C60單片機(jī)介紹ppt資料市公開課一等獎(jiǎng)省賽課獲獎(jiǎng)?wù)n件

C8051F360系統(tǒng)介紹一年9月C60單片機(jī)介紹ppt資料第1頁(yè)主要內(nèi)容內(nèi)部資源總體介紹存放器組織特殊功效存放器外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM時(shí)鐘系統(tǒng)復(fù)位系統(tǒng)中止系統(tǒng)電源管理C60單片機(jī)介紹ppt資料第2頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹模擬外設(shè)10位ADC（轉(zhuǎn)換速率可達(dá)200ksps；可達(dá)21路單端或差分輸入；VREF可在內(nèi)部VREF、外部引腳或VDD中選擇；內(nèi)部或外部轉(zhuǎn)換開啟；內(nèi)置溫度傳感器）10位電流DAC輸出兩個(gè)比較器C60單片機(jī)介紹ppt資料第3頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹在片調(diào)試片內(nèi)調(diào)試電路提供全速、非侵入式在系統(tǒng)調(diào)試（不需要傳統(tǒng)意義上仿真器）支持?jǐn)帱c(diǎn)、單步、觀察/修改存放器和存放器比使用仿真芯片、目標(biāo)仿真頭和仿真插座仿真系統(tǒng)有更優(yōu)越性能C60單片機(jī)介紹ppt資料第4頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹電源2.7-3.6V(50MIPS)；3.0-3.6V(100MIPS)封裝48腳TQFP（C8051F360/3）溫度范圍-40°C-+85°CC60單片機(jī)介紹ppt資料第5頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹高速8051微控制器內(nèi)核流水線指令結(jié)構(gòu)；70%指令執(zhí)行時(shí)間為一個(gè)或兩個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期可設(shè)置為100MIPS和50MIPS兩種模式下工作擴(kuò)展中止系統(tǒng)2個(gè)時(shí)鐘周期16×16位乘法器

C60單片機(jī)介紹ppt資料第6頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹存放器1280字節(jié)內(nèi)部數(shù)據(jù)RAM（256＋1024）32KBFLASH；可在系統(tǒng)編程，扇區(qū)大小為1024字節(jié)；并預(yù)留了1024個(gè)字節(jié)

C60單片機(jī)介紹ppt資料第7頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹數(shù)字外設(shè)39個(gè)端口I/O；均耐5V電壓，大灌電流（極限100mA）硬件增強(qiáng)型SPI、SMBus和增強(qiáng)型UART串口4個(gè)通用16位計(jì)數(shù)器/定時(shí)器16位可編程計(jì)數(shù)器/定時(shí)器陣列（PCA），有6個(gè)捕捉/比較模塊實(shí)時(shí)時(shí)鐘模式使用由PCA或定時(shí)器和外部時(shí)鐘源外部存放器接口（EMIF）C60單片機(jī)介紹ppt資料第8頁(yè)內(nèi)部資源總體介紹時(shí)鐘源兩種內(nèi)部振蕩：內(nèi)晶振24.5MHz，±2%誤差，支持無(wú)外晶振串口通信。有80/40/20/10KHz低頻模式，低功耗靈活PLL技術(shù)外部振蕩器：晶體、RC、C、或外部時(shí)鐘可在運(yùn)行中切換時(shí)鐘源；通慣用于節(jié)電模式下C60單片機(jī)介紹ppt資料第9頁(yè)存放器組織程序存放器數(shù)據(jù)存放器通用存放器位尋址區(qū)堆棧特殊功效存放器：SFRC60單片機(jī)介紹ppt資料第10頁(yè)程序存放器CIP-51（兼容51核）有64KB程序存放器空間。C8051F360有32KB可在系統(tǒng)編程FLASH存放器。地址范圍為0000－7BFFH，在這32KB范圍內(nèi)7BFFH以上地址被保留。

程序存放器通常被認(rèn)為是只讀。不過(guò)CIP-51能夠經(jīng)過(guò)設(shè)置程序存放寫允許位（PSCTL.0）用MOVX指令對(duì)程序存放器寫入。這一特征為CIP-51提供了更新程序代碼和將程序存放器空間用于非易失性數(shù)據(jù)存放機(jī)制。C60單片機(jī)介紹ppt資料第11頁(yè)程序存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第12頁(yè)程序存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第13頁(yè)數(shù)據(jù)存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第14頁(yè)數(shù)據(jù)存放器00H-1FH：存放器區(qū)，一樣20H-2FH：位地址區(qū)，一樣30H-7FH：通用RAM區(qū)，一樣80H-0FFH：RAM區(qū)，間接訪問(wèn)，一樣80H-0FFH：SFR，直接訪問(wèn)，有分頁(yè)問(wèn)題！堆棧：RAM區(qū)，一樣C60單片機(jī)介紹ppt資料第15頁(yè)特殊功效存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第16頁(yè)特殊功效存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第17頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM訪問(wèn)XRAM：16位MOVX；8位MOVX配置外部存放器接口（專門介紹）端口配置（專門介紹）復(fù)用和非復(fù)用選擇存放器模式選擇C60單片機(jī)介紹ppt資料第18頁(yè)片內(nèi)XRAM訪問(wèn)XRAM：16位MOVX；8位MOVXC60單片機(jī)介紹ppt資料第19頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器復(fù)用和非復(fù)用選擇C60單片機(jī)介紹ppt資料第20頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器復(fù)用模式C60單片機(jī)介紹ppt資料第21頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器非復(fù)用模式C60單片機(jī)介紹ppt資料第22頁(yè)C60單片機(jī)介紹ppt資料第23頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM存放器模式選擇－－只用內(nèi)部XRAM當(dāng)EMI0CF[3:2]被設(shè)置為‘00’時(shí)，全部MOVX指令都將訪問(wèn)器件內(nèi)部XRAM空間。存放器尋址地址大于實(shí)際地址空間時(shí)將以1K為邊界回繞。比如：地址0x0400和0x1000都指向片內(nèi)XRAM空間0x0000地址。8位MOVX操作使用特殊功效存放器EMI0CN（相當(dāng)于MCS-51P2）內(nèi)容作為有效地址高字節(jié)，由R0或R1給出有效地址低字節(jié)。16位MOVX操作使用16位存放器DPTR內(nèi)容作為有效地址。C60單片機(jī)介紹ppt資料第24頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM存放器模式選擇－－只用外部XRAM當(dāng)EMI0CF[3:2]被設(shè)置為‘11’時(shí)，全部MOVX指令都將訪問(wèn)器件外部XRAM空間。片內(nèi)XRAM對(duì)CPU為不可見。該方式在訪問(wèn)從0x0000開始到內(nèi)部XRAM尺寸邊界之間片外存放器時(shí)有用。（處理了片內(nèi)XRAM與片外RAM地址重復(fù)問(wèn)題）8位MOVX操作忽略EMI0CN內(nèi)容。用戶經(jīng)過(guò)直接設(shè)置端口（P3、P4部分端口）狀態(tài)來(lái)按自己意愿操作高位地址。有效地址低8位A[7:0]由R0或R1給出。16位MOVX操作使用DPTR內(nèi)容確定有效地址A[15:0]。C60單片機(jī)介紹ppt資料第25頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM存放器模式選擇－－無(wú)塊選擇分片模式當(dāng)EMI0CF[3:2]被設(shè)置為‘01’時(shí)，XRAM存放器空間被分成兩個(gè)區(qū)域，即片內(nèi)空間和片外空間。尋址低于1K邊界地址時(shí)訪問(wèn)片內(nèi)存放器，尋址高于1K邊界地址時(shí)訪問(wèn)片外存放器。8位片外MOVX高8位經(jīng)過(guò)端口（P3、P4部分端口）來(lái)驅(qū)動(dòng)。16位MOVX操作使用DPTR內(nèi)容確定是訪問(wèn)片內(nèi)還是片外存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第26頁(yè)外部數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存放器和片內(nèi)XRAM存放器模式選擇－－帶塊選擇分片模式當(dāng)EMI0CF[3:2]被設(shè)置為‘10’時(shí)，XRAM存放器空間被分成兩個(gè)區(qū)域，即片內(nèi)空間和片外空間。尋址低于1K邊界地址時(shí)訪問(wèn)片內(nèi)存放器，尋址高于1K邊界地址時(shí)訪問(wèn)片外存放器。16位MOVX操作使用DPTR內(nèi)容確定是訪問(wèn)片內(nèi)還是片外存放器8位片外MOVX高8位經(jīng)過(guò)EMI0CN內(nèi)容來(lái)驅(qū)動(dòng)。

C60單片機(jī)介紹ppt資料第27頁(yè)C60單片機(jī)介紹ppt資料第28頁(yè)C60單片機(jī)介紹ppt資料第29頁(yè)時(shí)鐘系統(tǒng)C60單片機(jī)介紹ppt資料第30頁(yè)時(shí)鐘系統(tǒng)可編程內(nèi)部高頻振蕩器可編程內(nèi)部低頻振蕩器外部振蕩器驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)時(shí)鐘選擇外部晶振外部RC外部電容鎖相環(huán)（PLL）:PLL輸入時(shí)鐘和預(yù)分離器；PLL乘法和輸出時(shí)鐘；上電和初始化PLLC60單片機(jī)介紹ppt資料第31頁(yè)高頻振蕩器可編程內(nèi)部高頻振蕩器：系統(tǒng)復(fù)位后默認(rèn)系統(tǒng)時(shí)鐘24.5MHz，缺省分頻系數(shù)8該振蕩器周期能夠經(jīng)過(guò)OSCICL存放器（見SFR定義16.1）編程。OSCICL存放器已經(jīng)過(guò)工廠校準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)24.5MHz內(nèi)部振蕩器頻率。系統(tǒng)時(shí)鐘能夠從內(nèi)部振蕩器分頻得到，分頻系數(shù)由存放器OSCICN中IFCN位設(shè)定，可為1、2、4或8。復(fù)位后缺省分頻系數(shù)為8?？蓮?qiáng)制掛起而停振?。ü牡停〤60單片機(jī)介紹ppt資料第32頁(yè)高頻振蕩器C60單片機(jī)介紹ppt資料第33頁(yè)高頻振蕩器C60單片機(jī)介紹ppt資料第34頁(yè)低頻振蕩器一個(gè)可編程低頻內(nèi)部振蕩器，該振蕩器標(biāo)稱頻率為80KHz。該低頻振蕩器電路包含一個(gè)分頻器，分頻數(shù)由存放器OSCLCN中OSCLD位設(shè)定，可為1、2、4或8（見SFR定義16.3）。OSCLF位（OSCLCN5:2）可用于調(diào)整該振蕩器輸出頻率。C60單片機(jī)介紹ppt資料第35頁(yè)低頻振蕩器C60單片機(jī)介紹ppt資料第36頁(yè)外部振蕩器驅(qū)動(dòng)電路外部振蕩器電路能夠驅(qū)動(dòng)外部晶體、陶瓷諧振器、電容或RC網(wǎng)絡(luò)。也能夠使用一個(gè)外部CMOS時(shí)鐘提供系統(tǒng)時(shí)鐘。對(duì)于晶體和陶瓷諧振器配置，晶體/陶瓷諧振器必須并接到X1和X2引腳，還必須在X1和X2引腳之間并接一個(gè)10MΩ電阻。對(duì)于RC、電容或CMOS時(shí)鐘配置，時(shí)鐘源應(yīng)接到XTAL2引腳。必須在OSCXCN存放器中選擇外部振蕩器類型，還必須正確選擇頻率控制位XFCN（見SFR定義16.5）。C60單片機(jī)介紹ppt資料第37頁(yè)外部振蕩器驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)使用外部振蕩器電路時(shí)，必須對(duì)所用端口引腳進(jìn)行配置。當(dāng)外部振蕩器電路被配置為晶體/諧振器方式時(shí)，端口引腳P0.2和P0.3分別被用作X1和X2。當(dāng)外部振蕩器電路被配置為RC、電容或CMOS時(shí)鐘方式時(shí)，端口引腳P0.3被用作XTAL2。當(dāng)在晶體/陶瓷諧振器、電容或RC方式使用外部振蕩器電路時(shí)，應(yīng)將所用端口引腳配置為模擬輸入。在CMOS時(shí)鐘方式，應(yīng)將所用端口引腳配置為數(shù)字輸入。C60單片機(jī)介紹ppt資料第38頁(yè)系統(tǒng)時(shí)鐘選擇C60單片機(jī)介紹ppt資料第39頁(yè)時(shí)鐘系統(tǒng)鎖相環(huán)（PLL）:PLL輸入時(shí)鐘和預(yù)分離器；PLL乘法和輸出時(shí)鐘；上電和初始化PLLC60單片機(jī)介紹ppt資料第40頁(yè)復(fù)位系統(tǒng)C60單片機(jī)介紹ppt資料第41頁(yè)復(fù)位系統(tǒng)上電復(fù)位掉電復(fù)位/VDD監(jiān)視器外部復(fù)位時(shí)鐘丟失檢測(cè)器復(fù)位比較器0復(fù)位PCA看門狗定時(shí)器復(fù)位FLASH錯(cuò)誤復(fù)位軟件復(fù)位C60單片機(jī)介紹ppt資料第42頁(yè)上電復(fù)位在上電期間，器件保持在復(fù)位狀態(tài)，/RST引腳被驅(qū)動(dòng)到低電平，直到VDD上升到超出VRST電平。從復(fù)位開始到退出復(fù)位狀態(tài)要經(jīng)過(guò)一個(gè)上電復(fù)位延時(shí)，該延時(shí)通常小于0.3ms。退出復(fù)位時(shí),PORSF標(biāo)志(RSTSRC.1)被硬件置為邏輯‘1’;當(dāng)PORSF標(biāo)志被置位時(shí),RSTSRC存放器中其它復(fù)位標(biāo)志都是不確定。PORSF被任何其它復(fù)位源清0。因?yàn)槿繌?fù)位都使程序從地址0開始執(zhí)行,軟件能夠經(jīng)過(guò)讀標(biāo)志來(lái)確定是否為上電產(chǎn)生復(fù)位。上電復(fù)位，內(nèi)RAM中內(nèi)容是不確定。在上電復(fù)位后，VDD監(jiān)視器可被使能。軟件能夠經(jīng)過(guò)向存放器RSTSRC中PINRSF位寫‘1’來(lái)強(qiáng)制產(chǎn)生一次上電復(fù)位。C60單片機(jī)介紹ppt資料第43頁(yè)上電復(fù)位C60單片機(jī)介紹ppt資料第44頁(yè)掉電復(fù)位/VDD監(jiān)視器當(dāng)發(fā)生掉電或因電源波動(dòng)造成VDD降到VRST以下時(shí),電源監(jiān)視器將/RST引腳驅(qū)動(dòng)為低電平并保持復(fù)位狀態(tài)。當(dāng)VDD又回到高于VRST電平時(shí)，將退出復(fù)位狀態(tài)。盡管內(nèi)RAM內(nèi)容可能沒(méi)有因掉電復(fù)位而改變,但無(wú)法確定VDD是否降到了數(shù)據(jù)保持所要求最低電平以下。假如PORSF標(biāo)志讀出值為1,則內(nèi)部RAM數(shù)據(jù)可能無(wú)效。在上電復(fù)位后VDD監(jiān)視器被禁止,但它狀態(tài)(使能/禁止)不受任何其它復(fù)位源影響。比如,在VDD監(jiān)視器被使能后執(zhí)行一次軟件復(fù)位,復(fù)位后VDD監(jiān)視器依然為使能狀態(tài)。注意：在選擇VDD監(jiān)視器作為復(fù)位源之前,必須使能VDD監(jiān)視器。在VDD監(jiān)視器被使能或穩(wěn)定之前選其為復(fù)位源可能造成系統(tǒng)復(fù)位。將VDD監(jiān)視器配置為復(fù)位源步驟以下：1．使能VDD監(jiān)視器（VDM0CN.7=1）；2．等候VDD監(jiān)視器穩(wěn)定(VDD監(jiān)視器開啟時(shí)間最小100微秒)3．選擇VDD監(jiān)視器作為復(fù)位源(RSTSR.1=1)。C60單片機(jī)介紹ppt資料第45頁(yè)掉電復(fù)位/VDD監(jiān)視器C60單片機(jī)介紹ppt資料第46頁(yè)復(fù)位源使能/標(biāo)志存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第47頁(yè)復(fù)位源使能/標(biāo)志存放器位6：FERROR：FLASH錯(cuò)誤標(biāo)志 0：最終一次復(fù)位不是來(lái)自FLASH讀/寫/擦除錯(cuò)誤。1：最終一次復(fù)位是因?yàn)镕LASH讀/寫/擦除錯(cuò)誤。位5：C0RSEF：比較器0復(fù)位使能和標(biāo)志 寫：0：比較器0不是復(fù)位源。1：比較器0是復(fù)位源（低電平有效）。讀：0：最終一次復(fù)位不是來(lái)自比較器0；1：最終一次復(fù)位來(lái)自比較器0。位4：SWRSF：軟件強(qiáng)制復(fù)位和標(biāo)志 寫：0：無(wú)作用；1：強(qiáng)制產(chǎn)生一次系統(tǒng)復(fù)位。讀：0：最終一次復(fù)位不是來(lái)自寫SWRSF位；1：最終一次復(fù)位來(lái)自寫SWRSF位。 C60單片機(jī)介紹ppt資料第48頁(yè)復(fù)位源使能/標(biāo)志存放器位3：WDTRSF：看門狗定時(shí)器復(fù)位標(biāo)志 0：最終一次復(fù)位不是來(lái)自WDT超時(shí)；1：最終一次復(fù)位來(lái)自WDT超時(shí)。位2：MCDRSF：時(shí)鐘丟失檢測(cè)器標(biāo)志 寫：0：禁止時(shí)鐘丟失檢測(cè)器；1：使能時(shí)鐘丟失檢測(cè)器。讀：0：最終一次復(fù)位不是來(lái)自時(shí)鐘丟失檢測(cè)器超時(shí)；1：最終一次復(fù)位來(lái)自時(shí)鐘丟失檢測(cè)器超時(shí)。 位1：PORSF：上電復(fù)位/VDD監(jiān)視器復(fù)位標(biāo)志 該位在上電復(fù)位后被置位（自動(dòng)？）。對(duì)該位寫入能夠使能/禁止VDD監(jiān)視器作為復(fù)位源。注意：在VDD監(jiān)視器被使能和穩(wěn)定之前向該位寫1可能造成系統(tǒng)復(fù)位。0：讀：最終一次復(fù)位不是上電復(fù)位或VDD監(jiān)視器復(fù)位；寫：VDD監(jiān)視器不作為復(fù)位源。1：讀：最終一次復(fù)位是上電或VDD監(jiān)視器復(fù)位，全部其它復(fù)位標(biāo)志是不確定；寫：VDD監(jiān)視器為復(fù)位源。 位0：PINRSF：硬件引腳復(fù)位標(biāo)志 0:最終一次復(fù)位不是來(lái)自/RST引腳;1:最終一次復(fù)位來(lái)自/RST引腳。C60單片機(jī)介紹ppt資料第49頁(yè)外部復(fù)位外部/RST引腳提供了使用外部電路強(qiáng)制MCU進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)伎倆。在/RST引腳上加一個(gè)低電平有效信號(hào)(15微秒)將造成MCU進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。盡管在內(nèi)部有弱上拉，但最好能提供一個(gè)外部上拉和/或?qū)?RST引腳去耦以預(yù)防強(qiáng)噪聲引發(fā)復(fù)位。從外部復(fù)位狀態(tài)退出后，PINRSF標(biāo)志（RSTSRC.0）被置‘1’。C60單片機(jī)介紹ppt資料第50頁(yè)時(shí)鐘丟失檢測(cè)器復(fù)位時(shí)鐘丟失檢測(cè)器（MCD）實(shí)際上是由系統(tǒng)時(shí)鐘觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路。假如系統(tǒng)時(shí)鐘兩個(gè)連續(xù)上升沿時(shí)間間隔大于100微秒，單穩(wěn)態(tài)電路將超時(shí)并產(chǎn)生復(fù)位。在發(fā)生時(shí)鐘丟失檢測(cè)器復(fù)位后，MCDRSF標(biāo)志（RSTSRC.2）讀出值為‘1’，表示此次復(fù)位源為MCD；不然該位讀出值為‘0’。向MCDRSF位寫‘1’將使能時(shí)鐘丟失檢測(cè)器；寫‘0’將禁止時(shí)鐘丟失檢測(cè)器。/RST引腳狀態(tài)不受該復(fù)位影響。C60單片機(jī)介紹ppt資料第51頁(yè)比較器0復(fù)位向C0RSEF標(biāo)志(RSTSRC.5)寫‘1’能夠?qū)⒈容^器0配置為復(fù)位源。應(yīng)在寫C0RSEF之前使能比較器0并等候輸出穩(wěn)定，以預(yù)防通電瞬間在輸出端產(chǎn)生抖動(dòng)，從而造成不希望復(fù)位。比較器0復(fù)位為低電平有效：假如同相端輸入電壓（CP0+）小于反相端輸入電壓（CP0-），則產(chǎn)生系統(tǒng)復(fù)位。在發(fā)生比較器0復(fù)位后，C0RSEF標(biāo)志（RSTSRC.5）讀出值為‘1’，表示此次復(fù)位源為比較器0；不然該位讀出值為‘0’。/RST引腳狀態(tài)不受該復(fù)位影響。C60單片機(jī)介紹ppt資料第52頁(yè)P(yáng)CA看門狗定時(shí)器復(fù)位可編程計(jì)數(shù)器陣列（PCA）可編程看門狗定時(shí)器（WDT）功效可用于在系統(tǒng)出現(xiàn)錯(cuò)誤情況下預(yù)防軟件運(yùn)行失控。能夠經(jīng)過(guò)軟件使能或禁止PCAWDT功效(專門章節(jié)介紹)。在每次復(fù)位后，WDT被使能并使用SYSCLK/12作為計(jì)數(shù)時(shí)鐘。假如因系統(tǒng)犯錯(cuò)使用戶軟件不能更新WDT，則WDT將產(chǎn)生一次復(fù)位，WDTRSF位（RSTSRC.5）被置‘1’。/RST引腳狀態(tài)不受該復(fù)位影響。

C60單片機(jī)介紹ppt資料第53頁(yè)FLASH錯(cuò)誤復(fù)位假如FLASH讀/寫/擦除操作地址或程序讀地址為非法地址，將發(fā)生系統(tǒng)復(fù)位。下述任何一個(gè)情況都會(huì)造成FLASH操作錯(cuò)誤：FLASH寫或擦除地址超出了用戶代碼空間。這種情況發(fā)生在PSWE被置‘1’，而且MOVX操作地址大于0x7BFF。FLASH讀地址超出了用戶代碼空間，即MOVC操作地址大于0x7BFF。程序讀超出了用戶代碼址空間。這種情況發(fā)生在用戶代碼試圖轉(zhuǎn)移到大于0x7BFF地址時(shí)。當(dāng)FLASH讀、寫或擦除被安全設(shè)置禁止時(shí)（見后面介紹安全選項(xiàng)）。當(dāng)在VDD監(jiān)視器未被使能時(shí)進(jìn)行FLASH寫或擦除操作。在發(fā)生FLASH錯(cuò)誤復(fù)位后，F(xiàn)ERROR位（RSTSRC.6）被置位。/RST引腳狀態(tài)不受該復(fù)位影響。C60單片機(jī)介紹ppt資料第54頁(yè)軟件復(fù)位軟件能夠經(jīng)過(guò)向SWRSF位（RSTSRC.4）寫‘1’強(qiáng)制產(chǎn)生一次系統(tǒng)復(fù)位。（如軟件陷阱）在發(fā)生軟件強(qiáng)制復(fù)位后，SWRSF位讀出值為‘1’。/RST引腳狀態(tài)不受該復(fù)位影響。C60單片機(jī)介紹ppt資料第55頁(yè)中止系統(tǒng)MCU中止源和中止向量中止優(yōu)先級(jí)中止響應(yīng)時(shí)間中止存放器外部中止C60單片機(jī)介紹ppt資料第56頁(yè)MCU中止源和中止向量C60單片機(jī)介紹ppt資料第57頁(yè)MCU中止源和中止向量C60單片機(jī)介紹ppt資料第58頁(yè)中止優(yōu)先級(jí)每個(gè)中止源都能夠被獨(dú)立地編程為兩個(gè)優(yōu)先級(jí)中一個(gè)：低優(yōu)先級(jí)或高優(yōu)先級(jí)。一個(gè)低優(yōu)先級(jí)中止服務(wù)程序能夠被高優(yōu)先級(jí)中止所中止，但高優(yōu)先級(jí)中止不能被中止。每個(gè)中止在SFR（IP、EIP1或EIP2）中都有一個(gè)配置其優(yōu)先級(jí)中止優(yōu)先級(jí)設(shè)置位，缺省值為低優(yōu)先級(jí)。假如兩個(gè)中止同時(shí)發(fā)生，含有高優(yōu)先級(jí)中止先得到服務(wù)。假如這兩個(gè)中止優(yōu)先級(jí)相同，則由固定優(yōu)先級(jí)次序決定哪一個(gè)中止先得到服務(wù)。

C60單片機(jī)介紹ppt資料第59頁(yè)中止優(yōu)先級(jí)C60單片機(jī)介紹ppt資料第60頁(yè)中止響應(yīng)時(shí)間中止響應(yīng)時(shí)間取決于中止發(fā)生時(shí)CPU狀態(tài)。中止系統(tǒng)在每個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期對(duì)中止標(biāo)志采樣并對(duì)優(yōu)先級(jí)譯碼。最快響應(yīng)時(shí)間為6個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期：一個(gè)周期用于檢測(cè)中止，5個(gè)周期完成對(duì)ISR長(zhǎng)調(diào)用（LCALL）。假如中止標(biāo)志有效時(shí)CPU正在執(zhí)行RETI指令，則需要再執(zhí)行一條指令才能進(jìn)入中止服務(wù)程序。所以，最長(zhǎng)中止響應(yīng)時(shí)間（沒(méi)有其它中止正被服務(wù)或新中止含有較高優(yōu)先級(jí)）發(fā)生在CPU正在執(zhí)行RETI指令，而下一條指令是DIV情況。在這種情況下，響應(yīng)時(shí)間為20個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期：1個(gè)時(shí)鐘周期檢測(cè)中止，6個(gè)時(shí)鐘周期執(zhí)行RETI，8個(gè)時(shí)鐘周期完成DIV指令，5個(gè)時(shí)鐘周期執(zhí)行對(duì)ISR長(zhǎng)調(diào)用（LCALL）。假如CPU正在執(zhí)行一個(gè)含有相同或更高優(yōu)先級(jí)中止ISR，則新中止要等到當(dāng)前ISR執(zhí)行完（包含RETI和下一條指令）才能得到服務(wù)。

C60單片機(jī)介紹ppt資料第61頁(yè)中止允許存放器C60單片機(jī)介紹ppt資料第62頁(yè)外部中止外部中止引腳由P0.0-P0.7進(jìn)行配置兩個(gè)外部中止源/INT0和/INT1可被配置為低電平有效或高電平有效，邊緣觸發(fā)或電平觸發(fā)。IT01CF存放器中IN0PL（/INT0極性）和IN1PL（/INT1極性）位用于選擇高電平有效還是低電平有效；TCON中IT0和IT1用于選擇電平或邊緣觸發(fā)。C60單片機(jī)介紹ppt資料第63頁(yè)外部中止C60單片機(jī)介紹ppt資料第64頁(yè)外部中止C60單片機(jī)介紹ppt資料第65頁(yè)外部中止觸發(fā)方式組合C60單片機(jī)介紹ppt資料第66頁(yè)外部中止IE0（TCON.1）和IE1（TCON.3）分別為外部中止/INT0和/INT1中止標(biāo)志。假如/INT0或/I