GPP制程簡介雙面光刻解析課件

1、GPP Process Introduction (Pt & SIPOS)GPP制程簡介第1頁，共28頁。Std GPP Process FlowWafer CleanBoron DiffusionGrid EtchingPR StripSIPOS & MTO2nd Photo1st Ni PlatingNi Sintering2nd Ni PlatingAu PlatingPG Burn offGlass FiringLTO3rd PhotoPG CoatingRCA CleanPR StripContact EtchNon SIPOSPhos. Pre-DepHF SoakSand Bla

2、stingPt DiffusionSand Blasting1st Photo第2頁，共28頁。Wafer Clean (晶片清洗)N第3頁，共28頁。Phos. Pre-Deposition ( 磷預(yù)沉積 )N晶片N+磷第4頁，共28頁。Sand Blasting (吹砂)N晶片N+磷在此面吹砂第5頁，共28頁。Boron Diffusion (硼擴散 )N晶片N+P+磷硼第6頁，共28頁。Sand Blasting (吹砂)N晶片N+P+磷硼單面吹砂第7頁，共28頁。Pt Diffusion (鉑擴)N晶片N+P+磷硼Pt鉑第8頁，共28頁。Sand Blasting (吹砂)N晶片N+P

3、+磷硼雙面吹砂第9頁，共28頁。1st Photo (一次黃光雙面光刻)晶片NN+P+光阻光阻開槽去背面標記線SB-402BG-403/S第10頁，共28頁。Grid Pre-Etching (溝槽標記預(yù)蝕刻)晶片NN+P+光阻第11頁，共28頁。Pr-Coating (背面涂膠)晶片NN+P+光阻補光阻保護第12頁，共28頁。Grid Etching (溝槽蝕刻)晶片NN+P+光阻第13頁，共28頁。PR Strip (光阻去除)NN+P+第14頁，共28頁。RCA Clean (RCA 清洗)晶片NN+P+第15頁，共28頁。SIPOS & MTO (SIPOS沉積)晶片NN+P+SIPO

4、SSIPOS第16頁，共28頁。2nd Photo (2次黃光)NN+P+SIPOSSIPOSPGBG-401A(高光強型)或 BG-401ABG-403或 BG-401ABG-401A(高光強型)或 BG-401ABG-403BG-401A(高光強型)或 BG-401A第17頁，共28頁。PG Development (PG顯影)NN+P+SIPOSSIPOSPG第18頁，共28頁。Glass Firing (玻璃燒結(jié))NN+P+SIPOSSIPOSGlass第19頁，共28頁。LTO (低溫氧化層沉積)NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO2第20頁，共28頁。3rd Photo

5、(三次黃光)NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO2PRBG-403或 BG-401ABG-401A(高光強型)第21頁，共28頁。Contact Etch (接觸面蝕刻)NN+P+SIPOSGlassSiO2PR第22頁，共28頁。PR Strip (光阻去除)NN+P+SIPOSGlassSiO2第23頁，共28頁。1st Ni Plating (一次鍍鎳)NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni第24頁，共28頁。Ni Sintering (鎳燒結(jié))NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni第25頁，共28頁。2nd Ni Plating (二次鍍鎳)NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni第26頁，共28頁。Gold Plating (鍍金)NN+P