電腦主板電子原件詳解講解課件

維修人員培訓(xùn)教程

維修人員培訓(xùn)教程電子元器件的認(rèn)識(shí)電阻（Resistance)1電容(Capacitor)2電感

(Inductor)3晶振(CrystalOscillator)4保險(xiǎn)絲(Fuse)3電子元器件的認(rèn)識(shí)電阻（Resistance)1電容(Capa電子元器件的認(rèn)識(shí)（LCR)MOSFET7主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較8集成電路9三極管(Transistor)6二極管(Diode)5電子元器件的認(rèn)識(shí)（LCR)MOSFET7主板常見場(chǎng)效應(yīng)電阻(Resistor)定義阻止電流通過的電子元件種類定額電阻在生產(chǎn)時(shí)已規(guī)定了電阻的阻值大小可變電阻根據(jù)需要在一定范圍內(nèi)可改變其阻值大小熱敏電阻阻值在生產(chǎn)時(shí)已定額,但會(huì)隨著溫度改變其阻值大小用于溫控電路壓敏電阻電阻對(duì)電壓較敏感，當(dāng)電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí),電阻迅速導(dǎo)通

電阻(Resistor)定義電阻(Resistor)電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示換算單位電阻的單位為歐姆（Ω）倍率單位有：千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等1MΩ=103KΩ=106Ω阻值計(jì)算

1．E-24標(biāo)注方法

E-24標(biāo)注法有兩位有效數(shù)字，精度在±2%（-G），±5%（-J），±10%（-K）

（1）常用電阻標(biāo)注

XXYXX代表底數(shù)，Y代表指數(shù)

例如470=47Ω

103=10kΩ

224=220kΩ

（2）小于10歐姆的電阻的標(biāo)注

用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)

例如1R0=1.0Ω

R20=0.20Ω

5R1=5.1Ω

R007=7.0mΩ

4m7=4.7mΩ電阻(Resistor)電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示電阻(Resistor)2．E-96標(biāo)注方法

E-96標(biāo)注法有三位有效數(shù)字，精度在±1%（-F）

(1)常用電阻標(biāo)注

XXXYXXX代表底數(shù)，Y代表指數(shù)

例如4700=470Ω

1003=100kΩ

2203=220kΩ

(2)小于10歐姆的電阻的標(biāo)注

用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)

例如1R00=1.00Ω

R200=0.200Ω

5R10=5.10Ω

R007=7.00mΩ

4m70=4.70mΩ

(3)E-96MultiplierCode標(biāo)注法

XY

X代表底數(shù)的代碼，具體數(shù)值可從MultiplierCode表中查找

Y代表指數(shù)的代碼，具體數(shù)值也要從MultiplierCode表中查找

例如18A=150Ω

02C=10.2kΩ

排阻(ResistorArray）

串聯(lián)排阻用英文字母“RN“表示.并聯(lián)排阻用英文字母“RP“表示﹒若干個(gè)參數(shù)完全相同的電阻，它們的一個(gè)引腳都連到一起，作為公共引腳。其余引腳正常引出一般來說，最左邊的那個(gè)是公共引腳。它在排阻上一般用一個(gè)色點(diǎn)標(biāo)出來電阻(Resistor)2．E-96標(biāo)注方法

E-9電阻(Resistor)精密電阻表：X=10-1A=100B=101C=102D=103E=104數(shù)字代表值數(shù)字代表值數(shù)字代表值011001112721162021021213022165031051313323169041071413724174051101514025178061131614326182071151714727187081181815028191091211915429196101242015830200電阻(Resistor)精密電阻表：X=10-1A=電阻(Resistor)量測(cè)方法用數(shù)字式萬用表去測(cè)電阻時(shí)，用紅黑表筆接電阻的兩端,用相應(yīng)的歐姆檔去讀取電阻的阻抗大小作用電阻在電路中的主要作用為分流,限流,分壓,偏置,濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等應(yīng)用分流----并聯(lián)電阻,常見于光驅(qū)電路板上限流----例如:主板上用于Reset電路中的上拉電阻分壓----串聯(lián)電阻,常用于3VSB電路中的基準(zhǔn)電路備注電阻大小和主板的Trace和Copper的長(zhǎng)度,寬度和厚度有關(guān)Trace和Copper的長(zhǎng)度越長(zhǎng),寬度越窄和厚度越薄,電阻值越大Trace和Copper的長(zhǎng)度越短,寬度越寬和厚度越厚,電阻值越小當(dāng)電阻一定時(shí),流過Trace的電流越大,Trace上的壓降越大電阻(Resistor)量測(cè)方法電容(Capacitor)定義容納電荷的電子元件種類從工藝上分直立電容(DIP)和貼片電容(SMT)兩種從介質(zhì)上分有陶瓷電容、鉭電容、鋁電解電容三種陶瓷電容-電視機(jī)電路板上常見無極性,容量也很小(PF級(jí))一般可以耐很高的溫度和電壓常用于高頻濾波鉭電容壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴,因含巨毒現(xiàn)已不再使用鋁電解電容-常見包含固態(tài)電容，封裝方式不一樣比貼片式鉭電容更大的容量電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用電容(Capacitor)定義電容(Capacitor)電容在電路中用“C”加數(shù)字表示換算單位電容的單位為法拉（F）倍率單位有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。

1F=103mF

=106uF

=109nF

=1012pF

容抗計(jì)算數(shù)標(biāo)法一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率色環(huán)標(biāo)注法電容容量誤差表

符號(hào)FGJKLM

允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%鉭電容及電解電容有極性焊接時(shí)注意方向

貼片電容

直立電容電容(Capacitor)電容在電路中用“C”加數(shù)字表示電容(Capacitor)量測(cè)方法電解電容判斷電解電容的極性目視量測(cè)先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。電解電容的量測(cè)方法使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可判斷電解電容是否可充電。普通量測(cè)方法在拆卸電容后使用LCRMeter或萬用表紅黑筆棒量測(cè)電容容抗大小電容(Capacitor)量測(cè)方法電容(Capacitor)特性隔直流通交流,儲(chǔ)存電能作用電容是一個(gè)儲(chǔ)能元件,能起到充放電的作用應(yīng)用濾波---主板上的Vcore電路中的電容振蕩---應(yīng)用于早期的中短波收音機(jī)中,因?yàn)檎`差較大,在現(xiàn)在 的應(yīng)用中多被晶振所代替用的很少不超過10個(gè)晶振中有兩個(gè)重要的電容耦合---主板上在CPU附近常用于高頻耦合 主要用在濾波和耦合電容(Capacitor)特性電容(Capacitor)圖示DIP電解電容貼片式陶瓷電容貼片式鉭電容貼片式鋁電解電容OSCON電容電容(Capacitor)圖示電容(Capacitor)OSCON電容-構(gòu)成方式OS-CONOS-CON是采用在固體電解質(zhì)里的高導(dǎo)電性有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）原理，以實(shí)現(xiàn)小型化，大容量以及等效串聯(lián)電阻小，使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。由于等效串聯(lián)電阻極為微小，頻率數(shù)特性出色，所以最適合用于轉(zhuǎn)換電流平滑電容器和清除各種嘈聲的電容器。同時(shí)，與有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）相比較，可以更加體現(xiàn)出它的高導(dǎo)電性能，以及在使用耐熱性高的高分子導(dǎo)電性系列時(shí)也被大力推出,對(duì)于無鉛化以及設(shè)備的高可靠性,長(zhǎng)壽命化都顯示出無可比擬的優(yōu)越性。使用壽命長(zhǎng),即使爆炸也不會(huì)發(fā)生明火等效阻抗小,能量損失少P=1/2*I2*ESR,常用于OEM/ODM機(jī)種Vcore電路上價(jià)格較貴電容(Capacitor)OSCON電容-構(gòu)成方式電容(Capacitor)EL-Cap的組成鋁箔

(AluminumFoil)電解液

(Electrolyte)電解紙(ElectrolyticPaper)導(dǎo)針(Lead)橡膠

(Rubber)膠管(Sleeve)電容(Capacitor)EL-Cap的組成電感(Inductor)定義電流感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)種類空芯電感有芯電感磁芯常用于高頻電感鐵芯常用于低頻電感電感(Inductor)定義電感(Inductor)電感在電路中用“L”加數(shù)字表示量測(cè)方法使用萬用表紅黑筆棒量測(cè)電感,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的使用LCRMeter量測(cè)電感感量作用電感是用線圈制作的,通直流阻交流,它的作用多是扼流濾波和濾除高頻雜波以及振蕩,延遲和陷波等應(yīng)用濾波----Vcore電路中的扼流電感 儲(chǔ)頻器上用于供壓的3V電感耦合----主板上用于USB電路中的4Pin電感電感(Inductor)電感在電路中用“L”加數(shù)字表示保險(xiǎn)絲(Fuse)定義在發(fā)生短路或者過載等故障時(shí)熔斷以切斷電路來保護(hù)受該保險(xiǎn)絲保護(hù)的電氣元件

,也被稱之為熔斷器電路中用“F”加數(shù)字表示種類限流保險(xiǎn)絲----用于過電流保護(hù)(平常說的保險(xiǎn)絲)溫度保險(xiǎn)絲----用于過熱保護(hù)熔斷性自恢復(fù)性量測(cè)方法使用萬用表紅黑筆棒量測(cè)保險(xiǎn)絲,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的快速保險(xiǎn)絲在電路中用“F”加數(shù)字表示作用保險(xiǎn)絲就會(huì)在電流異常升高到一定的高度和一定的時(shí)候，自身熔斷切斷電流，從而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用應(yīng)用主板上KB/MS電路中主板上USB電路中保險(xiǎn)絲(Fuse)定義晶振(CrystalOscillator)定義石英晶體振蕩器,利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件

,常與負(fù)載電容一起組成各類振蕩電路種類普通晶體振蕩（SPXO）電壓控制式晶體振蕩器（VCXO)溫度補(bǔ)償式晶體振蕩（TCXO）恒溫控制式晶體振蕩（OCXO）量測(cè)方法

標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上,用示波器相應(yīng)擋位量測(cè)即可晶振在電路中用“X”加數(shù)字表示作用廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。

應(yīng)用主板上頻率發(fā)生器電路中主板上Audio/LAN電路中

晶振(CrystalOscillator)定義二極管(Diode)晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示

種類齊納二極管(ZenerDiode)常用于調(diào)整電壓,其與整流二極管的差別在于專門選用其逆向崩潰區(qū)肖特基二極管(SchottkyDiode)常用于高頻和高速切換中，因其反向恢復(fù)時(shí)間短管壓降小發(fā)光二極管(Light-EmittingDiode)發(fā)光二極管因所用于制造的材料不同，則其放射光的波長(zhǎng)也不同，顏色自然不同發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)二極管(Diode)晶體二極管二極管(Diode)特性單向?qū)щ娦詰?yīng)用單向?qū)?---在電池電路中的雙二極管穩(wěn)壓----常用于早期的Vcore芯片的供電電路中測(cè)試注意事項(xiàng)建議用數(shù)字式萬用表兩極管檔去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬用表的表筆接法剛好相反

SOT-323雙二極管SOD-323二極管(Diode)特性SOT-323雙二極管SOD-3二極管(Diode)齊納二極管

也稱為穩(wěn)壓二極管,在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示特性擊穿后其兩端的電壓基本保持不變.這樣當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng),或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí),負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變故障特點(diǎn)開路:電源電壓升高短路:電源電壓/大電流變低到零伏或輸出不穩(wěn)定穩(wěn)壓值不穩(wěn)定:電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定二極管(Diode)齊納二極管

也稱為穩(wěn)壓二極管,在電路三極管(Transistor)種類分NPN

和PNP兩種E

(Emitter)發(fā)射極C

(Collector)集電極B

(Base)基極常見Package作用晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用應(yīng)用一般數(shù)字設(shè)計(jì)中,對(duì)晶體管都是工作在Cutoff（截止）及(飽和)Saturation二種State,取代Switch之OFF/ON在Power、Audio等應(yīng)用中,讓晶體管工作在ActiveArea，起放大作用NPNSOT-23PNPSOT-89SOT-23SOT-89TO-252三極管(Transistor)種類NPNSOT-23PNPSMOS管(MOSFET)種類分N溝道型和P溝道型兩種D(Drain)漏極S(Source)源極G(Gate)柵極MOS管(MOSFET)種類MOS管(MOSFET)常見MOSFET封裝PowerMOS的供應(yīng)商APEC:富鼎ANPEC:茂達(dá)INFINEON:英飛凌

NECNIKO:尼克森PowerMOS的P/N&DateCodeTO-252TO-251SOT-23MOS管(MOSFET)常見MOSFET封裝TO-252MOS管(MOSFET)N-MOS9T15N-MOS70T03N-MOS60T03MOS管(MOSFET)N-MOS9T15N-MOS7主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管與主板常見晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,是單極型器件晶體管既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,是雙極型器件有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管與主板常見晶體管的比較MOSFET的量測(cè)(一)判斷N溝道MOSFET的好壞(拆卸MOSFET后量測(cè))1.把MOS從板子上吹下來2.準(zhǔn)備一只萬用表,要求紅黑表頭之間的電壓大于2伏特(因?yàn)閂gs門限電壓一般都是2伏特,只有大于2伏特MOS才能導(dǎo)通）。3.用歐姆檔紅接G,黑接S,正常值是∞。同時(shí)GS被充電.(如果說是歐姆級(jí)的，那么就壞掉了.)4.如果正常,則因?yàn)镚S被充電,所以DS導(dǎo)通,則Vds約等于0V,Rds約等于0歐姆。5.接著用手把G和S捏在一起，進(jìn)行放電。6.然后測(cè)Vds應(yīng)該∞,Rds也應(yīng)該是∞。7.再測(cè)Vsd約0.4V~0.5V.(Vds是紅表頭接d極，黑表頭接s極；Vsd反過來）MOSFET的量測(cè)(一)判斷N溝道MOSFET的好壞(拆卸MOSFET的量測(cè)(二)板上VcoreMOSFET判定方法(不拆卸MOSFET量測(cè))關(guān)于HighSideMOS（上管）量測(cè)MOS管的D極和S極相互阻值,阻值應(yīng)該在50歐姆以上(實(shí)際阻值是在持續(xù)增大的),若情況符合,則認(rèn)為所有highsideMOS均OK,不符則進(jìn)行第2步精確判斷哪顆MOS損壞.量測(cè)MOS管的G極和S極之間的相互阻值,若發(fā)現(xiàn)阻值不是K級(jí)以上(一般通常情況是8.2K，加了一個(gè)),則基本判定該MOS管損壞.關(guān)于LowSideMOS（下管）量測(cè)MOS管的D極和S極相互阻值,阻值應(yīng)該在20歐姆以上(實(shí)際阻值是在持續(xù)增大的),若情況符合,則認(rèn)為所有l(wèi)owsideMOS均OK,不符則進(jìn)行第2步精確判斷哪顆MOS損壞.量測(cè)MOS管的G極和S極之間的相互阻值,若發(fā)現(xiàn)阻值不是K級(jí)以上(一般通常情況是8.2K),則基本判定該MOS管損壞.請(qǐng)?jiān)诹繙y(cè)前(一定不能上電)對(duì)該MOS管放電:分別短路G極與S極,G極與D極,D極和S極各一次(其中以短路G極與S極為主要)MOSFET的量測(cè)(二)板上VcoreMOSFET判集成電路定義：集成電路是指把電路中的半導(dǎo)體器件，電阻，電容及導(dǎo)線制作在一塊半導(dǎo)體基片（芯片）上，并封裝在一個(gè)殼體內(nèi)所構(gòu)成的完整電路。優(yōu)點(diǎn)：集成電路具有重量輕，體積小，功耗低，成本低，可靠性高和工作速度快等優(yōu)點(diǎn)。符號(hào)：集成電路芯片在電路中通常用字母“U”表示。封裝方式：DIP，QFP，PGA，BGA，

CSP，CGALGA，ZIF，SOP，

PFP，TSOP等集成電路集成電路主板上常見的集成電路圖集88E1116網(wǎng)卡3110DriverALC883聲卡ADP3198電源管理芯片集成電路主板上常見的集成電路圖集88E1116網(wǎng)卡3110D集成電路主板上常見的集成電路圖集還有南橋，北橋等BGA芯片75232COM口控制芯片LM324集成運(yùn)算放大電路JMB360外接SATA控制器集成電路主板上常見的集成電路圖集還有南橋，北橋等BGA芯片7電子元件在電路中的作用(一)較高的輸入電壓(+12V）通過扼流電感(Lin)和電容(Cin)加在HighSideMOS上，High-sideMOS在PWM（脈沖寬度調(diào)節(jié)芯片PulseWidthModulation）芯片的控制下導(dǎo)通，電流再流過HighsideMOS，通過輸出電感(Lout)加在負(fù)載上并為輸出電容(Cout)充電(此時(shí)LowsideMOS關(guān)閉).隨后HighSideMOS關(guān)閉，LowsideMOS導(dǎo)通，電感通過LowsideMOS與負(fù)載形成回路。電感是磁性儲(chǔ)能元件，電容通過剛才的充電儲(chǔ)能和電感共同為負(fù)載提供電能(此時(shí)HighSideMOS關(guān)閉).多相設(shè)計(jì)是數(shù)個(gè)單相電路的疊加(并聯(lián)),能提供很高的電流輸出，還能穩(wěn)定輸出電壓和電流強(qiáng)度.電子元件在電路中的作用(一)較高的輸入電壓(+12V）通過扼電子元件在電路中的作用(二）當(dāng)3VSBswitch為L(zhǎng)ow時(shí),S3狀態(tài)下PQ1C極為High,PQ26截止,PQ28導(dǎo)通,3V_Dual使用3VSB電壓當(dāng)3VSBswitch為High時(shí),S0/1狀態(tài)下PQ1C極為L(zhǎng)ow,PQ26導(dǎo)通,PQ28截止,3V_Dual使用3V電壓當(dāng)3VSBswitch為High時(shí),S5狀態(tài)下PQ1C極為L(zhǎng)ow,12V=0,PQ26截止,PQ28截止,3V_Dual為0V電壓電子元件在電路中的作用(二）當(dāng)3VSBswitch為L(zhǎng)ow時(shí)ThankYou!ThankYou!維修人員培訓(xùn)教程

維修人員培訓(xùn)教程電子元器件的認(rèn)識(shí)電阻（Resistance)1電容(Capacitor)2電感

(Inductor)3晶振(CrystalOscillator)4保險(xiǎn)絲(Fuse)3電子元器件的認(rèn)識(shí)電阻（Resistance)1電容(Capa電子元器件的認(rèn)識(shí)（LCR)MOSFET7主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較8集成電路9三極管(Transistor)6二極管(Diode)5電子元器件的認(rèn)識(shí)（LCR)MOSFET7主板常見場(chǎng)效應(yīng)電阻(Resistor)定義阻止電流通過的電子元件種類定額電阻在生產(chǎn)時(shí)已規(guī)定了電阻的阻值大小可變電阻根據(jù)需要在一定范圍內(nèi)可改變其阻值大小熱敏電阻阻值在生產(chǎn)時(shí)已定額,但會(huì)隨著溫度改變其阻值大小用于溫控電路壓敏電阻電阻對(duì)電壓較敏感，當(dāng)電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí),電阻迅速導(dǎo)通

電阻(Resistor)定義電阻(Resistor)電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示換算單位電阻的單位為歐姆（Ω）倍率單位有：千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等1MΩ=103KΩ=106Ω阻值計(jì)算

1．E-24標(biāo)注方法

E-24標(biāo)注法有兩位有效數(shù)字，精度在±2%（-G），±5%（-J），±10%（-K）

（1）常用電阻標(biāo)注

XXYXX代表底數(shù)，Y代表指數(shù)

例如470=47Ω

103=10kΩ

224=220kΩ

（2）小于10歐姆的電阻的標(biāo)注

用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)

例如1R0=1.0Ω

R20=0.20Ω

5R1=5.1Ω

R007=7.0mΩ

4m7=4.7mΩ電阻(Resistor)電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示電阻(Resistor)2．E-96標(biāo)注方法

E-96標(biāo)注法有三位有效數(shù)字，精度在±1%（-F）

(1)常用電阻標(biāo)注

XXXYXXX代表底數(shù)，Y代表指數(shù)

例如4700=470Ω

1003=100kΩ

2203=220kΩ

(2)小于10歐姆的電阻的標(biāo)注

用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)

例如1R00=1.00Ω

R200=0.200Ω

5R10=5.10Ω

R007=7.00mΩ

4m70=4.70mΩ

(3)E-96MultiplierCode標(biāo)注法

XY

X代表底數(shù)的代碼，具體數(shù)值可從MultiplierCode表中查找

Y代表指數(shù)的代碼，具體數(shù)值也要從MultiplierCode表中查找

例如18A=150Ω

02C=10.2kΩ

排阻(ResistorArray）

串聯(lián)排阻用英文字母“RN“表示.并聯(lián)排阻用英文字母“RP“表示﹒若干個(gè)參數(shù)完全相同的電阻，它們的一個(gè)引腳都連到一起，作為公共引腳。其余引腳正常引出一般來說，最左邊的那個(gè)是公共引腳。它在排阻上一般用一個(gè)色點(diǎn)標(biāo)出來電阻(Resistor)2．E-96標(biāo)注方法

E-9電阻(Resistor)精密電阻表：X=10-1A=100B=101C=102D=103E=104數(shù)字代表值數(shù)字代表值數(shù)字代表值011001112721162021021213022165031051313323169041071413724174051101514025178061131614326182071151714727187081181815028191091211915429196101242015830200電阻(Resistor)精密電阻表：X=10-1A=電阻(Resistor)量測(cè)方法用數(shù)字式萬用表去測(cè)電阻時(shí)，用紅黑表筆接電阻的兩端,用相應(yīng)的歐姆檔去讀取電阻的阻抗大小作用電阻在電路中的主要作用為分流,限流,分壓,偏置,濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等應(yīng)用分流----并聯(lián)電阻,常見于光驅(qū)電路板上限流----例如:主板上用于Reset電路中的上拉電阻分壓----串聯(lián)電阻,常用于3VSB電路中的基準(zhǔn)電路備注電阻大小和主板的Trace和Copper的長(zhǎng)度,寬度和厚度有關(guān)Trace和Copper的長(zhǎng)度越長(zhǎng),寬度越窄和厚度越薄,電阻值越大Trace和Copper的長(zhǎng)度越短,寬度越寬和厚度越厚,電阻值越小當(dāng)電阻一定時(shí),流過Trace的電流越大,Trace上的壓降越大電阻(Resistor)量測(cè)方法電容(Capacitor)定義容納電荷的電子元件種類從工藝上分直立電容(DIP)和貼片電容(SMT)兩種從介質(zhì)上分有陶瓷電容、鉭電容、鋁電解電容三種陶瓷電容-電視機(jī)電路板上常見無極性,容量也很小(PF級(jí))一般可以耐很高的溫度和電壓常用于高頻濾波鉭電容壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴,因含巨毒現(xiàn)已不再使用鋁電解電容-常見包含固態(tài)電容，封裝方式不一樣比貼片式鉭電容更大的容量電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用電容(Capacitor)定義電容(Capacitor)電容在電路中用“C”加數(shù)字表示換算單位電容的單位為法拉（F）倍率單位有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。

1F=103mF

=106uF

=109nF

=1012pF

容抗計(jì)算數(shù)標(biāo)法一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率色環(huán)標(biāo)注法電容容量誤差表

符號(hào)FGJKLM

允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%鉭電容及電解電容有極性焊接時(shí)注意方向

貼片電容

直立電容電容(Capacitor)電容在電路中用“C”加數(shù)字表示電容(Capacitor)量測(cè)方法電解電容判斷電解電容的極性目視量測(cè)先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。電解電容的量測(cè)方法使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可判斷電解電容是否可充電。普通量測(cè)方法在拆卸電容后使用LCRMeter或萬用表紅黑筆棒量測(cè)電容容抗大小電容(Capacitor)量測(cè)方法電容(Capacitor)特性隔直流通交流,儲(chǔ)存電能作用電容是一個(gè)儲(chǔ)能元件,能起到充放電的作用應(yīng)用濾波---主板上的Vcore電路中的電容振蕩---應(yīng)用于早期的中短波收音機(jī)中,因?yàn)檎`差較大,在現(xiàn)在 的應(yīng)用中多被晶振所代替用的很少不超過10個(gè)晶振中有兩個(gè)重要的電容耦合---主板上在CPU附近常用于高頻耦合 主要用在濾波和耦合電容(Capacitor)特性電容(Capacitor)圖示DIP電解電容貼片式陶瓷電容貼片式鉭電容貼片式鋁電解電容OSCON電容電容(Capacitor)圖示電容(Capacitor)OSCON電容-構(gòu)成方式OS-CONOS-CON是采用在固體電解質(zhì)里的高導(dǎo)電性有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）原理，以實(shí)現(xiàn)小型化，大容量以及等效串聯(lián)電阻小，使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。由于等效串聯(lián)電阻極為微小，頻率數(shù)特性出色，所以最適合用于轉(zhuǎn)換電流平滑電容器和清除各種嘈聲的電容器。同時(shí)，與有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）相比較，可以更加體現(xiàn)出它的高導(dǎo)電性能，以及在使用耐熱性高的高分子導(dǎo)電性系列時(shí)也被大力推出,對(duì)于無鉛化以及設(shè)備的高可靠性,長(zhǎng)壽命化都顯示出無可比擬的優(yōu)越性。使用壽命長(zhǎng),即使爆炸也不會(huì)發(fā)生明火等效阻抗小,能量損失少P=1/2*I2*ESR,常用于OEM/ODM機(jī)種Vcore電路上價(jià)格較貴電容(Capacitor)OSCON電容-構(gòu)成方式電容(Capacitor)EL-Cap的組成鋁箔

(AluminumFoil)電解液

(Electrolyte)電解紙(ElectrolyticPaper)導(dǎo)針(Lead)橡膠

(Rubber)膠管(Sleeve)電容(Capacitor)EL-Cap的組成電感(Inductor)定義電流感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)種類空芯電感有芯電感磁芯常用于高頻電感鐵芯常用于低頻電感電感(Inductor)定義電感(Inductor)電感在電路中用“L”加數(shù)字表示量測(cè)方法使用萬用表紅黑筆棒量測(cè)電感,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的使用LCRMeter量測(cè)電感感量作用電感是用線圈制作的,通直流阻交流,它的作用多是扼流濾波和濾除高頻雜波以及振蕩,延遲和陷波等應(yīng)用濾波----Vcore電路中的扼流電感 儲(chǔ)頻器上用于供壓的3V電感耦合----主板上用于USB電路中的4Pin電感電感(Inductor)電感在電路中用“L”加數(shù)字表示保險(xiǎn)絲(Fuse)定義在發(fā)生短路或者過載等故障時(shí)熔斷以切斷電路來保護(hù)受該保險(xiǎn)絲保護(hù)的電氣元件

,也被稱之為熔斷器電路中用“F”加數(shù)字表示種類限流保險(xiǎn)絲----用于過電流保護(hù)(平常說的保險(xiǎn)絲)溫度保險(xiǎn)絲----用于過熱保護(hù)熔斷性自恢復(fù)性量測(cè)方法使用萬用表紅黑筆棒量測(cè)保險(xiǎn)絲,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的快速保險(xiǎn)絲在電路中用“F”加數(shù)字表示作用保險(xiǎn)絲就會(huì)在電流異常升高到一定的高度和一定的時(shí)候，自身熔斷切斷電流，從而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用應(yīng)用主板上KB/MS電路中主板上USB電路中保險(xiǎn)絲(Fuse)定義晶振(CrystalOscillator)定義石英晶體振蕩器,利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件

,常與負(fù)載電容一起組成各類振蕩電路種類普通晶體振蕩（SPXO）電壓控制式晶體振蕩器（VCXO)溫度補(bǔ)償式晶體振蕩（TCXO）恒溫控制式晶體振蕩（OCXO）量測(cè)方法

標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上,用示波器相應(yīng)擋位量測(cè)即可晶振在電路中用“X”加數(shù)字表示作用廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。

應(yīng)用主板上頻率發(fā)生器電路中主板上Audio/LAN電路中

晶振(CrystalOscillator)定義二極管(Diode)晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示

種類齊納二極管(ZenerDiode)常用于調(diào)整電壓,其與整流二極管的差別在于專門選用其逆向崩潰區(qū)肖特基二極管(SchottkyDiode)常用于高頻和高速切換中，因其反向恢復(fù)時(shí)間短管壓降小發(fā)光二極管(Light-EmittingDiode)發(fā)光二極管因所用于制造的材料不同，則其放射光的波長(zhǎng)也不同，顏色自然不同發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)二極管(Diode)晶體二極管二極管(Diode)特性單向?qū)щ娦詰?yīng)用單向?qū)?---在電池電路中的雙二極管穩(wěn)壓----常用于早期的Vcore芯片的供電電路中測(cè)試注意事項(xiàng)建議用數(shù)字式萬用表兩極管檔去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反

SOT-323雙二極管SOD-323二極管(Diode)特性SOT-323雙二極管SOD-3二極管(Diode)齊納二極管

也稱為穩(wěn)壓二極管,在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示特性擊穿后其兩端的電壓基本保持不變.這樣當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng),或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí),負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變故障特點(diǎn)開路:電源電壓升高短路:電源電壓/大電流變低到零伏或輸出不穩(wěn)定穩(wěn)壓值不穩(wěn)定:電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定二極管(Diode)齊納二極管

也稱為穩(wěn)壓二極管,在電路三極管(Transistor)種類分NPN

和PNP兩種E

(Emitter)發(fā)射極C

(Collector)集電極B

(Base)基極常見Package作用晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用應(yīng)用一般數(shù)字設(shè)計(jì)中,對(duì)晶體管都是工作在Cutoff（截止）及(飽和)Saturation二種State,取代Switch之OFF/ON在Power、Audio等應(yīng)用中,讓晶體管工作在ActiveArea，起放大作用NPNSOT-23PNPSOT-89SOT-23SOT-89TO-252三極管(Transistor)種類NPNSOT-23PNPSMOS管(MOSFET)種類分N溝道型和P溝道型兩種D(Drain)漏極S(Source)源極G(Gate)柵極MOS管(MOSFET)種類MOS管(MOSFET)常見MOSFET封裝PowerMOS的供應(yīng)商APEC:富鼎ANPEC:茂達(dá)INFINEON:英飛凌

NECNIKO:尼克森PowerMOS的P/N&DateCodeTO-252TO-251SOT-23MOS管(MOSFET)常見MOSFET封裝TO-252MOS管(MOSFET)N-MOS9T15N-MOS70T03N-MOS60T03MOS管(MOSFET)N-MOS9T15N-MOS7主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管與主板常見晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,是單極型器件晶體管既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,是雙極型器件有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用主板常見場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管與主板常見晶體管的比較MOSFET的量測(cè)(一)判斷N溝道MOSFET的好壞(拆卸MOSFET后量測(cè))1.把MOS從板子上吹下來2.準(zhǔn)備一只萬用表,要求紅黑表頭之間的電壓大于2伏特(因?yàn)閂gs門限電壓一般都是2伏特,只有大于2伏特MOS才能導(dǎo)通）。3.用歐姆檔紅接G,黑接S,正常值是∞。同時(shí)GS被充電.(如果說是歐姆級(jí)的，那么就壞掉了.)4.如果正常,則因?yàn)镚S被充電,所以DS導(dǎo)通,則Vds約等于0V,Rds約等于0歐姆。5.接著用手把G和S捏在一起，進(jìn)行放電。6.然后測(cè)Vds應(yīng)該∞,Rds也應(yīng)該是∞。7.再測(cè)Vsd約0.4V~0.5V.(Vds是紅表頭接d極，黑表頭接s極；Vsd反過來