光伏行業(yè)專(zhuān)題研究：HJT靶材崛起在即

光伏行業(yè)專(zhuān)題研究：HJT靶材崛起在即1靶材是前景廣闊的異質(zhì)結(jié)輔材1.1HJT電池大規(guī)模量產(chǎn)在即HJT電池不斷刷新轉(zhuǎn)換效率記錄。2022年6月隆基綠能經(jīng)德國(guó)哈梅林太陽(yáng)能研究所(ISFH)測(cè)試M6全尺寸電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)26.50%，創(chuàng)造了大尺寸單結(jié)晶硅光伏電池效率新世界紀(jì)錄。而在今年3、4月隆基和邁為股份分別在無(wú)銦、低銦異質(zhì)結(jié)電池上創(chuàng)造25.40%、25.62%的轉(zhuǎn)換效率。即使小規(guī)模甚至是不使用稀有金屬銦，異質(zhì)結(jié)電池仍然能夠維持較高的轉(zhuǎn)換效率，異質(zhì)結(jié)電池距離大規(guī)模量產(chǎn)更進(jìn)一步。HJT降本路徑清晰，發(fā)展?jié)摿^大。今年以來(lái)異質(zhì)結(jié)在銀包銅、網(wǎng)版、靶材、薄硅片、210尺寸半片、設(shè)備投資額等各環(huán)節(jié)均有降本突破，單線產(chǎn)能已經(jīng)升至600MW。異質(zhì)結(jié)具備工藝流程短、天然適應(yīng)薄硅片的優(yōu)勢(shì)，因此產(chǎn)業(yè)鏈仍未完全定型，將來(lái)仍有較大的提升空間。不僅如此，HJT電池具備低溫度系數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率、高雙面率、低衰減、低碳足跡等各方面優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)低溫工藝完美適配鈣鈦礦疊層工藝，發(fā)展天花板進(jìn)一步提升。異質(zhì)結(jié)大規(guī)模量產(chǎn)線即將落地。據(jù)我們不完全統(tǒng)計(jì)，截至2022年6月，正在運(yùn)行的異質(zhì)結(jié)中試線、量產(chǎn)線總產(chǎn)能約為9GW，其中國(guó)內(nèi)的安徽華晟、金剛玻璃、東方日升、愛(ài)康科技均有著明確的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，我們認(rèn)為2022年底和2023年初，HJT產(chǎn)能第一批大規(guī)模GW級(jí)量產(chǎn)線將集中落地。HJT產(chǎn)能的快速釋放將帶動(dòng)靶材需求快速提升。根據(jù)PVInfolink的統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2022-24年HJT電池產(chǎn)能將分別達(dá)到14、38、70GW，未來(lái)三年CAGR達(dá)127%。TOPCon電池正面單晶硅的P+型發(fā)射極與背面的N+型摻雜多晶硅均具有良好的載流子傳輸能力以及導(dǎo)電性能，因此無(wú)需TCO膜，而對(duì)于HJT電池來(lái)說(shuō)TCO薄膜是必須的，我們認(rèn)為HJT產(chǎn)能的快速釋放將帶動(dòng)相應(yīng)靶材需求快速提升。目前HJT電池技術(shù)本身的發(fā)展已經(jīng)漸趨成熟，各廠商量產(chǎn)效率達(dá)到了24.5%左右的水平，其中華晟新能源、愛(ài)康科技、東方日升、金剛玻璃以高量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率和大規(guī)模擴(kuò)張產(chǎn)能成為異質(zhì)結(jié)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。1.2高透高導(dǎo)低成本的TCO薄膜是HJT量產(chǎn)前提非晶硅鈍化是異質(zhì)結(jié)鈍化結(jié)構(gòu)的核心。硅錠切割產(chǎn)生硅片，其表面晶格受損而產(chǎn)生大量的懸浮鍵，這些擁有大量固有缺陷的切片進(jìn)入電池生產(chǎn)流程的時(shí)候，會(huì)使載流子復(fù)合概率增大。異質(zhì)結(jié)通過(guò)晶硅和非晶硅形成PN結(jié)，而非晶硅鈍化能夠使晶硅表面缺陷處于不活躍狀態(tài)，從而提高成品電池片的轉(zhuǎn)換效率。HJT2.0總體結(jié)構(gòu)由正面至背面分別是復(fù)合TCO薄膜、N型摻雜非晶硅薄膜（微晶化）、本征非晶硅薄膜、N型晶硅、復(fù)合本征非晶硅薄膜、P型非晶硅、TCO薄膜。完成鈍化接觸的非晶硅幾乎不具備橫向?qū)щ娦?，因此引入了同時(shí)具備優(yōu)異光、電性能的TCO薄膜。目前異質(zhì)結(jié)TCO薄膜制備方法一般有物理氣相沉積（PVD）和反應(yīng)等離子體沉積（RPD）兩種方法，PVD應(yīng)用更加廣泛，其原理是電子在電場(chǎng)的作用下，與氬原子發(fā)生碰撞，激發(fā)出二次電子和Ar+，而后Ar+在電場(chǎng)作用下被加速，以高能量轟擊靶材而發(fā)生能量交換，靶材表面濺射出原子，最終在異質(zhì)結(jié)電池上沉積成TCO薄膜，由其完成透光、導(dǎo)電功能。2異質(zhì)結(jié)靶材行業(yè)具備高成長(zhǎng)性2.1ITO靶材經(jīng)歷長(zhǎng)期驗(yàn)證靶材具備多樣化的特點(diǎn)。根據(jù)不同的形狀，靶材分為長(zhǎng)靶、方靶、圓靶、管靶，而根據(jù)不同的組成成分，靶材主要分為金屬、合金、陶瓷靶材。不同構(gòu)成的靶材其性質(zhì)大不相同，因此根據(jù)不同領(lǐng)域的不同需求，也衍生出多樣化的靶材。方靶主要應(yīng)用于顯示面板行業(yè)，圓靶主要用于半導(dǎo)體行業(yè)。異質(zhì)結(jié)電池主要使用旋轉(zhuǎn)管靶，利用率一般大于70%，而傳統(tǒng)的方靶利用率在35%左右。TCO（TransparentConductiveOxide）薄膜具備透明陷光和收集載流子雙重作用。TCO薄膜能夠在380-780nm范圍內(nèi)具有高透率，同時(shí)氧化物具備優(yōu)良的導(dǎo)電性而廣泛應(yīng)用于傳感器、平板顯示器、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。TCO薄膜一般帶隙寬度大于3eV，電阻率低于10-3Ω?cm，可見(jiàn)光范圍內(nèi)平均透射率大于80%。用作TCO薄膜的典型金屬陽(yáng)離子常具有（n-1）d10ns0（n=4或5）外層電子構(gòu)型。這是因?yàn)檩^短的陽(yáng)離子間距可以形成較寬的導(dǎo)帶，從而獲得較大的載流子遷移率，同時(shí)該構(gòu)型離子中滿(mǎn)層的d電子避免了d-d躍遷而產(chǎn)生的可見(jiàn)光吸收，因此具備較高的可見(jiàn)光透過(guò)率。摻雜不同的元素，TCO薄膜相應(yīng)性能會(huì)發(fā)生改變?；谘蹩瘴粨诫s理論，為提升In2O3的導(dǎo)電性能，可以將錫（Sn）、鉬（Mo）、鎢（W）、鈦（Ti）、鋅（Zn）、鍺

（Ge）、鉭（Ta）、鈰（Ce）、鎵（Ga）、鉿（Hf）、鋯（Zr）、釩（V）、鐵（Fe）、錳

（Mn）、鉻（Cr）等元素?fù)饺隝n2O3，透過(guò)率、導(dǎo)電性和帶隙均會(huì)得到不同程度的改變，以適應(yīng)其具體需求。氧化銦錫（ITO）是性能優(yōu)良且成熟的靶材，應(yīng)用最為廣泛。其生成的TCO薄膜電阻率可低至10-4Ω?cm，可見(jiàn)光平均透射率達(dá)到85%以上，同時(shí)還具備高硬度、耐磨、耐化學(xué)腐蝕等特點(diǎn)。摻入Sn元素并不改變In2O3原本的晶體結(jié)構(gòu)，而由于Sn4+與In3+半徑不同而導(dǎo)致晶格略有差異，四價(jià)的Sn4+取代s三價(jià)的In3+，貢獻(xiàn)一個(gè)電子到導(dǎo)帶上，因此ITO薄膜中的載流子濃度相比In2O3有所提升，同時(shí)導(dǎo)帶被電子占滿(mǎn)，價(jià)帶電子只能向更高能級(jí)躍遷，因此有效帶隙寬度變大，透光性能也有所改善。IWO、IMO能夠提升近紅外和可見(jiàn)光透射率。Mo和W元素均不會(huì)改變In2O3原本晶體結(jié)構(gòu)，只需引入少量的6價(jià)Mo6+和W6+即可獲得足夠載流子，少量摻雜也有利于減少薄膜中心的電子散射中心，提高載流子遷移率，在近紅光區(qū)域擁有高透射率。2.2降低銦耗量勢(shì)在必行銦價(jià)和銦金屬的稀有性限制ITO靶材大規(guī)模應(yīng)用。銦主要是鋅礦的伴生金屬，無(wú)法形成具有工業(yè)價(jià)值的獨(dú)立礦床，全球約有95%的銦來(lái)自于鋅礦生產(chǎn)。根據(jù)中國(guó)銦資源動(dòng)態(tài)物質(zhì)流研究表明，2017年我國(guó)查明銦儲(chǔ)量為18016噸，2019年中國(guó)原生銦產(chǎn)量占比39%。從消費(fèi)端來(lái)看，全球銦消費(fèi)量從2000年的371噸增長(zhǎng)至2019年的1760噸，2019年我國(guó)銦靶材制造消耗銦133噸，占國(guó)內(nèi)總消費(fèi)量的70%。目前我國(guó)銦價(jià)在1500元/kg左右浮動(dòng)。2.3復(fù)合TCO膜結(jié)構(gòu)降銦已成趨勢(shì)可以通過(guò)材料間功函數(shù)的匹配程度降低TCO薄膜與非晶硅、金屬電極兩種界面之間的接觸電阻。半導(dǎo)體-半導(dǎo)體界面（TCO薄膜-非晶硅界面）：TCO薄膜可視為半導(dǎo)體，功函數(shù)低的一端電子會(huì)向功函數(shù)高的一端遷移，在N型非晶硅層上需選擇高功函數(shù)的TCO材料以利于電子向TCO膜層遷移，同時(shí)P型非晶硅層上需選擇低功函數(shù)的TCO材料以利于電子向P型非晶硅層遷移。TCO-II應(yīng)兼具優(yōu)良的導(dǎo)電、透光性，優(yōu)選IZO、IZrO、ITO（99:1~97:3），氧化錫含量越少，功函數(shù)越高。金屬-半導(dǎo)體界面（TCO薄膜-非晶硅界面）：TCO薄膜應(yīng)選取低功函數(shù)的材料以利于電子向金屬電極遷移。TCO-I錫含量越多，功函數(shù)越低，但透光率越差，因此膜厚度控制在5-20nm。TCO膜結(jié)構(gòu)百花齊放：

IGO:Zr：?jiǎn)螌幽?，調(diào)節(jié)靶材中Ga含量來(lái)提高禁帶寬度，使得薄膜紫外波段光透過(guò)率提高；調(diào)節(jié)靶材中Zr的含量來(lái)提高TCO薄膜的載流子遷移率。ITO+（IWOorICO）+ITO：3疊層，既保留了IWO或ICO薄膜的低電阻率和低載流子吸收的特性，又利用了ITO薄膜與非晶硅和金屬電極能夠形成良好接觸的特點(diǎn)。ITO+Cu種子層：電鍍銅工藝，后續(xù)還有噴涂感光油墨（干膜）、曝光顯影、鍍銅、去除油墨、反刻銅籽層、鍍錫保護(hù)膜等流程。ITO+AZO或成主流低銦復(fù)合TCO薄膜結(jié)構(gòu)。電池下表面引入AZO可大幅降低ITO膜的厚度，從而達(dá)到少銦化的目的，目前邁為股份通過(guò)設(shè)備改進(jìn)，優(yōu)化載板設(shè)計(jì)和磁場(chǎng)設(shè)計(jì)，能夠大幅降低落在載板和擋板上的靶材，實(shí)現(xiàn)每瓦靶材用量降低30%，同時(shí)通過(guò)ITO+AZO的疊層設(shè)計(jì)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)效率相當(dāng)情況下的銦用量降低70%。2.4靶材制造具備較高的工藝壁壘靶材的核心需求是高密度、高純度、高均勻性。進(jìn)風(fēng)溫度、燒結(jié)升溫速率、成型壓力、粘結(jié)劑、分散劑、穩(wěn)定劑含量等均會(huì)影響靶材的性能。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Π胁牟牧系倪x擇和性能要求存在差異，其中半導(dǎo)體靶材的技術(shù)和純度要求高，平板顯示器靶材的材料面積和均勻度要求高。目前對(duì)濺射靶材的研究朝著多元化、高純度、大型化、高濺射速率、高利用率等方向進(jìn)行。ITO靶材本質(zhì)屬于陶瓷，內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)需要工藝技術(shù)搭配出來(lái)，對(duì)透光率、導(dǎo)電率、硬度、平整度、純度都有要求，比金屬靶材的工藝更為復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。作為平板顯示器制造中的核心材料，氧化銦錫（ITO）靶材主要用于透明導(dǎo)電膜，是靶材中技術(shù)難度較大的產(chǎn)品。ITO靶材本質(zhì)屬于陶瓷，內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)需要工藝技術(shù)搭配出來(lái)，制造過(guò)程中ITO的透光率、導(dǎo)電率、硬度、平整度、純度都有要求，比金屬靶材的工藝更為復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高。鉬靶材制作流程主要包含制靜壓、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、機(jī)加工、綁定、檢測(cè)等步驟。ITO靶材制作流程主要包含制金屬氧化物粉體、研磨、ITO粉制造、模壓成型、氣氛燒結(jié)、機(jī)加工、綁定、檢測(cè)等步驟。典型ITO靶材制備工藝：1、溶解：將銦錠放入反應(yīng)釜，并加入68%硝酸，充分反應(yīng)后，通過(guò)水浴加熱至90℃左反應(yīng)約24h，溶解完成后過(guò)濾掉未反應(yīng)的銦錠。In+4HNO3=In(NO3)3+NO↑+2H2OIn+6HNO3=In(NO3)3+3NO2↑+3H2O2、中和：將硝酸銦溶液與28%氨水在中和罐內(nèi)緩慢攪拌反應(yīng)約2-3h，反應(yīng)后呈現(xiàn)稠狀液態(tài)，引入熟成罐內(nèi)繼續(xù)攪拌。In(NO3)3+3NH4OH=In(OH)3↓+3NH4NO33、清洗：用純水對(duì)稠狀液體內(nèi)的沉淀物進(jìn)行清洗過(guò)濾。4、干燥、焙燒：電加熱后的熱空氣經(jīng)分配器產(chǎn)生一股流線空氣氣流，液滴和熱空氣并流接觸，水份迅速蒸發(fā)形成顆粒，塔下部的漏斗型腔使顆粒匯集并從出料口卸出，制得氫氧化銦粉體。將粉體送入推板爐進(jìn)行焙燒，在600-1000℃的環(huán)境下將氫氧化銦焙燒成氧化銦。5、球磨、砂磨：將純水加入球磨機(jī)中，然后采用真空微負(fù)壓的方式將氧化錫、氧化銦、添加劑（PVA、PEG）按照比例吸入球磨機(jī)中與純水一起進(jìn)行球磨，將產(chǎn)生的漿料引入砂磨機(jī)中進(jìn)一步研磨。（分散劑能夠打散大團(tuán)聚，提高粉末活性；穩(wěn)定劑能夠保證溶液中粉末顆粒在噴霧過(guò)程中，保持懸浮狀態(tài)，避免顆粒沉淀。）6、造粒：（1）漿料霧化：將研磨混合好的漿料由隔膜泵以合適壓力壓入噴霧造粒干燥機(jī)主塔頂部的離心霧化器中，使料液噴成極小的霧狀液滴；（2）干燥成球：液滴和熱空氣并流接觸，水份迅速蒸發(fā)，液滴由于表面張力作用形成球形，最終收縮形成干燥的顆粒；（3）顆粒卸出：形成的顆粒在干燥塔內(nèi)逐步沉降，從塔下部漏斗型腔中匯集卸出，制得ITO粉。造粒完成的ITO粉由于其球形形狀，顆粒間的摩擦力較小，整體呈現(xiàn)流沙狀，由此粉體制成的靶材均勻性?xún)?yōu)良。7、模壓成型：ITO粉末置入密封、具有彈性的模具中，然后將模具盛裝液體或氣體的容器中，用液體或氣體對(duì)其施加合適壓力，將ITO粉壓制成實(shí)體，得到原始形狀的ITO坯體。脫模后，根據(jù)需求將坯體作進(jìn)一步整形處理。8、氣氛燒結(jié)：將ITO坯體置于1600℃的氧氣氛中燒結(jié)，提高其致密化程度和性能，同時(shí)純氧能夠防止ITO中的氧化銦在高溫中分解揮發(fā)。此前在球磨、砂磨過(guò)程中添加的PVA將在300℃分別受熱分解為水、醋酸、乙醛和巴豆醛，PEG則受熱分解為環(huán)類(lèi)易揮發(fā)氣體，最終這些物質(zhì)將分解成CO2和水蒸氣。9、機(jī)加工：根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格要求利用磨床對(duì)ITO靶材進(jìn)行打磨，產(chǎn)生邊角料。10、綁定：首先將ITO靶材套在金屬背板上，加熱的同時(shí)將銦灌至靶材縫隙處，自然冷卻至室溫。11、檢驗(yàn)：對(duì)成品ITO靶材檢驗(yàn)。壓模成型對(duì)壓力和PVA添加量均有要求：當(dāng)成形壓力較低時(shí)，素坯密度隨著壓力升高而增大，同時(shí)增大的趨勢(shì)隨著壓力的升高而放緩。這是由于粉末之間的摩擦力和粉末與模具壁之間的摩擦不同，且壓力不均勻傳導(dǎo)，一般而言外沿密度較中心低，因此壓力大于300MPa時(shí)，脫模變得困難；500MPa時(shí)，坯體易出現(xiàn)缺角，表面分布細(xì)小裂紋；600MPa時(shí)，素坯易分層開(kāi)裂，且裂紋寬、數(shù)量多，燒結(jié)后反而會(huì)降低靶材的密度。PVA能夠減少I(mǎi)TO粉體摩擦，使成形壓力分布更均勻，其添加量合適時(shí)，能夠減少孔隙，使得素坯易脫模。而添加過(guò)量時(shí)，PVA強(qiáng)大的黏合力會(huì)導(dǎo)致粉體不能有效分散，產(chǎn)生顆粒團(tuán)聚而使靶材有缺陷，同時(shí)燒結(jié)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生更多氣體。燒結(jié)的高溫階段存在合適的升溫速率：當(dāng)燒結(jié)處于溫度高于750℃的高溫階段時(shí)，氧化銦會(huì)發(fā)生分解In2O3->In2O+O2↑，若這時(shí)升溫速率較快，則由于素坯外沿部分密度低于中心部分，外沿部分在較短時(shí)間內(nèi)難以致密，從而導(dǎo)致中心與外沿致密化程度不一，靶材整體密度不均。同時(shí)一般而言靶材越緊密，則電阻率越小，密度分布不均會(huì)導(dǎo)致電阻率增加。燒結(jié)的低溫階段同樣存在合適的升溫速率：當(dāng)燒結(jié)處于低于750℃的低溫階段時(shí)，主要是有機(jī)添加劑PVA、PEG的脫除過(guò)程，若在此時(shí)快速升溫，會(huì)導(dǎo)致有機(jī)物分解過(guò)快，從而產(chǎn)生大量的空洞甚至是微裂紋，降低了靶材的相對(duì)密度和均勻性。升溫過(guò)慢則會(huì)導(dǎo)致分解物無(wú)法快速脫除，也會(huì)對(duì)均勻性和致密性產(chǎn)生影響。2.5異質(zhì)結(jié)量產(chǎn)是靶材第二增長(zhǎng)曲線根據(jù)我們測(cè)算，當(dāng)前異質(zhì)結(jié)硅片、漿料、靶材單瓦成本分別約為0.8/0.14/0.03元/W。當(dāng)前HJT相比于PERC電池非硅成本仍然高出約0.15-0.2元/W。靶材單W成本約占異質(zhì)結(jié)成本的2.6%左右，異質(zhì)結(jié)產(chǎn)能的大規(guī)模釋放將帶動(dòng)靶材的需求。由于TCO膜厚度約在100-200nm之間，膜過(guò)厚會(huì)導(dǎo)致透光率大大下降，而過(guò)薄會(huì)損失部分導(dǎo)電性。因此異質(zhì)結(jié)的大規(guī)模量產(chǎn)將推動(dòng)靶材需求快速提升，靶材作為光伏領(lǐng)域的新輔材，不是存量市場(chǎng)，而是增量市場(chǎng)。我們測(cè)算得2022-2024年HJT電池靶材市場(chǎng)空間為2.09/10.53/19.82億元，2022-2024年CAGR為207.95%。異質(zhì)結(jié)靶材應(yīng)用仍處于早期試驗(yàn)階段，后續(xù)隨著異質(zhì)結(jié)在銀漿、硅片、設(shè)備等多環(huán)節(jié)完成降本，HJT電池產(chǎn)業(yè)鏈逐步打通，靶材將成為一個(gè)高速成長(zhǎng)的行業(yè)。2.6HJT電池靶材有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代靶材國(guó)產(chǎn)化任重道遠(yuǎn)?？傮w上濺射靶材行業(yè)在我國(guó)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)，與國(guó)際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國(guó)濺射靶材在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池市場(chǎng)影響力相對(duì)有限，全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國(guó)、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，濺射靶材國(guó)產(chǎn)化需求各企業(yè)研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。當(dāng)前靶材應(yīng)用領(lǐng)域以平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體為主，四個(gè)領(lǐng)域共占據(jù)約94%的靶材需求量。我們預(yù)計(jì)隨著平板顯示大尺寸化，該領(lǐng)域用的靶材量將以約5%的增長(zhǎng)速度穩(wěn)步增長(zhǎng)，而光伏電池領(lǐng)域未來(lái)有望成為靶材第一大的應(yīng)用領(lǐng)域。由于靶材所用的濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，主要集中在霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）、奧地利攀時(shí)等國(guó)外企業(yè)，2021年日美企業(yè)占據(jù)國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)70%以上的市場(chǎng)份額。雖然行業(yè)仍處于國(guó)產(chǎn)替代初期，但頭部靶材廠商制造技術(shù)已經(jīng)能夠和國(guó)外企業(yè)齊平甚至超過(guò)，未來(lái)有望在存量靶材領(lǐng)域逐步完成國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)產(chǎn)靶材廠商有望在HJT電池時(shí)代實(shí)現(xiàn)靶材上的彎道超車(chē)。而對(duì)于異質(zhì)結(jié)電池這個(gè)全新領(lǐng)域，靶材還未大規(guī)模應(yīng)用，考慮到電池廠商與海外企業(yè)合作研發(fā)效率較低，同時(shí)隆華科技等國(guó)內(nèi)的靶材廠商品質(zhì)已經(jīng)在顯示面板領(lǐng)域得到充分展現(xiàn)。因此從HJT電池靶材應(yīng)用源頭開(kāi)始，HJT電池靶材國(guó)產(chǎn)化就已先行一步。國(guó)家政策強(qiáng)力支持靶材國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)務(wù)院發(fā)布的《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景綱要目標(biāo)》，提出加強(qiáng)集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)?！蛾P(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策的通知》，提出對(duì)于靶材生產(chǎn)企業(yè)，進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿(mǎn)足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，免征進(jìn)口關(guān)稅。在國(guó)家相關(guān)政策支持推動(dòng)下，靶材技術(shù)不斷實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，未來(lái)隨著技術(shù)工藝成熟、產(chǎn)品質(zhì)量提升，靶材國(guó)產(chǎn)替代將加速，市場(chǎng)需求保持增長(zhǎng)。靶材廠商收入、毛利率有望同時(shí)回升。當(dāng)前國(guó)產(chǎn)主流靶材廠商靶材業(yè)務(wù)平均毛利率在25%左右。隆華科技

2021年靶材業(yè)務(wù)毛利率為23.3%，處于行業(yè)中等水平。靶材業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)逐年走高的趨勢(shì)，目前隆華科技已與光伏行業(yè)龍頭隆基綠能形成合作關(guān)系，開(kāi)始供貨，公司未來(lái)靶材業(yè)務(wù)收入有望持續(xù)高速增長(zhǎng)。我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，扭轉(zhuǎn)了濺射靶材長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的不利局面。其中，國(guó)產(chǎn)高純Mo靶材、ITO靶材已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，依靠國(guó)內(nèi)原材料高純鉬粉、高純銦等既有資源優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)具備相對(duì)有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。3重點(diǎn)公司分析3.1

隆華科技：聚焦高端新材料，光伏靶材引領(lǐng)新成長(zhǎng)業(yè)務(wù)短期承壓，將持續(xù)受益于下游新材料需求的高速增長(zhǎng)。自從公司決定轉(zhuǎn)型以來(lái)，前后孵化出多家細(xì)分領(lǐng)域龍頭，產(chǎn)品體系初步形成，靶材、高分子復(fù)合材料等新業(yè)務(wù)帶動(dòng)公司整體營(yíng)業(yè)收入從2017年的10.68億元上升至2021年的22.09億元。同時(shí)異質(zhì)結(jié)電池靶材、軍用飛機(jī)PMI泡沫、復(fù)合枕軌等下游大規(guī)模應(yīng)用在即。受疫情影響，公司2022年H1歸母凈利潤(rùn)為0.93億元，同比減少20.9%。隨著疫情影響逐漸減弱，預(yù)計(jì)公司下半年?duì)I收、利潤(rùn)有望環(huán)比改善，全年業(yè)績(jī)有望與去年持平。新業(yè)務(wù)占比提升將推動(dòng)銷(xiāo)售、管理費(fèi)用率下降。公司原本的節(jié)能設(shè)備收入確定模式往往是“預(yù)付款-材料款-發(fā)貨款-質(zhì)保金”分階段、多次確定。而其中的調(diào)試、質(zhì)量保證階段時(shí)間花費(fèi)較長(zhǎng)，同時(shí)還需派出專(zhuān)員定期保證維護(hù)，這是設(shè)備公司銷(xiāo)售費(fèi)用率較高的原因。而隆華科技一直處于轉(zhuǎn)型進(jìn)程中，逐漸從“非標(biāo)設(shè)備”轉(zhuǎn)向“標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品”，銷(xiāo)售模式從“to小B”轉(zhuǎn)向“to大B”，靶材、高分子復(fù)合材料等業(yè)務(wù)銷(xiāo)售費(fèi)用率遠(yuǎn)小于設(shè)備業(yè)務(wù)，在營(yíng)收基數(shù)增大的前提下，我們預(yù)計(jì)公司未來(lái)整體銷(xiāo)售、管理費(fèi)用率將進(jìn)一步下降。隨著異質(zhì)結(jié)薄片化、銀包銅等幾大降本路徑實(shí)現(xiàn)，異質(zhì)結(jié)大規(guī)模量產(chǎn)在即，這將會(huì)帶來(lái)靶材的需求量快速提升。當(dāng)前隆華科技具備生產(chǎn)優(yōu)良ITO靶材的能力，并且已經(jīng)通過(guò)隆基綠能的驗(yàn)證，未來(lái)雙方有望在異質(zhì)結(jié)電池領(lǐng)域進(jìn)行長(zhǎng)期合作。同時(shí)公司PMI泡沫、減振扣件、合成軌枕和輕量化PVC泡沫也處于大規(guī)模應(yīng)用前期，未來(lái)公司將處于高速發(fā)展階段。假設(shè)公司未來(lái)HJT靶材產(chǎn)量分別為36/208/496噸，我們預(yù)計(jì)2022-2024年?duì)I業(yè)收入分別為25.01/31.45/40.44億元，整體毛利率有望分別達(dá)到27.62%/28.69%/3