機(jī)械電子學(xué)精品課件

1、機(jī)械電子學(xué)第1頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院2機(jī)械電子裝置中的電子器件按電路功能IC分兩大類： 模擬IC： 數(shù)字IC：按集成度IC分（10mm10mm）： 小規(guī)模（小于100） 中規(guī)模（1001000） 大規(guī)模（100010000） 超大規(guī)模（大于10000）從功率上IC分 微電子 電力電子第2頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院3集成IC外形封裝及名稱第3頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院4模擬器件在機(jī)械電子裝置中的作用信號(hào)放大模擬運(yùn)算信號(hào)變換功率放大調(diào)制解調(diào)濾波穩(wěn)

2、壓提供基準(zhǔn)波形第4頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院5集成運(yùn)放的種類高輸入阻抗，（FET作輸入級(jí)）高精度低溫漂（mV,V級(jí)）高速型，用于采樣保持低功耗型（用于遙測(cè)遙感）高壓型第5頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院6理想運(yùn)算放大器的指標(biāo)差模開環(huán)電壓增益AVD差模輸入電阻RID 輸出電阻R0 0共模抑制比KCMR 12345678第6頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院7理想運(yùn)放工作在線性區(qū)有兩個(gè)重要特點(diǎn)：理想運(yùn)放工作在非線性區(qū)有兩個(gè)重要特點(diǎn)：I+ I- 0正向飽和時(shí)VO E

3、C負(fù)向飽和時(shí)VO EE虛短路虛開路放大倍數(shù)與負(fù)載無(wú)關(guān)， 可以分開分析。u+uo_+uIi第7頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院8反相比例運(yùn)算電路i1= i2uo_+R2R1RPuii1i21. 放大倍數(shù)虛短路虛開路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：負(fù)反饋引到反相輸入端，信號(hào)從反相端輸入。第8頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院9同相比例運(yùn)算電路_+R2R1RPuiuou-= u+= ui虛短路虛開路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：負(fù)反饋引到反相輸入端，信號(hào)從同相端輸入。第9頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院10電壓跟

4、隨器_+uiuo此電路是電壓并聯(lián)負(fù)反饋，輸入電阻大，輸出電阻小，在電路中作用與分離元件的射極輸出器相同，但是電壓跟隨性能好。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：輸出電壓全部引到反相輸入端，信號(hào)從同相端輸入。電壓跟隨器是同相比例運(yùn)算放大器的特例。第10頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院11差動(dòng)放大器_+R2R1R1ui2uoR2ui1解出：第11頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院12對(duì)數(shù)電路利用PN結(jié)的指數(shù)特性實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)運(yùn)算第12頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院13反對(duì)數(shù)（指數(shù)）電路uo = RF

5、 IS eui /UT輸入與輸出的關(guān)系式為:第13頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院14 模擬乘法器乘法運(yùn)算電路KXYXYuO = KuxuyK 增益系數(shù)模擬乘法器符號(hào)第14頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院15模擬除法器8u1R1uOR2XYKXYu3u2第15頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院16調(diào)制與解調(diào)調(diào)幅調(diào)頻調(diào)相第16頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院17調(diào)幅（典型應(yīng)用交流電橋）第17頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20

6、日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院18PID控制器第18頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院19有源濾波器應(yīng)用電位器傳感器濾波第19頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院20課后作業(yè)（1)：求輸出U0的表達(dá)式第20頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院21課后作業(yè)（2)：求i0與E的關(guān)系第21頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院22課后作業(yè)(3):V/I變換求Vi與IL的關(guān)系第22頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星

7、期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院23數(shù)字集成電路的分類（1）雙極性：TTL,ECL(射極耦合邏輯電路),HTL （高閾值邏輯電路）,DTL單極性：PMOS,NMOS,CMOS組合邏輯電路時(shí)序邏輯電路數(shù)字集成電路的分類（2）第23頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院24數(shù)字電路基本單元門電路門電路的作用：是用以實(shí)現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路，與基本邏輯關(guān)系相對(duì)應(yīng)。門電路的主要類型：與門、或門、與非門、或非門、異或門等。第24頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院25分立元件門電路（1）D1D2FAB+12VD1FD2AB-12VR1D

8、R2AF+12V+3V&ABF1ABF1AF第25頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院26分立元件門電路（2）R1DR2F+12V+3V三極管非門D1D2AB+12V二極管與門&ABF第26頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院27數(shù)字IC在機(jī)械電子裝置中的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)各種控制邏輯實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)數(shù)字量的各種運(yùn)算實(shí)現(xiàn)電路之間參數(shù)匹配提供基準(zhǔn)波形第27頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院28TTL數(shù)字集成門電路數(shù)字集成電路：在一塊半導(dǎo)體基片上制作出一個(gè)完整的邏輯電路所需要的全部元件和

9、連線。使用時(shí)接：電源、輸入和輸出。數(shù)字集成電路具有體積小、可靠性高、速度快、而且價(jià)格便宜的特點(diǎn)。TTL型電路：輸入和輸出端結(jié)構(gòu)都采用了半導(dǎo)體晶體管，稱之為: Transistor Transistor Logic。第28頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院29TTL與非門內(nèi)部結(jié)構(gòu)+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC3603k750100第29頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院30TTL與非門管子狀態(tài)輸入全為1 T1 T2 T3 T4 T5管子狀態(tài)倒置放大飽和微導(dǎo)通截止深飽和輸入不全為

10、1 T1 T2 T3 T4 T5管子狀態(tài)深飽和截止微飽和放大 截止第30頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院31IC參數(shù)開門電平VON與關(guān)門電平VOFF VON 保證輸出為低電平時(shí)所允許的輸入高電平的最小值，一般VON=2V VOFF 保證輸出為高電平時(shí)所允許的輸入低電平的最大值，一般VOFF=0.8V輸出高電平VOH與輸出低電平VOL VOH指任一輸入端接低電平時(shí)的輸出電平，典型值3.4V，不得低于2.4V VOL指任一輸入端接高電平時(shí)的輸出電平，典型值0.2V，不得高于0.4V輸入短路電流IIL和輸入漏電流IIH扇出系數(shù)與扇入系數(shù) 電路能驅(qū)動(dòng)同類門的

11、個(gè)數(shù)為扇出系數(shù),分拉電流扇出系數(shù)和灌電流扇出系數(shù)。噪聲容限與抗干擾能力 噪聲容限分低電平噪聲容限和高電平噪聲容限。低電平噪聲容限指保證輸出高電平為額定值90%所允許疊加在輸入低電平上的噪聲電壓。VNL=VOFF-VIL高電平噪聲容限指保證輸出為低電平所允許疊加在輸入高電平上的噪聲電壓。 VNH=VIH-VON第31頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院32其它類型的TTL門電路集電極開路的與非門（OC門）+5VFR2R13kT2R3T1T5b1c1ABCRLUCC第32頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院33&UCC

12、F1F2F3F分析：F1、F2、F3任一導(dǎo)通，則F=0。 F1、F2、F3全截止，則F=1 。輸出級(jí)RLUCCRLT5T5T5F=F1F2F3 OC門可以實(shí)現(xiàn)“線與”功能。第33頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院34E 控制端+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABDE一、結(jié)構(gòu)其它類型的TTL門電路三態(tài)門第34頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院35三態(tài)門的符號(hào)及功能表&ABF符號(hào)功能表&ABF符號(hào)功能表使能端高電平起作用使能端低電平起作用第35頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)1

13、1分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院36三態(tài)門的用途E1E2E3公用總線三態(tài)門主要作為TTL電路與總線間的接口電路。工作時(shí)，E1、E2、E3分時(shí)接入高電平。第36頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院37CMOS電路的工作特點(diǎn)：輸入阻抗高，可達(dá)1010 ，幾乎不從電源吸取電流，功耗極小。扇出系數(shù)大，只受工作頻率影響輸出電平擺幅大，噪聲容限大。由于輸入阻抗高，CMOS電路易受靜電感應(yīng)并發(fā)生擊穿。與TTL相比，開關(guān)速度較慢。1）CMOS的VDD可以在一定范圍內(nèi)改變，本表為5V時(shí)測(cè)得。國(guó)產(chǎn)邏輯門性能比較第37頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山

14、東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院38開門電阻與關(guān)門電阻+5VRUiFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c13603k750100 由于R一端接低電平，與非門的輸入電流IIL流經(jīng)R會(huì)產(chǎn)生壓降Ui，它隨R的增大而升高。通常把剛剛使輸出為低電平的R值稱為開門電阻，把剛剛使輸出為高電平的R值稱為關(guān)門電阻RUi1.40Ui1.4V以后，Ub1被箝位在2.1V第38頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院39門電路多余輸入端的處理(1)對(duì)于TTL與非、與門多余輸入端處理方法：直接接高電平（或電源正）與其它的輸入端并聯(lián)，但對(duì)信號(hào)源取用電流增加懸空，相當(dāng)于接高電平（當(dāng)干擾較

15、小時(shí)）。通過(guò)大于開門電阻RON接地對(duì)于TTL或非、或門多余輸入端處理方法：接低電平直接接地與其它的輸入端并聯(lián)，但對(duì)信號(hào)源取用電流增加通過(guò)小于關(guān)門電阻ROFF接地對(duì)CMOS邏輯門多余輸入端處理：與非、與門多余輸入端接高電平（不可懸空）或非、或門多余輸入端接地第39頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院40觸發(fā)器與寄存器時(shí)序電路的特點(diǎn)：具有記憶功能。在數(shù)字電路中，凡是任一時(shí)刻的穩(wěn)定輸出不僅決定于該時(shí)刻的輸入，而且還和電路原來(lái)的狀態(tài)有關(guān)者，都叫做時(shí)序邏輯電路，簡(jiǎn)稱時(shí)序電路。時(shí)序電路的基本單元：觸發(fā)器。觸發(fā)器的分類：按穩(wěn)定工作狀態(tài)劃分：雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和

16、無(wú)穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 。雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器按功能分：有R-S觸發(fā)器、D型觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、T型等；雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器按觸發(fā)方式劃分：有電平觸發(fā)方式、主從觸發(fā)方式和邊沿觸發(fā)方式 。第40頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院41RS觸發(fā)器的功能表RD SD Q1 10 11 00 0保持原狀態(tài)0 11 0不定狀態(tài)復(fù)位端置位端邏輯符號(hào)第41頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院42主從式JK觸發(fā)器的功能表功能表JK觸發(fā)器的功能小結(jié)：1. 當(dāng)J=0、K=0時(shí)，具有保持功能；2. 當(dāng)J=1、K=1時(shí)，具有翻轉(zhuǎn)功能；3. 當(dāng)J=0、K=1時(shí)，具有

17、復(fù)位功能；4. 當(dāng)J=1、K=0時(shí)，具有置位功能。邏輯符號(hào)RDSDCQKJC處的小三角表示動(dòng)態(tài)觸發(fā)，即屬于邊沿型第42頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院43JK觸發(fā)器時(shí)序圖JQCPKJQ 保持T第43頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院44攪拌機(jī)葉片折斷報(bào)警電路第44頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院45傳感器輸出的信號(hào)PXS1PXS2正常時(shí)1100折斷時(shí)1000第45頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院46D觸發(fā)器（1）JK觸發(fā)器

18、轉(zhuǎn)換成D觸發(fā)器CQKJDCP第46頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院47D觸發(fā)器（2）功能表CPDQD觸發(fā)器的輸出波形。邏輯符號(hào)RDSDDCQD觸發(fā)器功能：在時(shí)鐘下降沿將D信號(hào)狀態(tài)存儲(chǔ)到Q端，常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此D觸發(fā)器又稱為鎖存器。第47頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院48D觸發(fā)器應(yīng)用由D觸發(fā)器構(gòu)成的四位并行寄存器第48頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院49 T觸發(fā)器（1）CQKJTCPJK觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成T觸發(fā)器第49頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，

19、星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院50T觸發(fā)器（2）功能表時(shí)序圖：CPQTRDSDCQT邏輯符號(hào):T=0時(shí)CP不起作用，T=1時(shí)每來(lái)一個(gè)時(shí)鐘脈沖，觸發(fā)器狀態(tài)翻轉(zhuǎn)一次第50頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院51T觸發(fā)器應(yīng)用(4位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器)CQTTFF1QCTQCQTCTTFF2CQTTFF3TFF4+VDDTTFF1TFF2TFF3TFF4CLOCK第51頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院52功率電子器件概述電子技術(shù)微電子技術(shù)：弱電領(lǐng)域電力電子技術(shù)：強(qiáng)電領(lǐng)域電力電子器件晶閘管（SCR）可關(guān)斷晶閘管（GTO）功率晶體管

20、（GTR）功率場(chǎng)控晶體管（MOS-FET）絕緣門極雙極晶體管（IGBT）電力電子器件應(yīng)用整流逆變斬波交流調(diào)壓第52頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院53普通晶閘管(SCR)簡(jiǎn)介主電壓V2ppnn-K主電流V1pn門極G+ASCR等效電路在陽(yáng)極A與陰極K之間加正向電壓，同時(shí)在門極G與陰極K之間加正向電壓（觸發(fā)），這樣陽(yáng)極A與陰極K之間即進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管一旦導(dǎo)通，只要陽(yáng)極A與陰極K之間的電流不小于其維持電流IH，門極G與陰極K之間是否還存在正向電壓，對(duì)已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管完全沒(méi)有影響。晶閘管導(dǎo)通條件：主電極陽(yáng)極A與陰極K之間的電流小于其維持電流IH，晶閘管

21、即進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。晶閘管關(guān)斷條件：第53頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院54SCR外形圖第54頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院55晶閘管實(shí)驗(yàn)(a)開關(guān)未閉合(b)開關(guān)閉合后又?jǐn)嚅_(c)電源反向第55頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院56單相半波可控整流控制角：導(dǎo)通角：第56頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院57單相全控橋式整流第57頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院58雙向晶閘管（TR

22、IAC）雙向晶閘管圖形符號(hào) 與單向晶閘管相比較，雙向晶閘管的主要區(qū)別是： 在觸發(fā)之后是雙向?qū)ǖ模?觸發(fā)電壓不分極性，只要絕對(duì)值達(dá)到觸發(fā)門限值即可使雙向晶閘管導(dǎo)通。功率晶體管（GTR-Giant Transistor） 功率晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理與小功率晶體管非常相似，屬雙極型器件。V1V2 1 2達(dá)林頓復(fù)合晶體管第58頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院59功率晶體管外形第59頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院60可關(guān)斷晶閘管GTO(Gate Turn off Thyristor)陽(yáng)極A門極G陰極K功率場(chǎng)控晶體

23、管（功率MOSFET） (MOSFET Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 功率MOSFET 如同普通MOSFET一樣，也是一種單極型晶體管，是電壓控制型，屬全控型器件。它是用柵極電壓控制漏極電流，因此驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小。開關(guān)速度快，頻率高，它在所有的電力電子器件中是最高的。G柵極S源極D漏極N溝道 GTO是晶閘管的派生器件，是晶閘管家族的一個(gè)成員，GTO可以通過(guò)在門極施加負(fù)電流脈沖使其關(guān)斷，屬全控型器件。它的電壓、電流容量比電力晶體管大的多，和晶閘管接近。第60頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，星期四山東科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院61絕緣門極雙極晶體管（IGBT）IGBT是雙極型電力晶體管與MOSFET的復(fù)合。電力晶體管飽和壓降小，載流密度大，但是驅(qū)動(dòng)電流大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但是導(dǎo)通壓降大載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降降低。GECCEG第61頁(yè)，共67頁(yè)，2022年，5月20日，3點(diǎn)11分，