dram兼容性測(cè)試報(bào)告-t507nanya nt5cc256m16er ddr3模板版本v1

1、Allwinner Technology.DRAM兼容性測(cè)DRAM型請(qǐng)認(rèn)真填寫(xiě)左側(cè)信AP型測(cè)T5VERDDR316X2 1一、 測(cè)試硬件描述（注意！標(biāo)紅為必填項(xiàng)目1是否使用Socket？SOC使用了Socket？DRAM使用Allwinner Technology.DRAM兼容性測(cè)DRAM型請(qǐng)認(rèn)真填寫(xiě)左側(cè)信AP型測(cè)T5VERDDR316X2 1一、 測(cè)試硬件描述（注意！標(biāo)紅為必填項(xiàng)目1是否使用Socket？SOC使用了Socket？DRAM使用了本硬2的歷史表現(xiàn)情況如何？之前使用其他款DDR表現(xiàn)如何？最高頻率是多少3本PCB DRAM Layout的約束條件如何？DQ vs DQS？C/Avs

2、 CLK？DQS vs CLK？信號(hào)走線線寬線距？地址信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及約4關(guān)于本PCB板的其他描述。（例如層數(shù)/層疊結(jié)構(gòu)/.）5時(shí)鐘展頻幅6DRAM參數(shù)配置（此項(xiàng)必填= = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = Copyright Allwinner s.Allwinner Technology.能測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量1上下電測(cè)試：通過(guò)串口打印監(jiān)測(cè)系統(tǒng)啟動(dòng)情況，通過(guò)er開(kāi)關(guān)/復(fù)位鍵讓系統(tǒng)不斷重啟er開(kāi)關(guān)和Reset按鍵分別反復(fù)測(cè)試50次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提2正常開(kāi)關(guān)機(jī)測(cè)試：開(kāi)機(jī)后系統(tǒng)正常運(yùn)行，隨意操作應(yīng)用，然后正常關(guān)機(jī)，反復(fù)測(cè)試10次使Allwinne

3、r Technology.能測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量1上下電測(cè)試：通過(guò)串口打印監(jiān)測(cè)系統(tǒng)啟動(dòng)情況，通過(guò)er開(kāi)關(guān)/復(fù)位鍵讓系統(tǒng)不斷重啟er開(kāi)關(guān)和Reset按鍵分別反復(fù)測(cè)試50次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提2正常開(kāi)關(guān)機(jī)測(cè)試：開(kāi)機(jī)后系統(tǒng)正常運(yùn)行，隨意操作應(yīng)用，然后正常關(guān)機(jī)，反復(fù)測(cè)試10次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提3進(jìn)出Self-refresh測(cè)試：進(jìn)出Standby的過(guò)程也是DRAM進(jìn)出Self-refresh的過(guò)程，反復(fù)測(cè)試10次待機(jī)喚醒使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提4Self-refresh數(shù)據(jù)保持測(cè)試：進(jìn)入Self-refresh后，放置1小時(shí)后，系統(tǒng)是否可以正確喚醒，測(cè)試1次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提Copyright A

4、llwinner s.板判斷標(biāo)喚醒能夠正常進(jìn)入主界面并可以運(yùn)行應(yīng)用喚醒未能進(jìn)入主界面或觸控板板判斷標(biāo)觸控開(kāi)關(guān)機(jī)正常，每次開(kāi)機(jī)正常進(jìn)入開(kāi)機(jī)未能正常進(jìn)入板判斷標(biāo)每次上電都正常進(jìn)入android系出現(xiàn)掛死或者未能正常進(jìn)入android系A(chǔ)llwinner Technology.5 跳頻測(cè)試（如果存在此功能）：測(cè)試DRAM變換頻率的過(guò)程，根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)34個(gè)跳頻場(chǎng)景，反復(fù)測(cè)試10次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提三常溫穩(wěn)定性測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量測(cè)試方法描述1系統(tǒng)起來(lái)后 Memtester測(cè)試：Memtester容量視情況而定，測(cè)試時(shí)間4小時(shí)以上Allwinner Technology.5 跳頻測(cè)試（如果存在此功

5、能）：測(cè)試DRAM變換頻率的過(guò)程，根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)34個(gè)跳頻場(chǎng)景，反復(fù)測(cè)試10次使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提三常溫穩(wěn)定性測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量測(cè)試方法描述1系統(tǒng)起來(lái)后 Memtester測(cè)試：Memtester容量視情況而定，測(cè)試時(shí)間4小時(shí)以上使用量產(chǎn)頻率，無(wú)需提四測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量測(cè)試方法描述1系統(tǒng)起來(lái)后 Memtester測(cè)試：Memtester容量視情況而定，測(cè)試時(shí)間4小時(shí)以上Copyright Allwinner s.板判斷標(biāo)memtester測(cè)試全部通死機(jī)或者memtester報(bào)板判斷標(biāo)memtester測(cè)試全部通死機(jī)或者memtester報(bào)板不支持此功能不判斷標(biāo)黑屏音樂(lè)、主界面、捕四個(gè)場(chǎng)

6、景來(lái)回切換，操作正場(chǎng)景切換過(guò)程中出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)Allwinner Technology.耗測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量測(cè)試方法描述1 與DRAM直接相關(guān)的所有電源功耗測(cè)五、 DRAM關(guān)鍵信號(hào)測(cè)試標(biāo)論陳Copyright Allwinner s.測(cè)試等測(cè)試項(xiàng)1功能測(cè)常溫穩(wěn)定高低溫穩(wěn)定2功能測(cè)常溫穩(wěn)定高低溫穩(wěn)定功耗測(cè)3功能測(cè)常溫Allwinner Technology.耗測(cè)測(cè)試環(huán)溫度測(cè)試樣片數(shù)量測(cè)試方法描述1 與DRAM直接相關(guān)的所有電源功耗測(cè)五、 DRAM關(guān)鍵信號(hào)測(cè)試標(biāo)論陳Copyright Allwinner s.測(cè)試等測(cè)試項(xiàng)1功能測(cè)常溫穩(wěn)定高低溫穩(wěn)定2功能測(cè)常溫穩(wěn)定高低溫穩(wěn)定功耗測(cè)3功能測(cè)常溫穩(wěn)定高低溫穩(wěn)定功耗測(cè)信號(hào)測(cè)判斷標(biāo)DRAM關(guān)鍵信號(hào)測(cè)的結(jié)果為DRAM關(guān)鍵信號(hào)測(cè)