新生培訓(xùn)-半導(dǎo)體物理-第七講場效應(yīng)晶體管7pn結(jié)

本次課內(nèi)容第7章pn結(jié)(無處不在)7．1pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu)7．2零偏7．3反偏*7．4非均勻摻雜pn結(jié)7．5小結(jié)7.1pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu)冶金結(jié)＿P區(qū)和n區(qū)的交界面突變結(jié)線性緩變結(jié)超突變結(jié)突變結(jié)＿均勻分布，交界處突變7.1pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu)空間電荷區(qū)＝耗盡區(qū)（沒有可自由移動(dòng)的凈電荷，高阻區(qū)）PN結(jié)的形成7.2零偏7.2.1內(nèi)建電勢差pn結(jié)能帶圖內(nèi)建電勢差本章開始Nd,Na分別指n區(qū)和p區(qū)內(nèi)的凈施主和受主雜質(zhì)?。?！7.2零偏7.2.1內(nèi)建電勢差7.2零偏7.2.2電場強(qiáng)度半導(dǎo)體內(nèi)的電場由泊松方程確定：電場表達(dá)式：電荷密度耗盡近似：7.2零偏7.2.2電場強(qiáng)度對n區(qū)和p區(qū)電場函數(shù)積分可得相應(yīng)的電勢表達(dá)式：7.2零偏7.2.3空間電荷區(qū)寬度n區(qū)和p區(qū)的空間電荷區(qū)寬度：7.3反偏7.3.1空間電荷區(qū)寬度與電場反偏與內(nèi)建電場方向相同EF不再統(tǒng)一7.3反偏7.3.1空間電荷區(qū)寬度與電場V=Vbi+VR7.3反偏7.3.1空間電荷區(qū)寬度與電場X=0處7.3反偏7.3.2結(jié)電容勢壘電容單位面積電容7.3反偏7.3.2結(jié)電容勢壘電容7.3反偏7.3.3單邊突變結(jié)Na>>Nd時(shí)，這種結(jié)稱為P+n結(jié)?？臻g電荷區(qū)寬度：7.3反偏7.3.3單邊突變結(jié)7.4非均勻摻雜pn結(jié)線形緩變結(jié)x=x’處a為凈雜質(zhì)濃度梯度；7.4非均勻摻雜pn結(jié)線形緩變結(jié)7.4非均勻摻雜pn結(jié)超突變結(jié)X>0處的歸一化n型摻雜濃度為：線形緩變結(jié)

超突變結(jié)外延（內(nèi)重?fù)诫s，外輕摻雜）

均勻摻雜結(jié)7.4非均勻摻雜pn結(jié)超突變結(jié)的電容表達(dá)式勢壘電容很大程度上取決于反偏電壓的大小。超突變結(jié)的應(yīng)用舉例：LC電路LC電路的共振頻率：電路應(yīng)用中要求fr是反偏電壓的線性函數(shù)，則：7.5小結(jié)均勻摻雜pn結(jié)?？臻g電荷區(qū)?？臻g電荷區(qū)內(nèi)的電場?？臻g電荷區(qū)內(nèi)的電勢差。外加偏置條件下空間電荷區(qū)寬度、內(nèi)建電勢差、勢壘電容、場強(qiáng)的變化。線性緩變結(jié)的電場、內(nèi)建電勢差、勢壘電容的表達(dá)式。特定的摻雜曲線可以用來實(shí)現(xiàn)特定的電容