實施集成電路高端設(shè)計引領(lǐng)行動實施方案

1、實施集成電路高端設(shè)計引領(lǐng)行動實施方案打造“一核一廊多點(diǎn)”空間格局?！耙缓恕奔礊I江創(chuàng)新核，強(qiáng)化國家集成電路設(shè)計杭州產(chǎn)業(yè)化基地和杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地作用，打造高端芯片產(chǎn)業(yè)優(yōu)質(zhì)生態(tài)?！耙焕取奔闯俏骺苿?chuàng)大走廊，充分發(fā)揮大走廊體制優(yōu)勢，會同拱墅、臨平等地，在高端芯片、核心材料、關(guān)鍵設(shè)備、支撐軟件等領(lǐng)域形成一批重大創(chuàng)新成果。“多點(diǎn)”即以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點(diǎn)，引培重大制造產(chǎn)線，推進(jìn)重大項目建設(shè)，打造國家級特色工藝半導(dǎo)體制造基地，爭創(chuàng)省級萬畝千億產(chǎn)業(yè)平臺。實施高端設(shè)計引領(lǐng)行動推進(jìn)集成電路高端芯片研發(fā)計劃和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新項目，大力發(fā)展高端模擬芯片和數(shù)模混合芯片。以濱江區(qū)、城西科創(chuàng)大走

2、廊、臨平區(qū)為重點(diǎn)，提升發(fā)展射頻傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅(qū)動、電源管理、RISC-V、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件、車規(guī)級、FBAR濾波器、存算一體等新型專用芯片；創(chuàng)新發(fā)展嵌入式系統(tǒng)、存儲器、處理器、服務(wù)器等高端通用芯片；培育發(fā)展類腦計算、邊緣計算、量子計算、柔性電子、化合物半導(dǎo)體等前沿技術(shù)產(chǎn)品。鼓勵終端應(yīng)用支持“芯機(jī)聯(lián)動”，鼓勵終端廠商、系統(tǒng)方案集成商試用自主研發(fā)的集成電路產(chǎn)品、設(shè)備、材料，對使用非關(guān)聯(lián)集成電路企業(yè)的首次上市產(chǎn)品，且當(dāng)年度采購金額累計達(dá)1000萬元以上的企業(yè)，按當(dāng)年使用金額分檔給予獎勵。加強(qiáng)集成電路中小設(shè)計企業(yè)產(chǎn)能保障推動集成電路生產(chǎn)線和中試線開放產(chǎn)能，服務(wù)開展技術(shù)攻關(guān)中小設(shè)計企業(yè)的

3、產(chǎn)能需求。依托省際協(xié)調(diào)機(jī)制和長三角協(xié)作機(jī)制，協(xié)調(diào)支持承擔(dān)國家技術(shù)攻關(guān)任務(wù)的中小設(shè)計企業(yè)的產(chǎn)能需求。支持公共平臺建設(shè)對提供EDA工具和IP核、設(shè)計解決方案、先進(jìn)工藝流片、先進(jìn)封測服務(wù)、測試驗證等設(shè)備，用于高端芯片支撐服務(wù)的集成電路公共技術(shù)平臺，其實際建設(shè)投入在5億元以上的，完工后按投資額的6%給予補(bǔ)助，最高補(bǔ)助5000萬元。對公共服務(wù)平臺（機(jī)構(gòu)）按其服務(wù)中小企業(yè)收入的10%給予補(bǔ)助，最高補(bǔ)助1000萬元。支持本市集成電路產(chǎn)業(yè)平臺服務(wù)長三角企業(yè)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)合作。組織集成電路領(lǐng)域重大科技攻關(guān)圍繞集成電路核心器件、高端芯片、關(guān)鍵材料、核心設(shè)備、EDA工具等，開展市級重大科技攻關(guān)。鼓勵企業(yè)牽頭承擔(dān)國家、省技術(shù)攻關(guān)任務(wù)，對獲批國家、省重大項目的，按照有關(guān)政策給予支持。鼓勵企業(yè)申報“中國芯”等行業(yè)獎項。實施特色制造提升行動構(gòu)建特色工藝芯片制造產(chǎn)線，培育百億級鏈主企業(yè)。支持采取CMOS、MOSFET等工藝技術(shù)，發(fā)展IGBT、智能傳感器、MEMS、FinFET、半導(dǎo)體激光器、光電器件等產(chǎn)品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等化合物半導(dǎo)體項目建設(shè)。以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點(diǎn)，支持成熟制程成套工藝芯