創(chuàng)傷性腦損傷診治新進(jìn)展課件

1、創(chuàng)傷性腦損傷診治新進(jìn)展控制二次腦損傷腦損傷救治的關(guān)鍵概述 全球每年約有1000萬(wàn)創(chuàng)傷性腦損傷（TBI）患者，住院率、致死致殘率均較高，且隨著社會(huì)發(fā)展，F(xiàn)BI的發(fā)生率逐年增高；重型顱腦傷屬神經(jīng)外科危重急癥，尤其造成彌漫性腦損傷時(shí)，大多不適合手術(shù)治療，而藥物治療效果也不理想，死亡率高達(dá)87.2%。其診治成功在很大程度上依賴于是否能夠早期發(fā)現(xiàn)繼發(fā)性腦損害，如腦水腫、顱內(nèi)出血、缺血等。第四軍醫(yī)大學(xué)西京醫(yī)院神經(jīng)外科該項(xiàng)科研成果獲得2011年度國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。 二次腦損傷因素理論是指原發(fā)腦損傷后，二次腦損傷因素如血壓、體溫、顱內(nèi)壓（ICP）、腦血流（CBF）及腦灌注壓（CPP)等發(fā)生異常改變引起的第二

2、次腦損害，加重原發(fā)腦損傷和繼發(fā)性腦損害。創(chuàng)傷性腦損傷（TBI）第二次腦損害可發(fā)生在腦損傷后的各階段，如傷后即刻、復(fù)蘇期、外科手術(shù)及監(jiān)護(hù)時(shí)期。研究表明：二次腦損傷因素是加重繼發(fā)性腦損害的關(guān)鍵，可明顯增加顱腦損傷患者的死亡率和致殘率。創(chuàng)傷性腦損傷控制二次腦損傷二次損傷因素顱外部分、顱內(nèi)部分二次腦損傷之顱外因素（1）顱外部分：包括高熱、缺氧、低血壓等。1、高熱：腦損傷后，高熱可由于下丘腦體溫調(diào)節(jié)中樞功能紊亂、蛛網(wǎng)膜下腔出血或感染等引起。高熱增加腦耗氧量，加快能量代謝耗散的速度，促進(jìn)腦損傷后內(nèi)源性有害因子的生成、釋放和攝取，引起第二次腦損害。腦損傷后伴高熱的傷員中重殘、呈植物狀態(tài)或死亡的發(fā)生率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于

3、無(wú)發(fā)熱傷員，恢復(fù)良好的比例也更低。針對(duì)性處理：亞低溫療法。二次腦損傷之顱外因素（2）4、電解質(zhì)紊亂：電解質(zhì)紊亂既可以引起腦細(xì)胞膜受損，造成電解質(zhì)在細(xì)胞內(nèi)外和細(xì)胞器內(nèi)外正常分布失常，又可以損害血腦屏障，使血漿蛋白或電解質(zhì)逸出血管壁，加重血管源性離水腫和腦細(xì)胞內(nèi)水腫，造成第二次腦損害?，F(xiàn)已證實(shí)低鈉和高鈉血癥均可加重腦損傷。5、血糖異常：低血糖可使顱內(nèi)PH值增加，引起嗜酸性神經(jīng)元細(xì)胞死亡，神經(jīng)細(xì)胞壞死、消失，形成腦組織軟化。高血糖可使乳酸生成增多，直接損傷腦組織。二次腦損傷顱內(nèi)因素（2）一般認(rèn)為：重型顱腦傷者顱內(nèi)壓在成人應(yīng)維持在20-25mmHg,兒童應(yīng)在20mmHg。持續(xù)有創(chuàng)顱內(nèi)壓監(jiān)測(cè)是重型顱腦傷救治的重要手段，因此，顱腦損傷后，顱內(nèi)壓的監(jiān)測(cè)是非常重要的！二次腦損傷因素小結(jié)（1）顱腦損傷為一常見(jiàn)病，隨著社會(huì)的發(fā)展，交通傷、高空墜落傷等多發(fā)，因此，顱腦傷及重型顱腦傷有上升趨勢(shì)，如何提高療效、降低死亡率及傷殘率？第四軍醫(yī)大學(xué)科研提示：控制二次腦損傷是腦損傷救治的關(guān)鍵！二次腦損傷因素小結(jié)（2）二次腦損傷是指在原發(fā)腦損傷后，血壓、體溫、顱內(nèi)壓、腦血流及腦灌注壓等發(fā)生異常改變引起的第二次腦損害，加重原發(fā)腦損傷和繼發(fā)腦損害?？砂l(fā)生在腦損傷后的各階段，并可分為顱外因素及顱內(nèi)因素二部分。顱外因素主要有高熱、