華峰測(cè)控:半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭功率和SOC類測(cè)試機(jī)開啟第二成長極_第1頁
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華峰測(cè)控:半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭,功率和SOC類測(cè)試機(jī)開啟第二成長極1、國產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭兼具估值擴(kuò)張與成長確定性芯片法案的落地將強(qiáng)化國產(chǎn)替代的急迫性和必要性,Chiplet技術(shù)帶來測(cè)試機(jī)的新增量需求,公司作為國產(chǎn)測(cè)試機(jī)龍頭,不斷打破海外技術(shù)和市場(chǎng)壟斷,估值一直遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)平均水平,具備較大的估值提升空間。公司STS8300新機(jī)型成功切入SOC測(cè)試賽道,打破海外壟斷,打開40億美元成長空間。STS8300單價(jià)高,已經(jīng)銷往國內(nèi)多家封測(cè)和設(shè)計(jì)頭部公司,借助公司穩(wěn)固龐大的客戶生態(tài),2022年將進(jìn)入加速放量階段,帶動(dòng)公司業(yè)績實(shí)現(xiàn)30%的高速增長。公司STS8200成熟機(jī)型,面向模擬和數(shù)?;旌?,占國內(nèi)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)60%以上,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代。STS8200生命周期長,并升級(jí)開拓了IGBT、SiC、GaN等功率測(cè)試領(lǐng)域,又逢Chiplet技術(shù)帶來模擬測(cè)試增量需求,將帶動(dòng)STS8200更好穿越周期。1.1、行業(yè)新變量強(qiáng)化國產(chǎn)替代邏輯,公司有估值擴(kuò)張需求芯片法案的落地將強(qiáng)化國產(chǎn)替代的急迫性和必要性,Chiplet技術(shù)帶來測(cè)試機(jī)的新增量需求,公司作為國產(chǎn)測(cè)試機(jī)龍頭,不斷打破海外技術(shù)和市場(chǎng)壟斷,估值一直遠(yuǎn)低于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)平均水平,我們認(rèn)為公司具備較大的估值提升空間。美國芯片法案旨在提升其國內(nèi)晶圓制造能力和保持技術(shù)領(lǐng)先性,同時(shí)全面限制和延緩中國半導(dǎo)體先進(jìn)制程技術(shù)的發(fā)展,國產(chǎn)替代迫切性和必要性提升。8月9日,拜登在白宮簽署了《芯片與科學(xué)法案》,主要用于建設(shè)、擴(kuò)大或更新美國晶圓廠,法案還明確要求,獲得美國政府補(bǔ)貼的公司,十年內(nèi)不能在中國大陸發(fā)展28納米以下的芯片制造。8月13日,美國商務(wù)部宣布設(shè)計(jì)GAAFET(全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)集成電路所必須的EDA軟件對(duì)華出口限制。Chiplet技術(shù)是經(jīng)濟(jì)效益與算力追逐的折中產(chǎn)物,通過對(duì)芯片功能區(qū)進(jìn)行解耦,再依靠先進(jìn)封裝組裝成系統(tǒng),被認(rèn)為是延續(xù)摩爾定律的途徑之一。Chiplet+先進(jìn)封裝的芯片系統(tǒng)制造模式,會(huì)帶來模擬測(cè)試的增量需求。華峰測(cè)控作為國產(chǎn)測(cè)試龍頭,基本完成了模擬測(cè)試的國產(chǎn)替代,同時(shí)突破了SOC測(cè)試機(jī)的海外壟斷。在國產(chǎn)替代邏輯強(qiáng)化和Chiplet技術(shù)帶來的新業(yè)務(wù)增量的行業(yè)變量下,公司有估值擴(kuò)張的需要。2022年4月底以來,公司PE在30-50之間,同期半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)及可比公司長川科技

的PE均在80-150之間,是公司PE的3倍左右。1.2、公司的持續(xù)創(chuàng)新性帶來業(yè)績確定性,超額收益可期公司注重創(chuàng)新,STS8200成熟機(jī)型實(shí)現(xiàn)了模擬測(cè)試機(jī)的國產(chǎn)替代,并開拓了IGBT、SiC和GaN等功率器件測(cè)試系統(tǒng)。新機(jī)型STS8300成功進(jìn)入SOC測(cè)試賽道,打破海外壟斷,打開40億美元成長空間,并進(jìn)入加速放量階段,公司業(yè)績確定性增長。STS8200主力成熟機(jī)型已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了模擬測(cè)試國產(chǎn)替代,并持續(xù)開發(fā)數(shù)?;旌虾凸β势骷y(cè)試應(yīng)用場(chǎng)景。公司STS8200模擬測(cè)試機(jī)型2005年開發(fā)成功后,2014年推出“CROSS”

技術(shù)平臺(tái),可在同一個(gè)測(cè)試技術(shù)平臺(tái)上通過更換不同的測(cè)試模塊實(shí)現(xiàn)模擬、模擬混合和SiC、IGBT和GaN等功率測(cè)試系統(tǒng)。STS8200產(chǎn)品暢銷海內(nèi)外,據(jù)公司官網(wǎng),目前裝機(jī)量已經(jīng)突破5000臺(tái),我們測(cè)算將占國內(nèi)模擬測(cè)試市場(chǎng)規(guī)模約60%,完成了國產(chǎn)替代。STS8200主力機(jī)型生命周期長,無快速迭代風(fēng)險(xiǎn),且Chiplet技術(shù)帶來需求增量。公司的STS8200系列主要應(yīng)用于模擬及混合信號(hào)類集成電路測(cè)試,所測(cè)試產(chǎn)品迭代速度較慢,對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)生命周期長。Chiplet技術(shù)在高性能計(jì)算方面的快速發(fā)展,也會(huì)帶來新的模擬測(cè)試需求增量。新機(jī)型STS8300系列成功切入SOC測(cè)試賽道,打破海外壟斷,打開40億美元成長空間。公司繼續(xù)加大研發(fā)投入,于2018年成功開發(fā)了下一代的STS8300平臺(tái),具備64工位以上的并行測(cè)試能力,能夠測(cè)試更高引腳數(shù)、更多工位,主要面向PMIC和功率類SOC,可同時(shí)滿足FT和CP的測(cè)試需求,成功入門SOC測(cè)試領(lǐng)域,打破海外巨頭壟斷。STS8300價(jià)格近150萬元/臺(tái),2022年進(jìn)入快速放量階段。據(jù)公司招股說明書,公司STS8200目前約45-50萬元/臺(tái),而高端STS8300新機(jī)型價(jià)格則約150萬元/臺(tái),公司開發(fā)STS8300也是基于現(xiàn)有客戶對(duì)SOC測(cè)試需求,有的放矢,目前已經(jīng)在矽力杰、圣邦、艾為和思瑞浦等公司裝機(jī),2021年銷量約100臺(tái),后面將逐步穩(wěn)定,2022年將進(jìn)入快速放量階段。公司客戶優(yōu)質(zhì)粘性強(qiáng),多為頭部封測(cè)、代工和設(shè)計(jì)公司。設(shè)計(jì)和IDM類客戶占比持續(xù)提升,有效驅(qū)動(dòng)放大下游封測(cè)和代工廠采購量。依靠穩(wěn)固龐大的客戶生態(tài)系統(tǒng),公司可以更容易地向外推廣銷售STS8300等高價(jià)值新機(jī)型。公司客戶優(yōu)質(zhì),粘性強(qiáng),前五大客戶留存率100%。公司目前已獲得包括但不限于長電科技、日月光集團(tuán)、華潤微電子、臺(tái)積電、華為、意法半導(dǎo)體等國內(nèi)外頭部封測(cè)、設(shè)計(jì)和制造公司供應(yīng)商認(rèn)證。同時(shí),公司主要客戶保持穩(wěn)定,前五大2016-2019H1留存率為100.00%,前十大客戶留存率為95.00%。設(shè)計(jì)和IDM公司占比持續(xù)提升,驅(qū)動(dòng)放大封測(cè)和晶圓代工廠測(cè)試機(jī)采購量,構(gòu)筑穩(wěn)固健康銷售生態(tài)。目前,公司擁有上百家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)客戶資源,也與超過三百家以上的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)保持了業(yè)務(wù)合作關(guān)系。設(shè)計(jì)和IDM類公司占比從2016年的18%增加至2021年的50%,這類公司是測(cè)試機(jī)行業(yè)的驅(qū)動(dòng)力,封測(cè)企業(yè)有部分訂單完全由設(shè)計(jì)企業(yè)決定。1.3、公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng),盈利能力突出,營收和利潤均高速增長公司測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品技術(shù)含量和客戶門檻較高,客戶粘性較強(qiáng),在市場(chǎng)上具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。公司營業(yè)收入高速增長,盈利強(qiáng)勁,毛利率和凈利率高位穩(wěn)定,顯著高于同行可比公司。營業(yè)收入高速增長,利潤不斷釋放。2017-2021年,公司營業(yè)總收入從1.49億元增長至2021年的8.78億元,CAGR達(dá)55.80%,對(duì)應(yīng)歸母凈利潤從0.53億元增至4.39億元,CAGR達(dá)69.65%。其中,2021年受行業(yè)高景氣度和半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代趨勢(shì)加強(qiáng)的影響,營業(yè)總收入和歸母凈利率的同比增速均達(dá)到了120%左右。盈利強(qiáng)勁,毛利率和凈利率高位穩(wěn)定。公司毛利率一直穩(wěn)定維持在80%左右,整體呈上升趨勢(shì);凈利率也整體提升,近3年主要維持在47-50%之間。公司較高毛利率和凈利率水平主要原因是公司的測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品技術(shù)含量和客戶門檻較高,客戶粘性較強(qiáng),具有較強(qiáng)的議價(jià)能力,在市場(chǎng)上具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。公司盈利能力顯著高于國內(nèi)外可比公司,主要系產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和營業(yè)模式的差異。高于長川科技的主要原因是產(chǎn)品結(jié)構(gòu)差異,長川科技除了生產(chǎn)測(cè)試機(jī),主要還是以毛利率較低的分選機(jī)為主。而高于行業(yè)內(nèi)國際龍頭的關(guān)鍵原因是營業(yè)成本相對(duì)較低,而營業(yè)成本低主要系公司在組裝和調(diào)試階段為自生產(chǎn),只將焊接PCB等基礎(chǔ)生產(chǎn)工作外包。2、SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)超40億美元,雙寡頭壟斷,公司成功切入2.1、半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)是芯片良率和性能保障的關(guān)鍵半導(dǎo)體測(cè)試是芯片良率和質(zhì)量保障的關(guān)鍵,貫穿了集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。芯片測(cè)試除了保證對(duì)外出售的都是合格產(chǎn)品,更重要的還要確認(rèn)產(chǎn)品失效的原因,并改進(jìn)設(shè)計(jì)及制造、封測(cè)工藝,以提高良率及產(chǎn)品質(zhì)量。測(cè)試設(shè)備主要包括測(cè)試機(jī)、分選機(jī)和探針臺(tái),據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)測(cè)試機(jī)價(jià)值量占比超63%。測(cè)試機(jī)(ATE)是檢測(cè)芯片功能和性能的專用設(shè)備,測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào),采集被檢測(cè)芯片的輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較,判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。分選機(jī)和探針臺(tái)是將芯片的引腳與測(cè)試機(jī)的功能模塊連接起來并實(shí)現(xiàn)批量自動(dòng)化測(cè)試的專用設(shè)備。在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和成品測(cè)試環(huán)節(jié)(FT),測(cè)試機(jī)需要和分選機(jī)配合使用;在晶圓檢測(cè)(CP)環(huán)節(jié),測(cè)試機(jī)需要和探針臺(tái)配合使用。測(cè)試機(jī)占半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備比重達(dá)63%,2022年全球測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)55億美元。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)將增長12.1%至88億美元,2023年將再增長0.4%。其中,ATE測(cè)試機(jī)占比約63%,預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)55億美元。全球半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)仍由海外制造商主導(dǎo),CR3超90%以上。泰瑞達(dá)、愛德萬、科休等國外知名半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)制造企業(yè)的產(chǎn)品線齊全。2021年,愛德萬、泰瑞達(dá)及科休三家公司以超過90%的市場(chǎng)份額壟斷半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)。2.2、SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間超40億美元,海外雙寡頭壟斷不同測(cè)試類型中,SOC測(cè)試技術(shù)壁壘最高。從分類情況來看,根據(jù)測(cè)試對(duì)象的不同,測(cè)試機(jī)又細(xì)分為SoC、存儲(chǔ)、模擬和RF等類別,其中數(shù)字測(cè)試機(jī)主要包含SoC和存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)兩大類,相較模擬測(cè)試機(jī)而言,由于被測(cè)產(chǎn)品集成度、復(fù)雜度高,測(cè)試功耗大,整體技術(shù)壁壘較高。SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模最大,預(yù)估2022年全球SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到46億美元。在不同產(chǎn)品測(cè)試類型中,SOC測(cè)試市場(chǎng)需求最大,愛德萬(Advantest)年報(bào)預(yù)測(cè),由于對(duì)高性能計(jì)算應(yīng)用的需求,2021年SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間43億美元,而2022年將達(dá)到46億美元。隨著中國半導(dǎo)體發(fā)展和封測(cè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,國內(nèi)SOC測(cè)試需求持續(xù)增長,2022年預(yù)計(jì)SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將超10億美元。2011年中國大陸在SoC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)的占比僅為8%,隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,尤其是封測(cè)產(chǎn)業(yè)的崛起,帶動(dòng)了國內(nèi)市場(chǎng)對(duì)SoC芯片的測(cè)試需求,2019年國內(nèi)SoC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)占全球的23%,則市場(chǎng)規(guī)模達(dá)10億美元,后續(xù)隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,還將繼續(xù)擴(kuò)大。全球SOC半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)主要由泰瑞達(dá)與愛德萬兩大寡頭壟斷,合計(jì)占比超94%。數(shù)字及SoC類芯片、存儲(chǔ)類芯片的測(cè)試難度高,美國泰瑞達(dá)和日本的愛德萬仍處于絕對(duì)的壟斷地位。國內(nèi)SoC類測(cè)試機(jī)自給率較低,國內(nèi)僅有華峰測(cè)控實(shí)現(xiàn)了SOC入門級(jí)產(chǎn)品的開發(fā)和銷售。通過多年的技術(shù)積累,國內(nèi)企業(yè)在模擬及數(shù)?;旌霞呻娐泛凸β拾雽?dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域國產(chǎn)化替代有了相當(dāng)?shù)倪M(jìn)步,在模擬及數(shù)模混合集成電路測(cè)試領(lǐng)域,以華峰測(cè)控和長川科技為主;在功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試領(lǐng)域,以聯(lián)動(dòng)科技和宏邦電子為主。2.3、華峰測(cè)控:切入SOC測(cè)試賽道,打開數(shù)倍成長空間,產(chǎn)品加速放量STS8300已經(jīng)對(duì)較為復(fù)雜的電源管理類SoC進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試,成功切入SOC測(cè)試賽道。2008年公司開發(fā)了能將所有測(cè)試模塊裝在測(cè)試頭中的STS8300平臺(tái),數(shù)字通道能力顯著提高,作為SoC測(cè)試的入門級(jí)產(chǎn)品,主要面向PMIC和功率類SoC測(cè)試,可同時(shí)滿足FT和CP的測(cè)試需求。持續(xù)開拓高端SOC應(yīng)用場(chǎng)景,產(chǎn)品進(jìn)入加速放量階段。目前STS8300成熟應(yīng)用的100M板卡裝機(jī)量已經(jīng)較多,公司也在2021年底完成了更高主頻板卡的研制工作,200M和400M產(chǎn)品應(yīng)用會(huì)在今年完成驗(yàn)證工作,并將持續(xù)推進(jìn)800M高速數(shù)字通道測(cè)試模塊的研發(fā),有望進(jìn)一步拓展中高端SOC測(cè)試市場(chǎng)。STS8300產(chǎn)品2020年開始有訂單,在公司2021年整體收入占比15%左右,2022Q1提升到了30%,處于快速放量階段。市場(chǎng)開拓有的放矢,借助公司穩(wěn)固龐大的客戶生態(tài)圈。公司部分現(xiàn)有客戶具有較大的SoC類集成電路的測(cè)試需求,公司通過在模擬集成電路測(cè)試領(lǐng)域的良好合作歷史,能逐漸獲取現(xiàn)有客戶在SoC類集成電路測(cè)試領(lǐng)域的訂單。公司在SOC半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域已具備了深厚的技術(shù)儲(chǔ)備,并持續(xù)投入新方向的研究。針對(duì)SoC類集成電路測(cè)試領(lǐng)域,公司在V/I源、數(shù)字通道和同步技術(shù)方面技術(shù)儲(chǔ)備較為豐富,已經(jīng)具備進(jìn)入電源管理類SoC集成電路測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)能力。此外,公司計(jì)劃通過提升數(shù)字通道的性能水平及同步精度等方面來拓展在更復(fù)雜SoC類集成電路的測(cè)試能力。3、先進(jìn)封裝助力Chiplet技術(shù)發(fā)展,帶來模擬測(cè)試設(shè)備新增量3.1、Chiplet技術(shù)是算力追逐與半導(dǎo)體代工能力和經(jīng)濟(jì)效益的折中產(chǎn)物Chiplet技術(shù)是經(jīng)濟(jì)效益與算力追逐的折中產(chǎn)物。人類對(duì)算力的追逐從未停息,半導(dǎo)體工藝制程也持續(xù)推進(jìn)到了3nm/2nm,晶體管尺寸已經(jīng)越來越逼近物理極限,所耗費(fèi)的時(shí)間及成本越來越高,同時(shí)所能夠帶來的“經(jīng)濟(jì)效益”的也越來越有限,Chiplet技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,被認(rèn)為是延續(xù)摩爾定律的途徑之一。Chiplet技術(shù)是對(duì)芯片功能區(qū)進(jìn)行解耦,再依靠先進(jìn)封裝組裝成系統(tǒng)的過程。Chiplet俗稱芯粒,也叫小芯片,是將一類滿足特定功能的die(裸片)通過die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)將多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片封裝在一起形成一個(gè)系統(tǒng)芯片(SoC芯片)的方法。Chiplet可以將采用不同工藝、材料的模塊集成。SoC將處理器、存儲(chǔ)器、外設(shè)接口等多種功能模塊的整個(gè)系統(tǒng)集成到一個(gè)芯片上,而Chiplet技術(shù)則是使用封裝技術(shù)把來自不同無晶圓設(shè)計(jì)公司和代工廠的具有不同材料和功能的異種芯片,并排或堆疊集成到不同基板上的系統(tǒng)或子系統(tǒng)中。與SOC相比,Chiplet具備成本低、設(shè)計(jì)簡單等優(yōu)勢(shì)。芯粒通過采用兩個(gè)或更多芯片進(jìn)行集成,將晶體管數(shù)量增加到遠(yuǎn)超單芯片可容納的數(shù)量,該方式可以將原有節(jié)點(diǎn)用小芯片來制作,僅在高性能需求部分使用前沿節(jié)點(diǎn)工藝,可有效降低制造成本。伴隨芯片設(shè)計(jì)工藝向5nm以下節(jié)點(diǎn)發(fā)展,芯粒的經(jīng)濟(jì)性將進(jìn)一步得到體現(xiàn)。Ucle成立促使互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)化,加速Chiplet發(fā)展。今年3月,英特爾、AMD、ARM、高通、臺(tái)積電、三星、日月光等芯片廠商與Google云、Meta、微軟等科技巨頭共同成立了Chiplet標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟Ucle。Ucle的提出為集成封裝不同工藝、不同廠商、不同技術(shù)的芯片提供了標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)支持,讓芯片制造商可以對(duì)不同的芯片進(jìn)行混搭,使得小芯片最終走向大統(tǒng)一時(shí)代。3.2、先進(jìn)封裝是Chiplet發(fā)展的保障,帶來模擬芯片測(cè)試增量需求先進(jìn)封裝是Chiplet技術(shù)持續(xù)發(fā)展的保障。目前主流的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)是將多個(gè)芯片組裝至同一封裝載體上,從而形成可提供完整功能的系統(tǒng)或子系統(tǒng)。Chiplet技術(shù)同樣需要進(jìn)行不同芯粒間的整合與封裝,但組成Chiplet的各die之間是相對(duì)獨(dú)立的,整合過程更為復(fù)雜。Chiplet所依賴的2.5D封裝或者3D堆疊技術(shù)具有低半徑高寬帶的物理連接特性、較低的數(shù)據(jù)搬運(yùn)開銷、更高的晶體管集成度等特征。不過,仍需要從材料和封裝結(jié)構(gòu)方面持續(xù)推動(dòng)先進(jìn)封裝的技術(shù)發(fā)展,以保證Chiplet封裝系統(tǒng)散熱性、數(shù)據(jù)傳輸速度等。Chiplet帶來模擬測(cè)試機(jī)的需求增量。Chiplet方案的芯片由多塊來自不同供應(yīng)商的不同工藝或不同材料的die連接而成,為了保證最后芯片的良率,需要在CP階段確保組成芯片的每個(gè)Die都是有效的,因此需要增加模擬測(cè)試機(jī)對(duì)的模擬die進(jìn)行測(cè)試評(píng)估。3.3、華峰測(cè)控:國產(chǎn)模擬測(cè)試機(jī)龍頭,將受益Chiplet技術(shù)和海外市場(chǎng)拓展模擬芯片品種多、客戶廣泛,國內(nèi)模擬設(shè)計(jì)客戶眾多。模擬芯片主要包括電源管理芯片和信號(hào)鏈芯片,細(xì)分種類繁雜,需求分散,下游應(yīng)用廣泛,可應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工控醫(yī)療等領(lǐng)域。客戶除了封測(cè)和晶圓代工廠,國內(nèi)也涌現(xiàn)出很多有實(shí)力的模擬和混合信號(hào)設(shè)計(jì)企業(yè)。模擬測(cè)試機(jī)技術(shù)迭代慢,產(chǎn)品生命周期長,給后進(jìn)者追趕機(jī)會(huì)。模擬芯片生命周期較長,使用時(shí)間通常在10年以上,技術(shù)迭代也較慢,因此模擬測(cè)試機(jī)技術(shù)迭代也較慢,給后進(jìn)者提供了分食蛋糕的機(jī)會(huì)。泰瑞達(dá)

2001年推出的模擬及數(shù)?;旌蠝y(cè)試平臺(tái)ETS-364目前仍在其官網(wǎng)銷售。公司已經(jīng)是國產(chǎn)模擬測(cè)試機(jī)龍頭,在國內(nèi)市占率約60%,實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代。公司STS8200產(chǎn)品多年來隨著中國半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不斷成長,裝機(jī)量同步穩(wěn)定增長。根據(jù)前文數(shù)據(jù)測(cè)算,2021年全球測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模78億美元,其中測(cè)試機(jī)占比63%,而模擬測(cè)試機(jī)占比15%,則2021年全球模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)空間約7.4億美元,中國市場(chǎng)占比25%左右,而華峰測(cè)控

2021年傳統(tǒng)模擬測(cè)試的營收不少于7億元,則2021年華峰測(cè)控占國內(nèi)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)占有率超過60%,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代。作為國內(nèi)模擬測(cè)試設(shè)備龍頭企業(yè),華峰測(cè)控將充分受益Chiplet發(fā)展。華峰測(cè)控在國內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)長期發(fā)展過程中享受到了先發(fā)優(yōu)勢(shì)帶來的益處,積累了足夠的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn),裝機(jī)量在國內(nèi)處于絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),公司國內(nèi)外客戶數(shù)量眾多,已經(jīng)形成了較好的客戶生態(tài)圈和市場(chǎng)壁壘。未來在Chiplet發(fā)展過程中華峰測(cè)控有望繼續(xù)獲得國內(nèi)頭部模擬芯片廠商的信任和國外頭部模擬芯片廠商的青睞,從而贏得Chiplet技術(shù)帶來的大部分模擬測(cè)試需求新增量。全球模擬測(cè)試市場(chǎng)規(guī)模7.4億美元,華峰測(cè)控的模擬測(cè)試設(shè)備在海外市場(chǎng)的擴(kuò)展空間巨大。目前華峰測(cè)控在模擬測(cè)試系統(tǒng)中的技術(shù)水平已經(jīng)達(dá)到國際水平,進(jìn)入了全球頭部半導(dǎo)體廠商供應(yīng)體系,在全球范圍內(nèi)具備競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)公司公告,華峰測(cè)控的模擬測(cè)試機(jī)產(chǎn)品2021年?duì)I收約7億,而全球模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模7.4億美元,則華峰測(cè)控在全球模擬測(cè)試市場(chǎng)份額只有不到15%,未來的增長空間依然巨大。4、光伏、新能源高景氣度,公司大功率器件測(cè)試機(jī)開始放量4.1、新能車、光伏高景氣,SiC、IGBT和GaN等功率器件測(cè)試需求旺盛IGBT是Si基半導(dǎo)體最理想的大功率開關(guān)。IGBT是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件,既有MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn),又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)。在高壓、大電流、高速等方面具有其他功率器件不能比擬的優(yōu)勢(shì)。據(jù)Yole預(yù)測(cè),2026年全球IGBT市場(chǎng)將達(dá)到84億美元,GACR為7.5%。其中,新能源

汽車領(lǐng)域的IGBT市場(chǎng)規(guī)模將從2020年的5.1億美元增加到2026年的17億美元,CAGR超23%。除了新能源汽車,IGBT在光伏逆變器及儲(chǔ)能等領(lǐng)域中也有廣泛的應(yīng)用。SiC基功率器件在大功率應(yīng)用場(chǎng)景具備天然優(yōu)勢(shì)。以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)勢(shì),因此采用SiC制備的半導(dǎo)體器件在高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。Yole預(yù)測(cè),受新能源汽車和光伏領(lǐng)域應(yīng)用的強(qiáng)烈推動(dòng),SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的10.90億美元增至2027年的62.97億美元,CAGR達(dá)34%。尤其是,在特斯拉宣布采用SiC之后,2020年和2021年有多款新發(fā)布的電動(dòng)汽車也相繼加入。GaN在高頻領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì),快充成為商業(yè)化起點(diǎn)。時(shí)由于GaN具有更高的電子遷移率,因而能夠比SiC或Si具有更高的開關(guān)速度,在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,GaN具備優(yōu)勢(shì)。目前,GaN功率器件在消費(fèi)電子快充方面已經(jīng)廣泛應(yīng)用,在新能源汽車快充領(lǐng)域也表現(xiàn)出加快充電時(shí)間、縮小OBC尺寸和系統(tǒng)重量、降低能耗等價(jià)值。據(jù)Yole預(yù)測(cè),2026年全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)11億美元,2020-2026年的CAGR超70%。我國光伏、新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展,是功率器件需求擴(kuò)張的主要?jiǎng)右颍矊砉β蕼y(cè)試機(jī)的市場(chǎng)需求擴(kuò)張。2021年我國新增光伏裝機(jī)容量達(dá)54.88GW,同比增加13.9%,連

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