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文檔簡介

試卷三

A

B

A

A

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試卷二

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寫在題干后的( )內(nèi)。每小題

(1)雜質(zhì)半導體中的少數(shù)載流子濃度取決于( A.摻雜濃度 B.工藝 (2)硅穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時,工作于( A.正向?qū)顟B(tài) (3)測得一放大電路中的三極管各電極相對于“地”的電壓如圖

A.NPN

B.NPN

C.PNP

D.PNP

(4)溫度上升時,半導體三級管的( )。A.β和

C.β減小,I

D.β、I

/

(5)在共射極、共基極、共集電極、共漏極四種基本放大電路中,u

︱A

的只可能是( A.共集電極放大電路 C.共漏極放大電路 )。A.電壓并聯(lián)負反饋 C.電流并聯(lián)負反饋 (7)關(guān)于多級放大電路下列說法中錯誤的是( A.A

C.R。等于輸出級的輸出電阻 D.A

B.

A.24V D.-18V

+

TR

+

u

u

+o(圖

(10)在下列四種比較器中.抗干擾能力強的是( A.遲滯比較器 B.零比較器 C.三態(tài)比較器D.窗口比較器

/

,RL,V,,RL,V,

3.分析計算題(共

R,

R,

R,

RE,

R=99be=1

K

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R

R

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滑動端調(diào)至最上端時,

o

W

W

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V

V Vu

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V

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約為(

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B. ,

A )。A. B.

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V

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V

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V

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E

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L

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V bb)可能振蕩,為電容三點式正弦波振蕩電路。振蕩頻率為

L

C

L

C

CoCC

.

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