20180827薄膜太陽能電池產(chǎn)品介紹及應(yīng)用陳鴻彬

漢能薄膜太陽陽能產(chǎn)品介紹紹及應(yīng)用★密級(jí)目錄01光伏發(fā)電原理及系統(tǒng)組成02薄膜組件系列和優(yōu)勢03產(chǎn)品應(yīng)用介紹

第一部分光伏發(fā)電系統(tǒng)原理及組成PART0101光伏發(fā)電是利利用半導(dǎo)體界界面的光生伏特效應(yīng)應(yīng)而將光能直接接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔苣艿囊环N技術(shù)術(shù)。這種技術(shù)術(shù)的關(guān)鍵元件件是太陽能電池，太陽能電池經(jīng)經(jīng)過串并聯(lián)后后進(jìn)行封裝保保護(hù)可形成大大面積的太陽陽能電池組件件，再配合上上逆變器等部部件就形成了了光伏發(fā)電系系統(tǒng)。光伏發(fā)電原理理光伏發(fā)電系統(tǒng)統(tǒng)示意圖薄膜組件并網(wǎng)逆變器匯流套件支架直流電纜壓塊螺栓數(shù)據(jù)采集器雙向電表光伏計(jì)量電表電表箱施工輔材混凝土配重交流配電箱漢能提供電網(wǎng)公司提供供服務(wù)商提供光伏發(fā)電系統(tǒng)統(tǒng)效率計(jì)算理論年發(fā)電量量Q=P×R××ηs÷R0=5×1347×0.8÷÷1=5388kWh度（日發(fā)電量量=14.76度）式中，P-系統(tǒng)直流總功功率（裝機(jī)容容量）5kW；R-年均太陽總輻輻射量1347kWh/m2；ηs-光伏系統(tǒng)發(fā)電電效率0.8；R0-標(biāo)準(zhǔn)日照輻射射強(qiáng)度即1kW/m2。其中，ηs=K1××K2×K3×K4×K5K1-光電電池運(yùn)行行性能修正系系數(shù)；K2-灰塵引起光電電板透明度的的性能修正系系數(shù)；K3-光電電池升溫溫導(dǎo)致功率下下降修正系數(shù)數(shù)；K4-導(dǎo)電損耗修正正系數(shù)；K5-逆變器效率；；光伏發(fā)電系統(tǒng)統(tǒng)效率計(jì)算等級(jí)年均總輻照量

（kWh/m2)日均輻照量

（kWh/m2)最豐富帶≥1750≥4.8很豐富帶1400-17503.8-4.8較豐富帶1050-14002.9-3.8一般<1050<2.9廣州市緯度：：23.12°°，經(jīng)度113.28°年均日輻照量量水平：1347kwh/m2等效日均標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)輻照時(shí)長：：3.69h第二部分薄膜組件產(chǎn)品品系列和優(yōu)勢勢PART0202漢能產(chǎn)品生產(chǎn)產(chǎn)基地及分布布薄膜組件產(chǎn)品品系列漢能產(chǎn)品CIGS銅銦鎵硒系列列HNS-STXXHA鉑陽Siliconbased硅基薄膜系列列歐瑞康MiasoleGlobalSolarSinglecellAltaDevicesGaAs砷化鎵薄膜AltaDevicesHNS-SDXXSinglecellSolibroSL2&SL2-FFlex-01N/WGG-03/04Powerflex-2/4/6薄膜組件產(chǎn)品品介紹鉑陽組件（Apollo-經(jīng)典系列）HNS-BT63B透光組件電性能最大功率（W）63最大功率點(diǎn)電壓（V）70最大功率點(diǎn)電流（A）0.93開路電壓（V）89短路電流（A）1.12功率公差（W）0/+3結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1245*635厚（mm，不包括接線盒）7.5重量（kg）18.6組件面積（m2）0.79接線盒類型背接/側(cè)接玻璃類型

面板/背板浮法玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品品介紹歐瑞康組件（Oerlikon-雅致系列）HNS-SD130透光組件電性能最大功率（W）130最大功率點(diǎn)電壓（V）54最大功率點(diǎn)電流（A）2.22開路電壓（V）71短路電流（A）2.65功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1300*1100厚（mm，不包括接線盒）6.8重量（kg）23.5組件面積（m2）1.43接線盒類型背接玻璃類型面板/背板浮法玻璃/半鋼化浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品品介紹Solibro--旗艦系列（帶邊框/不帶邊框）SolibroSL2-（F）透光組件電性能最大功率（W）120/145最大功率點(diǎn)電壓（V）78.4/86.5最大功率點(diǎn)電流（A）1.53/1.62開路電壓（V）98.7/106.7短路電流（A）1.74/1.79功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1196.6*796/1190*789.5厚（mm，包括邊框）30mm/7.3重量（kg）18.1/16.5組件面積（m2）0.95/0.94接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/浮法玻璃薄膜組件產(chǎn)品品介紹Miasole組件MS150GG-04透光組件電性能最大功率（W）150-160W最大功率點(diǎn)電壓（V）19.2最大功率點(diǎn)電流（A）7.82開路電壓（V）24.4短路電流（A）9.08功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）1611*665厚（mm，包括邊框）7.5mm重量（kg）18組件面積（m2）1.071接線盒類型背接玻璃類別面板/背板鋼化玻璃/鋼化玻璃薄膜組件產(chǎn)品品介紹Miasole柔性組件FLEX-02W透光組件電性能最大功率（W）380最大功率點(diǎn)電壓（V）32.2最大功率點(diǎn)電流（A）11.49開路電壓（V）39.6短路電流（A）13.04功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）2598*1000厚（mm，包括背膠）2.5/1.5mm重量（kg）6.2/5.1組件面積（m2）2.598

接線盒類型正接認(rèn)證

歐標(biāo)IEC61646/61730適用于非指定認(rèn)證其它區(qū)域

美標(biāo)UL1703薄膜組件產(chǎn)品品介紹漢瓦HW-MQSG-01封裝材料高透光玻璃組件類型

采用美國先進(jìn)CIGS工藝制造，銅銦鎵硒組件優(yōu)勢1.三供曲面設(shè)計(jì)，外形美觀；2.可直接代替建材使用，綠色環(huán)保；3.防火、抗冰雹。透光組件電性能最大功率（W）30最大功率點(diǎn)電壓（V）8.6最大功率點(diǎn)電流（A）3.5開路電壓（V）10.6短路電流（A）4功率公差（W）0/+5結(jié)構(gòu)參數(shù)長（mm）*寬（mm）709*500厚（mm，包括邊框）14mm重量（kg）10組件面積（m2）0.355接線盒類型背接2薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢目錄薄膜電池在應(yīng)應(yīng)用環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢設(shè)備比較3工藝比較其他方面優(yōu)勢勢薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈比較生產(chǎn)環(huán)節(jié)4薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢光伏發(fā)電系統(tǒng)統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈比較較薄膜光伏電池池及組件系統(tǒng)光伏電站硅棒（錠）硅片系統(tǒng)組件電池片光伏電站晶體硅薄膜硅材料提純晶體硅電池產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈單晶硅棒多晶硅錠切方切塊切片電池制備電池封裝H2、O2、HCl、Si等石英坩堝石墨支架SiC粉鋼絲5N2、O2、POCl3、SiH4、氨氣、Ar、NaOH、鹽酸、硝酸酸、氫氟酸、TCA、異丙醇、銀漿、鋁鋁漿、銀鋁漿等玻璃、EVA、TPT、焊帶、接線盒薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)較較多，整合難難度較大SiH4制備H2、O2、HCl、Si硅基薄膜電池池N2、Ar、電子清洗液液、SnO2、ZnO2、Al6封裝玻璃、EVA、焊帶、接線盒薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢硅基薄膜電池池產(chǎn)業(yè)鏈TCO玻璃CIGS薄膜膜電池產(chǎn)業(yè)鏈鏈濺射靶材的制制備富含Cu、In、Ga等等元素的礦石CIGS薄膜電池Ar、Mo、、Cu、In、Ga、Se（或H2Se）、CdS（或ZnS））、ZnO、、Al、MgF2封裝玻璃、EVA、焊帶、接線盒鈉鈣玻璃薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢可實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)業(yè)鏈整合，電電池制造的整整個(gè)過程在一一個(gè)工廠內(nèi)即即可完成78設(shè)備比較薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢硅基薄膜設(shè)備備CIGS薄膜設(shè)備123單晶硅設(shè)備流化床反應(yīng)器器分餾塔熱解爐多晶硅設(shè)備流化床反應(yīng)器器分餾塔熱解爐456尾氣回收系統(tǒng)統(tǒng)單晶爐硅棒切斷機(jī)尾氣回收系統(tǒng)統(tǒng)多晶硅澆鑄爐爐破錠機(jī)磨邊機(jī)TCO沉積爐激光切割機(jī)磨邊機(jī)激光切割機(jī)玻璃清洗機(jī)激光去邊機(jī)玻璃清洗機(jī)激光去邊機(jī)7891011滾圓機(jī)線鋸切方線切片機(jī)硅片清洗硅片檢測與分分類切方機(jī)(多線切割機(jī))線切片機(jī)硅片清洗硅片檢測與分分類12石英坩堝制備備石英坩堝制備備13141516石墨制備硅片清洗與織織構(gòu)化等離子去邊機(jī)機(jī)擴(kuò)散爐石墨制備硅片清洗與織織構(gòu)化等離子去邊機(jī)機(jī)擴(kuò)散爐17181920212223絲印機(jī)PECVD設(shè)備燒結(jié)爐分選機(jī)自動(dòng)焊接機(jī)層壓機(jī)測試臺(tái)絲印機(jī)PECVD設(shè)備燒結(jié)爐分選機(jī)自動(dòng)焊接機(jī)層壓機(jī)測試臺(tái)PECVD設(shè)備磁控濺射系統(tǒng)統(tǒng)退火爐分選機(jī)超聲焊機(jī)層壓機(jī)測試臺(tái)磁控濺射系統(tǒng)統(tǒng)硒化爐化學(xué)浴制備CdS分選機(jī)超聲焊機(jī)層壓機(jī)測試臺(tái)9工藝比較薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢單晶硅多晶硅硅基薄膜CIGS（以濺射后硒硒化為例）氫氯化工藝分餾工藝熱解(1100℃℃)尾氣回收氫氯化工藝分餾工藝熱解(1100℃℃)尾氣回收拉單晶(1400℃℃)斷頭，切方切片澆鑄（1400℃）破錠切片RCA清洗RCA清洗玻璃清洗LPCVD沉積TCO膜（200℃）玻璃清洗濺射沉積Mo電極擴(kuò)散(850℃)擴(kuò)散(850℃)PECVD（350℃））絲網(wǎng)印刷等離子體刻蝕蝕烘干（X3：200℃）燒結(jié)（200~800℃）分選焊接層壓（150℃）測試PECVD（450℃））絲網(wǎng)印刷等離子體刻蝕蝕烘干（X3：200℃）燒結(jié)（200~800℃）分選焊接層壓（150℃）測試PECVD（180~220℃）磁控濺射激光切割激光去邊退火（180℃）分選匯流焊接層壓（150℃）測試磁控濺射硒化（500℃）激光切割激光去邊分選匯流焊接層壓（150℃）測試電池尺寸：125x125mm、156x156mm、200x200mm電池尺寸：0.79m、1.43m、1.54m電池尺寸：0.75m、0.94m工藝比薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢晶體硅組件4次溫度超過800oC的高溫過程硅基薄膜組件件4次溫度低于250oC的低溫過程CIGS薄膜組件1次500℃的高溫過程5次溫度低于400oC的低溫過程1次150℃的低溫過程5次進(jìn)入真空系系統(tǒng)3次進(jìn)入真空系系統(tǒng)2-3次進(jìn)入真空系系統(tǒng)3次硅片RCA清洗工藝3次玻璃清洗工工藝3次玻璃清洗工工藝22222222較晶體硅太陽能能電池：耗電電能高、耗水水高、耗人力力高,尺寸較較??；薄膜太陽能電電池：耗電能能低、電池尺尺寸大1011磨邊一次清洗一次激光二次清洗PECVD二次激光PVD三次激光激光掃邊退火芯片清洗超聲焊EVA敷設(shè)層壓裝接線盒組件測試外觀清潔檢查裝箱電池板反壓測試組件薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢硅基薄膜電池池生產(chǎn)工藝流流程12薄膜電池在生生產(chǎn)環(huán)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢CIGS薄膜電池生產(chǎn)產(chǎn)工藝流程（（以濺射+硒化法為例））磨邊基板清洗Mo電極沉積積一次激光磁控濺射銅銦銦鎵測試與封裝激光掃邊三次激光磁控濺射背電電極二次激光化學(xué)浴法沉積積CdS硒化其他優(yōu)勢薄膜電電池在在生產(chǎn)產(chǎn)環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢原材料料消耗耗：薄膜電電池的的光敏敏層厚厚度一一般在在0.5~3微米，，相對(duì)對(duì)于厚厚度為為150~200微米的的硅片片大大大節(jié)省省了原原材料料。能源回回收期期：晶體硅硅組件件的能能源回回收期期為1.5年，，而薄薄膜組組件的的能源源回收期僅僅為0.5~1年。。柔性組組件：：薄膜電電池可可以采采用聚聚酰亞亞胺、、不銹銹鋼等等柔性性襯底底制備備輕質(zhì)質(zhì)、可卷曲曲的柔柔性組組件。。技術(shù)提提升空空間：：晶體體硅電電池接接近極極限效效率，，效率率提升升空間間有限限；薄薄膜電電池的理論論效率率為29%，提提升空空間較較大（（CIGS的實(shí)實(shí)驗(yàn)室室效率率已達(dá)達(dá)到20.8%，，量產(chǎn)產(chǎn)效率率與晶晶體硅硅組件件相當(dāng)當(dāng)）。。13應(yīng)用環(huán)環(huán)境薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢發(fā)電性性能應(yīng)用環(huán)節(jié)建筑美美學(xué)14電薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能薄膜電電池的的溫度度系數(shù)數(shù)較小小，高高溫性性能佳佳發(fā)在散射射光環(huán)環(huán)境下下，性性能較較好性能陰影遮遮擋功功率損損失較較小15技術(shù)參數(shù)對(duì)比硅基薄膜組件CIGS薄膜組件單晶硅組件多晶硅組件Pmax溫度系數(shù)-0.21%/℃-0.31%/℃-0.47%/℃-0.46%/℃最大系統(tǒng)電壓1000VDC1000VDC1000VDC1000VDC工作溫度-40~85℃-40~85℃-40~85℃-40~85℃使用壽命25年25年25年25年適宜安裝地區(qū)熱帶、溫帶、寒帶熱帶、溫帶、寒帶溫帶、寒帶溫帶、寒帶16薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能溫度系系數(shù)小小，高高溫性性能佳佳當(dāng)工作作溫度度高于于25℃時(shí)時(shí)，溫溫度每每升高高1℃℃，硅硅基薄薄膜組組件、、單晶晶硅組組件和和多晶晶硅組組件的的最大大功率率分別別降低0.21%、0.31%、0.47%和0.46%。1000W太陽能電池因溫度上升所引起的功率下降對(duì)比表硅基薄膜電池其他晶體硅電池溫度（℃）Pmax（W)Pmax(W)(SanyoHIT)Pmax(W)(Otherc-Si)509439138886092087884270897843798758868267758087480975217薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能德國權(quán)權(quán)威TUV評(píng)測報(bào)報(bào)告顯顯示工作溫溫度大大于25℃℃時(shí)，，太陽陽能電電池的的最大大功率率隨著著溫度度的升升高而而減小小。由由于硅硅基薄薄膜電池溫溫度系系數(shù)較較小，，工作作溫度度在75℃℃時(shí)，，硅基基薄膜膜電池池比晶晶體硅硅電池池多發(fā)發(fā)電(886-775)/775=12.5%18薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能Photon測試結(jié)結(jié)果：：硅基基薄膜膜組件件（非非微））與兩兩家晶晶硅組組件發(fā)發(fā)電量量比較2011年年初至至2012年第第一季度末末，硅硅基薄薄膜組組件的累計(jì)計(jì)發(fā)電電量比比阿特特斯晶硅組組件高高8.1%；比比夏普晶硅硅組件件高15.74%。。測試地地點(diǎn):Aachen(德國國西北北部城城市)緯度:N50°°年平均均溫度度:11℃℃年平均均輻照照度:1000kWh/m219薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能Photon測試結(jié)結(jié)果：：硅基基薄膜膜組件件（非非微））與FirstSolar碲化鎘鎘薄膜膜組件件發(fā)電電功量量比較較2011年年初至至2012年第第一季季度末末，硅硅基薄薄膜組組件的的累計(jì)計(jì)發(fā)電電量比比FirstSolar碲化化鎘薄薄膜組組件高4.15%。測試地地點(diǎn):Aachen(德國國西北北部城城市)緯度:N50°°年平均均溫度度:11℃℃年平均均輻照照度:1000kWh/m220薄膜電電池在在應(yīng)用用環(huán)節(jié)節(jié)的優(yōu)優(yōu)勢-發(fā)電性性能位于SantaCruz的的電池池組件件陣列列不同電電池組組件在在美國國加州州SantaCruz（（37°N）發(fā)電電量的的比較較[來源源：AllanGregg,TerenceParker,andRonSwenson,ArealworldExaminationofPVSystemDesignandPerformance.]在同一一地點(diǎn)點(diǎn)，相相同傾傾角下下，硅硅基薄薄膜組組件的的年發(fā)發(fā)電量量比晶晶硅組組件多多達(dá)14%。21薄膜膜電電池池在在應(yīng)應(yīng)用用環(huán)環(huán)節(jié)節(jié)的的優(yōu)優(yōu)勢勢-發(fā)電電性性能能CIS電池池與與晶晶硅硅電電池池發(fā)發(fā)電電性性能能比比較[來來源源：：Solar-frontier./Brochure]CIS薄薄膜膜電電池池比比晶晶體體硅硅電電池池年年發(fā)發(fā)電電量量多多10%?。y試試地地點(diǎn)點(diǎn)：：日日本本厚厚木木市市（（北北緯緯35度度26分分））測試試時(shí)時(shí)間間：：2009年年7月月~2010年年6月月22薄膜膜電電池池在在應(yīng)應(yīng)用用環(huán)環(huán)節(jié)節(jié)的的優(yōu)優(yōu)勢勢-發(fā)電電性性能能[來來源源：：KaiW.Jansen,SuparmaB.Kadam,andJamesF.Groelinger,“TheAdvantagesofAmorphousSiliconPhotovoltaicModulesinGrid-tiedsystems””]五種種電電池池組組件件在在西西班班牙牙Mallorca（39°N）實(shí)實(shí)測測的的累累計(jì)計(jì)年年發(fā)發(fā)電電量量比比較較經(jīng)比比較較：：相相同同標(biāo)標(biāo)稱稱功功率率下下，，5種種太太陽陽能電電池池的的發(fā)發(fā)電電量量依依次次為為雙雙節(jié)節(jié)硅硅基基薄薄膜膜電池池、、銅銅銦銦鎵鎵硒硒電電池池、、多多晶晶硅硅電電池池、、單晶晶硅硅電電池池、、碲碲化化鎘鎘電電池池。。23薄膜膜電電池池在在應(yīng)應(yīng)用用環(huán)環(huán)節(jié)節(jié)的的優(yōu)優(yōu)勢勢-發(fā)電電性性能能弱光光發(fā)發(fā)電電效效果果更更佳佳散射射光光條條件件下下（（早早晨晨、、傍傍晚晚及及多多云云天天氣氣）），，薄薄膜膜組組件件發(fā)發(fā)電電更更有有優(yōu)優(yōu)勢勢。。當(dāng)光光照照強(qiáng)強(qiáng)度度減減小小時(shí)時(shí)，，非非晶晶硅硅材材料料的的轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換效效率率與與晶晶體體硅材材料料有有明明顯顯的的差差別別非晶晶硅硅隨隨光光強(qiáng)強(qiáng)的的減減小小先先增增大大，，在在大大約約100W/m2時(shí)，，轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換效效率率達(dá)達(dá)到到最最大大值值；；然然后后隨光光強(qiáng)強(qiáng)的的減減小小而而減減小小，，但但變變化化幅幅度度在在10%的范圍。。晶體硅隨隨光強(qiáng)的的減小而而減小，，當(dāng)光強(qiáng)強(qiáng)從1000W/m2減小到10W/m2時(shí)，單晶晶硅的轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換效率減小小43%，多晶晶硅減小小63%。24薄膜電池池在應(yīng)用用環(huán)節(jié)的的優(yōu)勢-發(fā)電性能能同功率的的硅基薄薄膜組件件與晶體體硅組件件發(fā)電量比值隨天天氣的變變化在兩種測測試條件件下硅基基薄膜組組件與晶晶體硅組組件發(fā)電電量比值值均大于于100%，平平均多出出10%以上的的發(fā)電量。。多云天天氣時(shí)，，硅基薄薄膜組件件表現(xiàn)更更佳。[來源：：RonSwenson,FlatRoofThin-filmPVComparedtoTiltedThinFilmandCrystallinePV]測試條件件地點(diǎn)：SantaCruzPTC：：日照1000W/m2環(huán)境溫度度20℃℃風(fēng)速1m/sSTC：：日照1000W/m2電池溫度度25℃℃大氣環(huán)境境AM1.5光伏建筑筑應(yīng)用中中，遮擋擋難以避避免，局局部遮擋擋對(duì)薄膜膜組件和和晶體硅硅組件功功率的影響響有所不不同：晶體硅組組件：單單電池片片被完全全遮擋時(shí)時(shí)，整個(gè)個(gè)組件的的輸出功功率損失失75%；薄膜組件件：遮擋擋組件面面積的10%，，整個(gè)組組件功率率損失僅僅10%。此外，晶晶體硅組組件受安安裝傾角角和表面面灰塵的的影響比比薄膜組組件大。。[來源：：呂芳，，江燕興興，劉莉莉敏，曹曹志峰，，《太陽陽能發(fā)電電》]25薄膜電池池在應(yīng)用用環(huán)節(jié)的的優(yōu)勢-發(fā)電性能能陰影遮擋擋功率損損失較小小秘密--?2017HanergyThinFilmPowerGroupLimited薄膜組件件晶硅組件件晶硅組件件玻璃采采用毛邊邊玻璃且?guī)н呥吙颍肀砻娌还夤饣?，易積灰、、積雪，，影響電電池發(fā)電量。。薄膜組組件采用用純平鋼化玻玻璃，表表面光滑滑，易清理。。薄膜組件件跟晶硅硅組件對(duì)對(duì)比環(huán)境特點(diǎn)組件比較薄膜組件晶硅組件溫差大收縮系數(shù)收縮系數(shù)一致收縮系數(shù)不一致，易破損風(fēng)沙大封裝材料雙層玻璃堅(jiān)固耐用沙石對(duì)軟性TPT有損傷隱患紫外光線強(qiáng)EVA黃化位于電池片下方大部分紫外線被電池吸收，不易黃化位于電池片上方易黃化，功率下降組件壽命受EVA影響工作溫度高溫度系數(shù)溫度系數(shù)小，發(fā)電量受高溫影響小溫度系數(shù)大，高溫效果不佳26薄膜電池池在應(yīng)用用環(huán)節(jié)的的優(yōu)勢-應(yīng)用環(huán)境境普通組件件--應(yīng)用環(huán)境境廣泛浮法玻璃璃薄膜電池池EVA層背板玻璃鋼化玻璃EVA層晶體硅電池EVA層TPT背板薄膜組件Vs晶硅組件秘密--??2017HanergyThinFilmPowerGroupLimited22屋面通風(fēng)改改造后出現(xiàn)的電電池隱裂問問題，降低低功率損失失。漢能組件的的安全性1.可靠性優(yōu)勢勢-機(jī)械性性能新增欄桿薄膜組件采采用雙玻結(jié)結(jié)構(gòu)封裝，，機(jī)械性能能出眾。可可有效防止止晶硅組件件因載荷測測試、運(yùn)輸、受力力秘密--新增欄桿漢能組件的的安全性測試條件因組件工藝藝原因，薄薄膜組件對(duì)對(duì)陰影遮擋擋（植被、、建筑或鳥鳥糞等）具具有顯著地地抗熱斑效果。