材料物理題庫(kù)

1、材料物理導(dǎo)論題庫(kù)D. C AuD. Fei-yOA. 7B. D. C AuD. Fei-yOA. 7B. %下列非化學(xué)計(jì)量化合物屬于陽(yáng)離子缺位型的是A. TiO2B.Zn1+ O c. CaF?*間隙雜質(zhì)的主要決定因素是8、9、1、下列物理量屬于微觀量的是【】A.溫度B.體積C.速度D.分子質(zhì)量2、將宏觀量與微觀量聯(lián)系起來的是A.普朗克常數(shù)B.密、度C.濃度D.阿伏伽德羅常數(shù)【】3、【】一個(gè)量子態(tài)可以容納自旋方向相反的費(fèi)術(shù)子的數(shù)量是4、5、A. 一個(gè)B.兩個(gè)C.無數(shù)個(gè)D. 不能確定【】下夕列微觀粒子屬于費(fèi)術(shù)子的是A.光子B.電子下列不屬于準(zhǔn)粒子的是C.聲子D.H原子6、7、A.聲子B.激子下

2、列哪個(gè)粒子屬于玻色子A.質(zhì)子B.光子下列哪種符號(hào)表示的是空位缺陷C.電子C.中子D.磁子D.電子【】C. Zn i晶體結(jié)構(gòu)類型B.體積效應(yīng)C.化學(xué)鍵性質(zhì) D.電價(jià)差異10、所需活化能最小的擴(kuò)散機(jī)制是【】空位機(jī)制B.推填子機(jī)制 C.間隙機(jī)制 D.易位機(jī)制11、 關(guān)于材料熱容的影響因素，下列說法中不正確的是【】熱容是一個(gè)與溫度相關(guān)的物理量，因此需要用微分來精確定義。實(shí)驗(yàn)證明，高溫下化合物的熱容可由柯普定律描述。德拜熱容模型已經(jīng)能夠精確描述材料熱容隨溫度的變化。材料熱容與溫度的精確關(guān)系一般由實(shí)驗(yàn)來確定。12、 能增大多晶體的熱導(dǎo)率的是【】A.晶粒尺寸大 B.晶界多C.缺陷多 D.雜質(zhì)多13、 關(guān)于熱

3、膨脹，下列說法中不正確的是【】各向同性材料的體膨脹系數(shù)是線膨脹系數(shù)的三倍。各向異性材料的體膨脹系數(shù)等于三個(gè)晶軸方向熱膨脹系數(shù)的加和。熱膨脹的微觀機(jī)理是由于溫度升高，點(diǎn)缺陷密度增高引起晶格膨脹。由于本質(zhì)相同，熱膨脹與熱容隨溫度變化的趨勢(shì)相同。14、 下面列舉的磁性中屬于強(qiáng)磁性的是【】A.順磁性 B.亞鐵磁性C.反鐵磁性 D.抗磁性15、下列哪項(xiàng)是鐵磁性x 15、下列哪項(xiàng)是鐵磁性x -T的相互關(guān)系【】16、雜質(zhì)原子使純金屬的電導(dǎo)率A.升高B.降低 C.先升后降D.先降后升17、下列哪項(xiàng)是非平衡載流子A. n0B. poC. nD. n18、如左圖對(duì)應(yīng)的吸收過程是本征吸收激子吸收雜質(zhì)吸收自由載流子吸

4、收19、300K時(shí)Si的Eg=1.12eV，如左圖，下列關(guān)于P在Si中說法正確的是F_A.淺能級(jí)，0.044eV三五EB.深能級(jí)，0.044eVC.淺能級(jí)，1.076eVlD.深能級(jí)，1.076eV20、20、如左圖的發(fā)光現(xiàn)象屬于的發(fā)光類型是光致發(fā)光電致發(fā)光陰極射線發(fā)光高能粒子發(fā)光二填空題1、晶體產(chǎn)生弗倫克爾缺陷時(shí)，晶體體，晶體密度；而有肖特基缺陷時(shí)，晶體體 ，晶體密度。一般說離子晶體中正、負(fù)離子半徑相差不大時(shí)，是主要的；兩種離子半徑相差大時(shí)，是主要的。2、在圖下方寫出缺陷名稱缺陷缺陷3、關(guān)于固體材料的熱容，愛因斯坦模型認(rèn)為：晶體中每一個(gè)原子都是一個(gè)獨(dú)立的振子，原 子之間彼此無關(guān)，原子以 的頻

5、率振動(dòng)；德拜模型考慮到晶體中原子的相互作用，認(rèn)為晶體中對(duì)熱容的主要貢獻(xiàn)。三、應(yīng)用題1、CaCl2中Ca2+置換KCl中K+而出現(xiàn)點(diǎn)缺陷，寫出缺陷反應(yīng)式。2、CaCl2中Ca2+進(jìn)入到KCl間隙中去而出現(xiàn)點(diǎn)缺陷，寫出缺陷反應(yīng)式。3、高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用ZrO2來實(shí)現(xiàn)增韌，寫出缺陷反應(yīng)式。4、高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用MgO來促進(jìn)Al2O3的燒結(jié)，寫出缺陷反應(yīng)式。四、簡(jiǎn)答題1、溫度對(duì)熱容有何影響？2、溫度對(duì)熱導(dǎo)率有何影響？3、半導(dǎo)體導(dǎo)電與金屬導(dǎo)電的差別有哪些？4、為什么金屬的電阻因溫度升高而增大，而半導(dǎo)體的電阻卻因溫度的升高而減??？5、用磁結(jié)構(gòu)圖說明材料的五種磁性。6、太陽(yáng)電池的基本工作

6、原理。五、論述題1、利用原子勢(shì)能曲線的不對(duì)稱性解釋熱膨脹是晶格振動(dòng)非簡(jiǎn)諧效應(yīng)所引起的。2、解釋固體材料聲子熱導(dǎo)機(jī)理及晶體結(jié)構(gòu)對(duì)熱導(dǎo)的影響。六、計(jì)算題1、令T=300K，計(jì)算比費(fèi)米能級(jí)高3kBr的能級(jí)被電子占據(jù)的概率。（已知e 2。）2、假設(shè)某種材料的費(fèi)米能級(jí)為6.25eV，并且這種材料中的電子遵守費(fèi)米分布，計(jì)算在低于 費(fèi)米能級(jí)0.30eV處，溫度為何值時(shí)能級(jí)為空的概率為1%。3、如果MgO晶體中，含有百萬分之一 mol的Al2O3雜質(zhì)，則在MgO晶體中雜質(zhì)缺陷濃度 是多少。4、 在CaF2晶體中，缺陷形成能為2.58eV,肖特基缺陷的生成能為5.5eV，計(jì)算在27C時(shí)熱 缺陷的濃度？(已知e50 =5.2 X1021)5、設(shè)電子遷移率為0.1cm2 /(V - s)，硅的電子有效質(zhì)量m= 0.26m，如加以104V / cm的 電場(chǎng)，求電子的平均自由時(shí)間和平均自由城程。6、一快