中級(jí)無機(jī)化學(xué)第六章固體無機(jī)化學(xué) 山東大學(xué)期末考試知識(shí)點(diǎn)復(fù)習(xí)

ft東大學(xué)化學(xué)院《中級(jí)無機(jī)化學(xué)》期末復(fù)習(xí)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)ft東大學(xué)化學(xué)院《中級(jí)無機(jī)化學(xué)》期末復(fù)習(xí)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)第六章固體無機(jī)化學(xué)點(diǎn)陣、晶胞、晶系、晶格則：盡可能取對(duì)稱性高的素單元；盡可能反映晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性。7陣點(diǎn)在空間的分布按正當(dāng)晶胞形狀的規(guī)定和帶心型式進(jìn)行分類，得到14種Bravais密堆積ABCABCABC……ccp(cubicclosestpackingA1六方最密堆積：將等徑球密堆積層的相對(duì)位置按照ABABAB……方式做最密hcp(hexagonalclosestpacking)，A3離子化合物離子晶體構(gòu)型決定離子晶體構(gòu)型的主要因素有正、負(fù)離子半徑比的大關(guān)系。離子晶體的簡單結(jié)構(gòu)類型按密堆積結(jié)構(gòu)，一般把半徑較大的負(fù)離子看類為以下幾類重要的結(jié)構(gòu)類型：巖鹽(NaCl)結(jié)構(gòu)、螢石(CaF)結(jié)構(gòu)、紅鎳礦型2(NiAs)結(jié)構(gòu)、金紅石(TiO)結(jié)構(gòu)、閃鋅礦(立方ZnS)結(jié)構(gòu)、纖鋅礦(六方ZnS)結(jié)2構(gòu)、CsCl結(jié)構(gòu)、鈣鈦礦(CaTiO)結(jié)構(gòu)。3晶格能離子間作用力的強(qiáng)弱可以用晶格能來表述，晶格能就是把陽離子和陰離子維系在一起形成晶體結(jié)構(gòu)的能量。晶格能主要用玻恩-梅耶(Born-Mayer)方程和卡普斯欣斯基(Kapustinskii)方程計(jì)算。金屬及合金，能帶理論以分為三類：金屬固溶體、金屬化合物和金屬間隙化合物。NNN1023)，所得分子軌道因各能級(jí)間的間隔極小而形成能帶。電子的叫空帶，各個(gè)能帶間的間隙不能存在電子，叫禁帶。定。書寫缺陷反應(yīng)方程式必須遵守三個(gè)原則：位置平衡——反應(yīng)前后位置數(shù)不變山東大學(xué)化學(xué)院《中級(jí)無機(jī)化學(xué)》期末復(fù)習(xí)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)(相對(duì)物質(zhì)的位置而言)；質(zhì)點(diǎn)平衡——反應(yīng)前后質(zhì)量不變(相對(duì)加入物質(zhì)的質(zhì)量而言)；電價(jià)平衡——反應(yīng)前后呈電中性。根據(jù)作用范圍，缺陷可分為如下4類：點(diǎn)缺陷在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個(gè)原子。線缺陷在二維尺寸小，在另一維尺寸大，如位錯(cuò)，可用電鏡觀察到。體缺陷在三維尺寸較大，如鑲嵌塊、沉淀相、空洞、氣泡等。按形成的原因不同，點(diǎn)缺陷可分為3類：何溫度下總有少數(shù)質(zhì)點(diǎn)因熱能大于平均動(dòng)能而擺脫周圍離子的束縛離開其平衡位置，在原來的位置上留下空位，形成缺陷。熱缺陷有兩種基本形式：弗侖克爾(Frenkel)缺陷：具有足夠大能量的原子(離子)離開平衡位置后，F(xiàn)renkelFrenkel肖特基(Schottky)空位逐漸轉(zhuǎn)移到晶體內(nèi)部。對(duì)于離子晶體，Schottky缺陷的特點(diǎn)為正、負(fù)離子Schottky陷。組成缺陷主要指雜質(zhì)缺陷，即在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜質(zhì)原子。雜質(zhì)入正常結(jié)點(diǎn)的間隙位置。電荷缺陷晶體中某些質(zhì)點(diǎn)中的個(gè)別電子處于激發(fā)