半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹

1、 半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹 （內(nèi)部學(xué)習(xí)資料） 第八研究室 2008.10半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹名詞：清洗槽化學(xué)槽恒溫槽預(yù)熱槽石英槽腐蝕槽 QDR槽 超聲槽兆聲槽冷凝蓋 在線加熱 晶舟承載器 花籃 傳遞盒 半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹半導(dǎo)體清洗設(shè)備介紹 本體清洗槽管路系統(tǒng)氣路系統(tǒng) 在線加熱系統(tǒng)恒溫系統(tǒng) 循環(huán)過濾系統(tǒng)照明控制系統(tǒng) 排風(fēng)系統(tǒng)安全警示安全保護(hù)裝置 設(shè)備構(gòu)造設(shè)備構(gòu)造設(shè)備構(gòu)造設(shè)備構(gòu)造設(shè)備構(gòu)造常用材料聚丙烯 PP 100 聚氯乙烯 PVC 60 鐵氟龍 PTFE 260 聚偏二氟乙烯 PVDF 140 聚乙烯 PE 60 石英 全氟烷氧基化合物 PFA 260 硅片清洗液序號 名稱 配方 工作

2、溫度 作用 1 SPM清洗 H2SO4:H2O2=4:1 110C -130C 去除光阻、顆粒及金屬離子 2 SC-1清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C 去除有機(jī)污(APM)物、顆粒 及金屬離子 3 SC-2清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C 去除有機(jī)污染(HPM )物、 顆粒及金屬離子 4 DIO3清洗 O3:H2O 低溫下 去除有機(jī)污染物、顆粒及 金屬離子 5 DHF清洗 HF（1%） 22 去除氧化物、金屬以及深度腐蝕 6 SOM清洗 H2SO4:O3=4:1 110C -130C 去除光阻、顆粒及金屬離子 硅片的腐蝕（蝕刻）序號 名稱

3、 工作溫度 作用 1 BHF HF:NH4OH:H2O 22 二氧化硅蝕刻 2 BOE HF:NH4F:/1:200400 22 二氧化硅蝕刻 3 ACID Etch HNO3/CH3COOH/H2O (1:1:20) 常溫 銅（Cu）（用于 多晶硅的蝕刻） 4 Organic acids NH4OH/H2O, H3PO4/H2O2 常溫 GaAs蝕刻（用于 多晶硅的蝕刻） 5 Organic acids H3PO4/HNO3/ CH3COOH 160 Mo蝕刻（用于多 晶硅的蝕刻） 6 Organic acids Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3或HclO4 常溫 Cr蝕刻（用于多晶 硅的蝕刻）影響清洗效果的因素 清洗液 潔凈度/濃度/配比/溫度 前道工序 設(shè)備材料/潔凈度/環(huán)境潔凈度/傳遞過程 其中刻蝕精度與控溫精度及均勻性有關(guān)完備的生產(chǎn)加工能力鈑金加工中心機(jī)械加工中心塑料加工中心電器控制要求電器元件與操作空間要隔離,不得與化學(xué)氛圍相接觸.且應(yīng)充氮?dú)庖苑栏g.在化學(xué)氛圍中的控制需采用氣動方式.在有易燃易爆化學(xué)品時,一定要選用防爆器件.安全事項(xiàng)電器部分自動控制中各功能的互鎖性加熱的溫度保護(hù)材料的合理選擇局部易燃區(qū)應(yīng)用防火材料排風(fēng)量的監(jiān)測安全警示生產(chǎn)環(huán)境要求 潔凈廠房 包裝運(yùn)輸 包裝的潔凈、可靠，運(yùn)輸平穩(wěn) 化學(xué)操作臺設(shè)備型號：SDX-