kea其他參考kea128數(shù)據(jù)手冊中文譯本

1、目錄第 1 章 訂購11.1 確定有效的可訂購的產(chǎn)品1第 2 章 產(chǎn)品型號識別22.12.22.32.4描述2命名格式2字段2例子2第 3 章 產(chǎn)品等級3熱處理等級3防潮處理等級3ESD 處理等級3電壓和電流的操作等級4第 4 章 產(chǎn)品通用知識點54.1非開關(guān)電氣規(guī)格5DC 特點5電流供應(yīng)特性9EMC 性能10轉(zhuǎn)換說明11控制時序11FTM 模塊時序12能量說明134.3.1 能量特點13工作需求和行為14內(nèi)核模塊145.1.1 SWD 電壓144.24.3第 5 章5.1I外部振蕩器（OSC）和 ICS 特征14NVM 說明165.4模擬17ADC 特性17模擬比較器19通口20SPI 開關(guān)

2、說明20MSCAN225.5第 6 章 封裝236.1 封裝大小23第 7 章 引腳分配247.1 信號復(fù)用和引腳分配24第 8 章歷史版本25IIKEA128 子系列支持：S9KEAZ64AMLK(R), S9KEAZ128AMLK(R), S9KEAZ64AVLK(R),S9KEAZ128AVLK(R),S9KEAZ64ACLK(R),S9KEAZ128ACLK(R),S9KEAZ64AMLH(R),S9KEAZ128AMLH(R),S9KEAZ64AVLH(R),S9KEAZ128AVLH(R),S9KEAZ64ACLH(R)和 S9KEAZ128ACLH(R)主要特征：1、操作特點電壓

3、范圍2.7 至 5.5 V；Flash 寫電壓范圍2.7 至 5.5 V；溫度范圍（環(huán)境）40至 125C2、性能高達 48MHz ARM Cortex-M0+內(nèi)核；單周期 32 位32 位乘法器；單周期 I / O 端口的3、內(nèi)存和內(nèi)存接口高達 128 KB flash；高達 16 KB RAM 4、時鐘振蕩器（Oscillator，OSC），支持 32.768 kHz 晶振或 4MHz 至 24 MHz 晶體或陶瓷諧振器；選擇低功耗或高增益振蕩器。時鐘源（ICS），帶有FLL，為 48 MHz 系統(tǒng)時鐘提或外部參考電壓的供 37.5 kHz 的預(yù)修改參考電壓。1 kHz 低功耗振蕩器（LP

4、O）5、系統(tǒng)外設(shè)電源管理模塊（er management module，PMC），三種電源模式：Run（運行）、 Wait（等待）、Stop（停止）。低電壓檢測（Low-voltage detection，LVD），有復(fù)位、中斷模式，可選擇的觸發(fā)點?？撮T狗（Watchdog，WDOG），具有獨立的時鐘源?？删幊萄h(huán)冗余校驗?zāi)K（可編程循環(huán)冗余校驗?zāi)K，CRC）。串行線調(diào)試接口（Serial wire debug，SWD）。III別名 SRAM 位帶域（Aliased SRAM bitband region，BIT-BAND）。位操作引擎（Bit manipulation engine，BME）

5、。 6、安全性和完整性模塊每個80 位的唯一的標(biāo)識（ID）號。7、人機接口71 個通用輸入輸出口（general-pure input/output，GPIO）；兩個 32 位鍵盤中斷模塊（keyboarderrupt modules，KBI）；外部中斷（Externalerrupt，IRQ）。8、模擬模塊一個多達 16 個通道的 12 位 SAR ADC，在停止模式下運行，可選硬件觸發(fā)（ADC）兩個包含一個 6 位的 DAC 的模擬比較器，和可編程參考電壓輸入（ACMP）9、定時器一個 6 通道 FlexTim道周期中斷定時器（periodicWM (FTM)；兩個 2 通道 FlexTim

6、WM (FTM)；一個 2 通errupt timer，PIT）；一個脈沖寬度定時器（pulse width timer，PWT）；一個實時時鐘（real-time clock，RTC）10、通口兩個 SPI 模塊（串行外設(shè)接口）；三個 UART 模塊；兩個 I2C 模塊；一個 MSCAN 模塊；11、封裝選擇80 引腳封裝；64 引腳封裝IV第1章 訂購1.1確定有效的可訂購的產(chǎn)品上搜索產(chǎn)品：KEAZ128。1第2章 產(chǎn)品型號識別2.1描述具有型號標(biāo)識，可以識別特定產(chǎn)品。2.2命名格式名格式為：“QBKEA A CMTPPN”。2.3字段表 2-1 為 Kinetis EA 系列命令字段說明

7、。2.4 例子例如命名為：S9KEAZ128AMLK2表2-1 Kinetis EA系列命令字段說明字段說明取值Q質(zhì)量狀態(tài)S=汽車級；P=工程測試B內(nèi)存類型9=FlashKEAKinetis汽車系列號KEAA內(nèi)核屬性Z=M0+內(nèi)核CCAN總線可用性N=CAN不可用；（Bl）=CAN可用程序Flash內(nèi)存大小64 = 64 KB；128=128 KBM生產(chǎn)版本F0=第一版本；F1=第一版本之后的修訂版T運行溫度范圍M=40125PP封裝類型LH =64LQFP(10mm x 10mm)；LK =80LQFP(14mm x 14mm)CU最高頻率4 = 48 MHzN包裝類型R=卷包裝；（空）=盒

8、包裝第3章 產(chǎn)品等級3.1 熱處理等級1、根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A103，越耐高溫，越長。2、對于密閉的固態(tài)表面貼裝器件，IPC/ JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J-STD-020 確定潮濕/回流敏感性分類。3.2 防潮處理等級1、對于密閉的固態(tài)表面貼裝器件，IPC/ JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J-STD-020 確定潮濕/回流敏感性分類。3.3 ESD處理等級1、靜電放電（ESD）敏感度測試定。模型（HBM）由 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A114 決2、對于微電子元件的靜電放電耐壓的閾值，由 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22-C101 確定電場感應(yīng)帶電模型測試方法。3、由JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J

9、ESD78D 確定 IC 閉鎖測試。測試流程如下：測試在 125C 的溫度下（II 級）進行。3表3-3 ESD處理等級信號名稱描述最小最大備注VHBM靜電放電電壓，模型-6000V1VCDM靜電放電電壓，充電設(shè)備模型-500+500V2ILAT的環(huán)境溫度下的閉鎖電流-100+100mA3表3-2 防潮處理等級信號名稱描述最小最大備注MSL潮濕敏感等級31表3-1 熱處理等級信號名稱描述最小最大備注TSTG存放溫度-55150C1TSDR焊料溫度，無鉛260C2I/O 引腳通過+100/-100 mA I-test，與400mA IDD 電流限制(正向電流通過時VDD）。對于VDD，I/ O

10、引腳通過+50/-100 mA I- test，并且 IDD 電流限制在 1000 mA。電壓通過 1.5 Vccmax。由于產(chǎn)品條件要求，RESET_B 引腳只與負向 I- test 測試。3.4 電壓和電流的操作等級絕對最大等級值只是壓力等級值，不能保證最大值下的功能操作。壓力超出表 3-4 中規(guī)定的限值可能會影響器件可靠性，或?qū)ζ骷斐尚該p壞。對于功能操作條件，參考本文中其它表。該包含保護電路，防止由于電壓或電場造成損壞。但是，建議使用正常的預(yù)防措施，對于這個抗電路注意避免使用比最大額定電壓還高的電壓。如果未使用的輸入連接到一個適當(dāng)?shù)倪壿嬰妷弘娖剑ɡ纾琕SS 或 VDD）或使能與該引腳

11、相關(guān)的可編程上拉電阻，操作的可靠性提高。VDD 的最大等級也適用VIN4表3-4 電壓和電流的操作等級信號名稱描述最小最大VDD數(shù)字供電電壓-0.36.0VIDDVDD下的最大電流120mAVIN輸入電壓，除了開漏極引腳-0.3VDD+ 0.3V開漏極引腳的輸入電壓-0.36VID瞬時最大電流單引腳限制（適用于所有端口引腳）-2525mAVDDA模擬供電電壓VDD 0.3VDD + 0.3V第4章 產(chǎn)品通用知識點4.1 非開關(guān)電氣規(guī)格4.1.1 DC特點本節(jié)主要為有關(guān)電壓供應(yīng)的要求和 I/O 引腳特征的信息。表4-1 DC特點典型值是在 25下測得的。特點是，沒有測試。只有 PTB4, PTB

12、5, PTD0, PTD1, PTE0, PTE1, PTH0 和PTH1 支持高驅(qū)動輸出。5信號名稱描述最小典型最大操作電壓2.75.5VVOH輸出高電壓所有I/O引腳是標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力，除了 PTA2和PTA35 V, Iload = 5 mAVDD 0.8V3 V, Iload = 2.5 mAVDD 0.8V高電流驅(qū)動引腳，高驅(qū)動能力5 V, Iload = 20 mAVDD 0.8V3 V, Iload = 10 mAVDD 0.8VIOHT輸出高電流所有端口的最大總IOH5 V100mA3 V60VOL輸出低電壓所有I/O引腳都是標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力5 V, Iload = 5 mA0.8V3

13、 V, Iload = 2.5 mA0.8V高電流驅(qū)動引腳，高驅(qū)動能力5 V, Iload =20 mA0.8V3 V, Iload = 10 mA0.8VIOLT輸出低電流所有端口的最大總IOL5 V100mA3 V60VIH輸入高電壓所有數(shù)字輸入引腳4.5VDD5.5 V0.65 VDDV2.7VDD4.5 V0.70 VDDVIL輸入低電壓所有數(shù)字輸入引腳4.5VDD5.5 V0.35 VDDV2.7VDD VDD）大于 IDD 高，注入電流可以流出 VDD，并可能導(dǎo)致外部電源停止調(diào)整。當(dāng) MCU 不耗電，確保外部 VDD 負載將分流，高于最大注入電流。如在沒有系統(tǒng)時鐘，或時鐘速率很低（

14、這會降低整體功耗）。最大值是POR 保證的最高電壓值。上升閾值=下降閾值+延遲6表4-2 LVD和POR規(guī)范信號名稱描述最小典型最大VPORPOR re-arm電壓11.51.752.0VVLVDH下降沿低電壓檢測閾值高的范圍（LVDV=1）4.24.34.4VVLVW1H下降沿低電壓警告閾值高的范圍等級1下降沿(LVWV = 00)4.34.44.5VVLVW2H等級2下降沿(LVWV = 01)4.54.54.6VVLVW3H等級3下降沿(LVWV = 10)4.64.64.7VVLVW4H等級4下降沿(LVWV = 11)4.74.74.8VVHYSH高范圍低電壓檢測/警告延遲100mV

15、VLVDL下降沿低電壓檢測閾值低的范圍（LVDV=0）2.562.612.66VVLVW1L下降沿低電壓警告閾值低的范圍等級1下降沿(LVWV = 00)2.622.72.78VVLVW2L等級2下降沿(LVWV = 01)2.722.82.88VVLVW3L等級3下降沿(LVWV = 10)2.822.92.98VVLVW4L等級4下降沿(LVWV = 11)2.923.03.08VVHYSDL低范圍的低電壓檢測延遲40mV除了PTA2和PTA3）RPU上拉電阻PTA2和PTA330.060.0kIICDC注入電流單引腳限制VIN VDD-22mA總MCU限制，包括所有壓力引腳總和-525C

16、IC輸入電容，所有引腳7VRAMRAM保持電壓2.0V圖4-1 典型VDD-VOH Vs. IOH（標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力）（VDD = 5 V）圖4-2典型VDD-VOH Vs. IOH（標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力）（VDD = 3 V）圖4-3典型VDD-VOH Vs. IOH（高驅(qū)動能力）（VDD = 5 V）在 VDD=5.0 V，溫度=125C 調(diào)整電壓7VHYSWL低范圍的低電壓警告延遲80mVVBG緩沖帶隙輸出1.141.161.18V圖4-4典型VDD-VOH Vs. IOH（高驅(qū)動能力）（VDD = 3 V）圖4-5典型VOL Vs. IOL（標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力）（VDD = 5 V）圖4-6典型VOL

17、Vs. IOL（標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動能力）（VDD = 3 V）8圖4-7典型VOL Vs. IOL（高驅(qū)動能力）（VDD = 5 V）圖4-8典型VOL Vs. IOL（高驅(qū)動能力）（VDD = 3 V）4.1.2 電流供應(yīng)特性本節(jié)包括了在模式下電流供應(yīng)特性的信息。表4-3 電流供應(yīng)特性9參數(shù)符號內(nèi)核/ 總線 時鐘VDD(V)標(biāo)準(zhǔn)最大溫度運行電流供應(yīng)FEI模式，使能所有模塊時鐘，從Flash開始運行RID D48/24 MHz511.1_mA-40to 125 C24/24 MHz8_12/12 MHz51/1 MHz2.4_48/24 MHz31124/24 MHz7.9_12/12 MHz4.9_1

18、/1 MHz2.3_運行電流供應(yīng)FEI模式，所有模塊時鐘，從Flash開始運行RID D48/24 MHz57.8mA-40 to 125 C24/24 MHz5.5_12/12 MHz3.81/1 MHz2.3_48/24 MHz37.7_4.1.3 EMC性能電磁兼容(EMC)的性能很大程度上依賴于 MCU 的環(huán)境，面板設(shè)計與布局、電路拓撲1024/24 MHz5.4_12/12 MHz3.71/1 MHz2.2_運行電流供應(yīng)FBE模式，使能所有模塊時鐘，從RAM開始運行RID D48/24 MHz514.7_mA-40 to 125 C24/24 MHz9.814.9212/12 MHz

19、61/1 MHz4_48/24 MHz314.624/24 MHz9.612.8212/12 MHz5.9_1/1 MHz2.3_運行電流供應(yīng)FBE模式，所有模塊時鐘，從RAM開始運行RID D48/24 MHz511.4mA-40 to 125 C24/24 MHz7.712.5212/12 MHz4.71/1 MHz2.3_48/24 MHz311.3_24/24 MHz7.69.5212/12 MHz4.61/1 MHz2.2_等待電流供應(yīng)FBE模式，使能所有模塊時鐘WID D48/24 MHz58.4mA-40 to 125 C24/24 MHz6.57.2212/12 MHz4.31

20、/1 MHz2.4_48/24 MHz38.324/24 MHz6.47.1212/12 MHz4.21/1 MHz2.3_等待模式電流供 應(yīng)，無活躍時鐘(除了1KHz的LPO時鐘)SIDD_521702A-40 to 125 C_31.91602-40 to 125 CADC加法器 ADLPC=1 ADLSMP=1 ADCO=1 MODE=10B ADICLK=11B_586_A-40 to 125 C382_ACMP加法器_512_A-40 to 125 C312_LVD加法器_5130A-40 to 125 C3125_結(jié)構(gòu)選擇、外部構(gòu)件的位置和特性以及 MCU 的 系統(tǒng)設(shè)計者必須查閱以

21、下Freescale 應(yīng)用注意事項，建議和指導(dǎo)，目的在于優(yōu)化 EMC 性能。AN2321：用于板級電磁兼容AN1050：用于帶有HCMOS 微控制器的EMC作對 EMC 的性能都有很大影響。 可以獲得一些AN1263：用于帶有單的微控制器的EMCAN2764：基于微控制器應(yīng)用的脈沖發(fā)生器性能AN1259：用于減少 MCU 系統(tǒng)中的噪聲系統(tǒng)設(shè)計與布局技術(shù)4.2 轉(zhuǎn)換說明4.2.1控制時序表4-4控制時序圖4-9 復(fù)位時序11速率符號較小標(biāo)準(zhǔn)最大1系統(tǒng)和內(nèi)核時鐘fSysDC_43MHz2總線時鐘fBusDC_24MHz3低功耗晶振頻率fLPO0.671.01.25KHz4外部復(fù)位脈沖寬度textr

22、st1.5 Tcyc_ns5復(fù)位低功耗驅(qū)動trstdrv34 tcyc_ns6IRQ脈沖寬度異步路徑tILIH100_ns同步路徑tILIH1.5 tcyc_ns7鍵盤中斷脈沖寬度異步路徑tILIH100_ns同步路徑tILIH1.5 tcyc_8端口上升和下降時間正常驅(qū)動能力_tRise_10.2_nstFall_9.5_端口上升和下降時間高驅(qū)動能力_tRise_5.4_nstfall_4.6_圖4-10 Kx時序4.2.2 FTM模塊時序同步電路可決定能夠被識別的最短輸入脈沖或者最快時鐘，該時鐘能夠被作為定時計數(shù)器的可選外部時鐘源。這些同步操作來至于當(dāng)前總線速率時鐘。表4-5 FTM輸入時

23、序圖4-11 定時器外部時鐘圖4-12 定時器輸入捕捉脈沖12功能符號最小最大定時器時鐘頻率fTimerfBusfSysHz外部時鐘頻率fTCLK0fTimer/4Hz外部時鐘周期tTCLK4tcyc外部時鐘高時間tclkh1.5tcyc外部時鐘低時間tclkl1.5tcyc輸入捕捉脈沖寬度tICPW1.5tcyc4.3 能量說明4.3.1 能量特點本節(jié)提供了一些有關(guān)操作溫度范圍、能量消耗和包能量阻力。I/O 引腳上的能量消耗通常小于 上和電壓穩(wěn)壓器電路的能量消耗，并且這是用戶決定的而不是由 MCU 設(shè)計所控制的。為了計算PI/O 上的能量，決定實際引腳電壓和 VSS 或者 VDD 和為每個

24、I/O 引腳擴大引腳電流。除了高引腳電流情況下，引腳電壓和 VSS 或者 VDD 的不同將是非常小的。表4-6 能量屬性結(jié)溫（TJ）可從以下公式得到（C）：TJ= TA+（PDJA），其中，平均TA=環(huán)境溫度，；JA=封裝熱阻，環(huán)境結(jié)溫，C / W；PD=P + PI/O；P = IDDVDD，電源；PI/O =輸入和輸出引腳的功耗-用戶決定。瓦對于大多數(shù)應(yīng)用，PI/O4 MHz fADCK4 MHz fADCK4 MHz-5108位模式（所有有效fADCK）-10ADC轉(zhuǎn)換時鐘頻率高速（ADLPC=0）fADCK0.4-8.0MHz-低功耗（ADLPC=1）0.4-4.0據(jù)在平均溫度為85下

25、能保持的時長圖5-4 ADC輸入阻抗相等關(guān)系圖表5-5 12位ADC特性（VREFH = VDDA，VREFL = VSSA）除另有說明外，標(biāo)準(zhǔn)值假設(shè)VDDA = 5.0 V，Temp = 25C，fADCK=1.0 MHz。標(biāo)準(zhǔn)值參考，不作為生產(chǎn)中的測試值。18特性條件標(biāo)識最小值標(biāo)準(zhǔn)值最大值工作電流ADLPC = 1ADLSMP = 1ADCO = 1IDDA-133-A工作電流ADLPC = 1ADLSMP = 0ADCO = 1IDDA-218-A工作電流ADLPC = 0ADLSMP = 1ADCO = 1IDDA-327-A工作電流ADLPC = 0ADLSMP = 0ADCO =

26、1IDDA-582990A工作電流停止，重置，模塊關(guān)閉IDDA-0.0111AADC異步時鐘源高速（ADLPC =0）fADACK23.35MHz低功耗（ADLPC =1）1.2523.3轉(zhuǎn)換時間（包括采樣時間）短采樣（ADLSMP = 0）tADC-20-ADCK周期長采樣（ADLSMP = 1）-40-采樣時間短采樣（ADLSMP = 0）tADS-3.5-ADCK周期長采樣（ADLSMP = 1）-23.5-5.4.2 模擬比較器表5-6比較器電氣規(guī)范包括量化1 LSB = (VREFH - VREFL)/2NVADIN = VSSAVADIN = VDDAIIn=漏電流（參考 DC 特

27、性來說）19特性標(biāo)識最小值標(biāo)準(zhǔn)值最大值工作電壓VDDA2.7-5.5V工作電流（操作模式）IDDA-1020A模擬輸入電壓VAINVSS - 0.3-VDDAV模擬輸入偏置電壓VAIO-40mV模擬比較器遲滯（HYST=0）VH-1520mV模擬比較器遲滯（HYST=1）VH-2030mV工作電流（關(guān)閉模式）IDFF-60-nA延遲tD-0.41s未調(diào)整錯誤總數(shù)12位模式ETUE-5.0-LSB10位模式-1.5-8位模式-0.8-差分非線性12位模式DNL-1.5-LSB10位模式-0.4-8位模式-0.15-積分非線性12位模式DNL-1.5-LSB10位模式-0.4-8位模式-0.15-

28、0-規(guī)模錯誤12位模式EZS-1.0-LSB10位模式-0.2-8位模式-0.35-全-規(guī)模錯誤12位模式EFS-2.5-LSB10位模式-0.3-8位模式-0.25-量化錯誤12位模式EQ-0.5LSB輸入漏錯誤所有模式EILIIn x RASmV溫度傳感器范圍-40 C25 Cm-3.266-mV/C25 C125 C-3.638-溫度傳感器電壓25 CVTEMP25-1.396-V5.5 通口5.5.1 SPI開關(guān)說明串行外設(shè)接口（SPI）提供了帶有主從操作模式的同步串行總線。許多轉(zhuǎn)移參數(shù)是可編程的。表給出基本 SPI 時序模式的特性。參看參看手冊 SPI 章節(jié)可獲得用于和更低串行設(shè)備通

29、信的可調(diào)整的轉(zhuǎn)移格式。除非另有說明，所有關(guān)于 20%VDD 和 80%VDD 的時序均被顯示，同時在所有 SPI 引腳上增加 25并且 SPI 輸出引腳的高驅(qū)動力使能。表5-6 SPI主機模式時序負荷。所有時序假設(shè)轉(zhuǎn)換速率控制被禁用，圖5-5 SPI主機模式時序（CPHA=0）20序號標(biāo)識描述最小值最大值備注1fop操作頻率fBus/2048fBus/2HzfBus是總線時鐘2tSPSCKSPSCK周期2 x tBus2048 x tBusnstBus = 1/fBus3tLead使能提前時間1/2-tSPSCK-4tLag使能滯后時間1/2-tSPSCK-5tWSPS CK時鐘高低時間tBus 301024 x