標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片》相較于《GB/T 29055-2012 太陽電池用多晶硅片》，在多個方面進(jìn)行了更新和調(diào)整。這些變化主要體現(xiàn)在術(shù)語定義、技術(shù)要求、試驗方法以及檢驗規(guī)則等方面。

首先，在術(shù)語和定義部分，新版本對一些專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了更加明確的界定，以適應(yīng)行業(yè)發(fā)展的需要和技術(shù)進(jìn)步的要求。例如，對于“多晶硅片”的定義可能有所細(xì)化或擴展，確保與當(dāng)前技術(shù)水平相匹配。

其次，在技術(shù)要求上，《GB/T 29055-2019》根據(jù)近年來太陽能電池技術(shù)的發(fā)展趨勢，提高了對多晶硅片性能指標(biāo)的要求。這包括但不限于尺寸公差、電阻率范圍、少數(shù)載流子壽命等關(guān)鍵參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定，旨在促進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量提升及成本降低。

再者，新版標(biāo)準(zhǔn)還改進(jìn)了某些測試方法，使之更加科學(xué)合理且易于操作執(zhí)行。比如，對于表面缺陷檢測、機械強度評估等項目的測量手段進(jìn)行了優(yōu)化，增強了數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性與重復(fù)性。

此外，《GB/T 29055-2019》也調(diào)整了抽樣方案與合格判定準(zhǔn)則等內(nèi)容，力求通過更嚴(yán)格的控制措施來保證最終產(chǎn)品的可靠性。同時，針對環(huán)境保護意識日益增強的社會背景，該標(biāo)準(zhǔn)還增加了關(guān)于生產(chǎn)過程中減少污染排放的相關(guān)指導(dǎo)原則。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2019-06-04 頒布
  • 2020-05-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29055—2019

代替

GB/T29055—2012

太陽能電池用多晶硅片

Multicrystallinesiliconwafersforphotovoltaicsolarcell

2019-06-04發(fā)布2020-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T29055—2019

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替太陽電池用多晶硅片本標(biāo)準(zhǔn)與相比除編

GB/T29055—2012《》。GB/T29055—2012,

輯性修改外主要技術(shù)變化如下

:

修改了適用范圍將適用于鑄錠多晶切片垂直于長晶方向生產(chǎn)的太陽電池用多晶硅片改為

———,“”

適用于太陽能電池用鑄造多晶硅片包括類單晶硅片見第章年版的第章

“()”(1,20121)。

刪除了規(guī)范性引用文件和增加了

———GB/T1551SEMIMF1535,GB/T30860、GB/T30869、

和見第章

SJ/T11627、SJ/T11628、SJ/T11630、SJ/T11631、SJ/T11632YS/T28(2,2012

年版的第章

2)。

刪除了密集線痕的定義增加了線痕和微裂紋的定義見和年版的

———,(3.13.2,20123.1)。

修改了邊長分類由和改為

———,125mm×125mm156mm×156mm156.75mm×156.75mm,

建議邊長的增減量為的整數(shù)倍見表年版的表

1mm(1,20121)。

將外形尺寸分類與要求合并并修改了邊長厚度及允許偏差的要求見年版的

———,、(4.1,2012

第章第章

4、5)。

修改了總厚度變化彎曲度的要求見年版的

———、(4.1,20125.2)。

修改了載流子壽命間隙氧含量代位碳含量的要求見年版的

———、、(4.2.3、4.3,20125.3.3、5.3.4、

5.3.5)。

增加了表面質(zhì)量中缺口微裂紋的要求見

———、(4.4.1)。

修改了表面質(zhì)量中崩邊缺陷的要求見年版的

———(4.4.2,20125.1.2)。

刪除了表面質(zhì)量中的色斑邊緣缺陷晶粒數(shù)量及尺寸規(guī)格中密集型線痕的要求見年版

———、、(2012

的

5.1.1、5.1.3、5.1.4、5.2)。

增加了類單晶硅片的要求見第章

———(4)。

修改了組批檢驗項目取樣及檢驗結(jié)果的判定見年版的

———、、(6.2、6.3、6.4,20127.2、7.3、7.4)。

修改了包裝的要求見年版的

———(7.2.1,20128.1.1)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司江西賽維

:、、

太陽能高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院揚州榮德新能源科

LDK、、、

技有限公司蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司英利能源中國有限公司

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人萬躍鵬唐駿游達(dá)林清香蘇磊李素青余剛高長昆常傳波李建敏何亮

:、、、、、、、、、、、

梁學(xué)勤齊靈燕孫培亞李英葉

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T29055—2012。

Ⅰ

GB/T29055—2019

太陽能電池用多晶硅片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用多晶硅片以下簡稱硅片的要求試驗方法檢驗規(guī)則標(biāo)志包裝運

()、、、、、

輸貯存質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽能電池用鑄造多晶硅片包括類單晶硅片

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

太陽能級鑄造多晶硅塊

GB/T29054

太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法

GB/T30860

太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法

GB/T30869

太陽能電池用硅片電阻率在線測試方法

SJ/T11627

太陽能電池用硅片尺寸及電學(xué)表征在線測試方法

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