盛美上海研究報(bào)告：清洗設(shè)備龍頭多產(chǎn)品線布局建立平臺化優(yōu)勢

盛美上海研究報(bào)告：清洗設(shè)備龍頭，多產(chǎn)品線布局建立平臺化優(yōu)勢一、國產(chǎn)清洗設(shè)備龍頭，拓展布局電鍍、先進(jìn)封裝、立式爐管產(chǎn)品線1、歷史沿革：十余年設(shè)備技術(shù)積淀，成就國產(chǎn)清洗設(shè)備行業(yè)龍頭盛美上海為納斯達(dá)克上市公司美國

ACMR的經(jīng)營實(shí)體，憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢成為

SK海力士、中芯國際、華虹、長江

存儲等國內(nèi)外主流晶圓廠供應(yīng)商。公司創(chuàng)始人王暉

1998

年成立美國

ACMR開展半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)，發(fā)明了多陽極局部

電鍍銅、無應(yīng)力銅拋光技術(shù)及工藝。2005

年美國

ACMR創(chuàng)立盛美上海前身盛美有限，將設(shè)備專利投入其中。由于清

洗設(shè)備空間更大且國內(nèi)處于空白狀態(tài)，2007

年團(tuán)隊(duì)將方向轉(zhuǎn)向單片清洗設(shè)備。2008

年公司發(fā)明

SAPS（空間交替相

移）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)清洗設(shè)備良率的提升，2009

年產(chǎn)品進(jìn)入海力士驗(yàn)證，2011

年取得正式訂單，2013

年獲得重復(fù)訂單。進(jìn)入韓國高端設(shè)備市場之后產(chǎn)品陸續(xù)得到國內(nèi)外主流廠商認(rèn)可，2015

年前后成為中芯國際、華虹、長江存儲等廠商

核心供應(yīng)商。2015、2018

年公司先后開發(fā)出

TEBO（時(shí)序能激氣穴震蕩）、Tahoe（單片槽式組合）等全球領(lǐng)先技

術(shù)，在清洗領(lǐng)域地位日趨鞏固。根據(jù)必聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020

年公司清洗設(shè)備在華虹無錫、長江存儲招標(biāo)中份額為國內(nèi)廠

商首位，僅次于全球清洗設(shè)備行業(yè)巨頭

DNS。除了清洗設(shè)備，公司擴(kuò)展多元產(chǎn)品線，2013

年先進(jìn)封裝濕法設(shè)備取得

訂單，2018

年后道電鍍設(shè)備取得訂單，2019

年前道電鍍設(shè)備取得訂單，2020

年立式爐管設(shè)備進(jìn)入市場。2、主營業(yè)務(wù)：以清洗設(shè)備為核心，逐步發(fā)力電鍍、爐管、封裝設(shè)備等多重產(chǎn)品線公司以濕法技術(shù)為核心拓展布局多元產(chǎn)品線，2018

年開始研發(fā)干法技術(shù)。公司產(chǎn)品涉及清洗、電鍍、刻蝕、氧化擴(kuò)

散、涂膠顯影、拋光等多個(gè)工藝步驟。2020

年公司推出立式爐管設(shè)備產(chǎn)品，從濕法工藝延伸至干法工藝。目前公司

產(chǎn)品已經(jīng)形成清洗+電鍍+先進(jìn)封裝+立式爐管等四大產(chǎn)品矩陣。清洗設(shè)備：清洗用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個(gè)步驟中可能存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率

和芯片產(chǎn)品性能。公司的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、SAPS單片清洗設(shè)備、TEBO單片清洗設(shè)備、Tahoe單片

槽式組合清洗設(shè)備、前道刷洗設(shè)備和槽式清洗設(shè)備。電鍍設(shè)備：電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。公司產(chǎn)品包括前道銅

互連電鍍設(shè)備和后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備。先進(jìn)封裝：封裝是指將晶圓上的電路引腳用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便于與其他器件連接，起到固定、密封、保護(hù)

芯片以及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，并且起到內(nèi)部芯片與外部電路的連接作用。公司產(chǎn)品包括濕法刻蝕、涂膠、顯

影、去膠、先進(jìn)封裝刷洗和無應(yīng)力拋光設(shè)備，目前已經(jīng)覆蓋先進(jìn)封裝行業(yè)全部單片濕法設(shè)備。立式爐管設(shè)備：立式爐管設(shè)備可進(jìn)行批次處理晶圓工藝，實(shí)現(xiàn)不同類型的非金屬薄膜在晶圓表面的沉積工藝，主要是

多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。3、股權(quán)結(jié)構(gòu)：盛美上海為美國

ACMR經(jīng)營主體，創(chuàng)始人持股比例較低但投票權(quán)較高盛美上?？毓晒蓶|為美國上市公司美國

ACMR，創(chuàng)始人王暉持有美國

ACMR6.79%普通股持股但卻擁有

44.59%的

投票權(quán)。公司控股股東美國

ACMR持有公司

91.67%的股權(quán)。美國

ACMR于

2017

年在納斯達(dá)克成功上市，作為控

股型公司，未實(shí)際從事實(shí)際經(jīng)營業(yè)務(wù)，主要研發(fā)和生產(chǎn)工作由盛美上海開展。美國

ACMR共有

1937.6

萬股普通股，

其中

A類普通股

1766.8

萬股，B類普通股

170.8

萬股。A類股每股有

1

票投票權(quán)，B類股每股

20

票投票權(quán)。王暉持

有

A類股

0.95%和

B類股

67.17%，合計(jì)持有美國

ACMR的

6.79%普通股和

44.59%投票權(quán)，為盛美上海的實(shí)際控制

人。王暉目前擔(dān)任盛美上海董事長，同時(shí)擔(dān)任美國

ACMR的董事長和

CEO。子公司為公司業(yè)務(wù)提供支持，分別開展銷售、技術(shù)研發(fā)、采購等活動。公司通過盛美韓國和盛美加州建立了全球化的

采購體系；通過香港清芯開展出口銷售業(yè)務(wù)；通過盛美無錫開展部分客戶的售后服務(wù)；公司還通過母公司、盛美韓國、

盛帷上海開展技術(shù)研發(fā)活動。盛奕科技為公司過濾器、冷卻器等原材料的供應(yīng)商，該類原材料目前國內(nèi)只有盛奕科技

等少數(shù)幾家企業(yè)有能力生產(chǎn)，盛奕科技定價(jià)相較海外供應(yīng)商具有優(yōu)勢，降低了公司的采購成本。此外，盛美韓國還在

為公司進(jìn)行半導(dǎo)體專用設(shè)備和零部件的研發(fā)。4、財(cái)務(wù)概況：清洗設(shè)備放量帶動營收持續(xù)增長，新品推出有望打開增長新曲線清洗設(shè)備放量疊加產(chǎn)品升級帶動公司收入連續(xù)多年高增長。2017-2020

年公司營收從

2.54

億元提升至

10.07

億元，

CAGR達(dá)到

58.27%，主要系行業(yè)處于上行周期且國產(chǎn)替代浪潮掀起，公司清洗設(shè)備進(jìn)入長江存儲、中芯國際和華虹

無錫產(chǎn)線，單片清洗設(shè)備銷量從

2017

年的

11

臺提升至

2020

年的

31

臺；同時(shí)公司所銷售的單片清洗設(shè)備從

8

腔切

換至

12

腔，帶動均價(jià)從

2017

年的

1954

萬元提升至

2020

年的

2310

萬元。成熟產(chǎn)品量價(jià)齊升的同時(shí)，公司新產(chǎn)品

如槽式清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備，以及電鍍設(shè)備、立式爐管等在

2018

年之后陸續(xù)進(jìn)入市場，為公司營收提

供新增量。2021

年前三季度公司實(shí)現(xiàn)營收

10.88

億元，同比+78.89%，主要系設(shè)備持續(xù)放量所致。清洗設(shè)備為主要收入來源，2020

年占比

80%以上，且以單片清洗設(shè)備為主。2017-2021H1，清洗設(shè)備營收占比始終

維持在

80%左右或更高的水平，是公司收入的重要來源。2017-2018

年，公司的清洗設(shè)備均為單片設(shè)備，2019

年起，

由于槽式清洗設(shè)備和單片槽式組合清洗設(shè)備的出貨，單片清洗設(shè)備收入占清洗設(shè)備收入比例下滑，但仍維持在

90%

左右，是公司增長的核心驅(qū)動因素。公司毛利率維持在

40%以上，新品推廣和產(chǎn)品銷售結(jié)構(gòu)變動導(dǎo)致毛利率存在小幅波動。綜合來看，2017-2020

年公

司毛利率維持在較高水平，整體保持在

40%以上，處于較高水平。分業(yè)務(wù)來看，1）半導(dǎo)體清洗設(shè)備毛利率穩(wěn)定維持

在

45%高位，一方面清洗設(shè)備為公司成熟產(chǎn)品，與下游客戶合作關(guān)系穩(wěn)定，另一方面公司為中國半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)

的龍頭企業(yè)，具有一定的競爭優(yōu)勢。2）半導(dǎo)體電鍍設(shè)備毛利率波動大，2018

年毛利率偏低，主要由于電鍍設(shè)備為公

司新品，客戶需投入資源驗(yàn)證因而毛利率偏低。2019

年毛利率較高，主要由于產(chǎn)品經(jīng)過客戶驗(yàn)證，且毛利率較高的

前道電鍍設(shè)備銷量提升，帶動電鍍設(shè)備板塊毛利率提升。2020

年毛利率下滑，主要由于該年度公司銷售的主要為毛

利率較低的后道電鍍設(shè)備。3）先進(jìn)濕法封裝設(shè)備毛利率略有波動，2020

年板塊毛利率下降主要由于毛利率較低的刷

洗設(shè)備占比較高，導(dǎo)致板塊毛利率下滑。2017-2019

年隨著經(jīng)營規(guī)模擴(kuò)大，公司期間費(fèi)用率整體呈下滑態(tài)勢。隨著公司生產(chǎn)經(jīng)營規(guī)模的擴(kuò)大和銷售收入的增長

逐年上升，期間費(fèi)用合計(jì)占營業(yè)收入的比重呈持續(xù)下降的趨勢，公司期間費(fèi)用率從

2017

年的

44.17%下降至

2019

年

的

27.85%。2020

年公司財(cái)務(wù)費(fèi)用率上升

3.7pcts，導(dǎo)致期間費(fèi)用率的上升。公司研發(fā)投入全部費(fèi)用化，研發(fā)費(fèi)用率整體保持穩(wěn)定。由于公司產(chǎn)品前期研發(fā)及后期持續(xù)改進(jìn)的投入較大，公司研發(fā)

費(fèi)用逐年增加，2017-2020

年公司研發(fā)費(fèi)用從

0.52

億元上升至

1.41

億元，高額的研發(fā)投入強(qiáng)化了公司的研發(fā)實(shí)力，

有助于鞏固公司行業(yè)地位。2018-2020

年，公司研發(fā)費(fèi)用率維持在

14%左右，2021

年前三季度公司研發(fā)費(fèi)用率上升

至

16.92%，系新產(chǎn)品研發(fā)費(fèi)用增加所致。匯率波動導(dǎo)致

2020

年財(cái)務(wù)費(fèi)用的大幅上升。2020

年公司財(cái)務(wù)費(fèi)用同比增加

0.36

億元，財(cái)務(wù)費(fèi)用率由-0.47%上升至

3.21%，主要系美元兌人民幣匯率大幅下降，公司銷售形成的匯兌損失金額較大所致。公司合同負(fù)債和存貨水平大幅提升，體現(xiàn)在手訂單充足，未來設(shè)備出貨量和營收將有可觀增長。2020

年末公司合同

負(fù)債/存貨金額為

0.86/6.15

億元，2021Q3

末達(dá)到

2.67/11.58

億元，上升

211%/88%，反映公司在手訂單充足，為后

續(xù)業(yè)績增長提供保障。公司產(chǎn)能正穩(wěn)步提升以應(yīng)對下游旺盛需求。根據(jù)美國

ACMR2021Q3

法說會，川沙工廠第二棟樓于

2021Q3

開始生

產(chǎn)。公司正按照產(chǎn)能規(guī)劃發(fā)展，2021

年初公司產(chǎn)能對應(yīng)產(chǎn)值是年化

3.5

億美元，2021

年底預(yù)計(jì)達(dá)到

5

億美元，預(yù)期

到

2022

年底產(chǎn)能的產(chǎn)值提升到

6.25

億美元。5．研發(fā)實(shí)力：核心團(tuán)隊(duì)技術(shù)背景深厚，公司研發(fā)實(shí)力強(qiáng)勁公司核心團(tuán)隊(duì)多具有深厚的技術(shù)背景，技術(shù)研發(fā)人員占比超過

40%，研發(fā)實(shí)力強(qiáng)勁。公司創(chuàng)始人、董事王暉先后就

讀于于清華大學(xué)和日本大阪大學(xué)，后在美國硅谷從事半導(dǎo)體設(shè)備和研發(fā)工藝，1998

年在硅谷創(chuàng)立美國

ACMR；董事

HAIPINGDUN為材料科學(xué)與工程專業(yè)博士，曾任英特爾高級總監(jiān)、虹冠電子總裁及執(zhí)行董事；董事

SUN-HAICHIAO為材料科學(xué)與工程專業(yè)博士，曾任美國圣何塞州立大學(xué)教授、美國

AMI半導(dǎo)體公司研發(fā)部經(jīng)理、中國臺灣茂矽電子企發(fā)

部副總裁。公司當(dāng)前共有員工

702

名，其中技術(shù)研發(fā)人員占比達(dá)到

42.02%，碩士及以上學(xué)歷者達(dá)到

17.66%。公司研發(fā)能力突出，曾參與多項(xiàng)重大研發(fā)項(xiàng)目并有豐富的技術(shù)儲備。截至

2020

年末，公司及控股子公司擁有已獲授

予專利權(quán)的主要專利

298

項(xiàng)，其中境內(nèi)授權(quán)專利

140

項(xiàng)，境外授權(quán)專利

158

項(xiàng)，其中發(fā)明專利共計(jì)

293

項(xiàng)，并獲得

“上海市集成電路先進(jìn)濕法工藝設(shè)備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”稱號；公司是“20-14nm銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“65-45nm銅互連無應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)”等中國“02

專項(xiàng)”重大科研項(xiàng)目的主要課題單位。公司研發(fā)人員占比位高于行業(yè)平均水平，研發(fā)投入占營收比例位于正常水平。2020

年公司研發(fā)人員共計(jì)

228

人，占

總?cè)藬?shù)的

42.07%，僅次于長川科技。公司研發(fā)投入占營業(yè)收入

13.97%，與至純科技、屹唐股份、華峰測控、芯源

微和華海清科等公司相近6、募投計(jì)劃：擬募集

18

億元用于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)能提升和補(bǔ)充流動資金公司本次公開發(fā)行股票的數(shù)量不超過

4335.58

萬股，占公司發(fā)行后總股本比例不低于

10.00%，擬募集

18

億元資金，

扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心、盛美半導(dǎo)體高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動資金。二、全球半導(dǎo)體設(shè)備市場空間持續(xù)擴(kuò)大，設(shè)備國產(chǎn)化空間巨大1、半導(dǎo)體設(shè)備為半導(dǎo)體行業(yè)底層基礎(chǔ)，技術(shù)壁壘和客戶壁壘顯著以集成電路為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，下游應(yīng)用行業(yè)的

需求增長是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的核心驅(qū)動力力。半導(dǎo)體專用設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造

和封裝測試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過來推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，采購的原材料主要為機(jī)器人手臂、兆聲波發(fā)生器、過濾器、

閥門、傳感器等，由于半導(dǎo)體專用設(shè)備具有高精度、高可靠性等特點(diǎn)，對原材料和零部件要求也相應(yīng)較高。半導(dǎo)體專

用設(shè)備行業(yè)的下游主要為晶圓制造和封裝測試等行業(yè)。特別是集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝

升級依托于專用設(shè)備的發(fā)展；下游產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)新產(chǎn)品和新工藝，亦為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘、市場壁壘和客戶壁壘。半導(dǎo)體專用設(shè)備價(jià)值較高、技術(shù)復(fù)雜，對下游客戶的產(chǎn)

品質(zhì)量和生產(chǎn)效率影響較大。半導(dǎo)體行業(yè)客戶對半導(dǎo)體專用設(shè)備的質(zhì)量、技術(shù)參數(shù)、穩(wěn)定性等有嚴(yán)苛的要求，對新設(shè)

備供應(yīng)商的選擇也較為慎重。一般選取行業(yè)內(nèi)具有一定市場口碑和市占率的供應(yīng)商，并對其設(shè)備開展周期較長的驗(yàn)證

流程。通常，半導(dǎo)體行業(yè)客戶要求設(shè)備供應(yīng)商先提供產(chǎn)品供其測試，待通過內(nèi)部驗(yàn)證后納入合格供應(yīng)商名單；部分客

戶尚需將使用該設(shè)備生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品送至其下游客戶處，獲得其客戶認(rèn)可后，才會納入合格供應(yīng)商名單。因此，半

導(dǎo)體專用設(shè)備企業(yè)在客戶驗(yàn)證、開拓市場方面周期較長、難度較大。2、受益于下游晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大代工龍頭產(chǎn)能利用率及資本支出維持較高水平。據(jù)

Gartner預(yù)測，2021

年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)

1419

億美元，同

比增長

28.4%。自

20Q3

全球晶圓廠產(chǎn)能緊張以來，產(chǎn)能利用率基本維持在

100%以上，全球主流晶圓廠均大幅提升2021

年資本支出，TSMC將

2021

年資本支出從

250-280

億美金上修至

300

億美金，UMC也將

2021

年資本支出從

15

億美金上修到

30

億美金，SMIC和華虹

2021

年資本支出分別預(yù)計(jì)達(dá)

43

和

14

億美元。中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模快速增長，21Q2

占比位居全球第一。從

18Q1

到

21Q2，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（季度）

從169.9億美元提升至248.7億美元，中國大陸市場占比從15.54%提升至33.03%，大陸設(shè)備銷售額不斷增加。2020Q2、

Q3、Q4

中國大陸設(shè)備市場規(guī)模位居全球第一。2021

年全球存儲需求復(fù)蘇，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)?？焖贁U(kuò)大，21Q1

韓

國設(shè)備銷售額占比領(lǐng)先全球，但在

21Q2，中國大陸反超韓國，設(shè)備季度出貨金額達(dá)

82.2

億美元，占比全球第一。3、國產(chǎn)設(shè)備廠商季度收入同比增長加速，合同負(fù)債和存貨創(chuàng)歷史新高2020

年以來國內(nèi)設(shè)備廠商季度營收維持同比高增長趨勢，高景氣行情下在手訂單充足。在下游晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)情況

下，國內(nèi)廠商一方面季度營收同比增速不斷加速，一方面存貨和合同負(fù)債不斷增多，反映在手訂單充足。我們統(tǒng)計(jì)北

方華創(chuàng)、中微公司、至純科技、華峰測控和芯源微五家已上市的國內(nèi)主要設(shè)備廠商數(shù)據(jù)，合計(jì)季度營收同比增速在

21Q3

達(dá)到

57.1%，同時(shí)進(jìn)入

2021

年來，五家積極備貨、預(yù)收款大幅增加，截至

21Q3

合同負(fù)債合計(jì)達(dá)

69.8

億元，

存貨合計(jì)達(dá)

116.7億元，分別同比大幅增加

103.2%/62.6%，在手訂單充足反映高景氣行情。4、半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)長期由國外廠商壟斷，國產(chǎn)化發(fā)展進(jìn)程提速半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度高，長期由國外巨頭壟斷。半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘、市場壁壘和客戶認(rèn)知壁

壘，以美國

AppliedMaterial、荷蘭

ASML、美國

LAM、日本

TEL和

DNS、美國

KLA等為代表的國際知名企業(yè)經(jīng)過

多年發(fā)展，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導(dǎo)體專用設(shè)備市場的主要份額。根據(jù)

VLSIResearch統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020

年全球半導(dǎo)體設(shè)備商前五分別為

AMAT、ASML、LAM、TEL和

KLA，CR5

為

65.50%，

而

CR10

達(dá)到

76.60%，行業(yè)集中度高。其中美國

AMAT作為最大的半導(dǎo)體專用設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等

領(lǐng)先全球；日本半導(dǎo)體設(shè)備公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、測試設(shè)備等產(chǎn)品；荷蘭

ASML則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，美國

LAM在刻蝕、清洗、電鍍設(shè)備領(lǐng)域擁有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。中國半導(dǎo)體專用設(shè)備整體國產(chǎn)化率還處于較低的水平。目前中國半導(dǎo)體專用設(shè)備仍主要依賴進(jìn)口。根據(jù)中國電子專用

設(shè)備工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018

年國產(chǎn)半導(dǎo)體專用設(shè)備銷售額為

109

億元，自給率約為

13%，在集成電路制造設(shè)備

領(lǐng)域自給率更低，中國半導(dǎo)體專用設(shè)備公司發(fā)展?jié)摿薮?。清洗設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)度較高，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，當(dāng)前濕法清洗設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到20%，

突破

14nm制程，在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備中走在前列。清洗設(shè)備市場空間較大而技術(shù)門檻低，未來幾年有望率先突破，實(shí)

現(xiàn)全面國產(chǎn)化。三、國內(nèi)清洗設(shè)備核心供應(yīng)商，份額提升和新品導(dǎo)入帶來收入增長空間1、技術(shù)節(jié)點(diǎn)提升帶來清洗工序步驟增加，先進(jìn)制程中單片清洗設(shè)備為主流清洗技術(shù)主要用于去除影響芯片良率和性能的雜質(zhì)。半導(dǎo)體清洗是指針對不同的工藝需求對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗

以去除半導(dǎo)體制造過程中的顆粒、自然氧化層等雜質(zhì)的工序，避免雜質(zhì)影響芯片良率和芯片產(chǎn)品性能。為了保障芯片

的良率及性能，在晶圓制造過程中需將晶圓表面的上述各種污染物控制在工藝要求的范圍之內(nèi)。所有晶圓制造過程都

必須在嚴(yán)格控制的凈化環(huán)境中開展，同時(shí)還需要評估在進(jìn)行每一步工序前晶圓表面特征是否滿足該工序的要求。現(xiàn)階

段，芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷提升，從

55nm、40nm、28nm至

14nm、7nm及以下，對晶圓表面污染物的控制要求越來越

高，往往光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序前后都需要一步清洗工序。根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是針對不同的工藝需求，

采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對晶圓表面進(jìn)行無損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機(jī)物、

金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì)，可同時(shí)采用超聲波、加熱、真空等輔助技術(shù)手段；干法清洗是指不使用化學(xué)

溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的

90%以上。晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，

少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，構(gòu)建清洗方案。未來清洗設(shè)備的濕法工藝與干法工藝仍將并存發(fā)展，均在各自領(lǐng)域內(nèi)向技術(shù)節(jié)點(diǎn)更先進(jìn)、功能多樣化、體積小、效率高、能耗低等方向發(fā)展，在短期內(nèi)濕法工

藝和干法工藝無相互替代的趨勢。濕法清洗工藝下單片清洗設(shè)備市場份額最高，取代槽式成為市場主流。在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備

主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等。其中單片清洗設(shè)備市場份額占

比最高，已逐步取代槽式清洗成為主流，主要由于

1）單片清洗能夠在整個(gè)制造周期提供更好的工藝控制，改善了單

個(gè)晶圓和不同晶圓間的均勻性，提高了產(chǎn)品良率。2）更大尺寸的晶圓和更先進(jìn)的工藝對于雜質(zhì)更敏感，槽式清洗出

現(xiàn)交叉污染的影響會更大，進(jìn)而危及整批晶圓的良率，帶來高成本的芯片返工支出。3）公司推出的單片槽式組合清

洗技術(shù)，可以綜合單片清洗和槽式清洗的優(yōu)點(diǎn)，在提高清洗能力及效率的同時(shí)，減少硫酸的使用量，在幫助客戶降低

成本的同時(shí)，符合國家節(jié)能減排的政策要求。工藝進(jìn)步帶來光刻次數(shù)的增加，進(jìn)而帶動清洗步驟增加，清洗設(shè)備需求量也相應(yīng)提升。隨著晶圓制造工藝不斷向精密

化方向發(fā)展，芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度不斷提高，芯片對雜質(zhì)含量的敏感度也相應(yīng)提高，微小雜質(zhì)將直接影響到芯片產(chǎn)品的

良率。為最大限度地減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，當(dāng)前的芯片制造流程在光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后均設(shè)置了

清洗工序，清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制造工序步驟的

30%以上，是所有芯片制造工藝步驟中占比最大的工序，而

且隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的繼續(xù)進(jìn)步，清洗工序的數(shù)量和重要性將繼續(xù)隨之提升，在實(shí)現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對清洗

設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。2、公司差異化研發(fā)兆聲波、組合式清洗技術(shù)，成為有國際競爭力的清洗設(shè)備供應(yīng)商公司通過差異化創(chuàng)新研發(fā)，不斷縮小與國際巨頭的差距。公司與

AppliedMaterials、LAM、TEL、DNS等同行業(yè)的

國際巨頭公司相比，在市場占有率、知名度以及綜合實(shí)力等方面存在一定的差距，但公司通過差異化的創(chuàng)新和競爭，

成功研發(fā)出全球首創(chuàng)的

SAPS（空間交替相移技術(shù)）/TEBO（時(shí)序能激氣穴震蕩）兆聲波清洗技術(shù)和

Tahoe單片槽式

組合清洗技術(shù)。目前，公司的半導(dǎo)體清洗設(shè)備主要應(yīng)用于

12

英寸的晶圓制造領(lǐng)域的清洗工藝，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備的

適用尺寸方面與國際巨頭公司的類似產(chǎn)品不存在競爭差距。公司的兆聲波清洗技術(shù)、單片槽式組合清洗技術(shù)均在清洗技術(shù)上做出重要突破。1）SAPS兆聲波清洗技術(shù)：解決了能量分布均勻的難題，主要適用于平坦晶圓表面和高深寬比通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)清洗。公司自主研發(fā)的

SAPS兆聲波技術(shù)采用扇形兆聲波發(fā)生器，通過精確匹配晶圓旋轉(zhuǎn)速度、液膜厚度、兆聲波發(fā)生器的

位置、交變位移及能量等關(guān)鍵工藝參數(shù)，在工藝中控制兆聲波發(fā)生器和晶圓之間的半波長范圍的相對運(yùn)動，使晶圓上

每一點(diǎn)在工藝時(shí)間內(nèi)接收到的兆聲波能量都相同，從而很好地控制了兆聲波能量在晶圓表面的均勻分布。此外，公司

基于兆聲波清洗技術(shù)，引入氫氣-功能水工藝，在去離子水中摻入了氫氣、ppm數(shù)量級氨水等特殊氣體的極稀釋清洗

劑，輔以兆聲波在去除小顆粒方面表現(xiàn)優(yōu)異，并且對環(huán)境污染小和材料的損失小。

SAPS兆聲波清洗設(shè)備除了在小顆粒的去除上有良好的效果外，在高深寬比的深孔清洗上也具有一定的技術(shù)優(yōu)勢。在

兆聲波的作用下，晶圓表面的清洗液邊界層厚度變得非常薄，液體可以對流方式以及氣穴震蕩進(jìn)入到深孔的內(nèi)部，形

成攪拌的作用，從而加快清洗化學(xué)成份的交換，提高清洗效率。SAPS技術(shù)可以改善清洗效果，能更好地消除芯片制造期間互連結(jié)構(gòu)中的殘留物和其他隨機(jī)缺陷。

公司的

SAPS技術(shù)目前已應(yīng)用于邏輯

28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及

DRAM19nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并可拓展至邏輯芯片

14nm、DRAM17/16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)、32/64/128

層

3DNAND、高深寬比的功率器件及

TSV深孔清洗應(yīng)用，在

DRAM上有

70

多步應(yīng)

用，而在邏輯電路

FinFET結(jié)構(gòu)清洗中有近

20

步應(yīng)用。2）TEBO兆聲波清洗技術(shù)：解決了兆聲波對圖形片破壞的難題，主要適用于圖形晶圓包括先進(jìn)

3D圖形結(jié)構(gòu)的清洗。公司自主研發(fā)的

TEBO清洗設(shè)備，通過快速（頻率達(dá)到每秒一百萬次）的壓力變化，使得氣泡在受控的溫度下保持尺

寸和形狀振蕩，將氣泡控制在穩(wěn)定震蕩狀態(tài)，而不會內(nèi)爆，從而保持晶圓微結(jié)構(gòu)不被破壞，對晶圓表面圖形結(jié)構(gòu)進(jìn)行

無損傷清洗。公司

TEBO清洗設(shè)備，在器件結(jié)構(gòu)從

2D轉(zhuǎn)換為

3D的技術(shù)轉(zhuǎn)移中，可應(yīng)用于更為精細(xì)的具有

3D結(jié)構(gòu)

的

FinFET、DRAM和新興

3DNAND等產(chǎn)品，以及未來新型納米器件和量子器件等，有助于提高客戶產(chǎn)品良率。

公司正在開發(fā)熱

IPA多區(qū)方法和超臨界二氧化碳兩種干燥技術(shù)，預(yù)計(jì)將于

2022

年上半年推出。將

TEBO與干燥技術(shù)

相結(jié)合，將使

TEBO產(chǎn)品在更先進(jìn)的存儲和邏輯制造上獲得更廣泛的應(yīng)用。TEBO技術(shù)主要針對

45nm及以下圖形晶圓的無損傷清洗，可用于多個(gè)步驟，以實(shí)現(xiàn)有效、無損清洗。目前已應(yīng)用于

邏輯芯片

28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，已進(jìn)行

16-19nmDRAM工藝圖形晶圓的清洗工藝評估，并可拓展至

14nm邏輯芯片及

nm級

3DFinFET結(jié)構(gòu)、高深寬比

DRAM產(chǎn)品及多層堆疊

3DNAND等產(chǎn)品中，在

DRAM上有

70

多步應(yīng)用，而在

邏輯電路

FinFET結(jié)構(gòu)清洗中有

10

多步應(yīng)用。3）Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)：解決了在先進(jìn)制程中減少濃硫酸使用量的難題，主要應(yīng)用于去膠和先進(jìn)清洗。Tahoe清洗設(shè)備在單個(gè)濕法清洗設(shè)備中集成了兩個(gè)模塊：槽式模塊和單片模塊。在槽式模塊中，配有硫酸雙氧水混合

液（SPM）清洗與快速傾卸沖洗（QDR），SPM工藝藥液在獨(dú)立的槽式模塊中被循環(huán)使用。槽式清洗之后，晶圓將

在濕潤狀態(tài)下，被傳至單片模塊，進(jìn)行進(jìn)一步的單片清洗工藝。在單片清洗模塊中進(jìn)行晶圓最終清洗，清洗能力優(yōu)于

傳統(tǒng)槽式清洗設(shè)備，可和單片清洗設(shè)備相媲美，并且相比當(dāng)前主流單片設(shè)備可大幅減少硫酸使用量。

目前已完成邏輯芯片邏輯

40nm及

28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)線驗(yàn)證，并可拓展至

14nm邏輯芯片、20nmDRAM及以上技

術(shù)節(jié)點(diǎn)及

64

層及以上

3DNAND，可用于

20

步及以上的清洗高溫硫酸及高溫磷酸的清洗步驟。3、單片清洗貢獻(xiàn)主要營收，槽式和組合式設(shè)備開始逐步放量公司清洗設(shè)備業(yè)務(wù)進(jìn)入快速成長期。2017-2020

年公司清洗業(yè)務(wù)板塊營收從

2.15

億元上升至

8.16

億元，CAGR達(dá)到

55.99%。營收高增速主要得益于行業(yè)景氣度上行以及公司槽式和組合式新品陸續(xù)進(jìn)入市場，公司清洗設(shè)備產(chǎn)品量價(jià)

齊升，2017-2020

年公司清洗設(shè)備總銷量從

11

臺上升至

35

臺，均價(jià)從

1954

萬元/臺上升至

2332

萬元/臺。21H1

清

洗設(shè)備均價(jià)下滑至

2038

萬元。單片清洗貢獻(xiàn)主要營收，未來槽式和組合式設(shè)備放量有望助力營收進(jìn)一步提升。公司清洗設(shè)備中單片清洗占比在

80%

以上，是當(dāng)前公司清洗設(shè)備業(yè)務(wù)營收的主要來源，2018

年受益于行業(yè)周期和國產(chǎn)替代邏輯，銷量提升，同時(shí)

12

腔（之

前以

8

腔為主）單片清洗設(shè)備占比提升又拉高了單價(jià)。量價(jià)齊升使得公司

2018

年單片清洗設(shè)備收入較

2017

年增長

2.86

億元，同比上升

133.27%，毛利上升

1.27

億元，同比增加

131%。2019

年公司首臺槽式清洗設(shè)備和單片槽式組

合清洗設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)銷售，以及單片清洗設(shè)備收入繼續(xù)保持增長，2019

年清洗設(shè)備營收進(jìn)一步增長，較

2018

年增加

1.24

億元，同比上升

24.75%，毛利上升

0.6

億元，同比增加

27.06%。四、電鍍、爐管、封裝多產(chǎn)品線布局，深耕多年即將迎來加速放量階段1、電鍍設(shè)備：前、后道產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，預(yù)計(jì)

2021

年交付

20

臺半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。隨著芯片制造工藝的進(jìn)步，

芯片內(nèi)的互連線開始從傳統(tǒng)的鋁材料轉(zhuǎn)向銅材料，半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備便被廣泛采用。目前半導(dǎo)體電鍍已經(jīng)不限于銅線的

沉積，還有錫、錫銀合金、鎳、金等金屬，但是金屬銅的沉積依然占據(jù)主導(dǎo)地位。銅導(dǎo)線可以降低互聯(lián)阻抗，降低器

件的功耗和成本，提高芯片的速度、集成度、器件密度等。半導(dǎo)體電鍍設(shè)備在晶圓上沉積一層致密、無孔洞、無縫隙

等其他缺陷，并且分布均勻的銅，再配以氣相沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備等，完成銅互連線工藝。全球半導(dǎo)體電鍍市場相對穩(wěn)定，產(chǎn)能擴(kuò)張背景下有望保持增長。根據(jù)

Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體電鍍市場規(guī)模

在

4-5

億美元左右，其中

2020

年受全球半導(dǎo)體景氣度下行的影響，有所下降。隨著

2021

年整體半導(dǎo)體市場的景氣

度回升，同時(shí)收益于終端需求持續(xù)拉動，半導(dǎo)體晶圓和封測產(chǎn)能持續(xù)緊張。全球半導(dǎo)體巨頭紛紛宣布多項(xiàng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，

未來全球半導(dǎo)體電鍍市場將保持增長。半導(dǎo)體電鍍設(shè)備主要分為前道銅互連電鍍設(shè)備和后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備。前道銅互連電鍍設(shè)備的技術(shù)難度高于后道先

進(jìn)封裝半導(dǎo)體電鍍設(shè)備。全球僅有少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)前道銅互連電鍍設(shè)備。前道電鍍市場壟斷，盛美上海為全球少數(shù)掌握核心技術(shù)并產(chǎn)業(yè)化的公司。在前道晶圓制造的電鍍設(shè)備領(lǐng)域，目前全球

市場主要被

LAM壟斷。除

LAM外，盛美上海是全球范圍內(nèi)少數(shù)幾家掌握芯片銅互連電鍍銅技術(shù)核心專利并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)

化的公司之一。其自主開發(fā)了針對

20-14nm及更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片制造前道銅互連鍍銅技術(shù)（UltraECPmap），

采用多陽極局部電鍍技術(shù)的新型電流控制方法，實(shí)現(xiàn)不同陽極之間毫秒級別的快速切換，在超薄籽晶層上完成無空穴

填充；同時(shí)通過對不同陽極的電流調(diào)整，在無空穴填充后實(shí)現(xiàn)更好的沉積銅膜厚的均勻性。2019

年前道銅互連電鍍

設(shè)備取得華虹集團(tuán)的訂單。后道電鍍市場競爭激烈，公司差異化開發(fā)設(shè)備，提升封裝良率。在后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備領(lǐng)域，市場競爭激烈。全球

范圍內(nèi)的主要設(shè)備商包括美國的

AMAT和

LAM、日本的

Ebara和新加坡的

ASMPacific等；在國內(nèi)企業(yè)中，盛美上

海針對先進(jìn)封裝工藝進(jìn)行差異化開發(fā)，解決了在更大電鍍液流量下實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，通過獨(dú)創(chuàng)的第二陽極控制技

術(shù)，可在工藝配方層面上更好的實(shí)現(xiàn)晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，提高了封裝環(huán)節(jié)的良率。2018

年后道

電鍍設(shè)備取得長電科技訂單。2、先進(jìn)封裝設(shè)備：產(chǎn)品線覆蓋全部濕法設(shè)備領(lǐng)域，2020

年進(jìn)入快速放量期半導(dǎo)體封裝指將晶圓上的電路引腳用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便于與其他器件連接。半導(dǎo)體封裝起到固定、密封、

保護(hù)芯片以及增強(qiáng)電熱性能等方面作用，并且起到內(nèi)部芯片與外部電路的連接作用。先進(jìn)封裝指當(dāng)前較前沿的封裝形

式和技術(shù)。半導(dǎo)體先進(jìn)封裝是芯片制造過程中的后道環(huán)節(jié)，其市場需求與下游芯片應(yīng)用需求密切相關(guān)，在消費(fèi)電子、

物聯(lián)網(wǎng)以及

5G通信等產(chǎn)品需求持續(xù)增長的背景下，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝市場需求未來幾年有望實(shí)現(xiàn)持續(xù)快速增長。后摩爾時(shí)代傳統(tǒng)封測向先進(jìn)封測轉(zhuǎn)型，先進(jìn)封裝市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。根據(jù)

Yole統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2017

年全球先進(jìn)封裝產(chǎn)值

超

200

億美元，占全球封測總產(chǎn)值的

38%左右，預(yù)計(jì)到

2020

年將超

300

億美元，占比

44%。從先進(jìn)封裝增長率來

看，2017

年到

2023

年，整個(gè)半導(dǎo)體封測市場的營收將以

5.2%的復(fù)合增長率增長，其中先進(jìn)封裝市場增長率為

7%，

而傳統(tǒng)封裝市場為

3.3%。先進(jìn)封裝發(fā)展帶動上游先進(jìn)封裝設(shè)備的技術(shù)創(chuàng)新和需求。根據(jù)

Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018-2020

年全球先進(jìn)封裝設(shè)備市

場規(guī)模在不斷萎縮，但預(yù)計(jì)隨著超越摩爾定律時(shí)代到來，傳統(tǒng)封測不斷向先進(jìn)封測轉(zhuǎn)型。預(yù)計(jì)

2021

年全球先進(jìn)封裝設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到正的增長率，并且在

2024

年將超過

24

億美元市場規(guī)模。3、立式爐管設(shè)備：從濕法工藝向干法工藝延伸，進(jìn)一步擴(kuò)展市場空間立式爐是集成電路制造過程中的關(guān)鍵工藝設(shè)備之一，可批式處理晶圓，按照工藝壓力和應(yīng)用可以分為常壓爐和低壓爐

兩類，常壓爐主要完成熱擴(kuò)散摻雜，薄膜氧化，高溫退火；低壓爐主要實(shí)現(xiàn)不同類型的薄膜在晶圓表面的沉積工藝，

主要是多晶硅，氮化硅，氧化硅等薄膜。全球立式爐管設(shè)備市場接近

17

億美元，預(yù)計(jì)

2024

全球爐管設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到

22

億美元。受行業(yè)景氣度等因素影

響，2019、2020

年全球立式爐管設(shè)備市場呈現(xiàn)下行態(tài)勢，從

25

億美元下降至約

17

億美元。未來幾年全球立式爐管

設(shè)備市場有望