電腦主板電子原件介紹

1、維修(wixi)人員培訓(xùn)教程 共三十六頁(yè)電子(dinz)元器件的認(rèn)識(shí)電阻（Resistance)1電容(Capacitor)2電感 (Inductor)3晶振(Crystal Oscillator)4保險(xiǎn)絲(Fuse)3共三十六頁(yè)電子(dinz)元器件的認(rèn)識(shí)（L C R)MOS FET7主板常見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較8集成電路9三極管(Transistor)6二極管(Diode)5共三十六頁(yè)電阻(dinz)(Resistor)定義阻止電流(dinli)通過(guò)的電子元件種類定額電阻在生產(chǎn)時(shí)已規(guī)定了電阻的阻值大小可變電阻根據(jù)需要在一定范圍內(nèi)可改變其阻值大小熱敏電阻阻值在生產(chǎn)時(shí)已定額,但會(huì)隨著溫度改變

2、其阻值大小用于溫控電路壓敏電阻電阻對(duì)電壓較敏感，當(dāng)電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí),電阻迅速導(dǎo)通 共三十六頁(yè)電阻(dinz)(Resistor)電阻在電路中用“R”加數(shù)字表示 換算單位(dnwi)電阻的單位為歐姆（）倍率單位有：千歐(K),兆歐 (M)等1M =103 K= 106阻值計(jì)算 1E-24標(biāo)注方法 E-24標(biāo)注法有兩位有效數(shù)字，精度在2%（-G），5%（-J），10%（-K） （1） 常用電阻標(biāo)注 XXY XX代表底數(shù)，Y代表指數(shù) 例如 470 = 47 103 = 10k 224 = 220k （2） 小于10歐姆的電阻的標(biāo)注 用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)

3、例如 1R0 = 1.0 R20 = 0.20 5R1 = 5.1 R007 = 7.0m 4m7 = 4.7m共三十六頁(yè)電阻(dinz)(Resistor)2E-96標(biāo)注方法 E-96標(biāo)注法有三位有效數(shù)字，精度在1%（-F） (1) 常用電阻標(biāo)注 XXXY XXX代表底數(shù)，Y代表指數(shù) 例如 4700 = 470 1003 = 100k 2203 = 220k (2) 小于10歐姆的電阻的標(biāo)注 用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn) 例如 1R00 = 1.00 R200 = 0.200 5R10 = 5.10 R007 = 7.00m 4m70 = 4.70m (3

4、) E-96 Multiplier Code標(biāo)注法 XY X 代表底數(shù)的代碼，具體數(shù)值可從Multiplier Code表中查找 Y 代表指數(shù)的代碼，具體數(shù)值也要從Multiplier Code表中查找 例如 18A = 150 02C = 10.2k 排阻(Resistor Array） 串聯(lián)排阻用英文字母“RN“表示.并聯(lián)排阻用英文字母“RP“表示 若干個(gè)參數(shù)完全相同的電阻，它們的一個(gè)引腳都連到一起，作為(zuwi)公共引腳。其余引腳正常引出一般來(lái)說(shuō)，最左邊的那個(gè)是公共引腳。它在排阻上一般用一個(gè)色點(diǎn)標(biāo)出來(lái)共三十六頁(yè)電阻(dinz)(Resistor)精密(jngm)電阻表：X=10-1 A

5、=100 B=101 C=102 D=103 E=104數(shù)字代表值數(shù)字代表值數(shù)字代表值0110011127211620210212130221650310513133231690410714137241740511015140251780611316143261820711517147271870811818150281910912119154291961012420158 30200共三十六頁(yè)電阻(dinz)(Resistor)量測(cè)方法用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)電阻時(shí)，用紅黑表筆接電阻的兩端,用相應(yīng)的歐姆檔去讀取電阻的阻抗大小(dxio)作用電阻在電路中的主要作用為分流,限流,分壓,偏置,濾波(與電

6、容器組合使用)和阻抗匹配等應(yīng)用分流-并聯(lián)電阻,常見(jiàn)于光驅(qū)電路板上限流-例如:主板上用于Reset電路中的上拉電阻分壓-串聯(lián)電阻,常用于3VSB電路中的基準(zhǔn)電路備注電阻大小和主板的Trace和Copper的長(zhǎng)度,寬度和厚度有關(guān)Trace和Copper的長(zhǎng)度越長(zhǎng),寬度越窄和厚度越薄,電阻值越大Trace和Copper的長(zhǎng)度越短,寬度越寬和厚度越厚,電阻值越小當(dāng)電阻一定時(shí),流過(guò)Trace的電流越大,Trace上的壓降越大共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)定義容納電荷的電子元件種類從工藝上分直立電容(DIP)和貼片電容(SMT)兩種從介質(zhì)上分有陶瓷(toc)電容、鉭電容、鋁電解電容三

7、種陶瓷電容-電視機(jī)電路板上常見(jiàn)無(wú)極性,容量也很小(PF級(jí))一般可以耐很高的溫度和電壓常用于高頻濾波鉭電容壽命長(zhǎng)、耐高溫、準(zhǔn)確度高、濾高頻改波性能極好容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴,因含巨毒現(xiàn)已不再使用鋁電解電容-常見(jiàn) 包含固態(tài)電容，封裝方式不一樣比貼片式鉭電容更大的容量電流低頻的濾波和穩(wěn)壓作用共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)電容在電路中用“C”加數(shù)字表示 換算單位電容的單位為法拉（F）倍率(bi l)單位有:毫法(mF) 、微法(uF) 、納法(nF) 、皮法(pF)。 1F=103 mF =106 uF =109 nF =1012 pF 容抗計(jì)算數(shù)標(biāo)法一般用三位數(shù)字表示容量大

8、小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率 色環(huán)標(biāo)注法電容容量誤差表 符 號(hào) F G J K L M 允許誤差 1% 2% 5% 10% 15% 20% 鉭電容及電解電容有極性焊接時(shí)注意方向貼片電容直立電容共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)量測(cè)方法電解電容判斷電解電容的極性目視量測(cè)先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。電解電容的量測(cè)方法使用萬(wàn)用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向(fn xin)充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可判斷電解電容是否可充電。普通量測(cè)方法在拆卸電容

9、后使用LCR Meter或萬(wàn)用表紅黑筆棒量測(cè)電容容抗大小共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)特性(txng)隔直流通交流,儲(chǔ)存電能作用電容是一個(gè)儲(chǔ)能元件,能起到充放電的作用應(yīng)用濾波-主板上的Vcore電路中的電容振蕩-應(yīng)用于早期的中短波收音機(jī)中,因?yàn)檎`差較大,在現(xiàn)在的應(yīng)用中多被晶振所代替 用的很少 不超過(guò)10個(gè)晶振中有兩個(gè)重要的電容耦合-主板上在CPU附近常用于高頻耦合主要用在濾波和耦合共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)圖示DIP電解電容貼片式陶瓷(toc)電容貼片式鉭電容貼片式鋁電解電容OS CON電容共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)OS

10、 CON電容 -構(gòu)成(guchng)方式OS-CONOS-CON是采用在固體電解質(zhì)里的高導(dǎo)電性有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）原理，以實(shí)現(xiàn)小型化，大容量以及等效串聯(lián)電阻小，使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。由于等效串聯(lián)電阻極為微小，頻率數(shù)特性出色，所以最適合用于轉(zhuǎn)換電流平滑電容器和清除各種嘈聲的電容器。同時(shí)，與有機(jī)半導(dǎo)體（TCNQ復(fù)合鹽）相比較，可以更加體現(xiàn)出它的高導(dǎo)電性能，以及在使用耐熱性高的高分子導(dǎo)電性系列時(shí)也被大力推出,對(duì)于無(wú)鉛化以及設(shè)備的高可靠性,長(zhǎng)壽命化都顯示出無(wú)可比擬的優(yōu)越性。使用壽命長(zhǎng),即使爆炸也不會(huì)發(fā)生明火等效阻抗小,能量損失少P=1/2*I2*ESR,常用于OEM/ODM機(jī)種Vcore電路上價(jià)格

11、較貴共三十六頁(yè)電容(dinrng)(Capacitor)EL-Cap的組成(z chn)鋁箔 (Aluminum Foil)電解液 (Electrolyte)電解紙 (Electrolytic Paper)導(dǎo)針 (Lead)橡膠 (Rubber)膠管 (Sleeve)共三十六頁(yè)電感(din n)(Inductor)定義電流感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)種類空芯電感有芯電感磁芯常用于高頻(o pn)電感鐵芯常用于低頻電感共三十六頁(yè)電感(din n)(Inductor)電感在電路(dinl)中用“L”加數(shù)字表示量測(cè)方法使用萬(wàn)用表紅黑筆棒量測(cè)電感,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的使用LCR Meter量測(cè)電感感量作用電感是用線圈

12、制作的,通直流阻交流,它的作用多是扼流濾波和濾除高頻雜波以及振蕩,延遲和陷波等應(yīng)用濾波-Vcore電路中的扼流電感 儲(chǔ)頻器上用于供壓的3V電感耦合-主板上用于USB電路中的4Pin電感共三十六頁(yè)保險(xiǎn)絲(Fuse)定義在發(fā)生短路或者過(guò)載等故障時(shí)熔斷以切斷電路來(lái)保護(hù)受該保險(xiǎn)絲保護(hù)的電氣元件 ,也被稱之為熔斷器電路中用“F”加數(shù)字表示種類限流保險(xiǎn)絲-用于過(guò)電流保護(hù)(平常說(shuō)的保險(xiǎn)絲)溫度保險(xiǎn)絲-用于過(guò)熱保護(hù)熔斷性自恢復(fù)性量測(cè)方法使用萬(wàn)用表紅黑筆棒量測(cè)保險(xiǎn)絲,其兩端應(yīng)該是相互導(dǎo)通的快速保險(xiǎn)絲在電路中用“F”加數(shù)字表示作用保險(xiǎn)絲就會(huì)在電流異常升高(shn o)到一定的高度和一定的時(shí)候，自身熔斷切斷電流，從

13、而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用應(yīng)用主板上KB/MS電路中主板上USB電路中共三十六頁(yè)晶振(Crystal Oscillator)定義石英晶體振蕩器,利用石英晶體（二氧化硅的結(jié)晶體）的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件 ,常與負(fù)載電容一起組成各類振蕩電路 種類普通晶體振蕩（SPXO）電壓控制式晶體振蕩器（VCXO)溫度補(bǔ)償式晶體振蕩（TCXO）恒溫控制式晶體振蕩（OCXO）量測(cè)方法標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上,用示波器相應(yīng)擋位量測(cè)即可晶振在電路中用“X”加數(shù)字表示作用廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及(yj)通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。 應(yīng)用

14、主板上頻率發(fā)生器電路中主板上Audio/LAN電路中共三十六頁(yè)二極管(Diode)晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示 種類齊納二極管 (Zener Diode)常用于調(diào)整電壓,其與整流二極管的差別在于專門(mén)選用其逆向崩潰區(qū)肖特基二極管 (Schottky Diode)常用于高頻和高速切換中，因其反向恢復(fù)時(shí)間短管壓降小發(fā)光二極管 (Light-Emitting Diode)發(fā)光二極管因所用于制造的材料不同，則其放射光的波長(zhǎng)(bchng)也不同，顏色自然不同發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來(lái)識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)共三十六頁(yè)二極管(Diode)特性單向?qū)щ娦詰?yīng)用(yngyng)單向?qū)?

15、在電池電路中的雙二極管穩(wěn) 壓-常用于早期的Vcore芯片的供電電路中測(cè)試注意事項(xiàng)建議用數(shù)字式萬(wàn)用表兩極管檔去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反 SOT- 323 雙二極管SOD-323共三十六頁(yè)二極管(Diode)齊納二極管 也稱為穩(wěn)壓二極管,在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示特性擊穿后其兩端的電壓基本保持不變.這樣當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后,若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng),或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí),負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變故障特點(diǎn)開(kāi)路:電源電壓升高短路(dunl):電源電壓/大電流變低到零伏或輸出不

16、穩(wěn)定穩(wěn)壓值不穩(wěn)定:電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定共三十六頁(yè)三極管(Transistor)種類分NPN 和 PNP兩種E (Emitter)發(fā)射極C (Collector)集電極B (Base)基極(j j)常見(jiàn)Package作用晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用 應(yīng)用一般數(shù)字設(shè)計(jì)中, 對(duì)晶體管都是工作在Cut off（截止） 及 (飽和)Saturation二種State, 取代Switch 之OFF/ON在Power、Audio等應(yīng)用中, 讓晶體管工作在Active Area，起放大作用NPNSOT-23PNPSOT-89SOT-23SOT-89TO-252共三十六頁(yè)MOS管(MOS F

17、ET)種類分N溝道(u do)型和P溝道型兩種D (Drain)漏極S (Source)源極G (Gate)柵極共三十六頁(yè)MOS管(MOS FET)常見(jiàn)(chn jin)MOSFET 封裝Power MOS的供應(yīng)商APEC:富鼎ANPEC:茂達(dá)INFINEON:英飛凌 NECNIKO:尼克森Power MOS的P/N & Date CodeTO-252TO-251SOT-23共三十六頁(yè)MOS管(MOS FET)N-MOS 9T15N-MOS 70T03N-MOS 60T03共三十六頁(yè)主板常見(jiàn)(chn jin)場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管與主板常見(jiàn)晶體管的比較 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管

18、是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,是單極型器件 晶體管既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,是雙極型器件有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便(fngbin)地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用共三十六頁(yè)MOS FET的量測(cè)(一)判斷N溝道MOSFET的好壞(拆卸MOS FET后量測(cè))1.把MOS從板子上吹下來(lái)2.準(zhǔn)備一只萬(wàn)用

19、表,要求紅黑表頭之間的電壓大于2伏特 (因?yàn)閂gs門(mén)限電壓一般都是2伏特,只有大于2伏特MOS才能(cinng)導(dǎo)通）。3.用歐姆檔紅接G,黑接S,正常值是。同時(shí)GS被充電.(如果說(shuō)是歐姆級(jí)的，那么就壞掉了.)4.如果正常,則因?yàn)镚S被充電,所以DS導(dǎo)通,則Vds約等于0V,Rds約等于0 歐姆。5.接著用手把G和S捏在一起，進(jìn)行放電。6.然后測(cè)Vds應(yīng)該,Rds也應(yīng)該是。7.再測(cè)Vsd約0.4V0.5V.(Vds是紅表頭接d極，黑表頭接s極；Vsd反過(guò)來(lái)）共三十六頁(yè)MOS FET的量測(cè)(二)板上 Vcore MOSFET 判定方法(不拆卸MOS FET量測(cè))關(guān)于High Side MOS（上

20、管）量測(cè)MOS管的D極和S極相互(xingh)阻值,阻值應(yīng)該在50歐姆以上(實(shí)際阻值是在持續(xù)增大的),若情況符合,則認(rèn)為所有high side MOS均OK,不符則進(jìn)行第2步精確判斷哪顆MOS損壞.量測(cè)MOS管的G極和S極之間的相互阻值,若發(fā)現(xiàn)阻值不是K級(jí)以上(一般通常情況是8.2K，加了一個(gè)),則基本判定該MOS管損壞.關(guān)于Low Side MOS（下管）量測(cè)MOS管的D極和S極相互阻值,阻值應(yīng)該在20歐姆以上(實(shí)際阻值是在持續(xù)增大的),若情況符合,則認(rèn)為所有l(wèi)ow side MOS均OK,不符則進(jìn)行第2步精確判斷哪顆MOS損壞.量測(cè)MOS管的G極和S極之間的相互阻值,若發(fā)現(xiàn)阻值不是K級(jí)以上

21、(一般通常情況是8.2K),則基本判定該MOS管損壞.請(qǐng)?jiān)诹繙y(cè)前(一定不能上電)對(duì)該MOS管放電:分別短路G極與S極,G極與D極,D極和S極各一次(其中以短路G極與S極為主要)共三十六頁(yè)集成電路(jchng-dinl)定義：集成電路是指把電路中的半導(dǎo)體器件，電阻，電容 及導(dǎo)線制作在一塊半導(dǎo)體基片（芯片）上，并封裝 在一個(gè)殼體內(nèi)所構(gòu)成的完整電路。優(yōu)點(diǎn)：集成電路具有重量輕，體積小，功耗低，成本低， 可靠性高和工作速度(sd)快等優(yōu)點(diǎn)。符號(hào)：集成電路芯片在電路中通常用字母“U”表示。封裝方式：DIP，QFP，PGA，BGA， CSP ，CGA LGA ，ZIF ，SOP， PFP ，TSOP 等共三

22、十六頁(yè)集成電路(jchng-dinl)主板上常見(jiàn)(chn jin)的集成電路圖集88E1116網(wǎng)卡3110DriverALC883聲卡ADP3198電源管理芯片共三十六頁(yè)集成電路(jchng-dinl)主板上常見(jiàn)(chn jin)的集成電路圖集還有南橋，北橋等BGA芯片75232COM口控制芯片LM324集成運(yùn)算放大電路JMB360外接SATA控制器共三十六頁(yè)電子元件在電路(dinl)中的作用(一)較高的輸入電壓(diny)(+12V）通過(guò)扼流電感(Lin)和電容(Cin)加在High Side MOS上，High-side MOS在PWM（脈沖寬度調(diào)節(jié)芯片Pulse Width Modulation）芯片的控制下導(dǎo)通，電流再流過(guò)High side MOS，通過(guò)輸出電感(Lout)加在負(fù)載上并為輸出電容(Cout)充電(此時(shí)Lo