技術(shù)課程產(chǎn)品介紹及tft-lcd制程簡介

TFT-LCD產(chǎn)品及制程介紹課程目標(biāo)了解TFT

LCD產(chǎn)品輪廓建立TFT

LCD工藝流程概念TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹新技術(shù)介紹

TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹產(chǎn)品特性尺寸多樣輕薄全平面無輻射節(jié)能高分辨率TFT-LCD產(chǎn)品特性HD:1366×RGB×768；FHD：1920×RGB×1080；UD：3840×RGB×2160LCD結(jié)構(gòu)組成液晶面板產(chǎn)業(yè)帶動龐大的上、下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展From

Display

Search由市調(diào)機構(gòu)的資料來看,LCDTV在產(chǎn)值與數(shù)量有10%以上的增長率不同類別應(yīng)用于增長率家中客廳一臺LCDTV僅是基本需求,廚房、臥室、浴室的需求也漸漸被開發(fā)出來顯示器無處不在特殊應(yīng)用介紹液晶面板廠的世代2260mmG3.5620×750mm14.1”

×6G4680×880mm15”

×6G51100×1300mm27”

×6G5.51300×1500mm32”

×6G7.5

1950×2250mm47”

×6G8.5

2200×25000mm55”

×6G8.532”

×18液晶面板廠房介紹305米75米430米華星光電t2廠房為目前國內(nèi)單體面積最大高科技電子廠房270米t2t1TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹光的偏振自然光： 、電燈等普通光源發(fā)出的光，包含著垂直于 方向上沿一切方向振動的光，而且沿著各個方向振動的光波的強度都相同。偏振光：只沿著某個特定方向振動的光。偏光片：每個偏光片都有一個特定的方向，只有沿著這個方向振動的光波才能通過偏光片，這個方向叫做“透振方向”。偏光片對光波的作用就象“狹縫”對機械波的作用一樣。明明暗圖一圖二用機械波模擬光波：光的偏振與液晶暗光學(xué)顯微鏡

的液晶固體結(jié)晶液晶液體晶體：有光軸，不能隨器成形，光軸不能隨空間連續(xù)變化。液晶：有光軸，可以隨器成形，光軸可以隨空間連續(xù)變化。液體：沒有光軸，可以隨器成形。液晶及液晶的光學(xué)特性一種液晶分子結(jié)構(gòu)液晶的等效模型液晶具有雙折射特性：平行液晶長軸方向前進，光的偏振方向不變垂直液晶長軸方向前進，光的偏振方向改變最大液晶的電學(xué)特性用正型液晶用負(fù)型液晶Δε>0,正型液晶Δε<0,負(fù)型液晶TN

mode:未加電壓時，液晶平躺；外加電壓時，液晶像直立方向旋轉(zhuǎn)VA

mode:未加電壓時，液晶直立；外加電壓時，液晶往平躺方向旋轉(zhuǎn)液晶的顯示原理外加電壓的光的亮度隨外加電壓而改變-------++++++液晶顯示原理：電壓→電場→液晶旋轉(zhuǎn)→穿過液晶的光偏振方向改變→光率改變→灰階變化模塊組成要素背光源 (Back

Light)偏光片

(Polarizer)陣列、彩膜玻璃+液晶

(Cell)(Driver

IC)驅(qū)動其他零件TFT-LCD的組成認(rèn)識TFTGate電極glassGate絕緣層:SiNx半導(dǎo)體層:a-Si歐姆接觸層：N+

a-SiSource電極絕緣保護層:SiNxDrain電極ITOTFT開關(guān)原理：—TFT開關(guān)原理：Gate加正電壓：半導(dǎo)體Si中的電子被吸引到Gate絕緣層表面，形成導(dǎo)電溝道，Source和Drain導(dǎo)通，TFT打開Gate加負(fù)電壓：

Gate絕緣層表面的電子遭到排斥，導(dǎo)電溝道 ，電子無法從Source電極流到Drain電極，TFT關(guān)閉TFT轉(zhuǎn)移特性曲線（IV

curve）：單一像素結(jié)構(gòu)漏極(Drain)源極(Source)水廠柵極(Gate)水龍頭開關(guān)決定水是否可流過亦可決定水的流量大小B’電容?透明電極每個像素皆有獨立的開關(guān)元件(TFT)與 電容(Cst)及像素透明電極(Pixel

Electrode)像素原理像素陣列電路示意圖Gate功能:擔(dān)任開與關(guān)的功能Data功能:負(fù)責(zé)將畫面訊號送入像素中Gate

VoltagePixel

Electrode像素電極Data

VoltageCst

:電容陣列電路TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹Array陣列Thin-Film

TransistorCell成盒Liquid

CrystalLCM模組ModuleCF彩膜Color

FilterLCD制程TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹毛刷與洗劑進行玻璃的目前業(yè)界量產(chǎn)有5道光罩與4道光罩5

Mask

:

M1(Gate)

–

IN

–

M2(S/D)

–

PV

-ITOArray制程——主要工序Thinfilm成膜Photo-photo-resist

coating光阻涂布Photo

–

exposurePhoto

–development顯影Etching蝕刻Stripper光阻剝離Array制程——主要工序GlassGlassGate

MetalDepositionGate

PatterningSiNx

Depositioni

a-Si

Depositionn+

a-Si

DepositionActivePatterningData

Metal

DepositionData

Metal

Patterningn+

a-Si

EtchSiNx

DepositionVia

Hole

PatterningITO

DepositionPixel

PatterningPixelDataPassivation

SiNxn+

a-Sii

a-SiGateinsulatorSiNxGateVia

holeTFT

Process

&

Structure-5MASKULVACAKTPVD

(Physical

Vapor

Deposition)機臺layout進行轟擊，濺射出靶原子，而轉(zhuǎn)移至玻璃基濺鍍(sputtering)利用電漿中的Ar離子，對板之上。陽極(+)靶材玻璃基板Ar+電漿Ar

氣體陰極(-)真空濺鍍腔物理氣相沉積-濺鍍PVD

(Physical

Vapor

Deposition)介紹CVD系統(tǒng)構(gòu)成Load

lock:

Load

lock

是大氣/真空過渡的腔體Process

ChamberTransfer

ChamberInOutPECVD(Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition)介紹等離子體增強式化學(xué)氣相沈積Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition通過高頻交流電源提供高頻振蕩電子，增加電子和氣體分子的碰撞幾率，從而增大氣體解離的效能，提高反應(yīng)離子的濃度，提高成膜速度何謂PECVDPECVD(Plasma

Enhanced

Chemical

Vapor

Deposition)介紹刻號&邊緣顯影硬烤脫水烘干&HMDS上光阻→低壓干燥→軟烤→在涂膠之后顯影之前對已經(jīng)涂敷好的PR膠中的溶劑和水分進行烘干，并且加強PR此時與玻璃基板的附著力除去在基板顯影之后PR形成的Pattern圖形中的溶劑和水分，強化玻璃基板與PR膠之間的黏著性瞬間造成的真空狀態(tài)可以去除玻璃基板上多余的有機氣體，及雜質(zhì)一并被真空吸走更可以讓光阻平均的遍布于基板上在單元之后對玻璃基板進行烘干使表面水分除去，以進一步提高玻璃基板與PR膠的附著Photo介紹光源Mask透鏡（折射或者反射）PR：光刻膠

Film

(metal

etc)GlassObjectLensFilm目前常用的比例為1：1光線透過mask后投射到PR上，通過PR上發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)而形成圖案?；錚Rcoatingexposuredevelopetch灰化Photo介紹涂布技術(shù)Spin

Coating(六代以上不采用）HMDS涂覆光刻膠密著性提高利用Thinner把不要的光刻膠除去端面Soft

ｂake揮發(fā)掉ＰR中的溶劑成分排氣減壓干燥降低基板支持Ｐｉｎ痕Mura，提高端面清洗效果Slit

CoatingHMDS：六甲基二硅胺烷英文縮寫Coater

Nozzle距基板110umPhoto介紹PRWet

Etch等向性蝕刻(Isotropic

Etch)Dry

Etch非等向性蝕刻(Anti-istrophic

Etch)PRPRPRPRPR濕蝕刻與干蝕刻之差異Etch介紹機臺示意圖Rinse

3Rinse

2Rinse

1E4C/V

2C/V

1AKFRLoadC/V

3UnloadUViso1E1E3

E2Rinse

4iso2RINSE

UNITDRY

UNITETCH

UNITWORK

STEPEtch介紹-WetEtchIso：isolationUV：Ultraviolet

RaysFR：front

rinseAK：Air

knifeCV：conveyEtch介紹-Dry

Etch各制程主要控制參數(shù)介紹Strip工程(1)Strip原理及設(shè)備剝離簡介：刻蝕完成后除去光刻膠的過程。成膜工程PR工程（涂覆，，顯影）刻蝕工程剝離工程：刻蝕后除去光刻膠Etch介紹-Strip剝離液溶劑系剝離液成分為DMSO:MEA=7:3

（重量比）DMSO（Dimethylsulfoxide，單乙醇胺):使光刻膠膨潤MEA

（Monoethanolamine，二甲亞砜): 入光刻膠與膜之間的界面①初期狀態(tài) ②

膨潤·

界面 ③

溶解MEADMSO光刻膠膜Etch介紹-StripX880

OPER.OVNTFTsubstrate

glassAnnealing烤箱烘烤TFT

substrate

glassSource

electrodeGate

electrodea-SiSiNxn+MoAl-NdMoNSiNx

(passivation)MoNAlITOCstDrain

electrodeReviewaabbTFT

substrate

glassMoAln+Moa-SiSiNxMoAlSiNx

(passivation)ITOSEMAAA-A

cross-sectionBBB-B

cross-sectionITOPassMoAlMoa-Si,n+SiNxMoAlTFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹CF

in

LCD以自然界的光三原色進行混色,并調(diào)整其亮度(灰階)來呈現(xiàn)不同的色彩黑色矩陣彩膜——制程與結(jié)構(gòu)BM

LayerR

LayerG

LayerBLayerITO

LayerPS

LayerGlass

Unpack各layer厚度：Glass:

0.5

or

0.7um;BM:~1um;R:~2um;G:~2um;B:~2um;ITO:~0.12um;PS:~3umCF各層在LCD中的作用BM:

黑色矩陣，遮光帶。RGB:3原

彩層。ITO:

通用電極PS:PHOTO

SPACE，提供cell

gapGlassITOBMRGBPS彩膜制程——彩膜工藝流程BM:Black

Matrix黑色矩陣,功用:用來遮擋漏光OC:Over

Coat保護層PS:Photo

Spacer感光間隙子,功用:支撐與維持Cell

gap均勻BM(

OC

)ITOPSUPKBMR

R

G

B

BRThen

ship to

CellPSR

FI

SortingProcess

Flow

:廣視角PVA產(chǎn)品:廣視角HVA產(chǎn)品:BM

GR

BITOPSRBM

GBCVD

SiNx

→

ITOPS彩膜制程——彩膜工藝流程紫外線Aligner顯影Developer烘烤Oven彩膜工藝流程——黑色矩陣制程（BM

Process）黑色光阻涂布Pre-cleanerSlit

coater真空干燥Vacuum

DryerLaser

打碼素玻璃投入預(yù)烘烤與冷卻Pre-bake

&

Cool

plateTitler光學(xué)檢查AOICPStageCPStageID

彩膜工藝流程——BMLine示意圖&關(guān)鍵特性值ThicknessODCDTTP

單點THKODCDTTPTP2TP1TTP

長寸TP3TP4TP5

TP61241Y(0,0X)EG1EG3EG3EG14EG4EG4

2EG2

EG233TTP

長寸CDTHK、OD紅色光阻涂布Pre-cleanerSlit

coaterBM

Glass紫外線Aligner顯影Developer烘烤Oven真空干燥Vacuum

Dryer預(yù)烘烤與冷卻Pre-bake

&

Coolplate彩膜工藝流程——彩色光阻R制程（R

Process）缺陷檢查AOIR

glass綠色光阻涂布Slit

coater紫外線Aligner顯影Developer烘烤OvenPre-cleaner真空干燥Vacuum

Dryer預(yù)烘烤與冷卻Pre-bake

&

Cool

plate缺陷檢查AOI彩膜工藝流程——彩色光阻G制程（G

Process）藍色光阻涂布Pre-cleanerSlit

coaterR,Gglass紫外線Aligner顯影Developer烘烤Oven真空干燥VacuumDryer預(yù)烘烤與冷卻Pre-bake

&

Coolplate彩膜工藝流程——彩色光阻B制程（BProcess）缺陷檢查AOI彩膜工藝流程——RGB

Line示意圖&關(guān)鍵特性值THK、角段差色度CDOLCD、OLTHK、角段差、色度CPStageCPStageCVIDID

IDR色度G色度B色度角段差Thickness彩膜工藝流程——銦錫氧化膜制程（ITO

Process）氧化銦錫膜濺鍍ITO

sputterITO

pre-cleanerR,G,B璃投入ITO玻璃ITO

glass缺陷檢查烘烤OvenCSOT采用offlinemode

AOI洗凈ITOpost-cleaner正光阻涂布Pre-cleanerSlit

coaterITO

glass紫外線顯影AlignerDeveloper烘烤Oven真空干燥Vacuum

DryerPre-bake

&

Cool

plate預(yù)烘烤與冷卻缺陷檢查AOI彩膜工藝流程——感光間隙子制程（PSProcess）彩膜工藝流程——B/PS

Line示意圖&PS關(guān)鍵特性值PSHCDOLStageStageCPCPPSHCVTFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹工藝流程（

LCD結(jié)構(gòu)）UnitFunction：Backlight提供顯示用光源TFT控制像素施加電壓CF通過RGB子像素組合出各種色彩Cell利用液晶的排列狀態(tài)改變光線工藝流程（

TFT-LCD

Process

Flow）Cell工藝完成圖Cell關(guān)鍵檢查項目:Cell

gap,重力Mura,低溫Bubble,點燈目檢PI

LineFlow說明FBPC(WET)

FBPO

FBPC(DRY)

FPIPLD:基板投入FBPC(WET):印刷前濕式洗淨(jìng)FBPO:

洗淨(jìng)烘乾及冷卻FBPC(DRY):印刷前乾式洗淨(jìng)(表面改質(zhì))PI前Buffer:收納存放基板FPIP：將PI膜均勻的涂布於基板上FPPO：PI膜預(yù)烤及去除溶劑平整化FPII：PI膜印刷品質(zhì)檢查FPMI：以Camera或人眼檢視FPII所檢出的Defect，進行覆判返修FPMO：PI膜高溫固烤及冷卻ULD：基板產(chǎn)出至ODFFPPOFPIIFPMOInkjetPrebake檢查Post

bakeReworkOKNGCELL的構(gòu)造：配向膜：供給液晶分子的排列媒介(預(yù)傾角)制程目的：在玻璃基板(TFT、CF)上均勻塗佈上一層薄膜，並且升溫把其溶劑揮發(fā)，其塗佈區(qū)域/範(fàn)圍依照產(chǎn)品設(shè)計而定；薄膜厚度依據(jù)所選定的PI材料&吐出量而有不同。經(jīng)預(yù)烤後會呈金黃色(依不同膜厚而有不同之顏色)制程要求：均勻?qū)I液涂布至基板表面，符合製程要求之膜厚均勻性、可靠度(RA)及降低各種defect(mura、pinhole)的產(chǎn)生。PI段材料制程目的（一）※如果沒有配向膜會怎樣？液晶在沒有配向膜的基板上呈散亂狀的排列→無法控制光的方向→無法製造我們想要的影像→無法控制電壓施加時液晶Tilt的方向(reverse

tilt)→影像品質(zhì)不佳特性：具有良好的絕緣，化性穩(wěn)定，耐熱佳PI段材料制程目的（二）PI

Coater與Inkjet比較PI

CoatingPI

Inkjet

PrintingPIusage60~70%(固含：6.5%)90%以上(固含3.5%~4%)Product

change

time3hr10min消耗材APR版,刮刀Film生產(chǎn)應(yīng)用范圍單一版對應(yīng)一種尺寸同一head可對應(yīng)多種尺寸裝置機構(gòu)重量重,體積大重量清,體積小安全性AR重, 作業(yè) 性高Head

方便保養(yǎng)與維修部品多樣復(fù)雜簡易涂布原理：用Roller方式透過印刷版將PI液轉(zhuǎn)印至基板上涂布原理：利用一整排印刷噴頭直接將PI液噴印至基板上PI

CoaterPI

InkjetFBOC(WET):進ODF前濕式洗淨(jìng)FBOO:洗淨(jìng)烘乾及冷卻FSDP:框膠和金膠涂布FSLI:檢查框膠和金膠的涂布狀況和particle

defect

densityFDRY：進ODF

前乾式洗凈FLCD：液晶滴下機FVAB：真空狀態(tài)下,將CF

和TFT

上下基板對組完成FSUV：將UV

膠進行部分硬化FMAI：對組完后的基板進行檢查FSMO:將框膠熱硬化部分完成和液晶進行再配向FLCI：利用背光燈和綠燈用人眼目視對基板進行初步檢查,讓問題可以先行看出FBOCFBOOFSDPFSLIFDRYFLCDFVABFSUVFMAIFSMOFLCIODF Line

Flow說明框膠貼合UV熱光箱檢查CFTFT 滴液晶ODF段材料制程目的制程目的:依照pattern

涂布框膠和點金膠,并在框膠的范圍內(nèi)在滴入液晶以形成適當(dāng)?shù)腉AP,框膠目的是為了封住液晶與外面空氣隔絕和撐住Pattern

邊緣GAP,金膠的目的是透過金膠將

CF

和TFT

的ITO導(dǎo)通,以控制液晶的驅(qū)動,藉此顯示畫面制程要求：框膠完全封住液晶不外流,銀膠確實導(dǎo)通,并均勻?qū)⒁壕У沃粱灞砻?，符合製程要求之總量、避免產(chǎn)生各種defect(bubble、GM

mura)的產(chǎn)生。AU

SealLC:在TFT-LCD中,LC是扮演著光閥的角色,藉由Pixel的驅(qū)動,控制光量及光的方向,配合惼光板,造成明暗灰階變化及視角;Sealant:固定TFT

and

CF,並且保護內(nèi)部所有的材料,扮演的是類似牆壁的角色.傳統(tǒng)制程與ODF制程比較註:ODF最早用於5代線傳統(tǒng)液晶注入法液晶滴下法ODF:

One

DropFillingODF制程優(yōu)點新的滴下式液晶注入法則是在先將液晶直接滴在玻璃上，然后在進行上下玻璃的對組。這種新的制程可以大幅節(jié)省灌液晶的時間與液晶材料，尤其在超大尺寸面板具有

優(yōu)勢新舊差異:以三十吋面板為例，傳統(tǒng)灌液晶方式灌一片大約需要五天的時間，ODF只需要2小時，并且節(jié)省約40%的液晶材料傳統(tǒng)LCD的液晶注入方式，是在上下玻璃對組之后以毛細(xì)原理將液晶慢慢吸入，這種灌液晶方法缺點是非常耗時且浪費液晶ODF設(shè)備1st

UV單版切割微觀檢查機2nd

UV巨觀檢查機FCUTFUVMFAOIFUVOFMAC盒厚量測機FGAPLDULDHVA

Line

Flow說明初始狀態(tài)：LC分子垂直于基板；

monomer均勻分布在LC中；電壓ON，中間LC分子在電場作用下發(fā)生較大偏轉(zhuǎn)，兩側(cè)偏轉(zhuǎn)較小UV

ON，monomer發(fā)生聚合反應(yīng)，于兩側(cè)PI處，靠近PI側(cè)LC分子被錨定，形成預(yù)傾角電壓OFF，靠近PI側(cè)LC分子不動，中間LC分子會恢復(fù)到垂直基板狀態(tài)，但由于受到兩側(cè)LC的作用，不能完全垂直制程目的:通過使用313nm主波長紫外線照射玻璃基板，使面板內(nèi)的殘留的Monomer聚合反應(yīng)完全，以達到提升Panel的靜態(tài)對比效果。制程要求：1.Monomer的分光感度;2.LCDGlass的分光透過率;3.LCD使用材料的Damage;4.印加電壓Step;5.UV

Lamp波長HVA段材料制程目的HVA優(yōu)點Non-

protrusion

process.→

Less

CF

process

steps→

cost

downHigh

brightness.→

No

main

slit,

no

protrusion→

High

A.R.High

contrast

ratio.→

High

A.R,

no

protrusion→

Brighter

L255,

Darker

L0Fast

response

time.→

All

display

area

with

pre-tilt

angleCell后制程Flow說明output切割磨邊磨邊后洗凈一次點燈二次點燈偏貼前洗凈偏貼加壓脫泡將組立后Substrate分割成不同尺寸的Panel提供下游制程精度、外觀品質(zhì)、潔凈符合要求之PanelBEOL段材料制程目的(切割）TFT

PolarizerCFPCBLight

GuideLampLC

cellPolarizerPolarizer吸收為什么要貼偏光板：將一般不具有偏激性的自然光極化，使進入Panel的光為偏通過此與液晶分子的光學(xué)特性搭配，從而達到輸出可控制的明暗效果BEOL段材料制程目的(偏貼）（１）兩片偏光板吸收軸并未直交（２）兩片偏光板吸收軸直交（１）（２）BEOL段材料制程目的(Cell

TEST）目的：通過輸入各種模式信號，檢查顯示方面功能缺陷及Panel品味方式：full

contact方式和Shorting

bar方式，人眼檢查TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹一.Outline

of

ModuleCELLOpen

CellBonding

ProcessPCBA（印刷電路板）COF

（驅(qū)動IC）ASSY

ProcessModuleB/L

（背光模塊）【PCBA壓接】【COF

Bonding】ACF貼附

COF位置對位?壓接CellHeadACFHeadCellCOFHeadCellPCBACOF/PCBA

Bonding?點/線缺陷?不均/污點功能檢查【Inspection】示波器測試調(diào)整棒?閃爍?灰度波形在驅(qū)動狀態(tài)放置一定時間【Aging】高溫室Final

InspectionInspection／AgingLCD模塊Backlight１２Cell

COFPCBAAssembly模組工程的目的及作用將COF、PCBA、通過ACF，Bonding在Cell上形成Open

cell，然后再將B/L、板金、螺絲等組裝到OpenCell上、由此完成一個顯示模組外觀檢查Bazel一.Outline

of

Module二、Module制程介紹，然后用激光將Load～Laser

shorting

cut用機器手將Cell從Cassette中取出，并打印PanelIDOLB處的Shorting

bar切斷PanelID/貼LabelLoader從Cassete中取出Laser

cutLaser

shorting

cutLead

clean～OLB

bonding(COF料帶)端子洗凈Blow＆Ｗipe with

IPA預(yù)壓接ACF

pre-bonding預(yù)定位Punch

&Mounting本圧接Bonding３番chuck1番chuck２番huck４番chuckCCD1CCD2(ACF

Anisotropic

ConductiveFilm)二、Module制程介紹Heat

&PressureACF(異方性導(dǎo)電膠Anisotropic

ConductiveFilm):半透 分子材料，上下方向具導(dǎo)電性，電極上之相鄰線路間具絕緣性。制程管控參數(shù):溫度/壓力/時間COF

Lead粘合劑熱硬化性樹脂：環(huán)氧樹脂/亞克力脂導(dǎo)電粒子Au

coated

plastic

ball：3～10

μmACF的三大功用:導(dǎo)通/絕緣/黏著【ACF側(cè)視圖】Base

filmCell/PCBA

Lead二、Module制程介紹BA系列21

系列16

系列11系列6系列11357COF

Align

X,Y檢查壓痕強度,數(shù)量,長度檢查OLB

Check檢查OLB本壓后，ACF粒子的破裂狀態(tài)，COF端子的壓接偏移尺寸，及玻璃的破裂檢查玻璃的破裂及損壞狀況二、Module制程介紹TUFFY（防水膠）涂布用TUFFY覆蓋屏端子露出部及COF引線露出部，防止由異物、水分等引起的端子間短路和腐蝕。水分，不純物COFTFTCF涂膠針頭Panel二、Module制程介紹PCBA

bondingACF

預(yù)壓接對位加熱，加壓本圧接Open

Cell制程管控參數(shù):溫度/壓力/時間二、Module制程介紹PCBI（點燈檢查）PCBI:將PCBABonding后Open

cell點亮，進行功能檢測以及等級的判定。Panel點燈臺上定位數(shù)據(jù)線連接檢查畫面PanelunloadingPanelloading二、Module制程介紹Assembly將模塊Open

cell與B/L,板金等部材組裝在一起二、Module制程介紹Assembly基本部材Open

cellB/L板金C/BC/B

FFCC/B

cover二、Module制程介紹1：高溫環(huán)境2：通電檢測3：點燈條件（畫面）切換目的：①初期不良檢出②制品老化加溫AgingAging條件溫度：50℃±５℃時間：1H二、Module制程介紹制品檢查顯示檢查外觀檢查光學(xué)檢查信號發(fā)生器ＤＣ電源二、Module制程介紹FT（Final

test）目的:利用一些特定測試畫面及檢驗手法對組裝完成之產(chǎn)品畫面及外觀進行檢驗,以將不良品篩檢出來并判定產(chǎn)品等級檢查項目:點，線，塊，Mura，功能,電氣性，外觀及等級判定連接治具貼條碼

；裝入防靜電袋中；裝箱；貼箱條碼

。Packing二、Module制程介紹TFT

LCD概論介紹基本顯示原理工藝流程介紹--陣列工藝--彩膜工藝--成盒工藝--模組工藝新技術(shù)介紹MVA

:

Multi-Vertical

Alignment使得上/下/左/右CR=10的視角達85度!MVA廣視角技術(shù)Stronglydependenton