半導體器件模擬試題一課件

3．半導體的導電能力隨溫度升高而_______，金屬導體的電阻率隨溫度升高而_______。A．降低／降低B．降低／升高C．升高／降低D．升高／升高1．PN結是構成各種半導體器件的基礎，其主要特性是_____。A．具有放大特性B．具有改變電壓特性C．具有單向導電性D．具有增強內電場特性C2．PN結呈現正向導通的條件是_______。A．P區(qū)電位低于N區(qū)電位B．N區(qū)電位低于P區(qū)電位C．P區(qū)電位等于N區(qū)電位D．N區(qū)電位高于P區(qū)電位BD4．半導體的載流子隨溫度升高而_______，也就是說半導體的導電性能隨溫度升高而_______。A．減?。鰪夿．減?。瘻p弱C．增加／減弱D．增加／增強D3．半導體的導電能力隨溫度升高而_______，金屬導體的電7．P型半導體中的多數載流于是_______。A．電子B．空穴C．電荷D．電流5．半導體的導電能力在不同條件下有很大差別，若_______導電能力會減弱A．摻雜非金屬元素B．增大光照C．降低環(huán)境溫度D．摻雜金屬元素C6．在PN結的兩端通過一塊電流表短接，回路中無其它電源，當用光照射該半導體時，電流表的讀數是_______。A．增大B．減小C．為零D．視光照強度而定B8．N型半導體中的多數載流于是_______。A．自由電子B．空穴C．電荷D．電流AC9．在晶體硅鍺中，參于導電的是_______。A．離子B．自由電子C．空穴D．B和CD7．P型半導體中的多數載流于是_______。5．半導體的導12．半導體的導電方式的最大特點是_______。A．自由電子導電B．離子導電C．空穴導電D．A和C10．關于P型半導體的下列說法，錯誤的是_______。A．在二極管中，由P型半導體引出的線是二極管的陽極B．空穴是多數載流子C．在NPN型晶體管中，基區(qū)是P型半導體D．在純凈的硅晶體中摻入五價元素磷可形成P型半導體D11．關于N型半導體的下列說法，錯誤的是_______。A．自由電子是多數載流子B．在二極管中由N型半導體引出的線是二極管的陰極C．在純凈的硅晶體中摻入三價元素硼，可形成N型半導體D．在PNP型晶體管中，基區(qū)是N型半導體DC12．半導體的導電方式的最大特點是_______。10．關于13．在半導體兩端加上外電壓時，半導體中出現的電流是____。A．自由電子電流B．空穴電流C．離子電流D．A和BD14．關于P型、N型半導體內參與導電的粒子，下列說法正確的是_______。A．無論是P型還是N型半導體，參與導電的都是自由電子和空穴B．P型半導體中只有空穴導電C．N型半導體中只有自由電子參與導電D．在半導體中有自由電子、空穴、離子參與導電A15．N型半導體中，主要靠_______導電，_______是少數載流子。A．空穴／空穴B．空穴／自由電子C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子C13．在半導體兩端加上外電壓時，半導體中出現的電流是____16．P型半導體中，主要靠_______導電，_______是少數載流子A．空穴／空穴B．空穴／自由電子C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子B17．下列PN結兩端的電位值，使PN結導通的是_______。A．P端接十5V，N端經電阻接十7VB．N端接十2V，P端經電阻接十7VC．P端接一3V，N端經電阻接十7VD．P端接十1V，N端經電阻接十6VB18．在半導體PN結兩端加_______就可使其導通A．正向電子流B．正向電壓C．反向電壓D．反向電子流B19．用萬用表測二極管時，正反方向電阻都很大，說明_

_。A．管子正常B．管于短路C．管于斷路D．都不對C16．P型半導體中，主要靠_______導電，_______20．電路如圖4—1所示，設二極管正向壓降忽略不計，二極管處于_______狀態(tài)，電流表的讀數是_______。A．導通／1．8AB．導通／0．6AC．截止／0．6AD．截止／0A21．電路如圖4—2所示，電壓表的讀數為_______，二極管處________狀態(tài)。A．18V／導通B．6V／導通C．6V／截止D．0V／截止BC圖4－1圖4－220．電路如圖4—1所示，設二極管正向壓降忽略不計，二極管22．電路如圖4—3所示，輸出電壓Uo等于_______。(設二極管的正向壓降為0．7V)A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VB23．電路如圖4—4所示，設二極管正向壓降為0．7V，則輸出電壓U0=

。A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VD圖4－3圖4－422．電路如圖4—3所示，輸出電壓Uo等于_______。(24．關于二極管的功能，下列說法錯誤的是_______。A．整流B．濾波C．鉗位D．小范圍穩(wěn)壓B25．二極管加反向電壓時，形成很小的反向電流，在電壓不超過某一定范圍時，二極管的反向電流是_______。A．隨反向電壓的增加而減少B．隨反向電壓的增加而增大C．隨反向電壓的增加而基本不變D．隨反向電壓的減小而減小C26．二極管的反向電流隨著溫度的_________而________。A．升高／減小B．降低／減小C．升高／不變D．升高／基本不變B24．關于二極管的功能，下列說法錯誤的是_______。27．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是_______。A．正向電阻很小B．具有單向導電性C．正向電壓越大，流過二極管的電流越大D．無論加多大反向電壓都不會導通D28．關于二極管的反向電流，下列說法錯誤的是_______。A．反向電流隨溫度的上升而增長很快B．在反向電壓不超過一定范圍時，反向電流基本不變C．在反向電壓不超過一定范圍時，反向電流與反向電壓的高低無關D．反向電流隨反向電壓的增加而增加D29．硅二極管導通時的正向壓降為_______，死區(qū)電壓在常溫下為_______。A．0．5V／0．2VB．0．6—0．7V／0．2VC0．2—0．3V／0．2VD．0．6~0．7V／0．5VD27．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是_______。31．如圖4—6所示電路，設輸入電壓ui＝10sin314t，E＝5V，二極管正向壓降忽略不計，則輸出電壓u0介于_______。A.0與10V之間B．一5V與10V之間C．十5V與十10V之間D．十10V與一5V之間5V30．如圖4—5所示電路，設輸入電壓ui為正弦電壓，ui=1sinoωtV，二極管的正向壓降為0．6V，則輸出電壓u0介于_______。A．0與＋6V之間B．一0．6V與＋0．6V之間C．一0．6V與0之間D．0與1V之間BC圖4－5圖4－631．如圖4—6所示電路，設輸入電壓ui＝10sin31432．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是________。A．正向電阻很小B．反向電阻很大C．無論加多大的反向電壓，都不會導通D．所加正向電壓大于死區(qū)電壓時，二極管才真正導通C33．用萬用表歐姆擋測量二極管時，通常將量程選在______擋。A．R×1ΩB．R×10ΩC．R×100ΩD．R×lokΩC34．穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓功能是利用_______特性實現的。A．PN結的單向導電B．PN結的反向擊穿C．結電容使波形平滑D．PN結的正向導通B35．穩(wěn)壓管在正常穩(wěn)壓工作區(qū)域里，它的電流幅度_______，而電壓_______。A．變化很大／變化很小B．變化大／不變C．變化小／變化很大D．變化?。蛔兺ˋ32．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是________36．穩(wěn)壓管在電路中作穩(wěn)壓時接法應是_______。A．陽極接正，陰極接負B．陰極接正，陽極接負C．串接電阻后任意連接D．串電容后任意連接B37．穩(wěn)壓管作穩(wěn)壓工作時，其兩端應加______。A．正向電壓B．零電壓C．反向電壓D．A或BC38．晶體管有_______個PN結。A．1B．2C．3D．4B39．晶體三極管中的“β”參數是指_______。A．電壓放大系數B．電流放大系數C．功率放大系數D．集電極最大功耗40．晶體管具有放大作用主要體現在_______。A．電壓放大B．電流放大C．正向放大D．反向放大BB36．穩(wěn)壓管在電路中作穩(wěn)壓時接法應是_______。B3742．電路如固4—17所示，該輸入電壓ui＝12sin314tV．DZ為雙向限幅穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓UZ＝6V，則輸出電壓U0在_______之間。A．一12V與+6VB．+6V與+12VC．—12V與+12VD．-6V與+6V41．圖4—16所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值UZ＝5V，硅二極管正向壓降為0．7V，由圖可知U0＝_________。A．20VB．10VC．5．7VD．1．4VCD圖16圖1742．電路如固4—17所示，該輸入電壓ui＝12sin3145．測得某個NPN型晶體管E、B、C三個電極電位分別為0．4V、0．2V和1．5V可判斷該管處于________工作狀態(tài)。A．完全截止B．完全導通C．線性放大D．飽和導通43．已知一晶體管的E、B、C三個極的電位分別為0．5V、1．2V、5.6V，此管工作于_______狀態(tài)，此管屬_______型。A．飽和／NPNB．放大／NPNC．飽和／PNPD．放大／PNPB44．測得某PNP型晶體管三個極的電位分別為Vc＝0．4V、VB＝1.5V、VE＝1．2V，可判斷該管工作于________狀態(tài)。A．截止B．飽和導通C．線性放大D．非線性放大AA46．晶體管工作在什么狀態(tài)，取決于________。A．負載大小B．電流放大系數的大小C．電壓放大倍數的大小D．基極電流的大小D45．測得某個NPN型晶體管E、B、C三個電極電位分別為049．晶體管處于飽和狀態(tài)時，其集電結________偏，發(fā)射結________偏。A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反47．晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自于放大電路中的_______。A．晶體管本身B．信號源C．負載輸入D．直流電源D48．晶體管具有放大作用時，它的集電結________偏，發(fā)射結________偏。A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反BC50．晶體管處于截止狀態(tài)時，其集電結________偏，發(fā)射結________偏。A.正／反B．反／正C．正／正D．反／反D49．晶體管處于飽和狀態(tài)時，其集電結________偏，發(fā)射53．晶體管工作時，當溫度升高其死區(qū)電壓________，輸入特性曲線________。A．減?。乙艬．減?。笠艭．增大／右移D．增大／左移51．NPN型三極管處于放大狀態(tài)時，三個極的電位關系為________。A．VC＞VE＞VBB．VC＞VB＞VEC．VE＞VB＞VCD．VB＞VE＞VCB52．晶體管作為開關管使用時，工作在_______。A．放大區(qū)B．飽和區(qū)C．截止區(qū)D．B和CDB54．晶體管的特性曲線有________，它反映出晶體管的性能，是分析放大電路的重要依據。A．輸入特性B．輸出特性C．外特性D．A和BD53．晶體管工作時，當溫度升高其死區(qū)電壓________，輸3．半導體的導電能力隨溫度升高而_______，金屬導體的電阻率隨溫度升高而_______。A．降低／降低B．降低／升高C．升高／降低D．升高／升高1．PN結是構成各種半導體器件的基礎，其主要特性是_____。A．具有放大特性B．具有改變電壓特性C．具有單向導電性D．具有增強內電場特性C2．PN結呈現正向導通的條件是_______。A．P區(qū)電位低于N區(qū)電位B．N區(qū)電位低于P區(qū)電位C．P區(qū)電位等于N區(qū)電位D．N區(qū)電位高于P區(qū)電位BD4．半導體的載流子隨溫度升高而_______，也就是說半導體的導電性能隨溫度升高而_______。A．減?。鰪夿．減?。瘻p弱C．增加／減弱D．增加／增強D3．半導體的導電能力隨溫度升高而_______，金屬導體的電7．P型半導體中的多數載流于是_______。A．電子B．空穴C．電荷D．電流5．半導體的導電能力在不同條件下有很大差別，若_______導電能力會減弱A．摻雜非金屬元素B．增大光照C．降低環(huán)境溫度D．摻雜金屬元素C6．在PN結的兩端通過一塊電流表短接，回路中無其它電源，當用光照射該半導體時，電流表的讀數是_______。A．增大B．減小C．為零D．視光照強度而定B8．N型半導體中的多數載流于是_______。A．自由電子B．空穴C．電荷D．電流AC9．在晶體硅鍺中，參于導電的是_______。A．離子B．自由電子C．空穴D．B和CD7．P型半導體中的多數載流于是_______。5．半導體的導12．半導體的導電方式的最大特點是_______。A．自由電子導電B．離子導電C．空穴導電D．A和C10．關于P型半導體的下列說法，錯誤的是_______。A．在二極管中，由P型半導體引出的線是二極管的陽極B．空穴是多數載流子C．在NPN型晶體管中，基區(qū)是P型半導體D．在純凈的硅晶體中摻入五價元素磷可形成P型半導體D11．關于N型半導體的下列說法，錯誤的是_______。A．自由電子是多數載流子B．在二極管中由N型半導體引出的線是二極管的陰極C．在純凈的硅晶體中摻入三價元素硼，可形成N型半導體D．在PNP型晶體管中，基區(qū)是N型半導體DC12．半導體的導電方式的最大特點是_______。10．關于13．在半導體兩端加上外電壓時，半導體中出現的電流是____。A．自由電子電流B．空穴電流C．離子電流D．A和BD14．關于P型、N型半導體內參與導電的粒子，下列說法正確的是_______。A．無論是P型還是N型半導體，參與導電的都是自由電子和空穴B．P型半導體中只有空穴導電C．N型半導體中只有自由電子參與導電D．在半導體中有自由電子、空穴、離子參與導電A15．N型半導體中，主要靠_______導電，_______是少數載流子。A．空穴／空穴B．空穴／自由電子C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子C13．在半導體兩端加上外電壓時，半導體中出現的電流是____16．P型半導體中，主要靠_______導電，_______是少數載流子A．空穴／空穴B．空穴／自由電子C．自由電子／空穴D．自由電子／自由電子B17．下列PN結兩端的電位值，使PN結導通的是_______。A．P端接十5V，N端經電阻接十7VB．N端接十2V，P端經電阻接十7VC．P端接一3V，N端經電阻接十7VD．P端接十1V，N端經電阻接十6VB18．在半導體PN結兩端加_______就可使其導通A．正向電子流B．正向電壓C．反向電壓D．反向電子流B19．用萬用表測二極管時，正反方向電阻都很大，說明_

_。A．管子正常B．管于短路C．管于斷路D．都不對C16．P型半導體中，主要靠_______導電，_______20．電路如圖4—1所示，設二極管正向壓降忽略不計，二極管處于_______狀態(tài)，電流表的讀數是_______。A．導通／1．8AB．導通／0．6AC．截止／0．6AD．截止／0A21．電路如圖4—2所示，電壓表的讀數為_______，二極管處________狀態(tài)。A．18V／導通B．6V／導通C．6V／截止D．0V／截止BC圖4－1圖4－220．電路如圖4—1所示，設二極管正向壓降忽略不計，二極管22．電路如圖4—3所示，輸出電壓Uo等于_______。(設二極管的正向壓降為0．7V)A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VB23．電路如圖4—4所示，設二極管正向壓降為0．7V，則輸出電壓U0=

。A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VD圖4－3圖4－422．電路如圖4—3所示，輸出電壓Uo等于_______。(24．關于二極管的功能，下列說法錯誤的是_______。A．整流B．濾波C．鉗位D．小范圍穩(wěn)壓B25．二極管加反向電壓時，形成很小的反向電流，在電壓不超過某一定范圍時，二極管的反向電流是_______。A．隨反向電壓的增加而減少B．隨反向電壓的增加而增大C．隨反向電壓的增加而基本不變D．隨反向電壓的減小而減小C26．二極管的反向電流隨著溫度的_________而________。A．升高／減小B．降低／減小C．升高／不變D．升高／基本不變B24．關于二極管的功能，下列說法錯誤的是_______。27．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是_______。A．正向電阻很小B．具有單向導電性C．正向電壓越大，流過二極管的電流越大D．無論加多大反向電壓都不會導通D28．關于二極管的反向電流，下列說法錯誤的是_______。A．反向電流隨溫度的上升而增長很快B．在反向電壓不超過一定范圍時，反向電流基本不變C．在反向電壓不超過一定范圍時，反向電流與反向電壓的高低無關D．反向電流隨反向電壓的增加而增加D29．硅二極管導通時的正向壓降為_______，死區(qū)電壓在常溫下為_______。A．0．5V／0．2VB．0．6—0．7V／0．2VC0．2—0．3V／0．2VD．0．6~0．7V／0．5VD27．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是_______。31．如圖4—6所示電路，設輸入電壓ui＝10sin314t，E＝5V，二極管正向壓降忽略不計，則輸出電壓u0介于_______。A.0與10V之間B．一5V與10V之間C．十5V與十10V之間D．十10V與一5V之間5V30．如圖4—5所示電路，設輸入電壓ui為正弦電壓，ui=1sinoωtV，二極管的正向壓降為0．6V，則輸出電壓u0介于_______。A．0與＋6V之間B．一0．6V與＋0．6V之間C．一0．6V與0之間D．0與1V之間BC圖4－5圖4－631．如圖4—6所示電路，設輸入電壓ui＝10sin31432．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是________。A．正向電阻很小B．反向電阻很大C．無論加多大的反向電壓，都不會導通D．所加正向電壓大于死區(qū)電壓時，二極管才真正導通C33．用萬用表歐姆擋測量二極管時，通常將量程選在______擋。A．R×1ΩB．R×10ΩC．R×100ΩD．R×lokΩC34．穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓功能是利用_______特性實現的。A．PN結的單向導電B．PN結的反向擊穿C．結電容使波形平滑D．PN結的正向導通B35．穩(wěn)壓管在正常穩(wěn)壓工作區(qū)域里，它的電流幅度_______，而電壓_______。A．變化很大／變化很小B．變化大／不變C．變化?。兓艽驞．變化?。蛔兺ˋ32．對于晶體二極管來說，以下說法錯誤的是________36．穩(wěn)壓管在電路中作穩(wěn)壓時接法應是_______。A．陽極接正，陰極接負B．陰極接正，陽極接負C．串接電阻后任意連接D．串電容后任意連接B37．穩(wěn)壓管作穩(wěn)壓工作時，其兩端應加______。A．正向電壓B．零電壓C．反向電壓D．A或BC38．晶體管有_______個PN結。A．1B．2C．3D．4B39．晶體三極管中的“β”參數是指_______。A．電壓放大系數B．電流放大系數C．功率放大系數D．集電極最大功耗40．晶體管具有放大作用主要體現在_______。A．電壓放大B．電流放大C．正向放大D．反向放大BB36．穩(wěn)壓管在電路中作穩(wěn)壓時接法應是_______。B3742．電路如固4—17所示，該輸入電壓ui＝12sin314tV．DZ為雙向限幅穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓UZ＝6V，則輸出電壓U0在_______之間。A．一12V與+6VB．+6V與+12VC．—12V與+12VD．-6V與+6V41．圖4—16所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值UZ＝5V，硅二極管正向壓降為0．7V，由圖可知U0＝_________。A．20VB．10VC．5．7VD．1．4VCD圖16圖1742．電路如固4—17所示，該輸入電壓ui＝12sin3145．測得某個NPN型晶體管E、B、C三個電極電位分別為0．4V、0．2V和1