dsp與外擴(kuò)展存儲(chǔ)器的連接方法

DSP與外接存儲(chǔ)器的連接方法俞斌賈雅瓊引言存儲(chǔ)器接口分為ROM接口和RAMROM包括EPROMFLASH，而RAMSRAM。TMS320C540932KRAM16KROM。但是在DSPDSP應(yīng)用來(lái)說(shuō)，TMS320C5409的片內(nèi)存儲(chǔ)資源TMS320C5409硬件系統(tǒng)一般應(yīng)當(dāng)包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設(shè)計(jì)，以存放程序和數(shù)據(jù)。本文介紹TMS320C5409與存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)方案。DSPSRAM的接口設(shè)計(jì)32k字RAM16KROM之外,TMS320C5409還可以擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器。其,數(shù)據(jù)總空間總共為64k字〔0000～FFFF〕,I/O空間為64K字〔0000～FFFF，程8M8M的程序空間的尋址是通過(guò)額外的7〔A16～A22〕實(shí)現(xiàn)的,由XPC存放器掌握。依據(jù)程序和數(shù)據(jù)的空間配置,3種。分開(kāi)的程序和數(shù)據(jù)空間配置128k×16位的RAM1所示。承受程序選通線接外部RAM的A16RAM64k〔0000H～FFFF，數(shù)據(jù)區(qū)為RAM的后64k字100001FFFF。對(duì)DSP而言，程序區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)0000H～FFFFH。承受這種配置方法需要留意：假設(shè)內(nèi)部RAM設(shè)置為有效，則一樣地址的外部RAM自動(dòng)無(wú)效；當(dāng)外部RAM不能全速運(yùn)行時(shí)，需要依據(jù)速度設(shè)置插入等待狀態(tài)〔設(shè)置SWWS混合的程序和數(shù)據(jù)空間配置這種方案是令OVLY=1，此時(shí)內(nèi)部RAM既是數(shù)據(jù)區(qū)也是程序區(qū)。這樣設(shè)置的優(yōu)點(diǎn)是程鏈接時(shí)必需將程序和數(shù)據(jù)分開(kāi)，以避開(kāi)重疊。這種配置方法如圖2所示。將和信號(hào)接至一與非門，形成PDS信號(hào)，這個(gè)信號(hào)不管是有效還是有效都呈現(xiàn)有效〔高電平，將這個(gè)信號(hào)經(jīng)反向用作片選信號(hào)，就可以保證外部RAM既作為程序區(qū)也作為數(shù)據(jù)區(qū)。1分開(kāi)的數(shù)據(jù)和程序空間配置2混合的數(shù)據(jù)和程序空間配置優(yōu)化的混合程序和數(shù)據(jù)空間配置圖3所示為一種優(yōu)化的混合程序和數(shù)據(jù)區(qū)外接RAMDSPA15地址線，將RAM32k字長(zhǎng)的塊。承受這種方法后，可充分利用外接的RAM，不會(huì)因內(nèi)部RAM和外部RAM的地址重疊而造成外部RAM的鋪張。圖3優(yōu)化的混合數(shù)據(jù)和程序空間配置DSP程序區(qū)另外的地址空間也能訪問(wèn)到外部RAM種優(yōu)化的外部RAMDSP的內(nèi)部RAM擴(kuò)展RAM。4DSPFLASH的接口DSPFLASH的接口設(shè)計(jì)4DSPFLASH的一種接口配置。圖中FLASHSiliconStorage公司的一256K×16位CMOSFLASHMemorySST39VF400A作為DSP的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，地址總線和數(shù)據(jù)總線接至DSPDSPDSP上的XF引腳用于啟動(dòng)編程。當(dāng)XFFLASH處于讀狀態(tài)；當(dāng)XFFLASH可擦或編程。為了滿足SST39VF400A的時(shí)序要求，XF與相“或”后接至，引腳與相“或”后接至。FLASH的擦寫(xiě)片外FLASH擦寫(xiě)原理RAMFLASHMemory。但是，由于RAM中數(shù)據(jù)掉電即喪失，不適合長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，因此當(dāng)需要保存到片外存儲(chǔ)器的是一些無(wú)需頻繁讀/寫(xiě)但需要長(zhǎng)期保存的數(shù)據(jù)時(shí)，如字模數(shù)據(jù)、端口地址等，通常選擇使用片外的FLASHDSP芯片的存儲(chǔ)器空間。但是，使用片外的FLASH必需要解決對(duì)其的擦寫(xiě)問(wèn)題。FLASH的擦寫(xiě)主要有兩種方式：一是使用通用編程器對(duì)FLASH芯DSPFLASH過(guò)對(duì)DSP芯片編程實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫(xiě)的方法。CCS5000IDETITMS320C5409設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)平臺(tái)，該平臺(tái)具有簡(jiǎn)潔明白的GPIO0口可以生成適宜的片外FLASH和片內(nèi)RAMFLASHRAM訪問(wèn)的切換，在電路上可以將GPIO0信號(hào)與數(shù)據(jù)選擇信號(hào)或程序選擇信號(hào)相“或”實(shí)現(xiàn)。片外FLASH擦寫(xiě)流程編寫(xiě)FLASH5所示。5FLASH擦寫(xiě)程序流程圖將character[180][32]設(shè)置為全局變量。將程序編譯下載到DSP芯片中，翻開(kāi)工程名目中output文件夾中的.map文件，character數(shù)組在RAM中存放的起始地址和長(zhǎng)度。使用SaveMemory命令將RAM中對(duì)應(yīng)于character數(shù)組的地址段的數(shù)據(jù)以二進(jìn)制形式保存在計(jì)算機(jī)上。翻開(kāi)FLASH擦寫(xiě)程序，修改數(shù)據(jù)在片內(nèi)RAM中存儲(chǔ)的起始地址和FLASH擦寫(xiě)的起始地址和數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，編譯下載后，單步執(zhí)行，直到擦寫(xiě)完FLASH，并將地址映射方式設(shè)置為映射到片內(nèi)RAM處，數(shù)據(jù)便寫(xiě)到片外FLASH的相應(yīng)地址中。這一種通過(guò)地址映射方式的方法可適用于多種場(chǎng)合，針對(duì)多個(gè)FLASH芯片使用多個(gè)GPIO端口進(jìn)展地址的擴(kuò)展，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)其進(jìn)展擦寫(xiě)操作；假設(shè)將局部擦寫(xiě)程序放置到片外FLASH中并作相應(yīng)設(shè)置，即可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)得自舉運(yùn)行。Bootload的設(shè)計(jì)BootLoader是嵌入式系統(tǒng)加電后在操作系統(tǒng)內(nèi)核運(yùn)行之前運(yùn)行的第一段代碼。BootLoader個(gè)適宜的狀態(tài)，以便為最終調(diào)用操作系統(tǒng)內(nèi)核預(yù)備好正確的環(huán)境。通常，BootLoader是嚴(yán)峻地依靠于硬件而實(shí)現(xiàn)的，特別是在嵌入式世界。因此，在嵌入式世界里建立一個(gè)通用的BootLoader幾乎是不行能的。BootLoader一般它只在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)格外短的時(shí)間內(nèi)運(yùn)行。對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，這是至關(guān)重要的一步。TMS320C54x16K×16位的掩模ROM，其內(nèi)部具有Bootloader程序，工作在微計(jì)算機(jī)方式下可以啟動(dòng)ROM中的引導(dǎo)程序，將用戶程序從EPRO〔FLASI/OHPI口引導(dǎo)到內(nèi)部RAM或外部的高速SRAMTMS320C5409硬件復(fù)位后采樣引腳假設(shè)為低，則DSPFF80H開(kāi)頭執(zhí)行片內(nèi)的引導(dǎo)程序，F(xiàn)F80H包含一條跳轉(zhuǎn)Bootloader程序的語(yǔ)句，Bootloa