教學(xué)課件-平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)-

顯示與成像技術(shù)

教材《平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)》2013.02.22平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社主講內(nèi)容韓國(guó)LG2009橫濱光電展示4.3英寸FlexibleAMOLED日本NHK和夏普開發(fā)85英寸TFT-LCDAMOLED技術(shù)液晶顯示技術(shù)廣視角技術(shù)薄膜晶體管技術(shù)有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)3D技術(shù)觸摸屏技術(shù)TFT-LCD技術(shù)新型的顯示技術(shù)參考書目：平板顯示應(yīng)用技術(shù)手冊(cè)，應(yīng)根裕，電子工業(yè)出版社，2007年第1版液晶與平板顯示技術(shù)，高鴻錦，北京郵電大學(xué)出版社，2007年第1版薄膜晶體管液晶顯示器件的制造、測(cè)試與技術(shù)發(fā)展，王大巍，機(jī)械工業(yè)出版社，2007年第1版有機(jī)電致發(fā)光材料與器件，黃春輝，復(fù)旦大學(xué)出版社，2005年第1版OLED有機(jī)電致發(fā)光材料與器件，陳金鑫，清華大學(xué)出版社，2005年第1版，中華液晶網(wǎng)

，技術(shù)在線，維基百科第1章平板顯示技術(shù)簡(jiǎn)介1.1顯示技術(shù)的發(fā)展1.2顯示技術(shù)的種類1.3顯示器的性能對(duì)比1.4顯示器的性能參數(shù)1.1顯示技術(shù)的發(fā)展信息時(shí)代京東方110英寸全球最大尺寸的超高清顯示屏集眾多先進(jìn)技術(shù)于一身：超大尺寸面板拼接曝光技術(shù)超大尺寸先進(jìn)工藝制程技術(shù)高幀速面板設(shè)計(jì)技術(shù)超大尺寸拼接鏡像同步掃描技術(shù)120Hz高頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)局域動(dòng)態(tài)背光技術(shù)1.1顯示技術(shù)的發(fā)展信息時(shí)代1G:有聲通信通話翻頁(yè)發(fā)接短信2G:數(shù)字手機(jī)網(wǎng)頁(yè)瀏覽音樂游戲3G:數(shù)字通信電影音樂視頻會(huì)議購(gòu)物未來手機(jī)錢包式電腦辦公設(shè)備柔性顯示1.1顯示技術(shù)的發(fā)展顯示技術(shù)發(fā)展的時(shí)代第一代顯示——CRT顯示第二代顯示——LCD顯示新一代顯示——OLED顯示未來顯示——柔性顯示在平板顯示中，屏幕變得非常薄CRT顯示平板顯示在CRT顯示中，電子槍距陽(yáng)極很遠(yuǎn)，體積龐大三星的柔性AMOLED日商電子集團(tuán)52英寸裸眼3D液晶顯示器1.2顯示器的種類顯示器的分類按顯示器顯示圖像的方式分：投影型、空間成像型和直視型三種。按顯示器的形態(tài)分：陰極射線管顯示器和平板顯示器兩種。按發(fā)光方式分：主動(dòng)發(fā)光型和非主動(dòng)發(fā)光型兩種。按是否含有源器件分：無源矩陣和有源矩陣兩種。屏幕透鏡折射鏡折射鏡三片液晶屏三片分光鏡光源三片式LCD投影顯示空間成像型顯示器——頭盔顯示器直視型顯示器主動(dòng)發(fā)光型非主動(dòng)發(fā)光型陰極射線管顯示器（CathodeRayTube,CRT）等離子體顯示器（PlasmaDisplayPanel,PDP）場(chǎng)致發(fā)射顯示器（FieldEmissionDisplay,FED）真空熒光顯示器（VacuumFluorescenceDisplay,VFD）電致發(fā)光顯示器（ElectroluminescentDisplay,ELD）發(fā)光二極管顯示器（LightEmittingDiode,LED）有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OrganicLightEmittingDiode,OLED）液晶顯示器（LiquidCrystalDisplay,LCD）電致變色顯示器（ElectrochromismDisplay,ECD）平板顯示1.2顯示器的種類顯示器的分類直視型顯示器是當(dāng)前顯示器的主流，根據(jù)顯示原理和發(fā)光類型又分為很多種。CRT：由電子槍、偏轉(zhuǎn)線圈、陰罩、熒光粉層和圓錐形玻殼5大部分組成。原理：由電子槍發(fā)出高能電子束，幾經(jīng)聚焦、調(diào)控打在熒光粉上，產(chǎn)生亮點(diǎn)。通過控制電子束的方向和強(qiáng)度，產(chǎn)生不同的顏色與亮度，并接受信號(hào)掃描后形成影像。1.2顯示器的種類陰極射線管顯示器(CRT)陰罩玻殼垂直偏轉(zhuǎn)水平偏轉(zhuǎn)電子束聚焦系統(tǒng)控制柵電子槍陰極熒光粉層帶正電的內(nèi)部金屬層偏轉(zhuǎn)線圈1.2顯示器的種類等離子體顯示器(PDP)介質(zhì)層發(fā)光掃描電極MgO紫外線放電熒光粉玻璃基板玻璃基板信號(hào)電極壁障保護(hù)層掃描電極介質(zhì)層信號(hào)電極玻璃基板熒光粉層（R、G、B）玻璃基板介質(zhì)層等離子體顯示器是利用氣體放電發(fā)光激發(fā)熒光粉實(shí)現(xiàn)顯示的一種主動(dòng)發(fā)光型平板顯示器。具有薄型、大屏幕、色彩豐富的特點(diǎn)，在大屏幕電視市場(chǎng)占有一席之地。優(yōu)點(diǎn)響應(yīng)速度快（<20ns）視角大、體積小、重量輕，適合大屏幕顯示顯示容量大、亮度高，滿足高清晰度電視要求制作工藝易于批量生產(chǎn)，有利于產(chǎn)業(yè)形成應(yīng)用數(shù)字電視、高清晰度電視、多媒體顯示缺點(diǎn)顯示固定畫面時(shí)會(huì)存在潛像；采用障壁結(jié)構(gòu)，小尺寸高分辨率困難；高驅(qū)動(dòng)電壓形成的高瞬時(shí)功率對(duì)集成電路是致命的。1.2顯示器的種類等離子體顯示器(PDP)場(chǎng)致發(fā)射顯示（FED）場(chǎng)發(fā)射顯示（FED）是一種是用冷陰極在高電場(chǎng)作用下發(fā)射電子，轟擊涂覆在樣機(jī)上的熒光粉，使其發(fā)光的顯示器件。1.2顯示器的種類尖錐基板樹脂層絕緣層陰極隔墊物基板發(fā)射陣列柵極孔像素柵極聚焦柵格黑矩陣陽(yáng)極FED是陣列型發(fā)生源冷陰極發(fā)射平板顯示場(chǎng)致發(fā)射顯示（FED）1.2顯示器的種類隔墊物尖錐陰極基板柵極絕緣層熒光粉黑矩陣陽(yáng)極+++_電子束FED顯示原理：1）尖錐陰極與柵極之間加低電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)陰極發(fā)射電子的調(diào)制；2）由于電極間距很小，尖錐陰極的尖端會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的電場(chǎng)，電子在強(qiáng)電場(chǎng)下由于隧道效應(yīng)從金屬內(nèi)部穿出進(jìn)入真空中；3）上基板陽(yáng)極上加高電壓，電子加速獲得能量轟擊熒光粉，得到高亮度的發(fā)光。發(fā)光二極管顯示（LED）發(fā)光二極管是一種電流注入型半導(dǎo)體發(fā)光器件，是pn結(jié)結(jié)構(gòu)。改變所采用的半導(dǎo)體材料和摻入不同雜質(zhì)可以發(fā)出不同顏色的可見光。PN發(fā)光二極管的材料:主要是-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料GaAs紅外光GaP:ZnO紅光GaP:N綠光、黃光GaAs與GaP混晶GaAs與AlAs混晶1.2顯示器的種類發(fā)光二極管顯示（LED）發(fā)光二極管顯示就是采用無數(shù)個(gè)小的發(fā)光二極管拼接而成。1.2顯示器的種類LED的主要優(yōu)點(diǎn)是：①主動(dòng)發(fā)光，發(fā)光強(qiáng)度大。②工作電壓低，約2V。由于是正向偏置，工作穩(wěn)定，工作溫度范圍寬，壽命長(zhǎng)，可達(dá)10萬小時(shí)。③響應(yīng)速度快。④LED是超大屏幕（≥200英寸）顯示的唯一方式。缺點(diǎn)是：LED的主要缺點(diǎn)是電流大、功耗大。發(fā)光二極管顯示（LED）1.2顯示器的種類各種平板顯示器性能的對(duì)比1.3顯示器件的性能對(duì)比

類型特性CRTLCDOLEDLEDPDPVFDELFED工作電壓×◎◎◎×△◎◎發(fā)光亮度○○◎△△○◎◎發(fā)光效率○○◎△△○○◎器件壽命◎○○◎△△◎○器件重量×◎◎△○△◎◎器件厚度×◎◎△○△◎◎響應(yīng)時(shí)間◎△◎◎○○◎◎視角◎△◎×△○○◎色彩◎○◎△○○◎◎生產(chǎn)性○○○○△△×△成本◎○○○×△△×◎：非常好；○：好；△：普通；×：需要改善響應(yīng)時(shí)間1.4顯示器件的性能參數(shù)施加電壓下降時(shí)間上升時(shí)間透過率響應(yīng)時(shí)間是從顯示器打開電源輸入信號(hào)的反應(yīng)時(shí)間，如像素由暗轉(zhuǎn)到亮，再由亮轉(zhuǎn)到暗的圖像完全顯示所用的時(shí)間。響應(yīng)時(shí)間快響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)的托尾現(xiàn)象亮度1.4顯示器件的性能參數(shù)背光源偏振片1偏振片2彩膜像素開口率5%~10%45%50%~80%25%~30%95%150~300cd/m23000cd/m2電極95%亮度是指在單位面積上顯示器畫面明亮程度。用通過畫面法線方向光量的密度表示，單位是坎德拉／平方米（cd/m2）或尼特（nit）。有效的透光區(qū)100%柵極源極存儲(chǔ)電容TFT像素電極開口率是像素的光通過部分面積與像素總面積的比例。開口率1.4顯示器件的性能參數(shù)普通開口率約55%REDGRNBLURedGreenBlueGRNREDBLUGreenRedBlue

超大開口率可達(dá)80%1.4顯示器件的性能參數(shù)提高開口率技術(shù)通過改變?cè)O(shè)計(jì)方案和工藝能力，縮小柵線、信號(hào)線寬度和TFT等大小可以提高開口率；采用新的設(shè)計(jì)：BMonArray設(shè)計(jì)和有機(jī)膜絕緣層設(shè)計(jì)。黑矩陣線間距ITO共用電極信號(hào)線通常的開口率陣列基板彩膜基板ITO像素電極交疊區(qū)彩膜線間距通常的設(shè)計(jì)更高的開口率黑矩陣隔離層BMonArray設(shè)計(jì)更高的開口率交疊區(qū)有機(jī)絕緣層信號(hào)線有機(jī)膜絕緣層設(shè)計(jì)1.4顯示器件的性能參數(shù)BMonArray設(shè)計(jì)BMonArray設(shè)計(jì)：把黑矩陣（BM）制作在陣列基板（Array）上的一種方法。通常的設(shè)計(jì)：黑矩陣制作在彩膜基板上，起遮光作用。對(duì)盒時(shí)，為保證黑矩陣能遮擋住信號(hào)線及線間距，在像素電極上有一定交疊區(qū)，寬度為4~5μm。開口率比較小。BMonArray設(shè)計(jì)：先在陣列基板制作一層黑矩陣，光刻圖形正好遮擋住線間距，并沉積隔離層。再制作TFT陣列。對(duì)盒時(shí)在像素電極上不用再交疊，開口率提高。同時(shí)，上基板也可以有黑矩陣遮擋一些散射光的影響。信號(hào)線黑矩陣線間距通常的開口率交疊區(qū)彩膜線間距通常的設(shè)計(jì)彩膜基板像素電極BMonArray設(shè)計(jì)更高的開口率黑矩陣隔離層陣列基板像素電極1.4顯示器件的性能參數(shù)有機(jī)絕緣膜設(shè)計(jì)有機(jī)膜絕緣層設(shè)計(jì)：利用高介電常數(shù)的有機(jī)膜材料作為絕緣層使得信號(hào)線和像素電極層制作在不同層內(nèi)。通常的設(shè)計(jì)：信號(hào)線和像素電極在同一平面，為避免短路，要刻蝕出來一定寬度的線間距。對(duì)盒時(shí)為保證能遮擋住信號(hào)線及線間距，要有一定交疊。有機(jī)膜絕緣層設(shè)計(jì)：信號(hào)線光刻后，沉積有機(jī)絕緣層，再光刻像素電極。像素電極可以制作大些，與信號(hào)線在垂直方向交疊。黑矩陣變小，開口率明顯提高。黑矩陣線間距信號(hào)線通常的開口率陣列基板像素電極交疊區(qū)彩膜線間距通常的設(shè)計(jì)更高的開口率交疊區(qū)有機(jī)絕緣層信號(hào)線有機(jī)膜絕緣層設(shè)計(jì)像素電極對(duì)比度和灰度1.4顯示器件的性能參數(shù)對(duì)比度：指顯示器的最大亮度與最小亮度的比值，用CR表示?；叶龋褐冈诎缀秃谥g的亮度層次分成幾個(gè)等級(jí)，表示顯示亮度不同的反差。V1V2V3液晶外加電壓（V）V3V2V1灰度級(jí)8級(jí)的顯示液晶顯示的灰度的實(shí)現(xiàn)方法3個(gè)電壓對(duì)應(yīng)的畫面亮度分別是白、灰、黑分辨率1.4顯示器件的性能參數(shù)分辨率是顯示器能夠分辨出圖像最小細(xì)節(jié)的能力。平板顯示的分辨率用屏幕上縱橫排列點(diǎn)的總數(shù)來表示。分辨率也用PPI表示。PPI，Pixelsperinch，是每英寸所擁有的像素（Pixel）數(shù)目。PPI數(shù)值越高，顯示圖像的密度越高，畫面的細(xì)節(jié)越豐富。例如：蘋果的iphone4屏幕為3.5英寸，分辨率為960×640，約330ppi名稱縮寫分辨率長(zhǎng)寬比QuarterCommonIntermediateFormatQCIF176×14411:9QuarterCommonIntermediateFormatPlusQCIF+176×22011:9QuarterVideoGraphicsArrayQVGA320×2404:3ColorGraphicsAdapterCGA320×20016:10EnhancedGraphicsAdapterEGA640×35064:35VideoGraphicsArrayVGA640×4804:3SuperVideoGraphicsArraySVGA800×6004:3eXtendedGraphicsArrayXGA1024×7684:3EngineeringWorkStationEWS1152×90032:25SupereXtendedGraphicsArraySXGA1280×10245:4UltraeXtendedGraphicsArrayUXGA1600×12004:3FullHighDefinitionTVFHD1920×108016:9QuadrableeXtendedGraphicsArrayQXGA2040×15364:31.4顯示器件的性能參數(shù)分辨率畫面尺寸及像素間距1.4顯示器件的性能參數(shù)長(zhǎng)寬比：顯示畫面橫方向尺寸和縱方向尺寸的比。如長(zhǎng)寬比為4:3。畫面尺寸：顯示區(qū)域?qū)蔷€的長(zhǎng)度。如10.4〞指顯示區(qū)對(duì)角線長(zhǎng)度為10.4英寸。像素間距：像素到像素的重復(fù)距離，即單元像素的大小。由分辨率和畫面尺寸可以計(jì)算出像素間距。例如：一個(gè)10.4〞VGA（640×480像素）屏，長(zhǎng)寬比為4:3，計(jì)算的像素間距大約為330μｍ。即：橫向：（10.4×2.54×0.8）÷640＝0.03302cｍ≈330μm縱向：（10.4×2.54×0.6）÷480＝0.03302cｍ≈330μmm：畫面尺寸，單位英寸c和d：長(zhǎng)寬比數(shù)值，c:d表示

產(chǎn)線世代1.4顯示器件的性能參數(shù)基板尺寸的大小決定了生產(chǎn)線使用的設(shè)備型號(hào)，決定著產(chǎn)線世代。第一代生產(chǎn)線玻璃基板尺寸是300mm×400mm，可切割10.4″顯示屏2塊。廠商廠址玻璃基板尺寸(mm×mm)產(chǎn)線世代月產(chǎn)能(K)投產(chǎn)狀況備注信利汕尾400×5002.550量產(chǎn)2007年Q4投產(chǎn)龍騰光電昆山1100×13005110量產(chǎn)2006年Q3投產(chǎn)深超光電深圳1200×13005.5100量產(chǎn)2009年Q1投產(chǎn)中電熊貓南京1500×1800680量產(chǎn)2011年Q2投產(chǎn)深天馬上海1100×1300592量產(chǎn)深天馬托管成都、武漢730×9204.530量產(chǎn)2010年Q2投產(chǎn)京東方成都730×9204.530量產(chǎn)2009年Q3投產(chǎn)北京1100×1300597量產(chǎn)2005年Q1投產(chǎn)合肥1500×1800690量產(chǎn)2010年Q4投產(chǎn)北京2200×25008.590量產(chǎn)2011年Q3投產(chǎn)華星光電深圳2200×25008.5100量產(chǎn)2011年Q4投產(chǎn)三星蘇州1870×22007.5100已開工待定LGD廣州2160×24008120已開工待定6代線（G6）產(chǎn)線世代1.4顯示器件的性能參數(shù)

G6玻璃基板尺寸達(dá)到了1500×1850毫米。一片G6的玻璃基板，可切割出30片15寸面板，8片32寸或6片37寸液晶電視面板。G3.5，2000年G6，2004年G7，2006年本章小結(jié)（1）顯示技術(shù)的發(fā)展第一代顯示是陰極射線管顯示器（CRT）第二代顯示是液晶顯示器（LCD）第三代顯示是有機(jī)發(fā)光顯示器（OLED）（2）顯示器的種類直視型顯示器是人們生活中隨處可見的，又分為很多種。按顯示器的形態(tài)分，有陰極射線管顯示器和平板顯示器兩種。按發(fā)光方式分，有主動(dòng)發(fā)光型和非主動(dòng)發(fā)光型兩種（3）顯示器的性能參數(shù)第2章液晶顯示器基礎(chǔ)主講人：王麗娟長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)2013.02.22平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社本章主要內(nèi)容2.1液晶的特點(diǎn)2.2液晶的種類2.3液晶的物理性質(zhì)2.4液晶的電光效應(yīng)2.5液晶顯示器的種類2.6TN模式的顯示原理2.1液晶的特點(diǎn)液晶：在某個(gè)溫度范圍內(nèi)，具有晶體的各向異性和液體的流動(dòng)性，是不同于通常的固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)的一種新的物質(zhì)狀態(tài)，又稱為物質(zhì)的第四態(tài)。

FriedrichReinitzer(1857–1927)1888年,奧地利植物學(xué)家萊尼茨爾（F.Reinitzer）在研究植物中的膽固醇時(shí)，意外地發(fā)現(xiàn)異常的溶解現(xiàn)象。從組成和產(chǎn)生液晶態(tài)的物理?xiàng)l件分為熱致液晶和溶致液晶兩大類。在光電子技術(shù)中的顯示器件方面，用到的液晶材料基本上都是熱致液晶。熱致液晶是某些有機(jī)物在某一限定溫度范圍內(nèi)的狀態(tài)。2.2液晶的種類液晶固體液體熔點(diǎn)清亮點(diǎn)溫度熱致液晶的溫度范圍2.2液晶的種類（a）細(xì)長(zhǎng)棒狀（b）扁平盤狀細(xì)長(zhǎng)棒狀液晶根據(jù)液晶相又分為：向列相、近晶相、膽甾相。固體近晶A相向列相液體近晶B相溫度熔點(diǎn)相變轉(zhuǎn)變點(diǎn)清涼點(diǎn)典型的液晶分子結(jié)構(gòu)是由剛性中心部分和柔性分子鏈組成。按照剛性中心部分的形狀可以把液晶分成兩種類型：細(xì)長(zhǎng)棒狀和扁平盤狀。分成排列，層內(nèi)分子長(zhǎng)軸相互平行，垂直與層面近晶相——SmecticLCs2.2液晶的種類長(zhǎng)軸方向平行，不分層排列，可以上下滑動(dòng)絲狀液晶，長(zhǎng)徑比很大向列相——NematicLCs2.2液晶的種類層狀排列長(zhǎng)軸平行排列，且平行于層面相鄰層的分子取向有偏移層層疊起來呈現(xiàn)螺旋結(jié)構(gòu)膽甾相——CholestericLCs2.2液晶的種類螺旋結(jié)構(gòu)螺距介電各向異性2.3液晶的物理性質(zhì)E=0（a）E+_正性液晶ε∥＞ε⊥，△ε＞0（b）E+_負(fù)性液晶ε∥＜ε⊥，△ε＜0（c）根據(jù)介電各向異性，△ε的符號(hào)，把液晶分為正性液晶和負(fù)性液晶；在未施加電場(chǎng)E=0時(shí)，液晶屏內(nèi)的液晶分子按照一定方向排列；正性液晶，△ε＞0，在電場(chǎng)下，液晶分子的長(zhǎng)軸方向n與外場(chǎng)E平行；負(fù)性液晶，△ε＜0，在電場(chǎng)下，液晶分子長(zhǎng)軸方向n與外電場(chǎng)E垂直。光學(xué)各向異性2.3液晶的物理性質(zhì)自然光非常光e光尋常光o光液晶具有雙折射性，傳播有o光和e光；光在液晶中不同的偏振方向傳播速度不同；能使入射光的傳播方向偏向液晶分子長(zhǎng)軸方向；能使入射光偏振光狀態(tài)或偏振方向發(fā)生改變；能使入社偏振光左旋或右旋。電導(dǎo)各向異性2.3液晶的物理性質(zhì)液晶屬絕緣體，電導(dǎo)率很低，在平行分子長(zhǎng)軸與垂直分子長(zhǎng)軸方向分量不同；平行分子長(zhǎng)軸方向電導(dǎo)率大于垂直方向電導(dǎo)率；雜質(zhì)或離子會(huì)使電導(dǎo)率增高，引起圖像閃爍或者殘像。第一次顯示的畫面第二次顯示的理想的畫面具有殘像的畫面離子傳輸影響下的畫面液晶的彈性常數(shù)2.3液晶的物理性質(zhì)向列相液晶在外力作用下的彈性形變(a)展曲(b)彎曲(c)扭曲展曲：尖劈形狀的液晶盒，基板表面液晶分子與基板相平行，內(nèi)部出現(xiàn)展曲形變；彎曲：尖劈形狀的液晶盒，基板表面液晶分子于基板垂直，內(nèi)部出現(xiàn)彎曲形變；扭曲：矩形液晶盒，液晶分子平行基板排列，上下成一個(gè)角度排列，內(nèi)部液晶分子從上到下扭曲形變。2.3液晶的物理性質(zhì)液晶顯示器參數(shù)液晶材料物理性質(zhì)液晶材料物理性質(zhì)多路驅(qū)動(dòng)能力響應(yīng)時(shí)間閾值電壓介電各向異性（△ε）彈性常數(shù)（K11、K22、K33）粘度（η）螺距（P）有序參數(shù)（S）光學(xué)各向異性（△n）視角對(duì)比度工作溫度范圍液晶材料的相變溫度圖像閃爍或殘像電導(dǎo)各向異性液晶的物理性質(zhì)與顯示參數(shù)的關(guān)系電光效應(yīng)分類2.4液晶的電光效應(yīng)電控雙折射效應(yīng)（ECB）賓主效應(yīng)（GH）鐵電效應(yīng)（FLC）聚合物分散型（PDLC）超扭曲向列相效應(yīng)（STN）扭曲向列效應(yīng)（TN）相轉(zhuǎn)變效應(yīng)（PC）激光寫入型膽甾熱變色型電光效應(yīng)電場(chǎng)效應(yīng)電流效應(yīng)動(dòng)態(tài)散射效應(yīng)（DS）熱光效應(yīng)動(dòng)態(tài)散射效應(yīng)2.4液晶的電光效應(yīng)液晶中微量雜質(zhì)的帶電粒子受電場(chǎng)作用后分別上下基板的兩個(gè)電極移動(dòng)，沖動(dòng)液晶分子旋轉(zhuǎn)，破壞了有序排列；發(fā)生紊亂，導(dǎo)致各部分折射率不同，幾乎沒有光通過液晶屏，入射光被散射掉。RCA公司Heilmeier制作的第一個(gè)液晶顯示器2.4液晶的電光效應(yīng)第一個(gè)液晶顯示器n型液晶、垂直取向，不加電下液晶分子垂直基板排列；加電下，取向作用基板表面的液晶分子，垂直基板排列，另一方面n型液晶要垂直電場(chǎng)排列。雙重作用下，內(nèi)部的液晶分子長(zhǎng)軸發(fā)生角度為傾斜，發(fā)生雙折射，輸出橢圓偏振光。2.4液晶的電光效應(yīng)電控雙折射效應(yīng)入射光（白色）下偏振片上偏振片線偏振光線偏振光透射光（黑色）不加電壓E入射光（白色）線偏振光橢圓偏振光透射光（彩色）φ加電壓2.4液晶的電光效應(yīng)賓主效應(yīng)入射光（白色）入射光（白色）透射光（彩色）未施加電壓（V=0）液晶分子施加電壓（V＞VTH）透射光（無色）用二色染料作為客體，溶于特定排列的向列相液晶材料（主體）中；利用染料分子不同的吸收實(shí)現(xiàn)彩色顯示。長(zhǎng)軸方向和短軸方向?qū)梢姽庥胁煌盏母飨虍愋匀玖稀?.4液晶的電光效應(yīng)鐵電效應(yīng)

鐵電液晶分子呈層狀排列，具有自發(fā)極化的性質(zhì)，有兩個(gè)或多個(gè)可能的取向。在電場(chǎng)作用下取向可以改變，具有像鐵磁體一樣的某種雙穩(wěn)態(tài)，能表現(xiàn)出磁滯回線特性。自發(fā)極化就是在沒有外電場(chǎng)作用下，介質(zhì)的正、負(fù)電荷重心不重合呈現(xiàn)電偶極矩的現(xiàn)象。

磁滯回線特性存儲(chǔ)效應(yīng)2.5液晶顯示器的種類MOSFETTFTMIM（Ta2O3）MSI（SiNx）DR（a-Si，AmorphousSilicon）BTBdiode（a-Si）Pindiode（a-Si）TN（TwistedNematic）STN（SuperTN）HTN（HighTN）FSTN（FilmSuperTN）ECB（ElectricallyControlledBirefringence）鐵電液晶（chiralsmecticliquidcrystal）CdSea-Sip-SiOTFT三極管二極管有源矩陣無源矩陣LCD偏振片玻璃基板彩膜ITO像素電極取向?qū)覫TO像素電極玻璃基板偏振片2.6TN型LCD的顯示原理基本結(jié)構(gòu)偏振光的產(chǎn)生2.6TN型LCD的顯示原理吸收軸光行進(jìn)方向透射軸光源偏振片光軸偏振片只允許在某一個(gè)方向振動(dòng)的光波通過，而其他方向振動(dòng)的光將被全部或部分地被阻擋。偏振光的產(chǎn)生2.6TN型LCD的顯示原理偏振片只允許在某一個(gè)方向振動(dòng)的光波通過，而其他方向振動(dòng)的光將被全部或部分地被阻擋。（a）垂直時(shí)不透光（b）平行時(shí)透光光源TN型LCD的工作原理2.6TN型LCD的顯示原理不加電壓下，偏振光在液晶盒內(nèi)從上到下扭曲90°，到下偏振片剛好透過，為亮態(tài)。加電壓下，液晶分子沿電場(chǎng)方向排列，偏振光透過液晶層，到下偏振片被阻擋，不透光，為暗態(tài)。偏振片取向?qū)右壕衿∠驅(qū)樱╝）未電壓透光（b）加電壓不透光～AC電壓STN型LCD的工作原理2.6TN型LCD的顯示原理30°120°液晶分子長(zhǎng)軸方向偏振片的光軸上基板下基板（a）未電壓透光（b）加電壓不透光～AC電壓不加電壓下，液晶分子長(zhǎng)軸方向與上偏振片光軸成30°，出射光液晶分子長(zhǎng)軸方向與下偏振片成60°，雙折射，透光

。加電壓下，液晶分子垂直排列，入射光到下偏振片時(shí)，不透光，為暗態(tài)。本章小結(jié)液晶種類很多，其中熱致液晶中棒狀液晶的向列相是光電顯示中使用最多的材料；液晶物理性質(zhì)影響著顯示器的各種性能參數(shù)；液晶的電光效應(yīng)：動(dòng)態(tài)散射、電控雙折射效應(yīng)、賓主效應(yīng)、鐵電液晶效應(yīng)、扭曲向列相效應(yīng)、超扭曲向列相效應(yīng)等。第3章液晶顯示器的廣視角技術(shù)主講人：王麗娟長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)2013.02.22平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社本章主要內(nèi)容3.1視角產(chǎn)生的原因3.2廣視角技術(shù)簡(jiǎn)介3.3膜補(bǔ)償技術(shù)3.4MVA技術(shù)3.5PVA技術(shù)3.6ASV技術(shù)3.7IPS技術(shù)3.8FFS技術(shù)3.9OCB技術(shù)3.1視角產(chǎn)生的原因視角特性：液晶顯示器從不同的方向上觀察，顯示屏的對(duì)比度是不同的，這種視覺上的差異特性稱為視角特性。把可以清楚看到不失真影像的視線與屏幕法線的角度定義為視角。視角問題：(1)色彩衰減現(xiàn)象(2)漏光現(xiàn)象3.1視角產(chǎn)生的原因視角產(chǎn)生的原因：被動(dòng)發(fā)光液晶的光學(xué)性質(zhì)不同方向看到的灰階不同漏光產(chǎn)生的原因ⅠⅡⅢ灰階液晶分子的短軸液晶分子的長(zhǎng)軸在II的位置，看到中灰階畫面；在I的位置，看到低灰階畫面；在III的位置，看到高灰階畫面。3.2廣視角技術(shù)簡(jiǎn)介廣視角技術(shù)公司多疇垂直排列技術(shù)MVA，Multi-domainVerticalAlignment富士通、友達(dá)、奇美圖案化垂直排列技術(shù)PVA，PatternedVerticalAlignment三星、索尼共面轉(zhuǎn)換技術(shù)IPS，In-PlaneSwitch日立、LG、飛利浦邊緣場(chǎng)開關(guān)模式FFS，F(xiàn)ringeFieldSwitching京東方、現(xiàn)代光學(xué)補(bǔ)償雙折射技術(shù)OCB，OpticalCompensatedBirefringence日本松下先進(jìn)的廣視角技術(shù)ASV，AdvancedSuper-View夏普3.3膜補(bǔ)償技術(shù)膜補(bǔ)償技術(shù)：是在原有TN模式的基礎(chǔ)上，在液晶屏外部粘貼一些各向異性的光學(xué)膜，用來補(bǔ)償由于液晶分子的狀態(tài)不同而產(chǎn)生的光學(xué)性質(zhì)差異來改善視角的。液晶分子補(bǔ)償膜偏振片偏振片補(bǔ)償膜液晶分子雙面補(bǔ)償膜3.3膜補(bǔ)償技術(shù)穿過透明的補(bǔ)償薄膜后便有了負(fù)的相位延遲，△n2＜0。經(jīng)液晶分子△n1＞0的作用，到上偏振片后總相位差為零，使光恢復(fù)到原來的偏振狀態(tài)。減少了黑態(tài)下漏光，提高視角。偏振片偏振片θne1no1no2ne2補(bǔ)償膜液晶屏3.4MVA技術(shù)的顯示原理VA技術(shù)的特點(diǎn)VA技術(shù)：VerticalAlignment，垂直取向技術(shù)。1）用凸起物改善液晶分子長(zhǎng)軸的變化幅度2）可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償（b）加電壓（灰色）ⅠⅡⅢ凸起物（a）不加電壓（黑色）液晶分子短軸方向液晶分子長(zhǎng)軸方向AB黑色白色灰色3.4MVA技術(shù)的顯示原理MVA技術(shù)的器件結(jié)構(gòu)MVA技術(shù)，Multi-DomainVerticalAlignment，多疇垂直排列技術(shù)。BDACTFT基板上MVA突出溝槽CF基板上MVA突出溝槽CDAB子像素上區(qū)域子像素下區(qū)域陣列基板和彩膜基板上分別光刻凸起物V字型三角棱狀分成四個(gè)疇加電壓后分別朝四個(gè)方向旋轉(zhuǎn)3.4MVA技術(shù)的顯示原理四疇模式陣列基板上MVA凸起物彩膜基板上MVA凸起物BACDR子像素G子像素B子像素陣列基板和彩膜基板上的MVA凸起物構(gòu)成四疇模式；在不同的方向都可以獲得非常鮮明的色彩。3.4MVA技術(shù)的顯示原理MVA技術(shù)的顯示原理不加電壓下，液晶分子在液晶屏內(nèi)并不全部垂直基板排列；上下偏振片光軸垂直，不加電壓下，不透光呈黑態(tài)；當(dāng)加電壓后，n型液晶分子垂直電場(chǎng)排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內(nèi)傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，透光呈白態(tài)。ABAB不加電壓加電壓3.4MVA技術(shù)的顯示原理MVA技術(shù)的工藝方案玻璃基板投入Gate電極到CELL工程MVA凸起物TFT硅島源、漏電極鈍化及過孔像素電極1次光刻5次光刻BM紅色綠色藍(lán)色I(xiàn)TOMVA凸起物玻璃基板PS隔墊物陣列的工藝：采用5+1次光刻的工藝。

彩膜的結(jié)構(gòu)：由玻璃基板、黑矩陣（BM）膜、彩色膜（RGB）、保護(hù)膜（OC）、透明導(dǎo)電膜（ITO）、襯墊（PS）、MVA凸起物等7部分組成。3.4MVA技術(shù)的顯示原理AMVA技術(shù)AMVA技術(shù)，AdvancedMVA，超廣視角MVA技術(shù)。友達(dá)光電在AMVA技術(shù)中采用聚合物穩(wěn)定取向技術(shù)（Polymer-StablizedAlignment，縮寫為PSA），去掉了彩膜基板上的凸出物，大幅度地改善了暗態(tài)下的漏光。ABABABCDMVA技術(shù)和AMVA技術(shù)對(duì)比3.4MVA技術(shù)的顯示原理AMVA技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方案(b)取向?qū)右壕Х肿?a)聚合物單體(d)(c)聚合物液晶材料中加入少許聚合物單體。不加電壓，沿摩擦方向排列；加電壓，取向?qū)颖砻娓浇囊壕Х肿佑幸欢ǖ念A(yù)傾角，內(nèi)部的液晶分子呈現(xiàn)一定的扭曲排列；紫外光照射，使聚酰亞胺取向?qū)颖砻娴囊壕Х肿宇A(yù)傾角固定，且使聚合物單體穩(wěn)定；不加電壓下，液晶分子有序排列，完成液晶分子的再配向。3.5PVA技術(shù)的顯示原理PVA技術(shù)的器件結(jié)構(gòu)PVA技術(shù)，PatternedVerticalAlignment，圖像垂直排列技術(shù)。

PVA技術(shù)直接改變了液晶顯示器單元像素結(jié)構(gòu)，采用透明的ITO層代替MVA中的凸起物。

PVA型液晶顯示器上基板的ITO電極，不再是一個(gè)完整的ITO薄膜，而是光刻出一道道平行的縫隙。液晶分子玻璃基板ITO電極偏振片玻璃基板偏振片3.5PVA技術(shù)的顯示原理PVA技術(shù)的顯示原理（b）加電壓~（a）不加電壓液晶分子玻璃基板ITO電極偏振片玻璃基板偏振片不加電壓下，液晶分子長(zhǎng)軸方向垂直基板表面，不透光呈現(xiàn)暗態(tài)；加電壓后，液晶分子在交錯(cuò)的ITO電極形成的電場(chǎng)作用下，使液晶分子傾向于水平方向排列；由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈現(xiàn)亮態(tài)。3.6ASV技術(shù)的顯示原理（a）不加電壓（關(guān)態(tài)）（b）加電壓（開態(tài)）液晶分子子像素共用電極像素電極像素電極共用電極不加電壓下，液晶分子垂直基板排列；加電壓形成一個(gè)對(duì)角的電場(chǎng)，液晶分子形成連續(xù)火焰狀排列。3.7IPS技術(shù)的顯示原理IPS技術(shù)的器件結(jié)構(gòu)θL摩擦方向WCs共用電極像素電極信號(hào)電極和共用電極都制作在同一塊基板上；利用梳妝數(shù)字電極構(gòu)成單元像素；在共用電極和像素電極之間加上橫向電場(chǎng)來控制液晶分子的排列。3.7IPS技術(shù)的顯示原理p型液晶的IPS技術(shù)原理液晶分子始終在平行基板的在水平面方向排列以及旋轉(zhuǎn);下基板內(nèi)的摩擦方向與電極方向平行，與上基板內(nèi)部的摩擦方向垂直。在未加電壓下，液晶屏內(nèi)的液晶分子從上到下扭曲90°排列，不透光，呈現(xiàn)暗態(tài)。加電壓下，液晶分子沿電場(chǎng)方向排列，透過上偏振片的光經(jīng)過液晶分子到下偏振片后，與下偏振片的光軸平行，透光，呈現(xiàn)亮態(tài)。偏振片偏振片玻璃基板玻璃基板電極1電極2液晶分子未加電壓入射光電極1E加電壓入射光透射光電極2液晶分子3.7IPS技術(shù)的顯示原理n型液晶的IPS技術(shù)原理偏振片偏振片液晶分子玻璃基板入射光不加電壓下玻璃基板透過液晶的光透射光施加的電壓施加電壓下入射光像素電極共用電極不加電壓時(shí),呈現(xiàn)黑態(tài);加電壓時(shí)，液晶分子傾向與垂直電場(chǎng)方向排列;輸出橢圓偏振光，一部分光從上偏振片光軸透出，呈現(xiàn)亮態(tài)。3.7IPS技術(shù)的顯示原理IPS技術(shù)的特點(diǎn)1）避免上下基板間的交叉短路2）極好的視角特性3）有硬屏之稱IPS屏觸摸效果VA屏觸摸效果3.8FFS技術(shù)的顯示原理IPS與FFS技術(shù)對(duì)比dW像素電極TFT基板彩膜基板橫向電場(chǎng)+——Light干擾電場(chǎng)信號(hào)線共用電極(金屬)L干擾電場(chǎng)信號(hào)線共用電極(ITO)橫向電場(chǎng)TFT基板彩膜基板像素電極+——L（a）IPS模式（b）FFS模式1）電場(chǎng)不同：FFS模式電極間距小，電場(chǎng)線呈拋物線形狀。電極上方有電場(chǎng)，液晶分子也可以旋轉(zhuǎn)，增大了開口率，提高了液晶屏的透光率。IPS模式電極上面沒有電場(chǎng)。3.8FFS技術(shù)的顯示原理IPS與FFS技術(shù)對(duì)比2）存儲(chǔ)電容面積不同：FFS模式第一層ITO的共用電極制作成矩形，第二層像素電極ITO制作成長(zhǎng)條形，寬度是3μm，存儲(chǔ)電容面積大。IPS模式ITO的像素電極和金屬材料的共用電極作為橫向電場(chǎng)的正負(fù)兩個(gè)電極，共用電極做成條形結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)電容面積小。CsCs共用電極像素電極3.8FFS技術(shù)的顯示原理IPS與FFS技術(shù)對(duì)比3）交叉串?dāng)_不同：FFS模式的Cs大于IPS模式的Cs。FFS模式總電容CT更大，跳變電壓△Vp更小，交叉串?dāng)_小。本章小結(jié)

廣視角技術(shù)有：1）膜補(bǔ)償技術(shù)在液晶盒外部粘貼一些各向異性的光學(xué)膜的技術(shù)；2）MVA技術(shù)在陣列基板和彩膜基板依次交錯(cuò)排列V字型三角棱狀凸起物；3）PVA技術(shù)通過采用透明的ITO層，光刻出依次交錯(cuò)平行的縫隙，代替MVA中的凸起物；4）ASV技術(shù)利用電場(chǎng)下液晶分子呈放射狀的連續(xù)火焰方式排列；5）IPS技術(shù)的液晶分子始終在平行基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)；6）FFS技術(shù)采用兩層ITO薄膜，分別作為橫向電場(chǎng)的共用電極和像素電極；7）OCB技術(shù)巧妙地排列液晶分子，實(shí)現(xiàn)自我補(bǔ)償廣視角的技術(shù)。第4章液晶顯示器的制屏和模塊工藝技術(shù)主講人：王麗娟長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)2013.02.22平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社本章主要內(nèi)容4.1制屏工藝簡(jiǎn)介4.2PI取向工藝4.3ODF工藝4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝4.5切割工藝4.6貼片工藝4.7模塊工藝簡(jiǎn)介4.9COF工藝4.8COG工藝4.1制屏工藝簡(jiǎn)介保護(hù)膜彩膜偏振片黑矩陣玻璃基板存儲(chǔ)電容液晶取向?qū)庸灿秒姌O像素電極偏振片背光源邊框膠隔墊物擴(kuò)散板導(dǎo)光板反射板分光板TFT驅(qū)動(dòng)ICPCBTCPACF連接處驅(qū)動(dòng)LSI液晶屏TCP背光源模塊TFT陣列彩膜玻璃基板玻璃基板4.1制屏工藝簡(jiǎn)介邊框膠及銀點(diǎn)膠散布隔墊物及固著真空對(duì)盒紫外固化及加熱固化切割裂條液晶注入封口再取向PI取向陣列基板彩膜基板貼片模塊切割ODF液晶注入邊框膠及銀點(diǎn)膠散布隔墊物及固著液晶滴下真空對(duì)盒紫外固化及加熱固化4.2PI取向PI取向的作用有兩個(gè)主要的作用：液晶分子取向和形成預(yù)傾角。玻璃基板取向?qū)右壕Х肿樱?）預(yù)傾角為0°施加電壓液晶分子旋轉(zhuǎn)方向不同線狀的取向缺陷玻璃基板取向?qū)右壕Х肿樱?）預(yù)傾角為2°朝一定方向排列施加電壓4.2PI取向PI取向的工藝流程4.2PI取向PI前清洗刷洗刷洗紅外線干燥紫外照射清洗冷卻PI前清洗就是對(duì)需要印刷的基板進(jìn)行清洗，除去污染物，避免對(duì)液晶顯示器性能造成不良的影響。一般基板上的污染物，主要來源于ITO膜層、TFT陣列等制備工藝、以及玻璃基板的搬運(yùn)、包裝、運(yùn)輸、存儲(chǔ)過程。基板流品方向4.2PI取向

刷洗利用刷子去除玻璃基板表面的污垢。超聲水洗的過程紅外線干燥4.2PI取向

水洗、紅外線干燥、紫外線清洗紫外線照射超聲水洗：用超純水在沖擊波作用、振動(dòng)作用、高速噴射三種作用的共同作用下，去除附著在基板上的超微小顆粒。印刷PI基板上圖案注入PI網(wǎng)紋輥陶瓷材質(zhì)網(wǎng)紋輥凹槽PI展開刮刀APR版APR版上圖案4.2PI取向PI印刷PI層涂布的方式是采用帶有所需要的圖形柔性印刷版轉(zhuǎn)印的方式。4.2PI取向PI印刷設(shè)備爐體反射板空氣散熱層加熱板玻璃基板排氣盒PI預(yù)固化和主固化4.2PI取向

摩擦1.摩擦之后在玻璃表面形成溝槽2.利用分子之間的引力達(dá)到液晶取向的目的4.3ODF工藝

工藝流程和設(shè)備涂邊框膠滴液晶散布隔墊物固著點(diǎn)銀點(diǎn)膠真空對(duì)盒紫外固化加壓固化液晶滴下基板液晶滴下機(jī)真空對(duì)盒4.3ODF工藝

散布隔墊物與固著投料口壓送管N2凈化的進(jìn)料器隔墊物材料（a）進(jìn)料器高速氣流SUS配管斷面（b）SUS配管（c）散布腔室BSR/G/BITOPIPIITO絕緣+鈍化層BMGatePSPS高3~5μm柱形隔墊物（PS）

球形隔墊物（BS）4.3ODF工藝

邊框膠及銀點(diǎn)膠共用電極

ITO驅(qū)動(dòng)IC取向?qū)痈魤|物銀點(diǎn)膠邊框膠點(diǎn)膠機(jī)TFT基板CF基板邊框膠使TFT基板和CF基板緊密粘合，切斷液晶分子與外界的接觸，并維持上下玻璃基板之間的盒厚。銀點(diǎn)膠用于連接TFT基板和CF基板的共用電極，使CF基板上ITO電極導(dǎo)通。邊框膠＝膠液+玻璃棒（球）銀點(diǎn)膠＝膠液+導(dǎo)電球邊框膠銀點(diǎn)膠輔助線4.3ODF工藝

邊框膠及銀點(diǎn)膠4.3ODF工藝

液晶滴下液晶瓶注射器噴嘴閥門（a）原點(diǎn)（b）填充位置（c）滴下位置（d）滴下液晶液晶滴下就是在PI涂布和摩擦結(jié)束的陣列基板或彩膜基板上指定位置滴下一定量液晶的工藝。用液晶滴下機(jī)對(duì)液晶的吐出和滴下量進(jìn)行精確地控制。4.3ODF工藝

真空對(duì)盒ESC載臺(tái)液晶滴邊框膠基板真空區(qū)域大氣壓力UV固化UV光UV燈導(dǎo)光板掩膜板襯底載臺(tái)是在真空條件下，對(duì)陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)（Alignment）及重疊（OverLay）的。UV掩膜板邊框膠部分留開口讓UV光通過，掩膜板保護(hù)液晶屏顯示區(qū)域不受UV光的照射4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝

真空對(duì)盒基板臺(tái)移動(dòng)部件上基板臺(tái)下基板臺(tái)排氣管真空腔升降對(duì)位攝像頭UV固化將涂有邊框膠的基板和散布有隔墊物的基板在真空中經(jīng)過對(duì)位后貼合在一起。4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝

劃片露出的引線區(qū)上下切開作液晶注入口信號(hào)線掃描線TFT陣列基板劃片裂粒液晶注入單個(gè)TFT液晶屏液晶槽4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝

劃片的目的在傳統(tǒng)的液晶注入方式中，液晶面板上形成很多粒液晶屏，注入前需要通過切割工藝分離成的單個(gè)或者一列液晶盒。抽真空高真空充氣常壓4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝

液晶注入液晶注入常見問題液晶注入是在真空的狀態(tài)下將液晶利用毛細(xì)現(xiàn)象的原理注入到液晶盒內(nèi)。氣壓1.加壓2.UV封口膠4.UV光照射固化UV光氣壓氣壓3.減壓及吸入封口膠氣壓4.4傳統(tǒng)的液晶注入工藝

封口注入完液晶的液晶屏要用封口材料將注入口封堵住。1.液晶填充原理傳統(tǒng)工藝：利用的毛細(xì)現(xiàn)象和內(nèi)外壓力差注入

ODF工藝：利用液晶滴填充2.

成盒方式傳統(tǒng)工藝：熱壓時(shí)隔墊物變形量大

ODF工藝：隔墊物能夠跟隨著變形3.

封口和再取向傳統(tǒng)工藝：注入后必須要進(jìn)行封口

ODF工藝：不需要注入口ODF工藝和傳統(tǒng)的液晶注入工藝對(duì)比ODF方式液晶熱壓方式熱壓（壓力+溫度）液晶注入加壓封口傳統(tǒng)工藝ODF工藝4.5切割工藝OLBPAD短路環(huán)基板邊緣滑輪玻璃滑輪玻璃作用有：1）去除短路環(huán)；2）去除棱角處的玻璃毛邊的細(xì)小裂紋，使玻璃的強(qiáng)度均勻；3）棱角光滑。4.6貼片工藝噴淋水洗最終沖洗風(fēng)刀卸載屏傳送方向CF基板偏振片滾壓機(jī)TFT基板偏振片貼片工藝就是在切割后的液晶屏外面要貼上偏振片，包括清洗、貼片、加壓消泡等工藝。保護(hù)膜彩膜偏振片黑矩陣玻璃基板存儲(chǔ)電容液晶取向?qū)庸灿秒姌O像素電極偏振片背光源邊框膠隔墊物擴(kuò)散板導(dǎo)光板反射板分光板TFT驅(qū)動(dòng)ICPCBTCPACF連接處驅(qū)動(dòng)LSI4.7模塊工藝簡(jiǎn)介液晶屏TCP背光源模塊TFT陣列彩膜玻璃基板玻璃基板4.7模塊工藝簡(jiǎn)介模塊工藝：將液晶屏、驅(qū)動(dòng)電路、柔性線路板（FPC）、印刷電路板（PCB）、背光源、結(jié)構(gòu)件邦定組裝在一起的工藝。可以分為：COB工藝、TAB工藝、COG工藝和COF工藝。液晶屏帶有源驅(qū)動(dòng)IC的TCP帶有柵驅(qū)動(dòng)IC的TCPPCB驅(qū)動(dòng)ICPCB板采用TAB工藝的液晶顯示模塊COB工藝中邦定IC的PCB板4.8COG工藝液晶屏外引線放大電極焊盤左端右端驅(qū)動(dòng)ICFPCPCB液晶屏液晶屏黑膠COG工藝是采用各向異性導(dǎo)電薄膜ACF和熱壓焊工藝，將精細(xì)間距的驅(qū)動(dòng)IC直接邦定到液晶屏上的工藝。COG工藝流程貼ACFACF貼ACFACF（a）邦定驅(qū)動(dòng)IC驅(qū)動(dòng)IC液晶屏偏振片電極突起電極導(dǎo)電粒子IC芯片絕緣突起電極電極空隙各向異性導(dǎo)電膠膜（ACF）：垂直方向?qū)щ娝椒较蚪^緣的性質(zhì)4.8COG工藝COG工藝流程（e）組裝背光源及鐵框背光源（f）成品檢測(cè)（b）邦定FPCFPCPCB（c）邦定PCB（d）檢測(cè)4.8COG工藝4.9COF工藝偏振片液晶屏背光源電阻和電容驅(qū)動(dòng)IC印刷電路板COF薄膜液晶屏電阻和電容驅(qū)動(dòng)IC印刷電路板COF薄膜COF工藝是將驅(qū)動(dòng)IC邦定到一個(gè)柔性電路板上，其他周邊組件也可以高度集成的方法與驅(qū)動(dòng)IC一起邦定在柔性電路板上是一種新興技術(shù)。再用ACF將柔性電路板連接到液晶顯示屏的外引線處。COF工藝的特點(diǎn)：輕薄短小適應(yīng)于更大的分辨率線間距很細(xì)節(jié)省空間COF工藝中制作精細(xì)線路方法：減層法、半加層法、加層法。光刻膠聚酰亞胺層金屬箔襯底Cr/Cu濺射曝光和顯影Cu/Ni/Au蒸鍍?nèi)ツz刻蝕去膠刻蝕涂膠/曝光/顯影圖形電鍍?nèi)ツz刻蝕（a）減層法（b）半加層法

（c）加層法

4.9COF工藝CSTN模塊a-Si(TFT)模塊LTPS模塊行和列驅(qū)動(dòng)FPC行驅(qū)動(dòng)IC列驅(qū)動(dòng)IC行驅(qū)動(dòng)列驅(qū)動(dòng)液晶顯示器模塊本章小結(jié)制屏工藝：主要有ODF工藝和傳統(tǒng)的液晶注入工藝兩種。模塊工藝：是將液晶屏、驅(qū)動(dòng)電路、柔性線路板（FPC）、印刷電路板（PCB）、背光源等組件邦定組裝在一起的工藝?？梢苑譃椋篊OB工藝、TAB工藝、COG工藝和COF工藝。液晶屏TCP背光源模塊TFT陣列彩膜玻璃基板玻璃基板第5章有源矩陣液晶顯示器的結(jié)構(gòu)主講人：王麗娟長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)2013年02月10日平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社本章主要內(nèi)容5.1有源矩陣液晶顯示器的結(jié)構(gòu)5.2CCFL背光源5.3LED背光源5.4玻璃基板5.5彩膜5.6陣列的單元像素5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理保護(hù)膜彩膜偏振片黑矩陣玻璃基板存儲(chǔ)電容液晶取向?qū)庸灿秒姌O像素電極偏振片背光源邊框膠隔墊物擴(kuò)散板導(dǎo)光板反射板分光板TFT驅(qū)動(dòng)ICPCBTCPACF連接處驅(qū)動(dòng)LSI5.1有源矩陣液晶顯示器的結(jié)構(gòu)液晶屏TCP背光源模塊TFT陣列彩膜玻璃基板玻璃基板5.2CCFL背光源棱鏡組擴(kuò)散板反射板燈管反射罩棱鏡組導(dǎo)光板入射光源擴(kuò)散板可見光反射器CCFL光導(dǎo)二層反射器反射器漫射板直下式背光源側(cè)置式背光源5.3LED背光源概念的區(qū)分LED電視：常見的LED電視是一種采用了LED背光源的液晶電視。LED顯示：是一種將數(shù)個(gè)小LED點(diǎn)陣拼接排列組合起來的顯示系統(tǒng)。真LED電視：每個(gè)像素都由RGB三種顏色的LED自發(fā)光體組成的LED點(diǎn)陣式電視。索尼55英寸的600萬個(gè)LED發(fā)光顆粒的點(diǎn)陣式真LED電視

5.3LED背光源LED背光源結(jié)構(gòu)液晶屏驅(qū)動(dòng)器LED光源橡膠連接器PCBLEDPCB鑲邊擴(kuò)散板導(dǎo)光板燈架光學(xué)膜片RGB-LED結(jié)構(gòu)LCD屏是高阻器件，如有離子性污染，很容易產(chǎn)生TFTLCD等的性能的下降。不同種類的LCD使用不同種類的玻璃。玻璃的種類有：堿玻璃、低堿玻璃、無堿玻璃。堿玻璃低堿玻璃無堿玻璃化學(xué)成分（堿含量）13.57.00軟化點(diǎn)（℃）510535593~667熱膨脹率（×10-7/k）2.492.362.49~2.78生產(chǎn)方法浮法浮法、拉伸法熔融法、對(duì)輥壓延法、拉伸法、浮法用途無源矩陣（主要是TN）無源矩陣（主要是STN）有源矩陣（主要是TFT）5.4玻璃基板混色的方法

5.5彩膜加法混色減法混色LCD彩色顯示原理

5.5彩膜彩膜陣列液晶TFT陣列背光源紅藍(lán)綠黃白紫青DATADRIVERICSCANDRIVERICTFTRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBRGBLCD彩色顯示原理

5.5彩膜LCD彩色顯示原理

5.5彩膜條型三角型馬賽克型ITO保護(hù)層彩色層玻璃基板黑色矩陣彩膜的基本結(jié)構(gòu)

5.5彩膜彩膜的工藝流程

5.5彩膜Cr濺射黑矩陣①②Rsub-pixel③Gsub-pixel④Bsub-pixel⑤PassivationandthenITO⑥⑦形成共用電極ITO彩膜的工藝流程

5.5彩膜5.6陣列單元像素玻璃基底絕緣層A-Si:HTFT垂直電極數(shù)據(jù)線漏電極玻璃基板絕緣層a-Si:HTFT引線電極信號(hào)線漏極背光源柵極及掃描線導(dǎo)光板偏振片像素電極源極共用電極彩膜偏振片5.6陣列單元像素n+a-Si源極絕緣層?xùn)啪€柵極信號(hào)線a-Si:H漏極TFT像素電極絕緣層鄰柵線存儲(chǔ)電容ClcCs彩膜基板TFT陣列基板液晶層液晶層電容GatelineSourcelinePixelActivedrainsourcegateTFTin3D5.6陣列單元像素5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理段碼式七段式下電極和共用電極1011011開態(tài)共用電極段碼電極T0+V0段碼電極共用電極液晶像素段+V+V-V0開態(tài)關(guān)態(tài)靜態(tài)驅(qū)動(dòng)的典型波形要實(shí)現(xiàn)n段顯示，就需要有n+1個(gè)引線電極5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理無源矩陣Y1Y2Y3Y4Y5Y6X1

X2

X3

X4

X5

X6X7一個(gè)基板的電極光刻成N行，另一基板的電極光刻成M列；形成了N×M的矩陣點(diǎn)陣開態(tài)T/N（N-1）T/NC1C2R1R2R3關(guān)態(tài)像素點(diǎn)陣驅(qū)動(dòng)電壓當(dāng)行電極的掃描信號(hào)和列電極的數(shù)據(jù)信號(hào)在某一時(shí)刻同相時(shí)，行列交叉的像素為關(guān)態(tài)，顯示白色；反相時(shí)，像素為開態(tài)，顯示黑色。5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理無源矩陣無源矩陣液晶顯示器的等效電路掃描電極信號(hào)電極X1﹕Xi﹕XnY1…Yj…Ym

5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理交叉串?dāng)_5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理交叉串?dāng)_不完全關(guān)態(tài)不完全開態(tài)實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓理想驅(qū)動(dòng)電壓（a）（b）時(shí)間延遲引起的交叉串?dāng)_（a）理想的顯示狀態(tài)（b）實(shí)際的顯示狀態(tài)5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理有源矩陣液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)X1﹕Xi﹕Xn掃描電極信號(hào)電極ClcCsY1…Yj…Ym

行電極逐行選通列電極同時(shí)施加時(shí)序信號(hào)信號(hào)電壓對(duì)液晶像素電容和存儲(chǔ)電容充電存儲(chǔ)電容放電維持畫面顯示完成一幀后，重復(fù)上述過程。5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理驅(qū)動(dòng)波形VoffsetVsig.c△VpVpVcomVg△VpVsig寫入特性保持特性0第n幀第n+1幀寫入特性保持特性饋入特性5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理~

有源矩陣驅(qū)動(dòng)就是采用薄膜晶體管

Thin-Film-Transistor驅(qū)動(dòng)的液晶顯示器。~

顯示的每一個(gè)像素可以用薄膜晶體管單獨(dú)控制，避免了交叉串?dāng)_。薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)TFT：開關(guān)器件，當(dāng)柵極加電，源漏加電，溝道之間有電流流過。5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理等效電路TFTClcCs彩膜基板TFT陣列基板液晶層液晶層電容液晶層ClcTFTCs電開關(guān)和光開關(guān)5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理電開關(guān)：TFT光開關(guān)：液晶LC像素電極ITOa-Si:HTFT漏極源極柵極絕緣層?xùn)啪€柵線共用電極+-+電開關(guān)和光開關(guān)5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理有了薄膜晶體管的電開關(guān)，可以很好地避免交叉串繞，可以實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度、高分辨率的顯示。柵線信號(hào)線drain電流流通像素背光源透光LC+-+5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理高對(duì)比度和快速開關(guān)響應(yīng)該行選通信號(hào)5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理

~低功耗~高對(duì)比度~高分辨率有源矩陣驅(qū)動(dòng)5.7液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理無源驅(qū)動(dòng)法有源驅(qū)動(dòng)法ScanDriverDataDriverClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClcClcCsCsCsClcClc…像素像素像素像素像素像素像素像素像素C1C2CMR1R2RN…本章小結(jié)有源矩陣液晶顯示器的結(jié)構(gòu):

由陣列基板、彩膜基板、液晶屏部分、驅(qū)動(dòng)IC和周邊組件部分，以及背光源組成。背光源：主要有CCFL背光源和LED背光源。玻璃基板：堿玻璃、低堿玻璃、無堿玻璃。陣列基板：最常用的是非晶硅薄膜晶體管陣列，每一個(gè)像素都由柵極、絕緣層、a-Si:H有源層、n+a-Si歐姆接觸層、源極、漏極、像素電極、掃描線、信號(hào)線、引線電極、存儲(chǔ)電容組成。彩膜基板：由玻璃基板、彩色層、黑矩陣、保護(hù)層、及ITO共用電極組成。利用紅、綠、藍(lán)三色彩膜層的加法混色法獲得到需要的各種色彩。液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理：無源矩陣和有源矩陣第6章薄膜晶體管的工作原理主講人：王麗娟長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)2013年02月10日平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社本章主要內(nèi)容6.1薄膜晶體管的半導(dǎo)體基礎(chǔ)6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6.3薄膜晶體管的工作原理6.4薄膜晶體管的直流特性6.5薄膜晶體管的主要參數(shù)本征半導(dǎo)體及雜質(zhì)半導(dǎo)體能帶、施主與受主載流子及散射電導(dǎo)現(xiàn)象、遷移率、電導(dǎo)率6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)本征半導(dǎo)體自由電子空穴共價(jià)鍵SiSiSiSi本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的形成本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)SiSi空穴移動(dòng)方向

電子移動(dòng)方向

外電場(chǎng)方向SiSiSiSiSi本征半導(dǎo)體可見在半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子，它們都能參與導(dǎo)電。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體SiSiSiSiSiSiSiP多余價(jià)電子SiSiSiSiSiSiSiB空位B空穴價(jià)電子填補(bǔ)空位自由電子的數(shù)量大大增加N型半導(dǎo)體空穴的數(shù)量大大增加P型半導(dǎo)體6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)費(fèi)米能級(jí)6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)p型半導(dǎo)體n型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體EcEvEFEiEcEvEFEiEcEvEFEi本征半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)居于禁帶中央；n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)在禁帶中心線之上；p型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)在禁帶中心線之下。載流子及散射運(yùn)載電荷而引起電流的是導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴——稱為載流子。載流子不斷受到振動(dòng)著的原子、雜質(zhì)和缺陷等不完整性的碰撞，使得它們運(yùn)動(dòng)的速度發(fā)生無規(guī)則的改變，——稱為散射。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)電導(dǎo)現(xiàn)象RI在半導(dǎo)體樣品兩端加電壓，其內(nèi)部則產(chǎn)生電場(chǎng)。載流子被電場(chǎng)所加速進(jìn)行漂移運(yùn)動(dòng)，在半導(dǎo)體中引起一定電流，這就是電導(dǎo)現(xiàn)象。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)電導(dǎo)率空穴和電子的速度：

vp=pE（空穴）

vn=nE（電子）空穴和電子的電導(dǎo)率：p=qpp

（空穴）n=qnn

（電子）電導(dǎo)率：反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電能力的物理量。它由載流子密度和遷移率來決定。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)遷移率遷移率(cm2/Vs)：不僅反映導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱，而且直接決定載流子漂移和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的快慢。載流子在電場(chǎng)中的漂移速度：

vd=[(±q)/m*]E=E上式表明，載流子的漂移速度與外電場(chǎng)平行，且成比例。比例系數(shù)通常稱為載流子的遷移率。6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)小結(jié)1.非晶硅薄膜晶體管——

2.薄膜晶體管的能帶——3.主導(dǎo)薄膜晶體管的半導(dǎo)體現(xiàn)象——4.影響薄膜晶體管性質(zhì)參數(shù)——弱n型半導(dǎo)體電導(dǎo)現(xiàn)象遷移率費(fèi)米能級(jí)接近禁帶中心在禁帶中心線之上6.1TFT的半導(dǎo)體基礎(chǔ)n型襯底兩個(gè)p區(qū)SiO2絕緣層金屬鋁P型導(dǎo)電溝道6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體管雙極型晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFETMOSFET——TFTRsRDSiO2圖9n溝道MOSFET構(gòu)造p+p+ntypeSi襯底柵源漏p-MOSFETp-MOSFET晶體管垂直方向——

水平方向——電導(dǎo)器件柵控器件dn型硅P+P+n-0P+P+p-06.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)電容金屬與半導(dǎo)體之間加電壓在金屬與半導(dǎo)體相對(duì)的兩個(gè)表面上就充上等量異號(hào)的電荷在金屬一側(cè)，分布在一個(gè)原子層厚度內(nèi)在半導(dǎo)體一側(cè)，分布在空間電荷區(qū)金屬絕緣層半導(dǎo)體歐姆接觸dn型硅6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MIS結(jié)構(gòu)定義金屬絕緣層半導(dǎo)體歐姆接觸Vg＞0dn型硅Vg＜0d++++n型硅Vg<<0d++++n型硅(a)積累(b)耗盡(c)反型6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MIS結(jié)構(gòu)表面電荷的變化當(dāng)Vs=0，Vd<0時(shí)：Vg=0，pn結(jié)反偏

Vg>0，電子積累，pn結(jié)反偏RsRDSiO2圖9n溝道MOSFET構(gòu)造p+p+ntypeSi襯底柵源漏-電流很小關(guān)態(tài)6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET工作原理當(dāng)Vs=0，Vd<0時(shí)：Vg<0，空穴反型

pn結(jié)連在一起，形成導(dǎo)電溝道RsRDSiO2圖9n溝道MOSFET構(gòu)造p+p+ntypeSi襯底柵源漏--電流很大開態(tài)6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET工作原理MOSFET工作原理小結(jié)1.TFT屬于半導(dǎo)體器件中——2.MOSFET表現(xiàn)開關(guān)作用依靠的電極是——3.MOSFET表現(xiàn)電導(dǎo)現(xiàn)象依靠的電極是——4.MOSFET導(dǎo)電溝道是——5.MOSFET關(guān)態(tài)作用決定于——MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極源、漏電極反型層導(dǎo)電pn結(jié)的反偏狀態(tài)6.2MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6.3薄膜晶體管的工作原理TFT與MOSFET結(jié)構(gòu)上的差別RsRDSiO2圖9n溝道MOSFET構(gòu)造p+p+ntypeSi襯底柵源漏非晶硅半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)42131非晶硅中有大量的缺陷（1.懸鍵；2.弱鍵；3.空位；4.微孔）6.3薄膜晶體管的工作原理非晶硅半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)擴(kuò)展態(tài)局域態(tài)ECEC'E導(dǎo)帶價(jià)帶EECEVg(E)ECEVEAEBEFEg(E)(a)(b)(c)局域態(tài)擴(kuò)展態(tài)擴(kuò)展態(tài)擴(kuò)展態(tài)6.3薄膜晶體管的工作原理TFT的工作原理VG=0VG>0glassGateInsulatora-Si:HSourceDrain++++++------glassGateInsulatora-Si:HSourceDrainVG<0glassGateInsulatora-Si:HSourceDrain------VS=0VD>06.3薄膜晶體管的工作原理飽和區(qū)夾斷夾斷區(qū)溝道區(qū)線性區(qū)線性區(qū)飽和區(qū)輸出特性曲線6.3薄膜晶體管的工作原理線性區(qū)Gradualchannelapproximation當(dāng)VDS很小時(shí)，漏源之間存在貫穿全溝道的導(dǎo)電的N型溝道。當(dāng)VDS增加時(shí)，柵極與漏極的電位差減少，在接近漏極處，溝道電荷逐漸減少；6.4薄膜晶體管的直流特性當(dāng)VDS=Vsat時(shí)，在漏極處溝道電荷為零，這時(shí)溝道開始夾斷；當(dāng)VDS繼續(xù)增大，增加的電壓將降落到夾斷區(qū)上，夾斷區(qū)是已耗盡空穴的空間電荷區(qū)，對(duì)溝道電流沒有貢獻(xiàn)。6.4薄膜晶體管的直流特性飽和區(qū)yxz轉(zhuǎn)移特性曲線線性區(qū)飽和區(qū)亞閾值區(qū)截止區(qū)6.4薄膜晶體管的直流特性截止區(qū)亞閾值區(qū)飽和區(qū)線性區(qū)遷移率和閾值電壓6.4薄膜晶體管的直流特性利用飽和區(qū)的漏極電流公式，對(duì)轉(zhuǎn)移特性曲線做IDS1/2~VGS曲線，對(duì)直線段進(jìn)行擬合，從外推曲線斜率可以提取出遷移率μ和閾值電壓VTH。亞閾值區(qū)6.4薄膜晶體管的直流特性(V/dec)亞閾值斜率（S）可以從對(duì)數(shù)坐標(biāo)下的轉(zhuǎn)移特性曲線中提取。在對(duì)數(shù)坐標(biāo)下，對(duì)亞閾值區(qū)進(jìn)行直線擬合，擬合的直線斜率為B，亞閾值斜率S為直線斜率的倒數(shù)S參數(shù)小結(jié)遷移率

μ，從IDS1/2

對(duì)VGS

圖提取;閾值電壓VTH，從IDS1/2

對(duì)VGS

圖提取;開關(guān)比Ion/Ioff，

從

LogIDS

對(duì)VGS

圖提取;亞閾值斜率S，從LogIDS

對(duì)VGS

圖提取;半導(dǎo)體類型，P-溝道

或

n-溝道也可以從IDS-VDSorIDS-VGS

圖獲得.6.4薄膜晶體管的直流特性第7章薄膜晶體管的

結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué)王麗娟2013年02月10日平板顯示技術(shù)基礎(chǔ)，2013年，北京大學(xué)出版社1817.1a-Si:HTFT結(jié)構(gòu)概述7.2背溝道刻蝕結(jié)構(gòu)的a-Si:HTFT7.3背溝道保護(hù)結(jié)構(gòu)的a-Si:HTFT