部分產(chǎn)業(yè)節(jié)點已有所突破。SiC襯底方面,天岳先進在半絕緣SiC襯底的市場占有率連續(xù)三年保持全球前三;天科合達在國內(nèi)率先成功研制6英寸SiC襯底,并已實現(xiàn)2-6英寸SiC晶片的規(guī)?;a(chǎn)和器件銷售。SiC外延片方面,廈門瀚天天成與東莞天域可生產(chǎn)2-6英寸SiC外延片。SiC器件方面,國內(nèi)廠商主要有泰科天潤、瀚薪、揚杰科技、中電55所、中電13所、科能芯、中車時代電氣等。模組領域,目前SiC市場斯達半導、河南森源、常州武進科華、中車時代電氣處于起步階段。中國廠商在圍繞SiC襯底生產(chǎn)上正在縮短與國外差距,未來若能在6英寸和8英寸的SiC晶圓良率和成本上進一步實現(xiàn)突破是競爭的關鍵。3、新能源革命來臨,SiC器件迎風而起全球SiC器件市場發(fā)展迅猛,2025年有望增長至26億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展,SiC器件市場規(guī)模增速可觀。Yole數(shù)據(jù)顯示,2019年全球SiC功率器件市場規(guī)模為5.4億美元,預計2025年將增長至25.6億美元,CAGR約30%。整體電動車相關領域(主逆變器+OBC+DC/DC轉(zhuǎn)換器)SiC市場規(guī)模有望在25年達到15.5億美元,19-25年CAGR為38%;而電動車充電基礎設施領域SiC增長最快,19-25年CAGR為90%。3.1、新能源車是SiC器件的核心驅(qū)動力全球新能源汽車終端需求火熱,車用SiC晶圓需求攀升。根據(jù)EVTank數(shù)據(jù)顯示,全球新能源汽車2025年銷量將達到1800萬輛,19-25年CAGR為42%。隨著新能源車滲透率不斷升高,以及整車架構朝800V高壓方向邁進,SiC器件在車載逆變器等領域有望迎來規(guī)?;l(fā)展。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示,預估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片,21-25年CAGR為94%。國內(nèi)新能源車市場規(guī)??焖僭鲩L,SiC功率器件有望進一步突破。IDC預計,2022年中國新能源車市場規(guī)模將達到523萬輛,同比增長47.2%。2025年新能源車市場規(guī)模有望達到約1,299萬輛,2021-2025年復合增長率約為38%。根據(jù)DIGITIMESResearch預測,2025年電動汽車用SiC功率半導體將占整車用功率半導體的37%以上,高于2021年的25%。國內(nèi)新能源車市場具備領先優(yōu)勢,隨著滲透率的進一步提升以及汽車電子化程度的持續(xù)推進,國內(nèi)車用SiC器件規(guī)模有望快速突破。多維度優(yōu)勢賦能車用SiC器件。SiC功率器件在新能源汽車中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢,其應用場景包括:

電機驅(qū)動系統(tǒng)逆變器、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車載DC/DC)、車載充電系統(tǒng)(OBC)及非車載充電樁等。從材料來看,SiC相對于硅材料擁有更高的擊穿場強、更高的熱導率以及更高的電子飽和漂移速度;從電路損耗來看,在同等條件下,SiC功率器件能大幅減小電路開關的能量損耗(下降85%);從設備空間來看,采用SiC功率器件的DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機以及電機控制器分別能加減小設備20%、40%、64%的系統(tǒng)空間;從電池轉(zhuǎn)化效率來看,集成了SiC器件的模塊能幫助系統(tǒng)提升6%的電力轉(zhuǎn)換效率。眾多新能源汽車廠商競相布局SiC器件。2018年,特斯拉的Model3首次采用意法半導體和英飛凌的SiC逆變器取代了Si-IGBT,逆變器效率提升了5-8%。2020年,比亞迪將自主研發(fā)制造的SiCMOSFET功率器件搭載在漢EV四驅(qū)高性能版上,實現(xiàn)了200KW的輸出功率,功率密度提升一倍。預計到2023年,比亞迪將實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。目前,已有多家廠商推出了面向HEV/EV等電動汽車充電器的SiC功率器件。未來隨著SiC器件在車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換以及充電樁中滲透率提升,市場空間有望快速擴大。新能源車高電壓平臺大勢所趨,SiC器件彰顯優(yōu)勢。近年來各車企紛紛通過提升功率來緩解新能源汽車的續(xù)駛焦慮和充電焦慮,而功率的增加一般有兩種路徑,即提高電流或電壓。然而,大電流可能會導致較大的核心部件熱損耗,因此高電壓電氣平臺成為了首選。高電壓平臺要求電驅(qū)動系統(tǒng)的耐壓性也要隨之提升,而硅基器件無法承載電壓的大幅升高,故SiC應用將逐步替代硅基IGBT成為關鍵。相比之IGBT,SiC體積小、功率密度高、耐高壓和高溫能力強,可助力新能源

車實現(xiàn)更長的續(xù)航里程、更短的充電時間和更強的動力性能。國內(nèi)外車企紛紛布局800V高壓平臺,SiC大規(guī)模車載應用可期。在相同功率下,800V電壓平臺較400V電壓的電流減半,電池充電熱量降低,且低成本、輕量化、EMC干擾的降低,以及效率和續(xù)航的提升,讓充電補能體驗大幅增強。2019年保時捷Taycan推出全球首款800V高電壓電氣架構,支持350kw大功率快充,15分鐘內(nèi)電量可充到80%。近年來比亞迪、奧迪、吉利、小鵬等一眾車企也紛紛開始布局800V高電壓平臺,預計各大車企基于800V高壓平臺方案將在2022年之后陸續(xù)上市,SiC作為800V平臺架構的最佳拍檔有望大放異彩。800V高壓平臺需要電源產(chǎn)品配套升級,充電樁等迎來發(fā)展良機。當動力電池電壓平臺升級到800V,當前的OBC、DC/DC及充電樁等電源產(chǎn)品都需要從400V等級提升至符合800V電壓平臺的應用,SiC器件由于其優(yōu)異的特性也將開始大規(guī)模的應用。以充電樁為例,800V高壓充電樁在設計架構上區(qū)別于400V的重要特點是需要配置SiCMOSFET,以達到更快的充電速度和更好的器件耐壓性。22年Wolfspeed宣布參與搭載SiC技術的直流快速充電樁項目,總功率可達350kW,成本可降低20-30%。國內(nèi)車企也開始發(fā)力,廣汽埃安于2021年8月發(fā)布480kW超級充電樁,小鵬也宣布22Q4起部署480kW高壓超充樁,實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航200公里。3.2、光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,SiC應用未來可期全球和國內(nèi)光伏新增裝機量快速增長,成長天花板被打開。根據(jù)CPIA預測,樂觀情況下,全球光伏年新增裝機在2022年將首次突破200GW,達到225GW的水平,到25年全球年新增裝機將達到330GW,20-25年光伏新增裝機的復合增長率達20%;2025年中國新增裝機規(guī)模將達到110GW,相當于2020年底的3.7倍。光伏逆變器出貨量高速增長,IGBT作為逆變器“心臟”作用凸顯。光伏逆變器是光伏系統(tǒng)的核心部件,可以將太陽能板產(chǎn)生的可變直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并反饋回輸電系統(tǒng)或供離網(wǎng)的電網(wǎng)使用。根據(jù)IHSMarkit,近年來光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動光伏逆變器市場規(guī)模快速提升,2020年全球光伏逆變器的市場規(guī)模為136GW,2025年將有望達到401GW,20-25年CAGR為24%。光伏逆變器成本結構方面,半導體器件和集成電路材料主要為IGBT元器件和IC半導體,其中以IGBT為主的半導體器件在驅(qū)動保護、過電流/短路保護、過溫保護、機械故障保護等方面發(fā)揮巨大作用,是逆變器的“心臟”,約占逆變器成本的12%左右。SiC器件可有效提高光伏逆變器性能,有望逐步替代硅基IGBT成為逆變器核心。相比于硅基IGBT,SiCMOS具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無電流拖尾現(xiàn)象、高開關速度等優(yōu)點,并且可以在高溫等惡劣的環(huán)境中工作,有利于提高光伏逆變器使用壽命。根據(jù)SiC芯觀察數(shù)據(jù),采用SiC器件可有效提高光伏發(fā)電轉(zhuǎn)換效率,光伏逆變器的轉(zhuǎn)換效率可從硅基的96%提升至SiCMOSFET的99%以上,能量損耗降低50%以上,設備循環(huán)壽命提升50倍。未來應用于光伏領域的SiC逐漸成熟,伴隨滲透率的進一步提升,其有望逐漸替代硅基IGBT在光伏逆變器上的應用。國內(nèi)光伏逆變器廠商加快布局,為SiC國產(chǎn)化提供歷史性機遇。隨著中國光伏裝機量的增長,中國本土廠商加快技術與產(chǎn)品升級,在全球已占據(jù)重要位置。在出貨量排名前十的供應商中有六家是中國供應商,其中華為以23%的市占率位居榜首,國內(nèi)逆變器廠商在全球逆變器市場中占據(jù)超六成市場份額。未來隨著新能源替代傳統(tǒng)燃料進程加速,逆變器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向發(fā)展,SiC器件有望受益于本土供應鏈優(yōu)勢,迎來發(fā)展良機。根據(jù)SiC芯觀察數(shù)據(jù)顯示,2020年SiC光伏逆變器占比為10%,預計2035年占比將達到75%,未來空間十分廣闊。3.3、SiC器件在軌道交通領域持續(xù)滲透在大容量、輕量化和節(jié)能化要求下,軌道交通領域采用SiC大勢所趨。隨著軌道交通硅基功率器件性能逐漸逼近理論極限,SiC功率器件成為重點發(fā)展方向,以滿足軌道交通系統(tǒng)對高功率密度、低損耗和高可靠性等要求。與傳統(tǒng)硅基IGBT牽引逆變器相比,全SiC牽引逆變器能耗能夠降低10%以上。2014年日本小田急電鐵新型通勤車輛配備了三菱電機

3300V/1500A全SiC功率模塊逆變器,開關損耗降低55%,體積和重量減少65%,電能損耗降低20%~36%。根據(jù)CASA預測,未來30年內(nèi),軌道交通應用中90%的硅IGBT將被SiC器件或混合器件替代。Yole數(shù)據(jù)顯示,鐵路SiC市場將從2019年的900萬美元增長到2025年的1.18億美元,CAGR達到55%。國內(nèi)外廠商紛紛布局軌交系統(tǒng)SiC器件。2015年,日本三菱公司推出了高性能平面柵3.3kVSiCMOSFET器件及全SiC模塊產(chǎn)品,并在全世界首次將全SiC模塊應用到軌道交通牽引變流系統(tǒng)中。近年來隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,SiC加快滲透進入軌交領域。日本N700S新干線、西門子Velaro列車等也大面積采用了SiC牽引系統(tǒng),截至2021年6月,國內(nèi)也已經(jīng)有蘇州三號線、深圳地鐵1號線等6條地鐵線路采用了SiC技術。目前中國的時代電氣、天岳先進,日本的東芝、三菱、日立,以及歐美的Wolfspeed、英飛凌,都已在發(fā)力軌道交通SiC產(chǎn)業(yè)鏈。中國高鐵建設目前已擁有世界領先水平,中國巨大的應用需求是國產(chǎn)SiC的“沃土”,國內(nèi)廠商有望借助龐大市場確立先發(fā)優(yōu)勢。4、重點企業(yè)分析4.1、三安光電:LED龍頭,大力發(fā)展化合物半導體業(yè)務三安光電主要從事化合物半導體材料與器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,以氮化鎵、砷化鎵、SiC、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業(yè)。公司產(chǎn)品應用廣泛,包括照明、顯示、背光、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域。2018年公司斥資333億元建設福建泉州南安高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū),投資III-V族化合物半導體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SiC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。三安光電已實現(xiàn)在半導體化合物高端領域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。三安光電在SiC下游市場已取得多點突破,并已實現(xiàn)對各細分應用市場標桿客戶的穩(wěn)定供貨。1)SiC二極管:在2021年新開拓送樣客戶超過500家,出貨客戶超過200家,超過60種產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段。并借助在歐美日韓等國家和地區(qū)的技術和銷售布局,與國際標桿客戶實現(xiàn)戰(zhàn)略合作。a)已進入國內(nèi)前20大客戶:已進入PFC電源領域(維諦、比特、長城等)和光伏逆變器領域

(陽光電源、古瑞瓦特、固德威、科士達等)等客戶的供應鏈。b)已實穩(wěn)定供貨:已對車載充電機領域(威邁斯、比亞迪弗迪動力等)、家電領域(格力、長虹等)、充電樁及UPS領域(英飛源、科華、英威騰、嘉盛等)各細分應用市場標桿客戶穩(wěn)定供貨。2)SiCMOSFET工業(yè)級產(chǎn)品:

已送樣客戶驗證。3)SiCMOSFET車規(guī)級產(chǎn)品:正配合多家車企做流片設計及測試,與新能源汽車重點客戶的合作已經(jīng)取得重大突破。車和家(理想關聯(lián)公司)與三安成立合資公司,車和家持有合資公司70%股權,三安持有30%股權。三安光電正致力于打造SiCIDM一體化平臺,湖南項目陸續(xù)投產(chǎn)后將持續(xù)帶動營收高增長。三安光電2021年報披露,集成電路新建項目規(guī)劃產(chǎn)能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安,電力電子SiC配套產(chǎn)能擴充到3萬片/月。其中,湖南三安項目包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,總占地面積約1,000畝,總建筑面積超50萬平米,項目達產(chǎn)后,配套產(chǎn)能約36萬片/年。4.2、中微公司:正開發(fā)SiC專用MOCVD設備中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司基于在半導體設備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術,涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。1)等離子體刻蝕設備:已應用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。2)MOCVD設備:在行業(yè)領先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn),公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備制造商。截至2022年6月底,公司設備累計付運臺數(shù)達2654個反應臺,在客戶73條生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。中微公司積極布局SiC材料功率器件外延生長設備和技術研發(fā),牽頭人具有25年以上相關經(jīng)驗。根據(jù)公司公告,公司將總投資37.56億元用于中微臨港總部和研發(fā)中心項目,其中部分資金用于公司7類新產(chǎn)品的研發(fā)項,其中一種就是寬禁帶功率器件外延生長設備,主要包括SiC材料功率器件的外延生長設備和技術的研發(fā)。該項目牽頭人具有25年以上化合物半導體材料外延工藝開發(fā)、設備研發(fā)及營運的經(jīng)驗。目前項目處于研究階段,已擁有10余項專利技術儲備,預計將持續(xù)至2025年底。4.3、天岳先進:國內(nèi)領先的SiC襯底企業(yè)天岳先進主要從事SiC襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領域。憑借卓越的研發(fā)及創(chuàng)新能力,天岳先進已成為全球為數(shù)不多的掌握半絕緣型和導電型SiC襯底、產(chǎn)品尺寸較全的SiC襯底生產(chǎn)商。1)半絕緣型:在發(fā)達國家對中國實行技術封鎖和產(chǎn)品禁運的背景下,公司自主研發(fā)出半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品,實現(xiàn)了中國核心戰(zhàn)略材料的自主可控。2)導電型:公司已成功掌握導電型SiC襯底材料制備的技術和產(chǎn)業(yè)化能力。在優(yōu)先保障半絕緣型SiC襯底材料戰(zhàn)略供應之余,進行導電型SiC襯底材料的研發(fā)和小批量銷售,目前正在電力電子領域客戶中進行驗證。天岳先進半絕緣型產(chǎn)品已實現(xiàn)對國內(nèi)下游核心客戶的批量供貨,并獲得國外知名半導體公司認可。公司通過持續(xù)的技術研究和產(chǎn)品開發(fā),于2015年實現(xiàn)了4英寸半絕緣型SiC襯底的量產(chǎn)

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