集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)EDA講座j

集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)

概述

JianFang

ICDesignCenter,UESTC第1頁(yè)，共33頁(yè)。IC常用術(shù)語(yǔ)園片：硅片芯片(Chip,Die)：6、8：硅（園）片直徑：1

＝25.4mm6150mm;8200mm;12300mm;亞微米<1m的設(shè)計(jì)規(guī)范深亞微米<=0.5m的設(shè)計(jì)規(guī)范0.5m、0.35m－設(shè)計(jì)規(guī)范（最小特征尺寸）布線層數(shù)：金屬（摻雜多晶硅）連線的層數(shù)。集成度：每個(gè)芯片上集成的晶體管數(shù)第2頁(yè)，共33頁(yè)。IC工藝常用術(shù)語(yǔ)凈化級(jí)別：Class1,Class10,Class10,000每立方米空氣中含灰塵的個(gè)數(shù)去離子水氧化擴(kuò)散注入光刻…………….第3頁(yè)，共33頁(yè)。集成電路（IntegratedCircuit,IC）：半導(dǎo)體IC，膜IC，混合IC半導(dǎo)體IC：指用半導(dǎo)體工藝把電路中的有源器件、無(wú)源元件及互聯(lián)布線等以相互不可分離的狀態(tài)制作在半導(dǎo)體上，最后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的、具有特定功能的電路。半導(dǎo)體IC雙極ICMOSICBiCMOSPMOSICCMOSICNMOSIC第4頁(yè)，共33頁(yè)。MOSIC及工藝MOSFET—MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor.—金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Si金屬氧化物（絕緣層、SiO2）半導(dǎo)體MOS(MIS)結(jié)構(gòu)第5頁(yè)，共33頁(yè)。P－襯底n+n+漏源柵柵氧化層氧化層溝道GDSVTVGSIDVDS>0反型層溝道源（Source）S漏（Drain）D柵（Gate）G柵氧化層厚度：50埃－1000埃（5nm－100nm）VT－閾值電壓電壓控制N溝MOS（NMOS）

P型襯底，受主雜質(zhì)；柵上加正電壓，表面吸引電子，反型，電子通道；漏加正電壓，電子從源區(qū)經(jīng)N溝道到達(dá)漏區(qū)，器件開通。第6頁(yè)，共33頁(yè)。N－襯底p+p+漏源柵柵氧化層場(chǎng)氧化層溝道P溝MOS（PMOS）GDSVTVGSID+-VDS<0

N型襯底，施主雜質(zhì)，電子導(dǎo)電；柵上加負(fù)電壓，表面吸引空穴，反型，空穴通道；漏加負(fù)電壓，空穴從源區(qū)經(jīng)P溝道到達(dá)漏區(qū)，器件開通。第7頁(yè)，共33頁(yè)。CMOSCMOS：ComplementarySymmetryMetalOxideSemiconductor互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體－特點(diǎn)：低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS傳輸門第8頁(yè)，共33頁(yè)。N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面圖CMOS倒相器版圖第9頁(yè)，共33頁(yè)。pwellactivepolyN+implantP+implantomicontactmetalANMOSExample第10頁(yè)，共33頁(yè)。pwellPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal第11頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2光刻膠光MASKPwell第12頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2光刻膠光刻膠MASKPwell第13頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2光刻膠光刻膠SiO2第14頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2SiO2Pwell第15頁(yè)，共33頁(yè)。pwellactivePwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal第16頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2光刻膠MASKactiveMASKActiveSi3N4第17頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠MASKactiveMASKActiveSi3N4第18頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2光刻膠光刻膠Si3N4第19頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧PwellSi3N4第20頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2Pwell場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell第21頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly第22頁(yè)，共33頁(yè)。activepwellpolyPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal第23頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly光刻膠第24頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell光刻膠poly第25頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly第26頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly第27頁(yè)，共33頁(yè)。activepwellpolyN+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal第28頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2MASKN+場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly光刻膠第29頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwell光刻膠polyN+implantS/D第30頁(yè)，共33頁(yè)。activepwellpolyP+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal第31頁(yè)，共33頁(yè)。N－typeSiSiO2PwellSiO2MASKN+場(chǎng)氧場(chǎng)氧場(chǎng)氧Pwellpoly光刻膠光S/D第32頁(yè)，共33頁(yè)。內(nèi)容梗概集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)

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JianFang

ICDesignCenter,UESTC。集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)

概述

JianFang

ICDesignCenter,UESTC。6、8：硅（園）片直徑：1＝25.4mm。0.5m、0.35m－設(shè)計(jì)規(guī)范（最小特征尺寸）。凈化級(jí)別：Class1,Class10,Class10,000。集成電路（IntegratedCircuit,IC）：半導(dǎo)體IC，膜IC，混合IC。半導(dǎo)體IC：指用半導(dǎo)體工藝把電路中的有源器件、無(wú)源元件及互聯(lián)布線等以相互不可分離的狀態(tài)制作在半導(dǎo)體上，最后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，構(gòu)成一個(gè)完整的、具有特定功能的電路。MOSIC及工藝。MOSFET—Meta