MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

PAGEPAGE18MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解simtriex/simplis仿真電路用軟件MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來是非常簡單，但是詳細(xì)分析起來并不簡單。下面我會(huì)花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動(dòng)電路。首先，來做一個(gè)實(shí)驗(yàn)，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？我根本沒有加驅(qū)動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì)導(dǎo)通？用下面的圖1，來做個(gè)仿真；去探測G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如圖2所示。圖1圖2這種情況有什么危害呢？實(shí)際情況下，MOS肯定有驅(qū)動(dòng)電路的么，要么導(dǎo)通，要么關(guān)掉。問題就出在開機(jī)，或者關(guān)機(jī)的時(shí)候，最主要是開機(jī)的時(shí)候，此時(shí)你的驅(qū)動(dòng)電路還沒上電。但是輸入上電了，由于驅(qū)動(dòng)電路沒有工作，G級(jí)的電荷無法被釋放，就容易導(dǎo)致MOS導(dǎo)通擊穿。那么怎么解決呢？在GS之間并一個(gè)電阻。其仿真的結(jié)果如圖4。幾乎為0V。圖3圖4什么叫驅(qū)動(dòng)能力，很多PWM芯片，或者專門的驅(qū)動(dòng)芯片都會(huì)說驅(qū)動(dòng)能力，比如384X的驅(qū)動(dòng)能力為1A，其含義是什么呢？假如驅(qū)動(dòng)是個(gè)理想脈沖源，那么其驅(qū)動(dòng)能力就是無窮大，想提供多大電流就給多大。但實(shí)際中，驅(qū)動(dòng)是有內(nèi)阻的，假設(shè)其內(nèi)阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認(rèn)為其驅(qū)動(dòng)能力為1A。那什么叫驅(qū)動(dòng)電阻呢，通常驅(qū)動(dòng)器和MOS的G極之間，會(huì)串一個(gè)電阻，就如下圖5的R3。驅(qū)動(dòng)電阻的作用，如果你的驅(qū)動(dòng)走線很長，驅(qū)動(dòng)電阻可以對(duì)走線電感和MOS結(jié)電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。第二個(gè)，重要作用就是調(diào)解驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動(dòng)能力，而不能提高。驅(qū)動(dòng)電阻的作用，如果你的驅(qū)動(dòng)走線很長，驅(qū)動(dòng)電阻可以對(duì)走線電感和MOS結(jié)電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。第二個(gè)，重要作用就是調(diào)解驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動(dòng)能力，而不能提高。圖5對(duì)上圖進(jìn)行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖6是MOS的G極的電壓波形上升沿。圖7是驅(qū)動(dòng)的下降沿(G極電壓)。圖6圖7那么驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開關(guān)有什么影響呢？下圖8是MOS導(dǎo)通時(shí)候DS的電壓：圖9是MOS導(dǎo)通時(shí)候DS電流波形：圖8圖9紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。可以看到，驅(qū)動(dòng)電阻增加可以降低MOS開關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開關(guān)速度，對(duì)EMI有好處。下圖10是對(duì)兩個(gè)不同驅(qū)動(dòng)情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到：紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，高頻諧波明顯變小。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，高頻諧波明顯變小。圖10但是驅(qū)動(dòng)速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關(guān)損耗大了，下圖11是不同驅(qū)動(dòng)電阻下，導(dǎo)通損耗的功率曲線。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。圖11結(jié)論：驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大？還真難講，小了，EMI不好，大了，效率不好。所以只能一個(gè)折中的選擇了。那如果，開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦？就用以下電路圖12、圖13。

圖12圖13MOSFET的自舉驅(qū)動(dòng)：對(duì)于NMOS來說，必須是G極的電壓高于S極一定電壓才能導(dǎo)通。那么對(duì)于對(duì)S極和控制IC的地等電位的MOS來說，驅(qū)動(dòng)根本沒有問題，如上圖。但是對(duì)于一些拓?fù)?，比如BUCK（開關(guān)管放在上端），雙管正激，雙管反激，半橋，全橋這些拓?fù)涞纳瞎?，就沒辦法直接用芯片去驅(qū)動(dòng)，那么可以采用自舉驅(qū)動(dòng)電路?？聪聢D的BUCK電路：圖14加入輸入12V，MOS的導(dǎo)通閥值為3V，那么對(duì)于Q1來說，當(dāng)Q1導(dǎo)通之后，如果要維持導(dǎo)通狀態(tài)，Q1的G級(jí)必須保證15V以上的電壓，因?yàn)镾級(jí)已經(jīng)有12V了。那么輸入才12V，怎么得到15V的電壓呢？其實(shí)上管Q1驅(qū)動(dòng)的供電在于Cboot?？聪聢D15，芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：圖15Cboot是掛在boot和LX之間的，而LX卻是下管的D級(jí)，當(dāng)下管導(dǎo)通的時(shí)候，LX接地，芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)通過Dboot（自舉二極管）對(duì)Cboot充電。當(dāng)下管關(guān)，上管通的時(shí)候，LX點(diǎn)的電壓上升，Cboot上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅(qū)動(dòng)電壓才能高過輸入電壓。當(dāng)然芯片內(nèi)部的邏輯信號(hào)在提供給驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，還需要Levelshift電路，把信號(hào)的電平電壓也提上去。Buck電路，現(xiàn)在有太多的控制芯片集成了自舉驅(qū)動(dòng)，讓整個(gè)設(shè)計(jì)變得很簡單。但是對(duì)于，雙管的，橋式的拓?fù)?，多?shù)芯片沒有集成驅(qū)動(dòng)。那樣就可以外加自舉驅(qū)動(dòng)芯片，48V系統(tǒng)輸入的，可以采用Intersil公司的ISL21XX，HIP21XX系列。如果是AC/DC中，電壓比較高的，可以采用IR的IR21XX系列。下圖16是ISL21XX的內(nèi)部框圖，其核心的東西，就是紅圈里的boot二極管，和Levelshift電路：

圖16ISL21XX驅(qū)動(dòng)橋式電路示意圖：

驅(qū)動(dòng)雙管電路圖17：

圖17驅(qū)動(dòng)有源鉗位如圖18：

圖18當(dāng)然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實(shí)很簡單，參考datasheet即可。zgthsx：LZ是那個(gè)電壓對(duì)電容充電啊

會(huì)沖到多少負(fù)啊有是怎么沖的

能不能解釋一下啊？echizen20：同過CBOOT的的升壓？？是不是自舉升壓的道理呢？tq5920：樓主您好，說道自舉電路，我想請(qǐng)教一般自舉電容和二極管應(yīng)該如何選擇？有什么特別要求嗎？謝謝！

sometimes：自舉電容主要在于其大小，該電容在充電之后，就要對(duì)MOS的結(jié)電容充電，如果驅(qū)動(dòng)電路上有其他功耗器件，也是該電容供電的。所以要求該電容足夠大，在提供電荷之后，電容上的電壓下跌最好不要超過原先值的10%，這樣才能保證驅(qū)動(dòng)電壓。但是也不用太大，太大的電容會(huì)導(dǎo)致二極管在充電的時(shí)候，沖擊電流過大。對(duì)于二極管，由于平均電流不會(huì)太大，只要保證是快速二極管。當(dāng)然，當(dāng)自舉電壓比較低的時(shí)候，這個(gè)二極管的正向壓降，盡量選小的。tq5920：請(qǐng)問您有沒有用過IR2110或IR2111芯片，在高頻時(shí)，自舉電容和二極管應(yīng)該如何選擇？謝謝！sometimes：電容沒什么，磁片電容，幾百n就可以了。但是二極管，要超快的，而且耐壓要夠。電流不用太大，1A足夠。

leetao365366：樓主，請(qǐng)教您個(gè)問題。一般用MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)要注意哪些細(xì)節(jié)問題啊。其實(shí)MOS只是作為開關(guān)管，需要注意的是電機(jī)是感性器件，還有電機(jī)啟動(dòng)時(shí)候的沖擊電流。還有堵轉(zhuǎn)時(shí)候的的啟動(dòng)電流。(變壓器)隔離驅(qū)動(dòng)lingqidian：詳細(xì)的講講隔離驅(qū)動(dòng)吧，在正激拓?fù)渲?，我常見到?qū)動(dòng)信號(hào)連接到一個(gè)推挽對(duì)管，然后連接一個(gè)2R左右的電阻及一個(gè)電容然后連接到變壓器的初級(jí)端，在變壓器的次級(jí)端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)給MOS，這種驅(qū)動(dòng)方式的優(yōu)點(diǎn)？變壓器初級(jí)串聯(lián)的電阻及電容如何設(shè)計(jì)？sometimes：隔離驅(qū)動(dòng)。當(dāng)控制和MOS處于電氣隔離狀態(tài)下，自舉驅(qū)動(dòng)就無法勝任了，那么就需要隔離驅(qū)動(dòng)了。下面來討論隔離驅(qū)動(dòng)中最常用的，變壓器隔離驅(qū)動(dòng)。

Ez八度：很好很實(shí)用的東西，對(duì)我們這樣的只知道要加下拉電阻不知道其作用的人來說很好懂，期待旅長更多看似很基礎(chǔ)實(shí)際很受用的課程

edifierwjq：請(qǐng)問在大功率的系統(tǒng)中如果有幾個(gè)開關(guān)管并聯(lián)，還能用上文介紹的那些高端驅(qū)動(dòng)芯片來驅(qū)動(dòng)嗎？sometimes：可以的，但是你要選擇驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的IC?？磦€(gè)最簡單的隔離驅(qū)動(dòng)電路，被驅(qū)動(dòng)的對(duì)象是Q1。圖19驅(qū)動(dòng)源參數(shù)為12V，100KHz，D=0.5。驅(qū)動(dòng)變壓器電感量為200uH，匝比為1：1。紅色波形為驅(qū)動(dòng)源V1的輸出，綠色為Q1的G級(jí)波形?？梢钥吹?，Q1-G的波形為具有正負(fù)電壓的方波，幅值6V了。為什么驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)下降呢，是因?yàn)閂1的電壓直流分量，完全被紅色波形為驅(qū)動(dòng)源V1的輸出，綠色為Q1的G級(jí)波形?？梢钥吹?，Q1-G的波形為具有正負(fù)電壓的方波，幅值6V了。為什么驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)下降呢，是因?yàn)閂1的電壓直流分量，完全被C1阻擋了。所以C1也稱為隔直電容。圖20下圖21為C1上的電壓。圖21其平均電壓為6V，但是峰峰值，卻有2V，顯然C1不夠大，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)信號(hào)最終不夠平。那么把C1變?yōu)?70n。Q1-G的電壓波形就變成如下圖22：圖22圖23驅(qū)動(dòng)電壓變得平緩了些。如果把驅(qū)動(dòng)變壓器的電感量增加到500uH。驅(qū)動(dòng)信號(hào)就如上圖23。驅(qū)動(dòng)信號(hào)顯得更為平緩。

lingqidian："其平均電壓為6V，但是峰峰值，卻有2V，顯然C1不夠大，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)信號(hào)最終不夠平。"請(qǐng)問這句話怎么理解，C1如果增大的話，由于對(duì)C1的存放電，驅(qū)動(dòng)信號(hào)到G極后應(yīng)該會(huì)更平滑，上升及下降都會(huì)變慢吧？但看你的仿真圖好像更好了？串接R、C的取值如何計(jì)算？或者選擇？

sometimes：C1大的話，C1上的電壓就會(huì)比較平穩(wěn)，波動(dòng)比較小，那么對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響就會(huì)變小。

smallmore：樓主，我做了一個(gè)全橋的驅(qū)動(dòng)，上面的不是平的，而是有一圓弧型的包包，再斜斜的下來，最后有一小段是平的，加大電容怎么調(diào)都是這樣，是怎么回事呀？請(qǐng)賜教??！謝謝！sometimes：這個(gè)可能和你的驅(qū)動(dòng)變壓器的漏感有關(guān)系。從這里可以看到，這種驅(qū)動(dòng)，有個(gè)明顯的特點(diǎn)，就是驅(qū)動(dòng)電平，最終到達(dá)MOS的時(shí)候，電壓幅度減小了，具體減小多少呢，應(yīng)該是D*V,D為占空比，那么如果D很大的話，驅(qū)動(dòng)電壓就會(huì)變得很小，如下圖24，D=0.9圖24圖25圖24中，發(fā)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)到達(dá)MOS的時(shí)候，正壓不到2V了。顯然這種驅(qū)動(dòng)不適合占空比大的情況。從上面可以看到，在驅(qū)動(dòng)工作的時(shí)候，其實(shí)C1上面始終有一個(gè)電壓存在，電壓平均值為V*D，也就是說這個(gè)電容存儲(chǔ)著一定的能量。那么這個(gè)能量的存在，會(huì)帶來什么問題呢？下面模擬驅(qū)動(dòng)突然掉電的情況，如圖25：可見，在驅(qū)動(dòng)突然關(guān)掉之后，C1上的能量，會(huì)引起驅(qū)動(dòng)變的電感，C1以及mos的結(jié)電容之間的諧振。如果這個(gè)諧振電壓足夠高的話，就會(huì)觸發(fā)MOS管，對(duì)可靠性帶來危害。那么如何來降低這個(gè)震蕩呢，在GS上并個(gè)電阻，下圖26是并了1K電阻之后波形：但是這個(gè)電阻會(huì)給驅(qū)動(dòng)帶來額外的損耗。圖26如何傳遞大占空比的驅(qū)動(dòng)?看一個(gè)簡單的驅(qū)動(dòng)電路。圖27：xzszrs：這個(gè)電路的神奇之處就是采用了D1的電平平移電路，使負(fù)電平平移到接近0V!相對(duì)而言提高了正向電平（絕對(duì)值電平是不變的）。進(jìn)一步發(fā)揮的話D1可以改為兩個(gè)背靠背的穩(wěn)壓二極管，比如上管為15V,下管為5V,這樣可以提供+15V，-5V的驅(qū)動(dòng)電平驅(qū)動(dòng)IGBT.當(dāng)然次級(jí)加上一個(gè)由P三極管組成的放電回路就更好了。

hsym_101584：“這個(gè)電路的神奇之處就是采用了D1的電平平移電路，使負(fù)電平平移到接近0V!“這句話該怎么理解呢？

hsym_101584：比如占空比D=0.9，輸入電壓Vin=10V，那么此時(shí)原邊的隔直電容上的直流壓降為D*Vin=9V，原邊繞組上的壓降為1V。當(dāng)輸入電平為低的時(shí)候，原邊隔直電容9V加在原邊繞組上，感應(yīng)到副邊為下正上負(fù)，通過二極管D1給電容C2充電，C2充滿后為左負(fù)右正，9V。當(dāng)輸入電平變高時(shí)，原邊繞組電壓為1V，上正下負(fù)，感應(yīng)到副邊，使副邊繞組壓降跳變到上正下負(fù)，1V。由于電容C2兩端電壓不能突變，要保持9V的壓差，所以C2右端的電壓變?yōu)?+9=10V。圖27當(dāng)D=0.9的時(shí)候，如圖28紅色波形為驅(qū)動(dòng)源輸出，綠色為到達(dá)MOS的波形?；颈３至蓑?qū)動(dòng)源的波形。紅色波形為驅(qū)動(dòng)源輸出，綠色為到達(dá)MOS的波形?；颈３至蓑?qū)動(dòng)源的波形。圖28同樣，這個(gè)電路在驅(qū)動(dòng)掉電的時(shí)候，比如關(guān)機(jī)，也會(huì)出現(xiàn)震蕩，如圖29。而且似乎這個(gè)問題比上面的電路還嚴(yán)重。下面嘗試降低這個(gè)震蕩，首先把R5改為1K，如圖30。圖29圖30確實(shí)有改善，但問題還是嚴(yán)重，繼續(xù)在C2上并一個(gè)1K的電阻。如圖31：綠色的波形，確實(shí)更改善了一些，但是問題還是存在。這是個(gè)可靠性的隱患。對(duì)于這個(gè)問題如何解決呢？可以采用softstop的方式來關(guān)機(jī)。softstop其實(shí)就是softstart的反過程，就是在關(guān)機(jī)的時(shí)候，讓驅(qū)動(dòng)占空比從大往小變化，直到關(guān)機(jī)。很多IC已經(jīng)集成了該功能?？煽吹?，驅(qū)動(dòng)信號(hào)在關(guān)機(jī)的時(shí)候，沒有了上面的那些震蕩。圖31圖32半橋全橋驅(qū)動(dòng)對(duì)于半橋，全橋的驅(qū)動(dòng)，由于具有兩相驅(qū)動(dòng)，而且相位差為180度，那么如何用隔離變壓器來驅(qū)動(dòng)呢？如圖33：采用一拖二的方式，可以來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)管子。下圖33圖34是兩個(gè)驅(qū)動(dòng)源的波形；通過變壓器傳遞之后，到達(dá)MOS會(huì)變成如圖35的波形：圖34圖35在有源鉗位，不對(duì)稱半橋，以及同步整流等場合，需要一對(duì)互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)，那么怎么用一路驅(qū)動(dòng)來產(chǎn)生互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)，并且形成死區(qū)?？捎孟聢D36；其波形如圖37：

圖36圖37MOSFET的并聯(lián)驅(qū)動(dòng)，由于MOS經(jīng)常采用并聯(lián)的方式工作，那么驅(qū)動(dòng)又該如何設(shè)計(jì)呢？是按圖38呢？還是按圖39設(shè)計(jì)呢？圖38圖39圖38可用。一般情況下不建議MOS并聯(lián)使用，因?yàn)镸OS并聯(lián)，對(duì)驅(qū)動(dòng)的一致性要求就很高了，如果導(dǎo)通，關(guān)斷時(shí)間不一致，會(huì)導(dǎo)致其中一個(gè)MOS開關(guān)損耗劇增。所以在軟開關(guān)電路上，用MOS并聯(lián)問題比較少，但是硬開關(guān)電路，就要小心了。下面用仿真來看現(xiàn)象，假設(shè)兩個(gè)MOS并聯(lián)，而且MOS的參數(shù)完全一樣。但是驅(qū)動(dòng)走線的寄生參數(shù)有很大不同。圖40中R2，R4，L1，L2都為驅(qū)動(dòng)走線的寄生參數(shù)。那么下圖41為導(dǎo)通時(shí)候，兩個(gè)mos的電流，從圖中看出兩管基本上還算一致。圖40圖41接下去，把兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻并聯(lián)起來一起去驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOS管，如圖42；其導(dǎo)通時(shí)候的電流波形如圖43：兩管子的電流波形，均出現(xiàn)劇烈震蕩。圖42圖43showtime2303：您好，我看到蜘蛛大哥的帖子中提到了可以將一個(gè)大FET和一個(gè)小FET并聯(lián)，讓大FET先關(guān)后開，將大FET的開關(guān)過程搞軟，降低其開通損耗，不是很明白，想請(qǐng)sometimes大哥分析仿真一下這種情況。sometimes：兩個(gè)fet并聯(lián)，先開的那個(gè)mos要承受開通損耗，因?yàn)橐粋€(gè)開通之后，mos的ds電壓降到0，之后另外一個(gè)管子開通，就是0電壓開通了，后關(guān)的那個(gè)要承受關(guān)斷損耗。所以這樣做可以讓開關(guān)損耗全部由小FET來承受，但只這種只不過分散了損耗而已。showtime2303：這樣做對(duì)效率的提高沒有實(shí)質(zhì)性的幫助嗎？sometimes：這個(gè)應(yīng)該說會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)有好處，在驅(qū)動(dòng)大管子的時(shí)候，由于沒有米勒效應(yīng)，可以降低驅(qū)動(dòng)損耗，并且對(duì)驅(qū)動(dòng)能力要求不高。但是對(duì)于主電路的損耗，我覺得沒有太大用。lijieamd：我想問問sometimes大俠關(guān)于雙NMOS的半橋結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)問題。問題是這樣的:電路如圖44,半橋的上下管都是NMOS,上管柵極驅(qū)動(dòng)采用18V電源,下管柵極驅(qū)動(dòng)采用12V電源,當(dāng)上管驅(qū)動(dòng)是關(guān)閉的情況下(也就是上橋臂驅(qū)動(dòng)的PNP管打開,NPN管關(guān)閉),下管進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng),這個(gè)時(shí)候上管的柵極也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)比較小幅度的PWM,但是尖峰比較大,大概有4V,這導(dǎo)致很小的一段時(shí)間上下管導(dǎo)通,耗散非常大。我猜想可能是通過下管的柵漏電容CGD給耦合到上管的柵源電容上去了,想問問如何解決這個(gè)問題,謝謝了！圖44

sometimes：在GS并個(gè)電阻，改善你的驅(qū)動(dòng)走線，可能你的驅(qū)動(dòng)線太長了，降低你的開關(guān)速度，也能減低尖峰。Pmos的驅(qū)動(dòng)：下圖45為Pmos管：Pmos要求GS的電壓是負(fù)的，也就是G的電壓要比S的低，才能導(dǎo)通。那么，如果SD承受高壓，G只要比S的電壓低一點(diǎn)就能導(dǎo)通，但是一旦SD導(dǎo)通，G必須維持負(fù)壓才能導(dǎo)通。而GS的耐壓是很低的，這就很麻煩了。一般在電源中最常見的Pmos應(yīng)用，就有有源鉗位。有源鉗位的Pmos，是S級(jí)接地的，那么要保持導(dǎo)通，G級(jí)必須要有負(fù)壓才行。那么如何產(chǎn)生負(fù)壓呢，可以采用下圖46的驅(qū)動(dòng)方式；其波形如圖47所示：圖45圖46圖47

sdgcy：請(qǐng)教一個(gè)我很長時(shí)間都沒有搞明白的問題，就是用自舉電路驅(qū)動(dòng)MOS的時(shí)候，我發(fā)現(xiàn)有好多廠家在處理自舉電路PCB的時(shí)候，都有這么一個(gè)現(xiàn)象，就是自舉電容的負(fù)極（也就是和上橋MOS的源極相連的極）到上橋MOS的源極之間的連線用蛇形線，不知道這樣做的左右是什么？討論部分edifierwjq：有問題想請(qǐng)教下樓主，最近在調(diào)試全橋電路，發(fā)現(xiàn)當(dāng)輸入電壓加到100V的時(shí)候驅(qū)動(dòng)波形就不對(duì)了，Vgs會(huì)出現(xiàn)一個(gè)跌落，如示波器截圖所示，輸入電壓再升高一些就會(huì)出現(xiàn)橋臂直通的情況，同一橋臂的兩個(gè)管子就燒掉了。我是利用光耦A(yù)3120來驅(qū)動(dòng)橋臂的四個(gè)開關(guān)管的。希望得到您的幫助，謝謝了！sometimes：你的波形呢？有可能是驅(qū)動(dòng)能力不夠edifierwjq：不好意思，第一次來咱們論壇，還沒搞清楚如何上傳圖片，等下就上傳上去。究竟怎樣定義電源的驅(qū)動(dòng)能力呢？A3120的電流驅(qū)動(dòng)能力是2A，電壓源用的是實(shí)驗(yàn)室那種很笨重的直流源，其電流輸出能力為3A，應(yīng)該夠驅(qū)動(dòng)MOSFET了吧？最近我也在學(xué)習(xí)有關(guān)MOSFET的特性及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，看得有些頭大，希望能夠得到您的幫助。這個(gè)是我的實(shí)驗(yàn)截圖，3通道的是Vgs的波形，為什么會(huì)出現(xiàn)這么大的跌落呢？請(qǐng)幫忙給分析一下。sometimes：你這個(gè)跌落有點(diǎn)厲害，能把驅(qū)動(dòng)電路貼出來么？還有你測試的時(shí)候，把探頭的地線回路弄小點(diǎn)。edifierwjq