模擬集成電路電流源基準(zhǔn)源

1、模擬集成電路電流源基準(zhǔn)源Dr. Jian Fang . UESTC第1頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC1. 鏡像電流源基準(zhǔn)電流： 無論Rc的值如何， IC2的電流值將保持不變。恒流源和有源負(fù)載一 電流源電路因?yàn)椋核裕旱?頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第3頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC2. 微電流源由于很小，所以IC2也很小第4頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Ji

2、an Fang . UESTC第5頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. 多路電流源第6頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. 電流源的改進(jìn) 帶緩沖恒流源第7頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第8頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC具有基極電流補(bǔ)償?shù)暮懔髟吹?頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang .

3、 UESTCMOS恒流源第10頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCWilso恒流源第11頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4.電流源作有源負(fù)載交流電阻大直流電阻小電壓范圍寬工藝容易實(shí)現(xiàn)第12頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4. 電流源作有源負(fù)載共射電路的電壓增益為： 對于此電路Rc就是鏡像電流源的交流電阻，因此增益比用電阻Rc作負(fù)載時(shí)大大提高了。放大管鏡像電流源鏡像電流源鏡像電流源第13頁，共43頁，20

4、22年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC恒流源電路 精密匹配電流鏡 第14頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCPNP基本恒流源及其改進(jìn)電路 第15頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC模擬集成電路.基準(zhǔn)源電路第16頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC基準(zhǔn)源電路穩(wěn)定的電壓輸出不隨溫度變化低的輸出電阻, 不隨負(fù)載變化第17頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四

5、Dr. Jian Fang . UESTC(1) BE結(jié)二極管的正向壓降VBE, VBE=0.60.8V, 他的溫度系數(shù) ; (2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=69V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt26mV，溫度系數(shù)第18頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路齊納二極管基準(zhǔn)電路具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路參考電壓源第19頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC正向二極管基準(zhǔn)電路溫度系數(shù)大內(nèi)阻較大芯片面積大Vr

6、ef第20頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCR1R2TVref解決了大Vref的問題(1) BE結(jié)二極管的正向壓降VBE, VBE=0.60.8V, 他的溫度系數(shù) 第21頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC齊納二極管基準(zhǔn)電路Vref (2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=69V，它的溫度系數(shù)：第22頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC(1) BE結(jié)二極管的正向壓降VBE, VBE

7、=0.60.8V, 他的溫度系數(shù) ; (2)由NPN管反向擊穿BE結(jié)構(gòu)成的齊納二極管的擊穿電壓Vz，Vz=69V，它的溫度系數(shù)：(3)等效熱電壓Vt26mV，溫度系數(shù)第23頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC具有溫度補(bǔ)償?shù)凝R納基準(zhǔn)電路Vref第24頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC負(fù)反饋基準(zhǔn)源電路第25頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC偏置電壓源和基準(zhǔn)電壓源電路 雙極型三管能隙基準(zhǔn)源雙極型二管能隙基準(zhǔn)源 E

8、DNMOS基準(zhǔn)電壓源 CMOS基準(zhǔn)電壓源 第26頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC1.雙極型三管能隙基準(zhǔn)源第27頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC只要適當(dāng)設(shè)計(jì)R2R3和J1J2，即可使在該溫度下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)接近零 第28頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC輸出接近為5V的能隙基準(zhǔn)源 第29頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC2.雙極型二管能

9、隙基準(zhǔn)源 第30頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC可以通過控制有效發(fā)射結(jié)面積比AElAE2或AE3AE4及電阻比R2R1來獲得接近零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)源 第31頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. EDNMOS基準(zhǔn)電壓源 第32頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC耗盡型和增強(qiáng)型MOS的閾值耗盡型增強(qiáng)型第33頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第34

10、頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第35頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第36頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第37頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC其溫度系數(shù)決定于三個(gè)因素M1，M2的開啟電壓之差的溫度系數(shù)，M1，M2漏極電流IDEIDDID的溫度系數(shù)溝道電子遷移率的溫度系數(shù)。 第38頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第39頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第40頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4. CMOS基準(zhǔn)電壓源 第41頁，共43頁，2022年，5月20日，6點(diǎn)46分，星期四Dr. Jian Fang . U