2015集成電子學(xué)研究生試卷講解

1、電子科技大學(xué)研究生試卷考核日期 2015 年 6 月課程編號 03015001任課教師 陳勇 教學(xué)方式開課學(xué)院 微固學(xué)院考核方式：（文翻譯為（效應(yīng)的英文翻譯為（(3)、集成電路中以（(5)、無結(jié) MOS電子科技大學(xué)研究生試卷考核日期 2015 年 6 月課程編號 03015001任課教師 陳勇 教學(xué)方式開課學(xué)院 微固學(xué)院考核方式：（文翻譯為（效應(yīng)的英文翻譯為（(3)、集成電路中以（(5)、無結(jié) MOS 器件截止時，半導(dǎo)體襯底處于（和導(dǎo)通時，半導(dǎo)體襯底處于（(6)、集成電路版圖設(shè)計中，對于（來保證精度；對于兩組多電阻串聯(lián)，可以采用（密估算 RC 樹延遲。降低互連延遲的方法是 （技術(shù)。（8）、對于

2、下圖的多晶硅耗盡效應(yīng)電勢分布，其中共日 （時間：課程名稱課堂教學(xué)成績（學(xué)生填寫）1. (25分) 填空：(1)、Wafer 的中文翻譯是（），Latch up effect的中文翻譯為（），聲子散射的英文翻譯為（）。MOS 器件的閾值電壓選擇主要考慮（ ）和（(4)、非對稱 HALO 結(jié)構(gòu) MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)在于（）。）區(qū)；當(dāng)其處于飽）區(qū)。2、4、8 歐姆的電阻匹配，選擇根部件電阻是）歐姆；對于邊緣與中心刻蝕速率的差異， 可以采用（）來達(dá)到兩電阻串的匹配；差分對電路中，可以采用（）延遲模型來）技術(shù)和（tox是指（6 午集成電子學(xué)學(xué)時 50 學(xué)分 2.5 ），F(xiàn)ringe Capatance的

3、中文翻譯為）；穿通的英），天線）、）三個相互矛盾制約的因素。）和）法來實現(xiàn)兩個晶體管的匹配。），頁，第 1 頁至（班級，共 2 小時）效無題院學(xué)答內(nèi)名姓線封號學(xué)xd 是指（Vgb-Vfb是指（答2(20分)解釋以下專業(yè)名詞。(1)、納米尺度 MOxd 是指（Vgb-Vfb是指（答2(20分)解釋以下專業(yè)名詞。(1)、納米尺度 MOS器件雜質(zhì)隨機(jī)分布；以(2)、高 K 柵介質(zhì)等效氧化層厚度(3)、短溝道 MOS器件的熱載流子效應(yīng)密共），s是（）。EOT；6 ）; p是指（頁，第 2 頁），效無題院學(xué)內(nèi)名姓線封號學(xué)(4)、SOI 硅片的智能剝離技術(shù)；(5)、SOI MOS 器件的 Kink 效應(yīng)；

4、(4)、SOI 硅片的智能剝離技術(shù)；(5)、SOI MOS 器件的 Kink 效應(yīng)；(1). 對比畫出 HALO 結(jié)構(gòu)和普通結(jié)構(gòu) MOSFET 的表面勢示意圖；以(3).畫出 n+-n+雙柵 MOSFET的能帶示意圖；密共3(20分)繪圖。(2). 畫出 n阱CMOS 倒向器構(gòu)成的寄生可控硅等效電路圖；6 頁，第 3 頁效無題院學(xué)答內(nèi)名姓線封號學(xué)(4). 畫出 N 型無結(jié)薄膜 MOSFET 結(jié)構(gòu)示意圖；（5）、畫出 (4). 畫出 N 型無結(jié)薄膜 MOSFET 結(jié)構(gòu)示意圖；（5）、畫出 Intel 14nm FinFET 結(jié)構(gòu)示意圖。4(20分) 簡要回答下列問題：（1）、納米尺度的 CMOS

5、 集成電路中，為什么需要采用高分別用在哪些地方？以（2）、如何測量 MOSFET 的閾值電壓？如何從輸出特性曲線上區(qū)別器件飽和是由于溝道夾斷還是載流子速度飽和？密（3）、GGNMOS 是如何實現(xiàn)電路的 ESD保護(hù)的？共K 材料和低 K 材料？6 頁，第 4 頁效無題院學(xué)答內(nèi)名姓線封號學(xué)（4）、反向短溝道效應(yīng)是什么？體硅 MOSFET（4）、反向短溝道效應(yīng)是什么？體硅 MOSFET中如何產(chǎn)生反向短溝道效應(yīng)？5 (15 分) 分析討論以面勢，（a）、 寫出兩個邊界條件；（b）、寫出正界面和背界面處硅中電場；（c）、寫出得到的特征長度關(guān)系式，要縮小器件溝道長度，可以采用哪些方法？密共 6 頁，第 5 頁（5）、為何體硅 MOSFET 不能采用零摻雜？而薄膜全耗盡 SOI MOS器件可以采用零摻雜？(1).對于全耗盡 SOI MOSFET，如果采用高斯盒求解準(zhǔn)二維泊松方程得到溝道表效無題院學(xué)答內(nèi)名姓線封號學(xué)(2).對于下圖中體硅 MOSFET 亞閾值特性與摻雜濃度的關(guān)系，（a）、標(biāo)出四根曲線閾值電壓的大致位置，(2).對于下圖中體硅 MOSFET 亞閾值特性與摻雜濃度的關(guān)系，（a）、標(biāo)出四根曲線閾值電壓的大致位置， 估算兩種器件不同漏壓的亞閾值斜率；（b