課后習(xí)題三(第四章)

課后習(xí)題三(第四章)課后習(xí)題三(第四章)課后習(xí)題三(第四章)資料僅供參考文件編號：2022年4月課后習(xí)題三(第四章)版本號：A修改號：1頁次：1.0審核：批準(zhǔn):發(fā)布日期：課后習(xí)題二（第四章）1、存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的記憶設(shè)備，它主要用來（D）A.存放程序B.存放微程序C.存放特殊的數(shù)據(jù)D.存放數(shù)據(jù)和指令2、存儲(chǔ)字是（A）A.存放在一個(gè)存儲(chǔ)單元的二進(jìn)制代碼組合B.存放在一個(gè)存儲(chǔ)單元的二進(jìn)制代碼個(gè)數(shù)C.存儲(chǔ)單元的集合D.與存儲(chǔ)器無關(guān)3、存儲(chǔ)字長是指（B）A.存放在一個(gè)存儲(chǔ)單元的二進(jìn)制代碼組合B.存放在一個(gè)存儲(chǔ)單元的二進(jìn)制代碼個(gè)數(shù)C.存儲(chǔ)單元的集合D.以上均不對4、存儲(chǔ)周期是指（C）A.存儲(chǔ)器的寫入時(shí)間B.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)寫操作所允許的最短時(shí)間間隔C.存儲(chǔ)器進(jìn)行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短時(shí)間間隔D.與存儲(chǔ)器的具體實(shí)現(xiàn)技術(shù)無關(guān)5、和外存儲(chǔ)器相比，內(nèi)存的特點(diǎn)是（A）A.容量小、速度快、成本高B.容量小、速度快、成本低C.容量大、速度快、成本高D.容量大、速度慢、成本低6、一個(gè)16K×32位的存儲(chǔ)器，其地址線和數(shù)據(jù)線的總和是（B）A.48B.46C.36D.327、一個(gè)512KB的存儲(chǔ)器（按字節(jié)編址），其地址線根數(shù)是（D）A.64B.32C.20D.198、某計(jì)算機(jī)字長為16位，它的存儲(chǔ)容量是64KB，按字編址，則它的尋址范圍是（C）A.64KB.32KBC.32KD.無法確定9、某一RAM芯片，其容量為512×8位，如果考慮電源和接地引腳，則該芯片引出的引腳數(shù)最少是（A）A.21B.19C.17D.1510、若主存每個(gè)存儲(chǔ)單元為16位，則（B）A.其地址線也為16位B.其地址線與16無關(guān)C.其地址線最少為16位D.其地址線與16有關(guān)11、通常計(jì)算機(jī)的內(nèi)存可采用（A）A.RAM和ROMB.RAMC.ROMD.磁盤12、EPROM是指（C）A.只讀存儲(chǔ)器B.可編程的只讀存儲(chǔ)器C.可擦除的可編程的只讀存儲(chǔ)器D.電可擦除的可編程的只讀存儲(chǔ)器13、可編程的只讀存儲(chǔ)器（A）A.不一定是可改寫的B.一定是可改寫的C.一定是不可改寫的D.以上均不對14、下列說法中（D）是正確的A.半導(dǎo)體RAM信息可讀可寫，且斷電后仍能保持記憶B.半導(dǎo)體RAM是易失性RAM，而靜態(tài)RAM中的存儲(chǔ)信息是不易失的C.半導(dǎo)體RAM是易失性RAM，而動(dòng)態(tài)RAM中的存儲(chǔ)信息是不易失的D.半導(dǎo)體RAM是易失性RAM，而靜態(tài)RAM只有在電源不掉時(shí)，所存信息是不易失的15、下列說法中（B）是正確的A.EPROM是可改寫的，但改寫一次后不能再次改寫B(tài).EPROM是可改寫的，且可多次改寫C.EPROM是可改寫的，是用電信號直接改寫D.EPROM是可改寫的，是用磁信號直接改寫16、和動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器相比，雙極性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能是（C）A.集成度高、存取周期快、位平均功耗少B.集成度高、存取周期快、位平均功耗大C.集成度低、存取周期快、位平均功耗大D.集成度低、存取周期快、位平均功耗少17、在磁盤和磁帶兩種磁表面存儲(chǔ)器中，存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)，按存儲(chǔ)方式分（B）A.二者都是順序存取B.磁盤是隨機(jī)半順序存取，磁帶是順序存取C.磁帶是隨機(jī)半順序存取，磁盤是順序存取D.二者都是隨機(jī)半順序存取18、磁盤的記錄方式一般采用（A）A.調(diào)頻制B.調(diào)相制C.NRZD.NRZ-119、在磁表面存儲(chǔ)器的記錄方式中（D）A.不歸零制和歸零制的記錄密度是一樣的B.不歸零制的記錄方式中不需要同步信號，故記錄密度比歸零制高C.歸零制的記錄方式中需要同步信號，故記錄密度高D.不歸零制記錄方式由于磁頭線圈中始終有電流，因此抗干擾性能好20、磁盤存儲(chǔ)器的平均等待時(shí)間通常是指（B）A.磁盤旋轉(zhuǎn)一周所需的時(shí)間B.磁盤旋轉(zhuǎn)半周所需的時(shí)間C.磁盤旋轉(zhuǎn)2/3周所需的時(shí)間D.磁盤旋轉(zhuǎn)1/3周所需的時(shí)間21、一個(gè)四體并行交叉存儲(chǔ)器，每個(gè)模塊的容量是64K×32位，單體的存儲(chǔ)周期為200ns，在下述說法中（B）是正確的A.在200ns內(nèi)，存儲(chǔ)器能向CPU提供256位二進(jìn)制信息B.在200ns內(nèi)，存儲(chǔ)器能向CPU提供128位二進(jìn)制信息C.在50ns內(nèi)，存儲(chǔ)器能向CPU提供32位二進(jìn)制信息D.在50ns內(nèi)，存儲(chǔ)器能向CPU提供128位二進(jìn)制信息22、主存和CPU之間增加高速緩沖存儲(chǔ)器的目的是（A）A.解決CPU和主存之間的速度匹配問題B.擴(kuò)大主存容量C.即擴(kuò)大主存容量，又提高了存取速度D.降低主存價(jià)格23、在程序的執(zhí)行過程中，Cache與主存的地址映射是由（C）A.操作系統(tǒng)來管理的B.程序員調(diào)度的C.由相應(yīng)硬件自動(dòng)完成的D.主存自身即可完成24、采用虛擬存儲(chǔ)器的目的是（C）A.提高主存的速度B.擴(kuò)大外存的存取空間C.擴(kuò)大存儲(chǔ)器的尋址空間D.以上都正確25、常用的虛擬存儲(chǔ)器尋址系統(tǒng)由（A）兩級存儲(chǔ)器組成A.主存—外存B.Cache—主存C.Cache—外存D.以上任意組合均可26、在虛擬存儲(chǔ)器中，當(dāng)程序正在執(zhí)行時(shí)，由（C）完成地址映射A.程序員B.編譯器C.操作系統(tǒng)D.CPU以下為書上相關(guān)例題27、下列關(guān)于閃存（FlashMemory）的敘述中，錯(cuò)誤的是（A）A.信息可讀、可寫，并且讀、寫速度一樣快B.存儲(chǔ)基元由MOS管組成，是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器C.掉電后信息不丟失，是一種非易失性存儲(chǔ)器D.采用隨機(jī)訪問方式，可替代計(jì)算機(jī)外部存儲(chǔ)器28、下列各類存儲(chǔ)器中，不采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式的是（B）A.EPROMB.CDROMC.DRAMD.SRAM29、下列關(guān)于RAM和ROM的敘述中，正確的是（A）I.RAM是易失性存儲(chǔ)器，ROM是非易失性存儲(chǔ)器II.RAM和ROM都采用隨機(jī)存取方式進(jìn)行信息訪問III.RAM和ROM都可用作CacheIV.RAM和ROM都需要進(jìn)行刷新A.僅I和IIB.僅II和IIIC.僅I、II和IVD.僅II、III和IV30、某計(jì)算機(jī)主存容量為64KB，其中ROM區(qū)為4KB，其余為RAM區(qū)，按字節(jié)編址。現(xiàn)要用2K×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片來設(shè)計(jì)該存儲(chǔ)器，則需要上述規(guī)格的ROM芯片數(shù)和RAM芯片數(shù)分別是（D）A.1、15B.2、15C.1、30D.2、3031、用若干2K×4位芯片組成一個(gè)8K×8位的存儲(chǔ)器，則地址0B1FH所在芯片的最小地址是（D）A.0000HB.0600HC.0700HD.0800H32、某計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器按字節(jié)編址，主存地址空間為64MB，現(xiàn)用4M×8位的RAM芯片組成32MB的主存儲(chǔ)器，則存儲(chǔ)器地址寄存器MAR的位數(shù)至少是（D）A.22位B.23位C.25位D.26位33、某計(jì)算機(jī)的Cache共有16塊，采用二路組相聯(lián)映像方式，每個(gè)主存塊大小為32字節(jié)，按字節(jié)尋址，主存單元129所在主存塊應(yīng)裝入到的Cache組號是（C）A.0B.1C.4D.634、假設(shè)某計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)由Cache和主存組成。某程序執(zhí)行過程中訪存1000次，其中訪問Cache缺失（未命中）50次，則Cache的命中率是（D）A.5%B.%C.50%D.95%問答題35、存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)如何劃分，計(jì)算機(jī)如何管理這些層次36、什么叫刷新為什么要刷新說明刷新有幾種方法。37、存儲(chǔ)器如何分類，什么是存儲(chǔ)器的局部性原理38、描述Cache的讀出和寫入過程。39、設(shè)某CPU有16根地址線A15-A0，八根數(shù)據(jù)線D7-D0，并用MREQ（低電平有效）表示允許內(nèi)存工作，WR（低電平有效）表示啟動(dòng)內(nèi)存寫操作?，F(xiàn)有8片8K×8位的RAM芯片，畫出使用74LS138譯碼器的存儲(chǔ)器與CPU的連接圖。如果運(yùn)行時(shí)發(fā)現(xiàn)無論往哪片RAM寫入數(shù)據(jù)后