GB/T 29055-2012太陽電池用多晶硅片

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準

GB/T29055—2012

太陽電池用多晶硅片

Multi-crystallinesiliconwaferforsolarcell

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055—2012

*

中國標(biāo)準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20134

*

書號

:155066·1-46637

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29055—2012

前言

本標(biāo)準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準起草單位江西賽維太陽能高科技有限公司寧波晶元太陽能有限公司無錫尚德太

:LDK、、

陽能電力有限公司

。

本標(biāo)準主要起草人萬躍鵬唐駿孫世龍游達朱華英劉林艷段育紅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29055—2012

太陽電池用多晶硅片

1范圍

本標(biāo)準規(guī)定了太陽電池用多晶硅片的術(shù)語定義符號及縮略語產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗方法檢

、、、、、

測規(guī)則以及標(biāo)志包裝運輸貯存等

、、、。

本標(biāo)準適用于鑄錠多晶切片垂直于長晶方向生產(chǎn)的太陽電池用多晶硅片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

太陽能級鑄造多晶硅塊

GB/T29054

用微波反射非接觸光電導(dǎo)衰減方法測試硅晶片載流子復(fù)合壽命的方法

SEMIMF1535

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

密集線痕densesawmark

硅塊切割時在硅片表面留下的密集型劃痕

,。

4外形尺寸分類

太陽電池用多晶硅片的規(guī)格系列見表在表中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商

1,1。

表1太陽電池用多晶硅片規(guī)格系列

外形尺寸

/mm125×125156×156

160

硅片厚度180

/μm