提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)器件設計和制造能力

提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)器件設計和制造能力培育優(yōu)勢主體，拉動產(chǎn)業(yè)整體規(guī)?？焖贁U大1、壯大龍頭企業(yè)加大對重點企業(yè)的關(guān)注和扶持力度，實行一企一策，協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關(guān)鍵制約點。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點項目納入山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫，充分利用好新舊動能轉(zhuǎn)換政策，進行重點扶持；圍繞SiC、GaN等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，培育壯大細分行業(yè)領軍企業(yè)。2、融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)強化需求牽引的作用，從應用端需求入手，加強從材料、芯片、器件到模塊應用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強省內(nèi)省外行業(yè)對接合作，精準招引、實施補鏈、延鏈、強鏈項目。沿鏈分批打造規(guī)模大、技術(shù)強、品牌響的領航型企業(yè)，培育細分領域的專精特新企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的穩(wěn)定性和競爭力。堅持全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，提升產(chǎn)業(yè)整體競爭能力以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的SiC、GaN材料為切入點，迅速做大第三代半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封裝、設備和應用等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)，加強產(chǎn)學研聯(lián)合，以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動第三代半導體在電力電子、微波電子和半導體照明等領域的應用，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。1、提升材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力加速推進大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術(shù)，突破SiC、GaN材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關(guān)鍵技術(shù)，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關(guān)鍵核心技術(shù)，提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術(shù)的支持力度，補足第三代半導體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動Ga2O3等新一代超寬禁帶半導體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。2、提升器件設計和制造能力搭建第三代半導體研發(fā)、仿真設計平臺，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設計產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應用和GaN功率器件的消費類快充及工業(yè)類電源市場，促進產(chǎn)學研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導器件設計企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微型發(fā)光二極管（Micro-LED）、高端傳感器、以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺建設。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設項目，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關(guān)鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達到國際先進水平。3、提升封測技術(shù)和供給能力重點開發(fā)基于第三代半導體的功率和電源管理芯片的封裝材料，解決高功率、高密度大芯片的封裝可靠性技術(shù)問題，積極引進先進封測生產(chǎn)線和技術(shù)研發(fā)中心，推動高端封裝測試工藝技術(shù)裝備的研制和生產(chǎn)效率的提升，提高產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。4、提升關(guān)鍵裝備支撐能力布局生長、切片、拋光、外延等核心技術(shù)裝備，突破核心共性關(guān)鍵技術(shù)，通過關(guān)鍵設備牽引，實現(xiàn)分段工藝局部成套。突破SiC晶體可控生長環(huán)境精準檢測與控制技術(shù)、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術(shù)，研制SiC單晶智能化生長裝備并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。提升清洗、研磨、切割等設備的生產(chǎn)能力以及設備的精度和穩(wěn)定性。指導思想以推動第三代半導體高質(zhì)量發(fā)展為主線，以應用牽引、技術(shù)驅(qū)動、協(xié)同創(chuàng)新、綠色發(fā)展為途徑，以骨干企業(yè)為龍頭，以重點產(chǎn)品為依托，以重大項目為抓手，優(yōu)化第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，著力發(fā)展以SiC、GaN為主的第三代半導體材料、器件、模組及系統(tǒng)應用等。加快補短板、鍛長板，提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體競爭力，為推動全省新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，培育壯大現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系提供有力支撐。基本原則1、優(yōu)化布局、協(xié)同發(fā)展統(tǒng)籌全省產(chǎn)業(yè)布局，支持濟南、青島、淄博、濰坊、濟寧等市先行先試，指導有條件的市做好產(chǎn)業(yè)配套，集中優(yōu)勢資源支持第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)突破、重點產(chǎn)品發(fā)展和重大項目建設，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。2、龍頭帶動、鏈式發(fā)展不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，延伸完善產(chǎn)業(yè)鏈條，發(fā)揮龍頭企業(yè)引領支撐作用，補齊產(chǎn)業(yè)鏈缺失環(huán)節(jié)，促進晶體材料—芯片及器件制造—模塊及系統(tǒng)應用全產(chǎn)業(yè)鏈集聚發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群。3、技術(shù)驅(qū)動、創(chuàng)新發(fā)展以新基建為重要抓手，主動承擔國家科技重大專項和重大工程，不斷突破共性關(guān)鍵技術(shù)和重大產(chǎn)品研發(fā)，加強對產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)、核心技術(shù)掌控，提升產(chǎn)業(yè)核心競爭力。4、應用導向、融合發(fā)展以市場為導向，以應用為牽引，推動技術(shù)集成、產(chǎn)品應用、商業(yè)模式創(chuàng)新，強化第三代半導體企業(yè)、系統(tǒng)方案提供商與系統(tǒng)整機企業(yè)交流與合作，推進第三代半導體技術(shù)研發(fā)與應用，帶動全省電子信息產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展。發(fā)展目標到2025年，我省第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈鏈條完善，關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控，保持第三代半導體關(guān)鍵材料市場領先地位。培育壯大產(chǎn)業(yè)帶動能力強的鏈主企業(yè)，提升芯片和器件設計能力，擴大應用場景，實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展，打造百億級國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)高地。創(chuàng)新能力顯著增強，引進并培養(yǎng)一批高端人才，壯大人才隊伍，建成第三代半導體國家地方聯(lián)合工程研究中心、產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新中心、國家博士后科研工作站和院士工作站，搭建國際先進的第三代半導體公共研發(fā)、檢測和服務平臺，突破新材料、工藝裝備和芯片設計等核心關(guān)鍵技術(shù)，推動全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升。產(chǎn)業(yè)鏈條持續(xù)完善，補齊產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，努力打造國內(nèi)領先、國際先進的產(chǎn)業(yè)集群，提升產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展能力，形成結(jié)構(gòu)合理、生態(tài)良好的第三代半導體產(chǎn)業(yè)體系。市場主體培育壯大，大力發(fā)展掌握核心技術(shù)、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè)，帶動發(fā)展掌握核心關(guān)鍵技術(shù)的特色企業(yè)，夯實第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基。產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖偬嵘プ⌒履茉雌?、汽車電子、5G應用、雙碳減排等新應用的市場機會，迅速做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。到2025年，第三代半導體材料、芯片、器件、模塊、應用等產(chǎn)值達到300億元。提升器件設計和制造能力搭建第三代半導體研發(fā)、仿真設計平臺，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設計產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應用和GaN功率器件的消費類快充及工業(yè)類電源市場，促進產(chǎn)學研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導器件設計企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）