2022更新電大【光伏技術(shù)與應(yīng)用概論】形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案

1、最新電大光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案100%通過(guò)考試說(shuō)明：光伏技術(shù)與應(yīng)用概論形考共有4個(gè)任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中多次 抽取試卷，直到出現(xiàn)01任務(wù)_0001、02任務(wù)_0001、03任務(wù)_0001、04任務(wù)_0001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。 做考題時(shí)，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。 本文庫(kù)還有其他教學(xué)考一體化答案，敬請(qǐng)查看。01任務(wù)01 任務(wù) _0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）常用于太陽(yáng)電池和組件效率測(cè)試時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)為（）。 TOC o 1-5 h z A

2、M0AM1AM1. 5AM2總輻射計(jì)探測(cè)到的是太陽(yáng)的（）。直射太陽(yáng)輻射反射的太陽(yáng)輻射太陽(yáng)的總輻射量折射太陽(yáng)輻射太陽(yáng)發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨（）的分布叫太陽(yáng)光 譜。時(shí)間空間距離波長(zhǎng)我國(guó)太陽(yáng)能分布最豐富的是（）地區(qū)。青藏高原內(nèi)蒙古寧夏陜西太陽(yáng)常數(shù)的參考值為Isc二（）7W/m2o TOC o 1-5 h z 1357136713771387下列哪項(xiàng)不屬于太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)利用的特點(diǎn)（）。數(shù)量巨大安全分散性效率高原則上，太陽(yáng)能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能 量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換的效率便越（）o司低不變未知太陽(yáng)大氣的最外層稱為（）。光球色球日冕針狀體太陽(yáng)常數(shù)的常用單位是（）。w/m2KW/m

3、2w/mKW/m太陽(yáng)常數(shù)Isc的定義為：在平均日地距離時(shí)，地球大 氣層上界（）于太陽(yáng)光線表而的單位而積上單位時(shí)間內(nèi)所 接收到的太陽(yáng)輻射能。平行垂直傾斜30傾斜60二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）總輻射計(jì)探測(cè)到的是太陽(yáng)的（）。直接太陽(yáng)輻射漫射太陽(yáng)輻射反射太陽(yáng)輻射折射太陽(yáng)輻射我國(guó)（）等西部地區(qū)光照資源尤為豐富。青藏高原內(nèi)蒙古寧夏陜西以下（）地區(qū)屬于我國(guó)太陽(yáng)能熱能資源分布五類地區(qū)。湖南四川廣西貴州地球太陽(yáng)能資源豐富程度中高地區(qū)有（）。中東美國(guó)中非中國(guó)以下（）地區(qū)屬于我國(guó)太陽(yáng)能熱能資源分布二類地區(qū)。河北西北部新疆北部寧夏南部西藏東南部以下（）地區(qū)屬于我國(guó)太陽(yáng)能熱能資源分布四類地區(qū)。江西遼寧浙

4、江云南以下（）地區(qū)屬于我國(guó)太陽(yáng)能熱能資源分布一類地區(qū)。甘肅北部新疆南部寧夏北部陜西北部太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)利用的主要步驟有（）。太陽(yáng)能采集太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換太陽(yáng)能貯存太陽(yáng)能輸送地球太陽(yáng)能資源豐富程度中低地區(qū)有（）。東歐新西蘭朝鮮日本太陽(yáng)大氣大概可以分為（）等層次。光球色球日冕針狀體三、判斷題（共10道試題，共20分。）除了原子能、地?zé)岷突鹕奖l(fā)的能量外，地面上大部分 能源均直接或間接同太陽(yáng)有關(guān)。錯(cuò)誤正確地而太陽(yáng)輻射包括直接輻射和折射輻射。錯(cuò)誤正確輻照度計(jì)用來(lái)測(cè)定太陽(yáng)的總輻射量。錯(cuò)誤正確太陽(yáng)常數(shù)的常用單位為W/m2。錯(cuò)誤正確根據(jù)各地接受太陽(yáng)總輻射量的多少，可將我國(guó)劃分為五 類地區(qū)。錯(cuò)誤正確直接接收到的、不改變方向

5、的太陽(yáng)輻射稱為直接太陽(yáng)輻 射。錯(cuò)誤正確原則上，太陽(yáng)能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能 量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換的效率便越低。錯(cuò)誤正確太陽(yáng)輻射的能流密度高。錯(cuò)誤正確大氣層的影響不僅與太陽(yáng)光的入射方向有關(guān)，而且還與 大氣中吸收、散射、反射太陽(yáng)輻射的物質(zhì)有關(guān)。錯(cuò)誤正確AM0是太陽(yáng)光在大氣層外時(shí)的情況。錯(cuò)誤正確四、閱讀理解(共10道試題，共30分。)將下列世界氣候帶一一對(duì)應(yīng)。.赤道帶緯度10回歸線(23. 5)回歸線至極圈(23. 5-66. 5)南北緯10以內(nèi).熱帶緯度10回歸線(23.5)回歸線至極圈(23. 566. 5)南北緯10。以內(nèi).溫帶緯度10回歸線(23. 5)回歸線至極圈(

6、23. 5-66. 5)南北緯10以內(nèi)將下列省份地區(qū)與太陽(yáng)能資源分布情況一一對(duì)應(yīng)。.山東二類三類四類.江西二類三類四類.寧夏南部二類三類四類將下列概念與意義一一對(duì)應(yīng)。.太陽(yáng)常數(shù)描述大氣層上的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度太陽(yáng)發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長(zhǎng)的分布太陽(yáng)光線穿過(guò)地球大氣的路徑與太陽(yáng)光線在天頂角方 向時(shí).太陽(yáng)光譜描述大氣層上的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度太陽(yáng)發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長(zhǎng)的分布太陽(yáng)光線穿過(guò)地球大氣的路徑與太陽(yáng)光線在天頂角方 向時(shí).大氣光學(xué)質(zhì)量描述大氣層上的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度太陽(yáng)發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長(zhǎng)的分布太陽(yáng)光線穿過(guò)地球大氣的路徑與太陽(yáng)光線在天頂角方 向時(shí)將下列地球太陽(yáng)能資源分布情況與地區(qū)一一對(duì)應(yīng)。.

7、豐富程度最高地區(qū)中國(guó)印度日本.豐富程度中高地區(qū)中國(guó)印度日本.豐富程度中低地區(qū)中國(guó)印度日本將下列太陽(yáng)結(jié)構(gòu)與能量傳播方式一一對(duì)應(yīng)。.核反應(yīng)區(qū)輻射對(duì)流對(duì)流和輻射.輻射區(qū)輻射對(duì)流對(duì)流和輻射.對(duì)流區(qū)輻射對(duì)流對(duì)流和輻射將下列太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成不同形式的能量需要的不同能量轉(zhuǎn)換器一一對(duì)應(yīng)。.光合作用太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成熱能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì).集熱器太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成熱能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì).太陽(yáng)電池太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成熱能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì)將下列大氣層的影響情況一一對(duì)應(yīng)。.大氣的吸收作用各種氣體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射.大氣的散射作用各種氣

8、體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射.大氣的反射作用各種氣體分子、水分子(云霧)、塵埃等氧(02)、臭氧(03)和水氣(H20)云層反射將下列太陽(yáng)大氣結(jié)構(gòu)與名稱一一對(duì)應(yīng)。.光球最外層中層最底層.色球最外層中層最底層.日冕最外層中層最底層將下列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與實(shí)際情況一一對(duì)應(yīng)。AMO太陽(yáng)光直接垂直照射到地球表面的情況太陽(yáng)光照射到一般地面的情況太陽(yáng)光在大氣層外2）.AM1太陽(yáng)光直接垂直照射到地球表面的情況太陽(yáng)光照射到一般地而的情況太陽(yáng)光在大氣層外3）.AM1. 5太陽(yáng)光直接垂直照射到地球表而的情況太陽(yáng)光照射到一般地面的情況太陽(yáng)光在大氣層外將下列大氣光學(xué)質(zhì)

9、量數(shù)值與情況一一對(duì)應(yīng)。AM1A.B.C.2）.AM1.5A.B.C.3）. AM2A.B.C.02任務(wù)02 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）（）,硅太陽(yáng)電池開(kāi)始在地而應(yīng)用。1958 年20世紀(jì)70年代初20世紀(jì)70年代末20世紀(jì)80年代初用（）制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好， 特別適宜制作光伏器件和大功率器件。 TOC o 1-5 h z 錯(cuò)硅硒硼導(dǎo)電類型是（）所專有的一個(gè)概念。導(dǎo)體半導(dǎo)體金屬材料絕緣體光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游環(huán)節(jié)包括（）。硅料，硅片電池片，電池組件應(yīng)用系統(tǒng)硅片，電池片，電池組件當(dāng)硅中摻入III族元素時(shí)，如（）等，就會(huì)形成P型材 料。 TOC o 1-

10、5 h z 磷鑰碑硼1954年，第一塊實(shí)用的單晶硅光電池效率為（）。5%6%7%8%用于地而已批量生產(chǎn)的太陽(yáng)電池材料主要有單晶硅、多晶硅與（）。非晶硅薄膜GaAsInPCdTe薄膜薄膜電池材料目前不包括（）。非晶硅薄膜多晶硅（微晶硅）薄膜單晶硅薄膜CuInSe2（CuInS2）薄膜光伏效應(yīng)的英文簡(jiǎn)稱是（）oPCPTPEPV光電轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)的基本裝置是（）。硅料硅片太陽(yáng)電池太陽(yáng)電池方陣二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）20世紀(jì)70年代初，（）開(kāi)始引人到電池的制造工藝中, 太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。背表而場(chǎng)細(xì)柵金屬化淺結(jié)表而擴(kuò)散表面織構(gòu)化近年來(lái)針對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率開(kāi)發(fā)了許多新技 術(shù)，

11、主要有（）o單雙層減反射膜激光刻槽埋藏柵線技術(shù)絨而技術(shù)背點(diǎn)接觸電極克服表而柵線遮光問(wèn)題高效背反射器技術(shù)光吸收技術(shù)常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯(cuò)密度常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯(cuò)密度高純多晶硅是（）的主要原料。帶狀多晶硅鑄造多晶硅區(qū)熔單晶硅直拉單晶硅鑄造多晶硅在（）方面不如單晶硅。力學(xué)性質(zhì)光學(xué)性質(zhì)熱學(xué)性質(zhì)電學(xué)性能薄膜電池材料包括（）。非晶硅薄膜多晶硅（微晶硅）薄膜CdTeCdS薄膜CuInSe2（CuInS2）薄膜半導(dǎo)體材料的電阻率介于（）和（）之間非絕緣體絕緣體金屬非金屬光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括（）環(huán)節(jié)。

12、硅料硅片電池片電池組件應(yīng)用系統(tǒng)10 .半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為（）O元素半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體無(wú)定形半導(dǎo)體材料有機(jī)增導(dǎo)體材料三、判斷題（共10道試題，共20分。）硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用。錯(cuò)誤正確由于生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，晶體硅太陽(yáng)電 池組件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。錯(cuò)誤正確光伏材料又稱太陽(yáng)電池材料，只有半導(dǎo)體材料具有這種 功能。錯(cuò)誤正確位錯(cuò)是晶體中最常見(jiàn)的一類晶體缺陷。錯(cuò)誤正確20世紀(jì)70年代末硅太陽(yáng)電池開(kāi)始在地而應(yīng)用。錯(cuò)誤正確太陽(yáng)能發(fā)電是一種新興的可再生能源利用方式。錯(cuò)誤正確禁帶寬度越大，晶體管正常工作的高溫限也越高。錯(cuò)誤正確對(duì)于

13、非晶態(tài)半導(dǎo)體，位錯(cuò)也是反映其晶格完整性的特性 參數(shù)。錯(cuò)誤正確金屬的電阻率很高，絕緣體的電阻率非常小，半導(dǎo)體材料的電阻率介于兩者之間。錯(cuò)誤正確載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴。錯(cuò)誤正確四、閱讀理解（共10道試題，共30分。）將下列太陽(yáng)電池種類與電池組件光電轉(zhuǎn)換效率一一對(duì) 應(yīng)。1）.單晶硅6%8%14% 16%15% 17%2）.多晶硅6%8%14% 16%15% 17%3）.非晶硅6%8%14% 16%15% 17%將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對(duì)應(yīng)。.元素半導(dǎo)體神化鐐氧化物玻璃 TOC o 1-5 h z 硅.化合物半導(dǎo)體神化鐐氧化物玻璃硅.無(wú)定形半導(dǎo)體材料碑化鉉氧化物玻痛硅將下列半導(dǎo)

14、體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對(duì)應(yīng)。.禁帶寬度反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.非平衡載流子壽命反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能

15、量將下列切割方式與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。.外圓切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多.內(nèi)圓切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多.帶鋸切割刀片薄，晶體損失少，不受硅棒直徑限制刀片薄，晶體損失最少刀片厚，晶體損失多將下列太陽(yáng)電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對(duì)應(yīng)。.單晶硅太陽(yáng)電池12%20. 4%25%.多晶硅太陽(yáng)電池12%20. 4%25%.非晶硅單結(jié)太陽(yáng)電池12%20. 4%25%將下列硅片幾何尺寸參數(shù)一一對(duì)應(yīng)。THK厚度總厚度偏差翹曲度2) .TTV厚度總厚度偏差翹曲度3). Warp厚度總厚度偏差翹曲度將下列硅太陽(yáng)電池發(fā)展

16、歷程一一對(duì)應(yīng)。.1958 年硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表面織構(gòu)化 開(kāi)始引人到電池的制造工藝中.20世紀(jì)70年代初硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表面場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表面織構(gòu)化 開(kāi)始引人到電池的制造工藝中.20世紀(jì)80年代初硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效

17、應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表而織構(gòu)化 開(kāi)始引人到電池的制造工藝中將下列事件與時(shí)間關(guān)系等一一對(duì)應(yīng)。.1839 年法國(guó)物理學(xué)家A. E. Becqueral第一次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開(kāi)發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6%的單晶硅光電池.1876 年法國(guó)物理學(xué)家A. E. Becqueral第一次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開(kāi)發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6%的單晶硅光電池.1954 年法國(guó)物理學(xué)家A. E. Becqueral第一

18、次在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng)貝爾實(shí)驗(yàn)室Chapin等人開(kāi)發(fā)出第一塊實(shí)用的效率為6%的單晶硅光電池將下列影響光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素與產(chǎn)生的可能原 因一一對(duì)應(yīng)。.反射遮蔭等光學(xué)損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗.載流子復(fù)合損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失P/N結(jié)區(qū)復(fù)合封裝材料透光率逆變器等電器損耗將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問(wèn)題與可能的原因一一對(duì) 應(yīng)。.斷線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng).跳線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)3）.花片切割工藝

19、出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)03任務(wù)03 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）太陽(yáng)電池組件通常是由多個(gè)電池（）而成。串聯(lián)并聯(lián)串聯(lián)或并聯(lián)串疊硅晶體中任一原子最多形成（）個(gè)共價(jià)鍵。 TOC o 1-5 h z 1234太陽(yáng)電池串疊時(shí)，能夠吸收較高能量光譜的電池放在（）O上層下層中間任意鑄造多晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率要比直接單晶硅 低（）。1% 2%2%3%3%4%4%5%單晶硅電池的顏色多為（）。白色金色綠色深藍(lán)薄膜電池迅速發(fā)展的最大優(yōu)勢(shì)是（）。成本優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)換效率提高空間大利用范圍更加廣泛對(duì)環(huán)境危害?。ǎ┦侵圃旃夥骷臀⒉ㄆ骷凹呻娐返闹匾牧?。

20、碑化鐐磷化錮鐐化錮碳化硅單結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)（）。24%25%26%27%有“第三代太陽(yáng)電池”之稱的是（）太陽(yáng)電池。非晶硅a-Si薄膜碇化鎘CdTe薄膜銅錮硒化物（CIS/CIGS）薄膜染料敏化納米晶（DSSC）太陽(yáng)電池材料缺陷屬于下列（）影響太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效 率的主要因素。反射及遮蔽等光學(xué)性能損失載流子遷移復(fù)合損失連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失其它損失二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）薄膜太陽(yáng)電池得到迅速發(fā)展的原因主要有（）。成本優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)換效率提高空間大利用范圍更加廣泛對(duì)環(huán)境危害小20世紀(jì)70年代初，（）開(kāi)始引人到電池的制造工藝中, 太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率有了較大提高。背表而場(chǎng)細(xì)柵金屬化淺結(jié)

21、表而擴(kuò)散表面織構(gòu)化硅晶太陽(yáng)電池存在著固有弱點(diǎn)主要有（）。光電轉(zhuǎn)換理論效率相對(duì)較低光吸收系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他太陽(yáng)光電材料相對(duì)成本較高尺寸相對(duì)較小太陽(yáng)電池組件具有的主要特點(diǎn)有（）。滿足不同電壓輸出要求有足夠的機(jī)械強(qiáng)度有明顯的電性能增益提高利用效率多晶硅結(jié)構(gòu)在陽(yáng)光下可通過(guò)控制氮化硅減反射膜的厚 度，呈現(xiàn)（）等不同的顏色。黑色金色綠色深藍(lán)對(duì)于太陽(yáng)電池來(lái)說(shuō)，為了得到高的轉(zhuǎn)換效率，要求材料 有大的（）和適中的（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯(cuò)密度可做太陽(yáng)電池材料的材料有（）o硅晶材料薄膜電池材料GaAs半導(dǎo)體材料其他類型太陽(yáng)電池材料與其他太陽(yáng)電池相比，制造單晶硅太陽(yáng)電池（）。所用硅材料比較豐

22、富制造技術(shù)比較成熟轉(zhuǎn)換效率較高結(jié)晶中缺陷較小常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有（）。禁帶寬度電阻率載流子遷移率非平衡載流子壽命位錯(cuò)密度近年來(lái)針對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率開(kāi)發(fā)了許多新技 術(shù)，主要有（）o單雙層減反射膜激光刻槽埋藏柵線技術(shù)絨而技術(shù)背點(diǎn)接觸電極克服表而柵線遮光問(wèn)題高效背反射器技術(shù)光吸收技術(shù)三、判斷題（共10道試題，共20分。）太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率指的是照射到太陽(yáng)電池表面上 的陽(yáng)光被轉(zhuǎn)換成可用電流的光子數(shù)與入射光子總量的比 例。錯(cuò)誤正確硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。錯(cuò)誤正確光電器件對(duì)半導(dǎo)體材料特性的要求中，高的靈敏度和短 的弛豫時(shí)間二者難于兼顧。錯(cuò)誤正確直拉(CZ)硅單晶主要用來(lái)制作大功率整流元

23、件和閘流 管等電力電子器件。錯(cuò)誤正確共價(jià)鍵的飽和性是指一個(gè)電子和另外一個(gè)電子配對(duì)以 后，就不能再和第三個(gè)電子配對(duì)。錯(cuò)誤正確當(dāng)P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料相連接，將在晶體 中P型和N型材料之間形成界而，即PF結(jié)。錯(cuò)誤正確染料敏化納米晶太陽(yáng)電池的制造成本高于傳統(tǒng)的硅晶 太陽(yáng)電池。錯(cuò)誤正確共價(jià)鍵的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共 價(jià)鍵。錯(cuò)誤正確非晶硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是P-N結(jié)構(gòu)。錯(cuò)誤正確傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)電池的性能隨溫度升高而下降。錯(cuò)誤正確四、閱讀理解(共10道試題，共30分。)將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對(duì)應(yīng)。.元素半導(dǎo)體碑化保氧化物玻璃 TOC o 1-5 h z 硅.化合物半導(dǎo)

24、體碑化保氧化物玻璃硅.無(wú)定形半導(dǎo)體材料碑化保氧化物玻璃硅將下列硅太陽(yáng)電池種類與工業(yè)化生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換效率一 一對(duì)應(yīng)。.單晶硅7 9%15 17%16 18%.多晶硅7 9%15 17%16 18%.非晶硅7 9%15 17%16 18%將下列影響太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素一一對(duì) 應(yīng)。.反射遮蔭等光學(xué)損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率.載流子復(fù)合損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失溫度及衰減損失逆變器等電器損耗封裝材料透光率將下列太陽(yáng)電池種類一一對(duì)應(yīng)。.化合物晶體碑化鐐?cè)玖厦艋~錮保硒.化合物薄膜碑化鉉染料敏化銅錮保硒.有機(jī)染料碑化鉉染料敏化銅錮鐐硒

25、將下列太陽(yáng)電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對(duì)應(yīng)。.單晶硅太陽(yáng)電池12%20. 4%25%多晶硅太陽(yáng)電池12%20. 4%25%.非晶硅單結(jié)太陽(yáng)電池12%20. 4%25%將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對(duì)應(yīng)。.禁帶寬度反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載 流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量.非平衡載

26、流子壽命反映材料的導(dǎo)電能力反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過(guò)渡的弛豫特性反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到 自由狀態(tài)所需的能量將下列硅太陽(yáng)電池發(fā)展歷程一一對(duì)應(yīng)。.1958 年硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表面織構(gòu)化 開(kāi)始引人到電池的制造工藝中. 20世紀(jì)70年代初硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流 子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把

27、背表而場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表而織構(gòu)化 開(kāi)始引人到電池的制造工藝中. 20世紀(jì)80年代初硅太陽(yáng)電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用把表而鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中把背表而場(chǎng)、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表而擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開(kāi)始引人到電池的制造工藝中將下列太陽(yáng)電池種類與實(shí)驗(yàn)室最大效率一一對(duì)應(yīng)。多晶硅11.83%12%20. 4%.非晶硅單結(jié)11.83%12%20. 4%.非晶硅多結(jié)11.83%12%20. 4%將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問(wèn)題與可能的原因一一對(duì)應(yīng)。.斷線切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng).跳線切割工藝

28、出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng).花片切割工藝出現(xiàn)異常硅棒對(duì)接位置不好加工好的硅片在空氣中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)將下列新型太陽(yáng)電池的名稱及其主要特性描述一一對(duì) 應(yīng)。PREL埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散. BCSC埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散. BSR埋柵高效背表而反射器發(fā)射極鈍化及背而局部擴(kuò)散04任務(wù)04 任務(wù)_0001一、單項(xiàng)選擇題(共10道試題，共20分。)用戶太陽(yáng)能電源是指()安裝的太陽(yáng)能電源。獨(dú)立并網(wǎng)混合以上皆不是太陽(yáng)能光伏水泵系統(tǒng)中不具備的元件是()。太陽(yáng)電池方陣控制器電動(dòng)機(jī)蓄電池半透明幕墻多采用()電池。單晶硅多晶硅非晶硅薄膜其他目前光

29、伏發(fā)電成本高于常規(guī)能源發(fā)電()o1-2 倍 TOC o 1-5 h z 2-3 倍3-4 倍3-5 倍孤島效應(yīng)是（）的特有現(xiàn)象。獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)混合光伏發(fā)電系統(tǒng)以上皆不是目前光伏組件材料壽命最長(zhǎng)約（）多年。 TOC o 1-5 h z 10203040下列具體應(yīng)用實(shí)例不屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的是（）o草坪燈高速公路監(jiān)控直流光伏水泵移動(dòng)通訊基站目前國(guó)內(nèi)外普遍采用的并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是（）o有逆流型并網(wǎng)系統(tǒng)無(wú)逆流型并網(wǎng)系統(tǒng)切換型并網(wǎng)系統(tǒng)直、交型并網(wǎng)系統(tǒng)光伏發(fā)電與其它常規(guī)能源發(fā)電相比，發(fā)電成本（）。偏高偏低一致無(wú)法測(cè)算太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中一般可選用性能較好的（）逆 變器。正弦波余弦波正切

30、波余切波二、多項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特點(diǎn)主要有（）。建設(shè)成本一般較高維護(hù)成本也較高需儲(chǔ)能元件與公用電網(wǎng)相連下列具體應(yīng)用實(shí)例屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的（）o手電手機(jī)充電器路燈殺蟲(chóng)燈光伏建筑一體化的優(yōu)點(diǎn)主要有（）。節(jié)地節(jié)能節(jié)材減少環(huán)境污染光伏方陣與建筑的集成主要分為（）方式。屋頂光伏電站墻而光伏電站光電幕墻光電采光頂光電遮陽(yáng)板太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中對(duì)逆變器提出的要求主要有（）。能輸出電壓穩(wěn)定的交流電輸出交流電的頻率穩(wěn)定具有一定的過(guò)載能力逆變效率要高獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)對(duì)鉛酸蓄電池提出的要求主要有（）。自放電率低使用壽命相對(duì)較長(zhǎng)深放電能力強(qiáng)充電效率高能在艱苦環(huán)境下工作獨(dú)立光伏發(fā)

31、電系統(tǒng)的構(gòu)成部件主要有（）。太陽(yáng)電池方陣控制器蓄電池組逆變器光伏采光頂?shù)囊笾饕校ǎ?。安全抗風(fēng)性防水防雷采光半透明幕墻的特點(diǎn)有（）。透光率高價(jià)格低生產(chǎn)方便光能利用率較低光伏方陣與建筑的結(jié)合主要分為（）方式。屋頂光伏電站墻面光伏電站光電幕墻光電采光頂光電遮陽(yáng)板三、判斷題（共10道試題，共20分。）高速公路監(jiān)控屬于有蓄電池的直流系統(tǒng)。錯(cuò)誤正確充放電開(kāi)關(guān)只能是繼電器。錯(cuò)誤正確太陽(yáng)電池在陽(yáng)光照射下產(chǎn)生的是直流電源。錯(cuò)誤正確“孤島效應(yīng)”是并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。錯(cuò)誤正確單體太陽(yáng)電池是組成太陽(yáng)電池組件的最小單元，其面積 大小不同，其功率也不相同。錯(cuò)誤正確將直流電轉(zhuǎn)變成交流電的變流裝置稱為整流裝置錯(cuò)誤

32、正確光伏建筑一體化屬于并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)。錯(cuò)誤正確充放電開(kāi)關(guān)實(shí)際上是一個(gè)廣義上的開(kāi)關(guān)元件，它可以是 一個(gè)繼電器、三極管等元件，也可以是MOS管、晶閘管或 是機(jī)械等類型的元件。錯(cuò)誤正確并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是現(xiàn)在和將來(lái)太陽(yáng)能光伏發(fā)電的主 流。錯(cuò)誤正確“孤島效應(yīng)”是獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。錯(cuò)誤正確四、閱讀理解（共10道試題，共30分。）將獨(dú)立光伏發(fā)電系統(tǒng)構(gòu)件與功能一一對(duì)應(yīng)。1）.電纜電能儲(chǔ)存裝置電氣連接控制充放電.充放電控制器電能儲(chǔ)存裝置電氣連接控制充放電.儲(chǔ)能元件電能儲(chǔ)存裝置電氣連接控制充放電將下列光伏建筑一體化(BIPV)的主要形式與典型應(yīng)用 實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。.光伏屋頂或墻體系統(tǒng)德國(guó)寶馬世界屋面北京南站太陽(yáng)能屋頂我國(guó)奧林匹克國(guó)家體育館.光伏采光頂系統(tǒng)德國(guó)寶馬世界屋面北京南站太陽(yáng)能屋頂我國(guó)奧林匹克國(guó)家體育館.光伏幕墻系統(tǒng)德國(guó)寶馬世界屋而北京南站太陽(yáng)能屋頂我國(guó)奧林匹克國(guó)家體育館將下列并網(wǎng)太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。.有逆流型