蒸發(fā)鍍與離子鍍

1、真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是 在真空度不低于10-2Pa|的環(huán)境中，用電阻加熱或電子束和激光轟擊 等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度，使材料中分子或原子的熱振 動(dòng)能量超過(guò)表面的束縛能，從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華，并直 接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜（多?。┦抢脇氣體放電產(chǎn) 生的正離子在電場(chǎng)的作用下的高速運(yùn)動(dòng)轟擊作為陰極的靶，使靶材中 的原子或分子逸出來(lái)而沉淀到被鍍工件的表面，形成所需要的薄膜。真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法，其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn) 單，造價(jià)低廉，操作方便；缺點(diǎn)是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì) 材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的

2、缺點(diǎn)。電子束加熱 上利用聚焦電子束直接對(duì)被轟擊材料加熱，電子束的動(dòng)能變成熱能， 使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源，但由于大功 率激光器的造價(jià)很高，目前只能在少數(shù)研究性實(shí)驗(yàn)室中使用。（蒸發(fā) 鍍即電子槍，就是把要用的金屬塊如鉻放到坩堝里面然后加熱使其蒸 發(fā)，與其中的n2，還有氯氣等其他氣體，一起吸附在陰極基材上。 溫度 380C420C）濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固 體表面（靶）|，使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大 多呈原子狀態(tài)，常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子， 離子或中性粒子，因?yàn)殡x子在電場(chǎng)下易于加速獲得所需要?jiǎng)幽?，因?/p>

3、 大都采用離子作為轟擊粒子。濺射過(guò)程建立在輝光放電的基礎(chǔ)上，即 濺射離子都來(lái)源于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱 陰極支持的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利 用環(huán)狀磁場(chǎng)控制下的輝光放電。濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比，有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間 的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比 較復(fù)雜，需要高壓裝置。（離子濺射技術(shù)即多弧，就是用高電壓轟擊 靶材，靶材就是用我們所要的如CrTi靶，轟擊出來(lái)直接吸附到基材 上，如果出現(xiàn)溶滴就是沒(méi)有將靶材完全離子化。420C +此外，將蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合，即為離子鍍。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是得到的膜與基板間有極強(qiáng)的附著力，有較高的沉積速率，膜的密度*1夷入曰高。壬ffl1 幕城曩膜設(shè)備示意圖K 3二棣贏射斥就臥&空素纏2祺it y