離子注入和快速退火工藝

1、 離子注入和快速退火工藝 離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底硅的過(guò)程。注入能量介于1keV到1MeV之間，注入深度平均可達(dá)10nm10um，離子劑量變動(dòng)范圍從用于閾值電壓調(diào)整的1012/cm3到形成絕緣層的1018/cm3。相對(duì)于擴(kuò)散工藝，離子注入的主要好處在于能更準(zhǔn)確地控制雜質(zhì)摻雜、可重復(fù)性和較低的工藝溫度。 高能的離子由于與襯底中電子和原子核的碰撞而失去能量，最后停在晶格內(nèi)某一深度。平均深度由于調(diào)整加速能量來(lái)控制。雜質(zhì)劑量可由注入時(shí)監(jiān)控離子電流來(lái)控制。主要副作用是離子碰撞引起的半導(dǎo)體晶格斷裂或損傷。因此，后續(xù)的退化處理用來(lái)去除這些損傷。1 離子分布 一個(gè)離子在停止前所經(jīng)過(guò)的總距

2、離，稱為射程R。此距離在入射軸方向上的投影稱為投影射程Rp。投影射程的統(tǒng)計(jì)漲落稱為投影偏差p。沿著入射軸的垂直的方向上亦有一統(tǒng)計(jì)漲落，稱為橫向偏差。下圖顯示了離子分布，沿著入射軸所注入的雜質(zhì)分布可以用一個(gè)高斯分布函數(shù)來(lái)近似：S為單位面積的離子注入劑量，此式等同于恒定摻雜總量擴(kuò)散關(guān)系式。沿x軸移動(dòng)了一個(gè)Rp?；貞浌? 對(duì)于擴(kuò)散，最大濃度為x0；對(duì)于離子注入，位于Rp處。在（xRp）p處，離子濃度比其峰值降低了40%。在2p處則將為10%。在3p處為1%。在4p處將為0.001%。沿著垂直于入射軸的方向上，其分布亦為高斯分布，可用:表示。因?yàn)檫@種形式的分布也會(huì)參數(shù)某些橫向注入。2 離子中止使荷能

3、離子進(jìn)入半導(dǎo)體襯底后靜止有兩種機(jī)制。一是離子能量傳給襯底原子核，是入射離子偏轉(zhuǎn)，也使原子核從格點(diǎn)移出。設(shè)E是離子位于其運(yùn)動(dòng)路徑上某點(diǎn)x處的能量，定義核原子中止能力： 二是入射離子與襯底原子的電子云相互作用，通過(guò)庫(kù)侖作用，離子與電子碰撞失去能量，電子則被激發(fā)至高能級(jí)或脫離原子。定義電子中止能力： 離子能量隨距離的平均損耗可由上述兩種阻止機(jī)制的疊加而得： 如果一個(gè)離子在停下來(lái)之前，所經(jīng)過(guò)的總距離為R，則 E0為初始離子能量，R為射程。核阻止過(guò)程可以看成是一個(gè)入射離子硬球與襯底核硬球之間的彈性碰撞M1轉(zhuǎn)移給M2的能量為: 電子中止能力與入射離子的速度成正比： 其中系數(shù)ke是原子質(zhì)量和原子序數(shù)的弱相關(guān)

4、函數(shù)。硅的ke值107(eV)1/2/cm。砷化鎵的ke值為3107(eV)1/2/cm 離子中止兩種機(jī)制：一是離子能量傳給襯底原子核，是入射離子偏轉(zhuǎn)，也使原子核從格點(diǎn)移出。二是入射離子與襯底原子的電子云相互作用，通過(guò)庫(kù)侖作用，離子與電子碰撞失去能量，電子則被激發(fā)至高能級(jí)或脫離原子。 硅中電子中止能力如虛線所示，交叉能量點(diǎn)是Sn(E)=Se(E)。一旦Sn(E)和Se(E)已知，可計(jì)算處射程范圍?？梢杂孟率鼋品匠淌絹?lái)求得投影射程與投影偏差： 3 離子注入的溝道效應(yīng)前述高斯分布的投影射程及投影的標(biāo)準(zhǔn)偏差能很好地說(shuō)明非晶硅或小晶粒多晶硅襯底的注入離子分布。只要離子束方向偏離低指數(shù)晶向，硅和砷化鎵

5、中的分布狀態(tài)就如在非晶半導(dǎo)體中一樣。在此情況下，靠近峰值處的實(shí)際雜質(zhì)分布，可用“高斯分布函數(shù)”來(lái)表示，即使延伸到低于峰值一至兩個(gè)數(shù)量級(jí)處也一樣，這表示在下圖中。然而即使只偏離晶向7度，仍會(huì)有一個(gè)隨距離而成指數(shù)級(jí)exp(-x/)變化的尾區(qū)，其中的典型的數(shù)量級(jí)為0.1um。襯底定位時(shí)有意偏離晶向情況下的雜質(zhì)分布。離子束從軸偏離7度入射。 指數(shù)型尾區(qū)與離子注入溝道效應(yīng)有關(guān)，當(dāng)入射離子對(duì)準(zhǔn)一個(gè)主要的晶向并被導(dǎo)向在各排列晶體原子之間時(shí)，溝道效應(yīng)就會(huì)發(fā)生。圖為沿方向觀測(cè)金剛石晶格的示意圖。離子沿方向入射，因?yàn)樗c靶原子較遠(yuǎn)，使它在和核碰撞時(shí)不會(huì)損傷大量能量。對(duì)溝道離子來(lái)說(shuō)，唯一的能量損傷機(jī)制是電子阻止，因

6、此溝道離子的射程可以比在非晶硅靶中大得多。4 離子進(jìn)入的角度及通道 溝道效應(yīng)降低的技巧1、覆蓋一層非晶體的表面層、將硅芯片轉(zhuǎn)向或在硅芯片表面制造一個(gè)損傷的表層。常用的覆蓋層非晶體材料只是一層薄的氧化層圖(a)，此層可使離子束的方向隨機(jī)化，使離子以不同角度進(jìn)入硅芯片而不直接進(jìn)入硅晶體溝道。2、將硅芯片偏離主平面5-10度，也能有防止離子進(jìn)入溝道的效果圖(b)。此方法大部分的注入機(jī)器將硅芯片傾斜7度并從平邊扭轉(zhuǎn)22度以防止溝道效應(yīng)。3、先注入大量硅或鍺原子以破壞硅芯片表面，可在硅芯片表面產(chǎn)生一個(gè)隨機(jī)層圖(c)，這種方法需使用昂貴的離子注入機(jī)。 5 注入損傷與退火 離子注入中，與原子核碰撞后轉(zhuǎn)移足夠

7、的能量給晶格，使基質(zhì)原子離開(kāi)晶格位置而造成注入損傷（晶格無(wú)序）。這些離位的在也許獲得入射能量的大部分，接著如骨牌效應(yīng)導(dǎo)致鄰近原子的相繼移位而形成一個(gè)沿著離子路徑的樹(shù)枝狀的無(wú)序區(qū)。當(dāng)單位體積內(nèi)移位的原子數(shù)接近半導(dǎo)體的原子密度時(shí)，單晶材料便成為非晶材料。 輕離子的樹(shù)枝狀的無(wú)序區(qū)不同于重離子。輕離子（11B+）大多數(shù)的能量損傷起因于電子碰撞，這并不導(dǎo)致晶格損傷。離子的能量會(huì)減低至交叉點(diǎn)能量，而在那里核阻止會(huì)成為主導(dǎo)。因此，晶格無(wú)序發(fā)生在離子最終的位置附近。如下圖（a）所示。 重離子的能量損失主要是原子核碰撞，因此預(yù)期有大量的損傷。如下圖（b）所示。 要估計(jì)將單晶轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷Р牧纤璧哪芰?，可以利用一個(gè)

8、判據(jù)，即認(rèn)為注入量應(yīng)該與融化材料所需的能量密度（1021keV/cm3）在數(shù)量級(jí)上相同。對(duì)于100keV的砷離子來(lái)說(shuō)，形成非晶硅所需的劑量為 6 退火由于離子注入所造成的損傷區(qū)及畸形團(tuán)，使遷移率和壽命等半導(dǎo)體參數(shù)受到影響。此外，大部分的離子在被注入時(shí)并不位于置換位置。為激活被注入的離子并恢復(fù)遷移率與其它材料參數(shù)，必須在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間與溫度下將半導(dǎo)體退火。傳統(tǒng)退火爐使用類似熱氧化的整批式開(kāi)放爐管系統(tǒng)。需要長(zhǎng)時(shí)間和高溫來(lái)消除注入損傷。但會(huì)造成大量雜質(zhì)擴(kuò)散而無(wú)法符合淺結(jié)及窄雜質(zhì)分布的需求?？焖贌嵬嘶穑≧TA）是一種采用各種能源、退火時(shí)間范圍很寬（100s到納秒）的退火工藝。RTA可以在最小的雜質(zhì)再分布情

9、況下完全激活雜質(zhì)。退火：將注入離子的硅片在一定溫度和真空或氮、氬等高純氣體的保護(hù)下，經(jīng)過(guò)適當(dāng)時(shí)間的熱處理，部分或全部消除硅片中的損傷，少數(shù)載流子的壽命及遷移率也會(huì)不同程度的得到恢復(fù)，電激活摻入的雜質(zhì)分為普通熱退火、硼的退火特性、磷的退火特性、擴(kuò)散效應(yīng)、快速退火普通熱退火：退火時(shí)間通常為15-30min，使用通常的擴(kuò)散爐，在真空或氮、氬等氣體的保護(hù)下對(duì)襯底作退火處理。缺點(diǎn)：清除缺陷不完全，注入雜質(zhì)激活不高，退火溫度高、時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)致雜質(zhì)再分布。7 硼與磷的傳統(tǒng)退火 退火的特性與摻雜種類及所含劑量有關(guān) 硼的退火特性 1 區(qū)單調(diào)上升：點(diǎn)缺陷、陷井缺陷消除、自由載流子增加 2 區(qū)出現(xiàn)反退火特性：代位硼減

10、少，淀積在位錯(cuò)上 3 區(qū)單調(diào)上升 劑量越大，所需退火溫度越高。 磷的退火特性 雜質(zhì)濃度達(dá)1015以上時(shí)出現(xiàn)無(wú)定形硅退火溫度達(dá)到600800 熱退火問(wèn)題:簡(jiǎn)單、價(jià)廉激活率不高產(chǎn)生二次缺陷，桿狀位錯(cuò)。位錯(cuò)環(huán)、層錯(cuò)、位錯(cuò)網(wǎng)加劇 擴(kuò)散效應(yīng):8 快速熱退火 一個(gè)具有瞬間光加熱的快速熱退火系統(tǒng)表為傳統(tǒng)爐管與RTA技術(shù)的比較。為獲得較短的工藝時(shí)間，需在溫度和工藝的不均勻性、溫度測(cè)量與控制、硅芯片的應(yīng)力與產(chǎn)率間作取舍。 快速熱退火 9 注入相關(guān)工藝多次注入及掩蔽 在許多應(yīng)用中，除了簡(jiǎn)單的高斯分布外其它的雜質(zhì)分布也是需要的。例如硅內(nèi)預(yù)先注入惰性離子，使表面變成非晶。此方法使雜質(zhì)分布能準(zhǔn)確地控制，且近乎百分百的雜

11、質(zhì)在低溫下激活。在此情況下，深層的非晶體層是必須，為了得到這種區(qū)域，必須要做一系列不同能量與劑量的注入（多次注入）。 多次注入如下圖所示，用于形成一平坦的雜質(zhì)分布。 為了要在半導(dǎo)體襯底中預(yù)先選擇的區(qū)域里形成p-n結(jié)，注入時(shí)需要一層合適的掩蔽層。此層要阻止一定比例的入射離子其最小厚度可從離子的射程參數(shù)來(lái)求得。在某一深度d之后的注入量對(duì)回憶式積分可得： 穿越深度d的劑量的百分比可由穿透系數(shù)T求得： 一旦得到了T，對(duì)任一恒定的Rp和p來(lái)說(shuō)，都可以求得掩蔽層厚度d，對(duì)SiO2、Si3N4與抗蝕劑來(lái)說(shuō)，要阻擋99.99%的入射離子（T10-4）所需的d值如下圖所示。圖中內(nèi)插圖顯示了在掩蔽材料內(nèi)的注入物的

12、分布。10 傾斜角度離子注入 當(dāng)器件縮小到亞微米尺寸時(shí)，將雜質(zhì)分布垂直方向也縮寫是很重要的?，F(xiàn)代器件結(jié)構(gòu)如輕摻雜漏極（LDD），需要在縱向和橫向上精確控制雜質(zhì)分布。垂直于表面的離子速度決定注入分布的投影射程。如果硅芯片相對(duì)于離子束傾斜了一個(gè)很大的角度，則等效離子能量將大為減少。 在傾斜角度離子注入時(shí)，需考慮硅芯片上掩蔽圖案的陰影效應(yīng)。較小的傾斜角度導(dǎo)致一個(gè)小陰影區(qū)。如高為0.5um的掩蔽層，離子束的入射角為7度，將導(dǎo)致一個(gè)61nm的陰影區(qū)?？赡苁瞧骷a(chǎn)生一個(gè)預(yù)想不到的串聯(lián)電阻。 60keV砷入射到硅中，相對(duì)濃度分布為離子束傾斜角度的函數(shù)，內(nèi)插圖所示是傾斜角度離子注入的陰影區(qū)11 高能量與大電流

13、注入 注入機(jī)能量可高達(dá)1.5-5MeV，且已用作多種新型用途。主要利用其能將雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體內(nèi)深達(dá)好幾個(gè)微米的能力而不需要借助高溫下長(zhǎng)時(shí)間的擴(kuò)散。也可用于制作低電阻埋層。例如，CMOS器件中距離表面深達(dá)1.5到3um的埋層。 大電流注入機(jī)（10-20mA）工作在25-30keV范圍下，通常用于擴(kuò)散技術(shù)中的預(yù)置處理。因?yàn)槠淇偭磕軌蚓_控制。在預(yù)置后，摻雜劑可以用高溫?cái)U(kuò)散步驟再分布，同時(shí)順便將表面區(qū)的注入損傷修補(bǔ)。另一用途就是MOS器件的閾值電壓調(diào)整，精確控制的雜質(zhì)量經(jīng)柵極氧化層注入溝道區(qū)。 目前，已有能量范圍介于150-200keV的大電流離子注入。主要用途是制作高品質(zhì)硅層，通過(guò)向硅層中注入氧來(lái)生

14、成二氧化硅從而使該硅層與襯底絕緣。這種氧注入隔離（SIMOX）是一種絕緣層上硅（SOI）的關(guān)鍵技術(shù)。2.8 離子注入主要參數(shù): 離子注入的幾何說(shuō)明： ：離子束注入面 ：表面 ：模擬的平面 ：離子束方向與y軸方向的夾角：離子束與模擬平面之間的夾角參數(shù)說(shuō)明：Species:注入的雜質(zhì)種類Energy：注入能量（KeV）Dose：注入劑量，單位cm-2 Tilt：離子束注入的縱向角度，默認(rèn)值是7Rotation：離子束與模擬平面之間的夾角，默認(rèn)值是3012 離子注入系統(tǒng)離子源：用于離化雜質(zhì)的容器。常用的雜質(zhì)源氣體有BF3、AsH3 和PH3 等。質(zhì)量分析器：不同離子具有不同的電荷質(zhì)量比，因而在分析器

15、磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)的角度不同，由此可分離出所需的雜質(zhì)離子，且離子束很純。加速器：為高壓靜電場(chǎng)，用來(lái)對(duì)離子束加速。該加速能量是決定離子注入深度的一個(gè)重要參量。中性束偏移器：利用偏移電極和偏移角度分離中性原子。聚焦系統(tǒng)：用來(lái)將加速后的離子聚集成直徑為數(shù)毫米的離子束。偏轉(zhuǎn)掃描系統(tǒng)：用來(lái)實(shí)現(xiàn)離子束x、y 方向的一定面積內(nèi)進(jìn)行掃描。工作室：放置樣品的地方，其位置可調(diào)。13 離子注入主要解決的問(wèn)題純度深度濃度均勻性穩(wěn)定性14 離子注入優(yōu)缺點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn)：1）可在較低的溫度下，將各種雜質(zhì)摻入到不同的半導(dǎo)體中；2）能精確控制摻入基片內(nèi)雜質(zhì)的濃度分布和注入深度；3）可以實(shí)現(xiàn)大面積均勻摻雜，而且重復(fù)性好；4）摻入雜質(zhì)純度高；5

16、）獲得主濃度擴(kuò)散層不受故濃度限制 6）由于注入粒子的直射性，雜質(zhì)的橫向擴(kuò)散??；7）可以置備理想的雜質(zhì)分布；8）可以通過(guò)半導(dǎo)體表面上一定厚度的四SiO2膜進(jìn)行注入而實(shí)行摻雜；9）工藝條件容易控制。 缺點(diǎn)： 1）高能離子注入改變晶格結(jié)構(gòu)； 2）設(shè)備貴附錄資料：不需要的可以自行刪除SBS改性瀝青卷材防水施工工藝1 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)1.1 GB/T19001ISO90012000質(zhì)量管理體系 要求1.2 GB503002001建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn) 1.3 GB502072001屋面工程質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范1.4 工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)制性條文（房屋建筑部分2002年版）1.5 JGJ5999建筑施工安全檢查標(biāo)準(zhǔn)2 施

17、工工藝2.1 施工準(zhǔn)備2.1.1 施工前準(zhǔn)備工作2.1.1.1 防水工程施工前，掌握施工圖中的關(guān)于防水工程細(xì)部構(gòu)造及有關(guān)技術(shù)要求，并應(yīng)編制防水方案或保證質(zhì)量技術(shù)措施。2.1.1.3準(zhǔn)備好防水材料和冷底子油的溶劑或成品、涂刷冷底子油、嵌填密封材料、鋪貼卷材、清掃基層等施工操作中各種必須的工具、用具、機(jī)械以及安全設(shè)施、滅火器材。2.1.1.4 檢查找平層的施工質(zhì)量是否符合要求。當(dāng)出現(xiàn)局部凹凸不平、起砂起皮、裂縫以及預(yù)埋不穩(wěn)等缺陷時(shí)，可按表7.1進(jìn)行修補(bǔ)。 找平層缺陷的修補(bǔ)方法 表7.1缺陷種類修補(bǔ)方法凹凸不平鏟除凸起部位。低凹處應(yīng)用1：2.5水泥砂漿摻10%15%107膠補(bǔ)抹，較淺時(shí)可用素水泥摻膠

18、涂刷；對(duì)瀝青砂漿找平層可用瀝青膠結(jié)材料或?yàn)r青砂漿填補(bǔ)。起砂、起皮要求防水層與基層牢固粘結(jié)時(shí)必須修補(bǔ)。起皮處應(yīng)將表面清除，用水泥素漿摻膠涂刷一層，并抹平壓光。裂縫滿粘法施工的卷材及涂膜防水層應(yīng)對(duì)裂縫進(jìn)行修補(bǔ)。當(dāng)裂縫寬度0.5mm時(shí)，可用密封材料刮封，上鋪隔離條0.5mm時(shí)，沿縫鑿成V形槽（200.520mm），清掃干凈后嵌填密封材料，再做100mm寬防水涂料層。預(yù)埋件固定不穩(wěn)定鑿開(kāi)重新灌筑摻107膠或膨脹劑的細(xì)石混凝土，四周按要求作好坡度。2.1.2 材料2.1.2.1卷材：根據(jù)設(shè)計(jì)要求及防水等級(jí)，采用厚度不同2、2.5、3.0mmSBS改性瀝青卷材。2.1.2.2冷底子油，廠家已制作好的配套品

19、種。2.1.3主要機(jī)具2.1.3.1工具：石油液化罐、高壓膠管、噴槍或噴燈、小油灰鏟刀、排刷。2.1.3.2 護(hù)具：帆布手套、皮手套、平底膠鞋、工作服。2.1.4 作業(yè)人員：由具有防水資質(zhì)專業(yè)施工隊(duì)組施工。2.2 作業(yè)條件2.2.1 材料要求SBS改性瀝青防水卷材必須符合設(shè)計(jì)要求，外觀質(zhì)量要符合表7.2的要求，要有出廠合格證和試驗(yàn)報(bào)告。 SBS改性瀝青防水卷材外觀質(zhì)量 表7.2項(xiàng) 目質(zhì) 量 要 求孔洞、缺邊、缺口不允許邊緣不整齊不超過(guò)10mm胎體露白、未浸透不允許每卷卷材的接頭不超過(guò)1處，較短的一段不應(yīng)小于1000mm，接頭處應(yīng)加長(zhǎng)150mm2.2.2 作業(yè)人員要求：防水工程的施工應(yīng)由經(jīng)資質(zhì)審

20、查合格的防水專業(yè)隊(duì)組進(jìn)行施工。工作人員應(yīng)持有當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)行政主管部門頒發(fā)的上崗證。2.2.3 工作環(huán)境要求2.2.3.1找平層應(yīng)干燥，堅(jiān)實(shí)平整不起砂，含水率小于9%或空鋪1m2卷材34h后檢驗(yàn)未見(jiàn)水印即為合格。2.2.3.2 屋面的轉(zhuǎn)角及大煙囪、出入孔等陰陽(yáng)角找平層，要抹成平緩的半圓弧形。2.2.3.3 伸出屋面管道周圍的找平層應(yīng)做成圓錐臺(tái)、管道與找平層間應(yīng)留凹槽，并用嵌填密封材料。2.2.3.4 雨天、雪天嚴(yán)禁進(jìn)行卷材施工。五級(jí)風(fēng)及其以上時(shí)不得施工，氣溫低于0時(shí)不宜施工，如必須在負(fù)溫下施工時(shí)，應(yīng)采取相應(yīng)措施，以保證工程質(zhì)量。熱熔法施工時(shí)的氣溫不宜低于10。施工中途下雨、雪，應(yīng)做好已鋪卷材四周的防

21、護(hù)工作。2.2.3.5夏季施工時(shí)，屋面如有露水潮濕，應(yīng)待其干燥后方可鋪貼卷材，并避免在高溫烈日下施工。2.3 操作工藝（見(jiàn)圖7.1）卷材防水施工工藝流程圖（圖7.1）基層表面清理、修補(bǔ)工作基層表面清理、修補(bǔ)工作噴、涂基層處理劑節(jié)點(diǎn)附加增強(qiáng)處理定位、彈張、試鋪鋪貼卷材收頭處理、節(jié)點(diǎn)密封收頭處理、節(jié)點(diǎn)密封清理、檢查、修整保護(hù)層施工2.3.1 清理基層將施工部位的基層清掃干凈。2.3.2 刷冷底子油冷底子油作為基層處理劑主要用于熱粘貼鋪設(shè)瀝青卷材。涂刷冷底子油的品種要視卷材而定，不可錯(cuò)用。涂刷要薄而均勻，不得有空氣、麻點(diǎn)、氣泡，也可用機(jī)械噴涂。如果基層表面過(guò)于粗糙，宜先刷一遍慢揮發(fā)性冷底子油，待其表

22、面干后，在刷一遍快揮發(fā)性冷底子油。涂刷時(shí)間宜在鋪貼前12d進(jìn)行，使油層干燥而又不沾染灰塵。2.3.3 鋪貼附加層在雨水口、檐溝、煙囪根部、陰陽(yáng)角等部位預(yù)先用SBS卷材或涂膜貼一層增強(qiáng)加層。2.3.4 鋪屋面卷材根據(jù)設(shè)計(jì)要求SBS改性瀝青卷材可以采用空鋪、點(diǎn)粘、條粘、滿粘法施工，并要符合施工規(guī)范（GB502072002）要求。通常都采用滿粘法，而條粘、點(diǎn)粘和空鋪法更適合于防水層上有重物覆蓋或基層變形較大的場(chǎng)合，是一種克服基層變形拉裂卷材防水層的有效措施，設(shè)計(jì)中應(yīng)明確規(guī)定、選擇適用的工藝方法?？珍仯轰佡N卷材防水層時(shí)，卷材與基層僅在四周一定寬度內(nèi)粘貼，其余部分不粘貼的施工方法；條粘法：鋪貼卷材時(shí)，卷

23、材與基層粘結(jié)面不少于兩條，每條寬度不小于150mm；點(diǎn)粘法：鋪貼防水卷材時(shí)，卷材或打孔卷材與基層采用點(diǎn)狀粘結(jié)的施工方法。每平方米粘結(jié)不少于5點(diǎn)，每點(diǎn)面積為100mm100mm。無(wú)論采用空鋪、條粘還是點(diǎn)粘法，施工時(shí)都必須注意，距屋面周邊800mm內(nèi)的防水層應(yīng)滿粘，保證防水層四周與基層粘結(jié)牢固，卷材與卷材之間應(yīng)滿粘，保證搭接嚴(yán)密。2.3.4.1 鋪設(shè)方向卷材的鋪設(shè)方向應(yīng)根據(jù)屋面坡度和屋面是否有振動(dòng)來(lái)確定。當(dāng)屋面坡度小于3%，卷材宜平行于屋脊鋪貼；屋面坡度大于15%或受振動(dòng)時(shí)，瀝青卷材應(yīng)垂直于屋脊鋪貼；SBS改性瀝青卷材可根據(jù)屋面坡度、屋面是否受振動(dòng)、防水層的粘結(jié)方式、粘結(jié)強(qiáng)度、是否機(jī)械固定等因素綜

24、合考慮采用平行或垂直屋面脊鋪巾。上下層卷材不得相互垂直鋪貼。上下層卷材不得相互垂直鋪貼。2.3.4.2對(duì)設(shè)有分格縫的屋面，對(duì)分格縫用防水油膏嵌縫，并鋪貼一層卷材附加層（200mm寬，單邊粘貼）。2.3.4.3 對(duì)設(shè)有保溫層的屋面應(yīng)在保溫層和找平層中留置排氣槽，要求排氣道縱橫貫通，每36m2設(shè)一排氣孔，并與排氣槽上鋪貼一層卷材附加層（不少于200mm寬）。2.3.4.4卷材鋪貼，平行于屋脊開(kāi)始，從檐口開(kāi)始往上鋪，將噴火槍（或噴燈）調(diào)整就緒，然后對(duì)準(zhǔn)卷材與基層的交界面（噴槍與卷材的距離保持50100mm），在卷材表面熱熔膠熔化并發(fā)黑有光澤時(shí)，進(jìn)行滾動(dòng)粘貼，卷材向前滾動(dòng)時(shí)，要求邊緣有熱熔膠溢出，并用

25、小刀刮平封實(shí)。在卷材滾動(dòng)過(guò)程中，須對(duì)卷材壓實(shí)，不許空鼓。2.3.4.5 卷材的搭接寬度（見(jiàn)表7.3） 卷材搭接寬度（mm） 表7.3卷 材種 類卷 材種 類鋪 貼方 法短邊搭接長(zhǎng)邊搭接滿貼法空鋪、點(diǎn)粘、條粘法滿粘法空鋪、點(diǎn)粘、條粘法瀝青防水卷材10015070100SBS改性瀝青防水卷材80100801002.3.4.6卷材之間（即邊接縫）粘接時(shí)用噴槍對(duì)準(zhǔn)上下層卷材燒至熔化，然后用力擠壓邊緣有熱熔膠溢出，用刮刀修平封實(shí)。2.3.4.7 卷材施工時(shí)，對(duì)屋面所有管道、煙囪口、水落口等節(jié)點(diǎn)周圍及轉(zhuǎn)角處剪開(kāi)的卷材用密封膠封牢。2.3.5 細(xì)部防水做法2.3.5.1 天溝、檐溝、檐口防水做法a. 天溝、

26、檐溝應(yīng)增鋪附加層，應(yīng)采用防水涂膜作為增強(qiáng)層。b. 天溝、檐溝與屋面的交接處的附加層宜空鋪，空鋪的寬度不應(yīng)小于200mm。（圖7.2（1）a）c. 卷材防水層應(yīng)由溝底翻上至溝外檐頂部，卷材收頭應(yīng)用壓條或墊片釘壓固定，并用密封材料封口。（圖7.2（1）b）d. 高低跨內(nèi)排水天溝與立墻交接處，應(yīng)采用能適應(yīng)變形的密封處理。（圖7.2（1）c ）e. 鋪貼檐口800mm范圍內(nèi)的卷材應(yīng)采取滿粘法。f. 卷材收頭應(yīng)壓入凹槽，采用壓條或墊片釘壓固定，并用密封材料封口。g. 檐口下端應(yīng)抹出鷹嘴和滴水槽。2.3.5.2 女兒墻泛水防水做法a. 鋪貼泛水處的卷材應(yīng)采取滿粘法。b. 女兒墻較低，卷材鋪到壓頂下，并用金

27、屬或鋼筋砼板蓋壓。（圖7.2（2）a）c. 磚墻卷材收頭可直接鋪壓在女兒墻壓頂下，也可壓入磚墻凹槽上部的墻體應(yīng)做防水處理。（圖7.2（2）b）d. 女兒墻為混凝土?xí)r，卷材收頭直接用壓條固定與墻上，用密封材料封固，并在收頭上部作柔性保護(hù)層。（圖7.2（2）c）2.3.5.3 屋面變形縫的做法a. 變形縫的泛水高度不應(yīng)小于250mm。b. 防水層應(yīng)鋪貼到變形縫兩側(cè)砌體的上部。c. 變形縫內(nèi)宜填充泡沫塑料或?yàn)r青麻絲，上部填放襯墊材料，并用卷材封蓋，頂部應(yīng)加扣混凝土或金屬蓋板，混凝土蓋板的接縫應(yīng)用密封材料嵌填。（圖7.2（3）d. 在變形縫中間放置一條聚乙烯發(fā)泡棒或板，或先整個(gè)覆蓋一層卷材，并向縫中凹

28、伸，上放圓棒，圓棒是覆蓋卷作形造型模架。e. 卷材蓋過(guò)變形縫，并作成形，封閉處理，金屬蓋板或砼蓋板作保護(hù)層。2.3.5.4 水落口處節(jié)點(diǎn)防水處理：a. 水落口杯上口的標(biāo)高應(yīng)設(shè)置在溝底的最低處。b. 防水層貼入水落口杯內(nèi)不應(yīng)小于50mm。c. 水落口杯周圍500mm內(nèi)增大坡度不應(yīng)小于5%，并采用防水涂料或密封材料涂封，涂料厚度不應(yīng)小于2mm。（圖7.2（4）a）d. 水落口杯與基層接觸處應(yīng)留寬20mm、深20mm凹槽，并嵌填柔性密封材料，避免水落口節(jié)點(diǎn)的滲漏發(fā)生。（圖7.2（4）b）e. 水落口杯埋設(shè)標(biāo)高應(yīng)考慮水落口設(shè)防時(shí)增加附加層和柔性密封層的厚度及排水坡度加大的尺寸。2.3.5.5 伸出屋面

29、管道及出入口防水做法a. 管道根部直徑500mm范圍內(nèi)，砂漿找平層應(yīng)抹出高度不小于30mm的圓臺(tái)，管道與找平層間應(yīng)留20mm20mm的凹槽，并嵌填密封材料，防水層收頭處應(yīng)用金屬箍箍緊，并用密封材料封嚴(yán)。（圖7.2（5）a）b. 管道根部四周應(yīng)增鋪附加層，寬度和高度均不應(yīng)小于250mm。c. 屋面垂直出入口防水層收頭應(yīng)壓在砼壓頂圈下，水平出入口防水層收頭應(yīng)壓在砼踏步下，防水層的泛水應(yīng)設(shè)保護(hù)墻。（圖7.2（5）b）2.3.6 卷材防水層保護(hù)層施工應(yīng)符合下列規(guī)定2.3.6.1用淺色涂料保護(hù)層時(shí)，應(yīng)等卷材鋪貼完成，并經(jīng)檢驗(yàn)合格，清掃干凈涂刷。涂層應(yīng)與卷材粘結(jié)牢固，厚滿均勻，不得漏涂。2.3.6.2 用

30、水泥砂漿作保護(hù)層時(shí)，表面應(yīng)抹平壓光，并應(yīng)設(shè)表面分格縫，分格面積宜為1m2。2.3.6.3用塊體材料作保護(hù)層時(shí)，宜留設(shè)分格縫。分格面積不宜大于100mm2；分格縫寬度不宜小于20mm。2.3.6.4用細(xì)石混凝土作保護(hù)層時(shí)，混凝土應(yīng)振搗密實(shí)，表面抹光壓光，并留設(shè)分格縫。分格面積不宜大于36m2。2.3.6.5 剛性保護(hù)層與女兒墻、山墻之間應(yīng)預(yù)留寬度為30mm的縫隙，并用密封膠嵌填嚴(yán)密。2.3.6.6水泥砂漿、塊材或細(xì)石混凝土保護(hù)層與防水層之間設(shè)置的隔離層應(yīng)平整，起到完全隔離作用。2.4 安全注意事項(xiàng)2.4.1卷材嚴(yán)禁在雨天、雪天、大風(fēng)天氣，溫度低于5不得施工。中途下雨應(yīng)做已鋪卷材周邊的防護(hù)工作。2

31、.4.2 對(duì)石油液化罐、噴槍、噴燈的開(kāi)關(guān)、連接件、膠管進(jìn)行檢查是否漏氣、漏油，如發(fā)現(xiàn)應(yīng)及時(shí)修理和更換。2.4.3在防水層上安裝避雷帶、天線、隔熱板及各種管件和設(shè)備時(shí)，應(yīng)謹(jǐn)慎作業(yè)，不得損壞防水層。2.4.4卷材宜直立堆放，并儲(chǔ)放于通風(fēng)的室內(nèi)，切忌日曬、雨淋和于熱源接觸。2.4.5卷材操作人員必須穿長(zhǎng)袖口衣服和長(zhǎng)褲，并帶手套，禁止赤腳或穿硬底、高跟鞋作業(yè)。2.5 過(guò)程能力預(yù)先鑒定在正式施工前，應(yīng)對(duì)操作人員、材料、機(jī)具、環(huán)境等過(guò)程能力進(jìn)行預(yù)先鑒定，填寫“特殊過(guò)程能力預(yù)先鑒定表”（程序文件表QCX093），并按照選擇的防水參數(shù)進(jìn)行試件送試，合格后方可正式生產(chǎn)。2.6 技術(shù)交底施工負(fù)責(zé)人應(yīng)向班組進(jìn)行技術(shù)

32、交底。內(nèi)容包括：施工部位、施工順序、施工工藝、構(gòu)造層次、節(jié)點(diǎn)設(shè)防方法、增強(qiáng)部位及做法，工程質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，保證質(zhì)量的技術(shù)措施，成品保護(hù)措施和安全注意事項(xiàng)。2.7 特殊過(guò)程的連續(xù)監(jiān)控2.7.1 需監(jiān)控的技術(shù)參數(shù)：卷材厚度（見(jiàn)表7.4）、卷材搭接寬度（見(jiàn)表7.3）。2.7.2 監(jiān)控的頻次大于1000卷抽5卷，每5001000卷抽4卷，100499卷抽3卷，100卷以下抽2卷，進(jìn)行規(guī)格尺寸和外觀質(zhì)量檢驗(yàn)。在外觀質(zhì)量檢驗(yàn)合格的卷材中，任取一卷作物理性能檢驗(yàn)。2.7.3 對(duì)技術(shù)參數(shù)的監(jiān)控：應(yīng)由操作人員自檢和項(xiàng)目質(zhì)檢員專檢予以實(shí)施。2.7.4 監(jiān)控人員應(yīng)對(duì)監(jiān)控時(shí)實(shí)測(cè)到的技術(shù)參數(shù)記錄入“特殊過(guò)程主要技術(shù)參數(shù)連續(xù)監(jiān)

33、控記錄”（程序文件表QCX094）2.8 質(zhì)量要求2.8.1 屋面不得有滲漏和積水現(xiàn)象。所使用的材料（包括防水材料，找平層、保溫層、保護(hù)層、隔氣層及外加劑、配件等）必須符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)要求。2.8.3 防水層的厚度和層數(shù)、層次應(yīng)符合設(shè)計(jì)規(guī)定。2.8.4 結(jié)構(gòu)基層應(yīng)穩(wěn)固，平整度符合規(guī)定，預(yù)制構(gòu)件嵌縫密實(shí)。2.8.5 屋面坡度（含天溝、檐溝、水落口、地漏）必須準(zhǔn)確，排水系統(tǒng)應(yīng)通暢，找平層表面平整度不超過(guò)5mm，表面不得有疏松、起砂、起皮現(xiàn)象。2.8.6 卷材的鋪貼方法、搭接順序應(yīng)符合規(guī)定，搭接寬度準(zhǔn)確，接縫嚴(yán)密，不得有皺折、鼓泡和翹邊，收頭應(yīng)固定、密封嚴(yán)密。2.8.7 粒料、涂料、薄膜保護(hù)層應(yīng)覆蓋均勻嚴(yán)密，不露底，粘結(jié)牢固，剛性整體保護(hù)層不得松動(dòng)，分格縫留置應(yīng)準(zhǔn)確，與防水層之間應(yīng)有隔離層。板塊保護(hù)層應(yīng)鋪砌平整，勾縫嚴(yán)密，其分格縫的留設(shè)也應(yīng)正確。2.8.8 節(jié)點(diǎn)做法必須符合設(shè)計(jì)要求，搭接正確，封固嚴(yán)密，不得翹邊開(kāi)縫。2.8.9 空鋪、條粘、點(diǎn)粘法施工時(shí)，卷材粘貼面積、位置應(yīng)符合要求。2.9 質(zhì)量檢驗(yàn)防水工程各分項(xiàng)工程的施工質(zhì)量檢驗(yàn)批量應(yīng)符合下列規(guī)定：2.9.1 SBS改性瀝青卷材防水工程應(yīng)按防水工程面積每100m2抽查一處，每處10m2，且不得少于3處。2.9.2接縫密封防水，每50m應(yīng)抽查一處，