補(bǔ)償密度測(cè)井儀器講課課件

1、補(bǔ)償密度測(cè)井儀第1頁(yè)，共57頁(yè)。 講課提綱 儀器簡(jiǎn)介測(cè)井原理 探測(cè)器 電路簡(jiǎn)介 儀器刻度第2頁(yè)，共57頁(yè)。儀器構(gòu)成第3頁(yè)，共57頁(yè)。儀器簡(jiǎn)介微球密度組合探頭液壓推靠器微球電子線路艙第4頁(yè)，共57頁(yè)。儀器簡(jiǎn)介 雙源距補(bǔ)償密度測(cè)井儀是測(cè)量地層體積密度的理想儀器，儀器滑板借助推靠器緊貼井壁，裝在滑板下端的放射源放射出中等能量的伽馬射線射向地層，并與地層物質(zhì)的電子發(fā)生康普頓散射。離放射源一定距離的探測(cè)器，所記錄的散射伽馬強(qiáng)度與巖石電子密度有關(guān)，而電子密度與地層的體積密度成非常近似的正比關(guān)系，因此，密度測(cè)井儀所記錄的散射伽馬射線的強(qiáng)度是巖石體積密度的函數(shù)，為了消除泥餅的影響，采用了長(zhǎng)、短兩種不同源距的探

2、測(cè)器。 第5頁(yè)，共57頁(yè)。 儀器測(cè)量范圍：1.50-3.00 g/cm3 ； 儀器測(cè)量精度：0.03 g/cm3 ； 重復(fù)誤差：0.03g/cm3(井壁平整處)； 可同時(shí)測(cè)量b、井徑三條曲線； 儀器溫度性能：在155C條件下正常工作 1小時(shí)，高溫時(shí)的計(jì)數(shù)率相對(duì)室溫變化范 圍在5%以內(nèi)； 儀器技術(shù)指標(biāo)第6頁(yè)，共57頁(yè)。儀器技術(shù)指標(biāo)泥餅補(bǔ)償： 地層密度2.2 g/cm3時(shí)，泥餅厚度 20mm； 地層密度2.2 g/cm32.5 g/cm3時(shí)， 泥餅厚度15mm； 地層密度2.5 g/cm3時(shí)，泥餅厚度5mm。 第7頁(yè)，共57頁(yè)。儀器技術(shù)指標(biāo) 儀器最大外壓：100Mpa 儀器最大測(cè)速：560m/h

3、測(cè)速與源強(qiáng)有關(guān)。 儀器使用電纜長(zhǎng)度7000m 儀器測(cè)量范圍:1.50-3.00 g/cm3 儀器耐溫：1550第8頁(yè)，共57頁(yè)。補(bǔ)償密度測(cè)井的核物理基礎(chǔ)第9頁(yè)，共57頁(yè)。 儀器的放射源和探測(cè)器裝在壓向井壁的滑板上，測(cè)井時(shí)伽馬源向地層發(fā)射伽馬光子，經(jīng)地層散射吸收后，有部分經(jīng)過(guò)散射的光子由密度測(cè)井儀器的兩個(gè)探測(cè)器接收。源和探測(cè)器之間由屏蔽體隔開(kāi)，使源發(fā)射的伽馬光子不能直接射到探測(cè)器。儀器背向地層的一側(cè)也加以屏蔽，以減小井眼的影響。距離源近的探測(cè)器叫短源距探測(cè)器，距離源遠(yuǎn)的叫長(zhǎng)源距探測(cè)器。地層的密度不同，對(duì)伽馬光子的散射和吸收能力不同，探測(cè)器記錄到的讀數(shù)也不同。 密度測(cè)井核物理基礎(chǔ)第10頁(yè)，共57頁(yè)

4、。 伽馬射線與物質(zhì)的相互作用主要有電子對(duì)效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和光電效應(yīng)，而其中只有康普頓效應(yīng)才與地層的密度成正比關(guān)系。因此密度的測(cè)井原理和技術(shù)手段，首先要保證被探測(cè)到的伽馬射線的強(qiáng)度主要反映光子在地層中的康普頓散射過(guò)程。密度測(cè)井選用Cs137為伽馬源，它發(fā)射能量為0.661MeV的伽馬光子，這就排除了形成電子對(duì)的可能性。 密度測(cè)井核物理基礎(chǔ)第11頁(yè)，共57頁(yè)。 如果將記錄伽馬射線的閥值定為0.10.2MeV，也就是說(shuō)只記錄那些能量較高的一次散射或多次散射伽馬射線，那就很大程度上避免了光電吸收的影響。在滿足上述條件下，對(duì)中等原子系數(shù)的原子組成的一般地層來(lái)說(shuō)，在伽馬光子與地層的相互作用中，康普頓占絕對(duì)

5、優(yōu)勢(shì)。 密度測(cè)井核物理基礎(chǔ)第12頁(yè)，共57頁(yè)。 探測(cè)器和源的距離叫源距。當(dāng)源強(qiáng)和源距選定后，探測(cè)器接收到的散射伽馬射線的強(qiáng)度決定于兩個(gè)作用過(guò)程：（1）由源發(fā)射出的伽馬光子經(jīng)地層一次或多次散射使部分伽馬光子射向探測(cè)器；（2）射向探測(cè)器的伽馬光子，有一部分被再散射而改變方向或者被吸收。當(dāng)源距很小時(shí)，上述第一個(gè)過(guò)程是主要的，因而地層密度越大，計(jì)數(shù)率也越高。當(dāng)源距很大時(shí)，第二個(gè)過(guò)程的作用超過(guò)了第一個(gè)過(guò)程的作用，因而地層密度越大，探測(cè)器接收到的光子越少，計(jì)數(shù)率也越小。 密度測(cè)井的核物理基礎(chǔ)第13頁(yè)，共57頁(yè)。密度測(cè)井的核物理基礎(chǔ) 在密度大的地層中，計(jì)數(shù)率隨源距的增大下降得快，而在密度小的地層中，計(jì)數(shù)率隨

6、源距增大下降得慢。很明顯，在不同的地層中，計(jì)數(shù)率隨源距的衰減的曲線會(huì)有一個(gè)交點(diǎn)。相應(yīng)的源距叫零源距。當(dāng)儀器的源距為零源距時(shí)，不同密度的地層具有相同的計(jì)數(shù)率，儀器對(duì)地層的密度的靈敏度為零。密度測(cè)井均采用正源距。因此，密度儀器記錄的脈沖信號(hào)計(jì)數(shù)率與地層密度值之間成反比關(guān)系。 第14頁(yè)，共57頁(yè)。儀器特點(diǎn)第15頁(yè)，共57頁(yè)。儀器特點(diǎn) 本儀器由探測(cè)器、前置放大電路、信號(hào)處理電路以及高壓電路組成。探測(cè)器由NaI晶體和光電倍增管組成，它接收由伽馬源轟擊地層后地層散射的伽馬射線；前置放大電路是把來(lái)自光電倍增管的脈沖信號(hào)進(jìn)行放大；信號(hào)處理電路是一個(gè)高溫混合電路模塊，它把放大后的信號(hào)進(jìn)行鑒別、分頻、整形，然后輸

7、出給遙測(cè)短節(jié)；高壓電路是由兩個(gè)高壓模塊組成，分別提供長(zhǎng)、短兩個(gè)探測(cè)器所需要的高電壓，它輸出的高壓為負(fù)高壓。 第16頁(yè)，共57頁(yè)。密度儀器調(diào)試注意事項(xiàng) 補(bǔ)償密度儀器中有高壓電源，高壓接近2KV。調(diào)試過(guò)程中要注意避免被高壓擊傷。 儀器通電后，即使關(guān)掉電源，在高壓隔直電容和濾波電容上在短時(shí)間內(nèi)仍然殘留高壓電位。調(diào)試過(guò)程中容易造成觸電。需要注意安全。 電烙鐵使用完后及時(shí)放回原位，以免在維修中造成燙傷。探測(cè)器是精密部件，制造過(guò)程過(guò)程中安裝、拆卸的時(shí)候要輕拿輕放，不能碰撞，以免損壞。 第17頁(yè)，共57頁(yè)。 在拆卸、安裝密度探頭時(shí)，由于密度探頭較重，在拆卸、安裝過(guò)程中要注意人身安全。 往密度滑板里放入線路骨

8、架時(shí)，手指千萬(wàn)不能伸入滑板上的圓孔。 在維修液壓推靠器時(shí)，要防止由于推靠器的自鎖故障而造成的推靠器付臂突然崩開(kāi)。 密度儀器調(diào)試注意事項(xiàng)第18頁(yè)，共57頁(yè)。 電阻： 補(bǔ)償密度測(cè)井儀采用的電阻和高溫精密電阻，要求電阻的精度在5以下。電阻采購(gòu)回來(lái)后，進(jìn)行抽樣檢查，確保精度。 電阻抽樣檢查合格后，須進(jìn)行高溫老化。把電阻放入烘箱內(nèi)加溫至175C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。反復(fù)兩次后再對(duì)電阻進(jìn)行抽樣檢查，保證電阻精度后方可使用。 密度儀器對(duì)電子元器件的要求第19頁(yè)，共57頁(yè)。密度儀器對(duì)電子元器件的要求 電容 對(duì)膽電容要檢查其耐壓值是否適合電路要求，并經(jīng)過(guò)溫度試驗(yàn)檢查其溫漂。要求175C時(shí)電容的容量下降幅度不超過(guò)3

9、0。 對(duì)高壓隔直電容要檢查其漏電流的大小，并經(jīng)過(guò)溫度試驗(yàn)檢查其溫漂和漏電流。要求175C時(shí)電容的容量下降幅度不超過(guò)30。 密度測(cè)井儀采用的貼片電容和其它電容，須進(jìn)行高溫老化。把電容放入烘箱內(nèi)加溫至175C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。反復(fù)兩次后方可使用。 第20頁(yè)，共57頁(yè)。密度儀器對(duì)探測(cè)器的要求 探測(cè)器晶體（NaI） 尺寸篩選：密度儀器使用的晶體尺寸為2250，1722。 外觀檢查：正常的晶體是無(wú)色透明，如果晶體發(fā)黃，則表示晶體已經(jīng)潮解，不能使用。另外，晶體上不能有破裂或氣泡。高溫老化： 將NaI晶體放入烘箱中加溫至175C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。冷卻后觀察晶體，應(yīng)該與加溫前一樣。晶體的高溫老化必須做兩次

10、。 第21頁(yè)，共57頁(yè)。探測(cè)器 高溫篩選閃爍探測(cè)器的方法和步驟：高溫坪區(qū)篩選 將光電倍增管和晶體耦合好，置于黑暗的烘箱內(nèi)，晶體附近放一顆高溫檢查源(伽馬源)，接好高壓線，信號(hào)線及相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備。 在常溫下，從1000V開(kāi)始，高壓每升高50V，記錄一組計(jì)數(shù)率，以電壓為橫坐標(biāo)，計(jì)數(shù)率為縱坐標(biāo)，畫出一條坪曲線，烘箱升溫到175時(shí)，再測(cè)一條坪曲線。 第22頁(yè)，共57頁(yè)。探測(cè)器簡(jiǎn)介 在175恒溫一小時(shí)后，再測(cè)一條坪曲線。 對(duì)比三條坪曲線，選一段重合較好，也就是高溫計(jì)數(shù)相對(duì)常溫計(jì)數(shù)變化較小的，確定出合適的工作高壓。然后再看在該高壓情況下，恒溫一小時(shí)后的計(jì)數(shù)與常溫時(shí)的計(jì)數(shù)相對(duì)變化范圍是否小于5%，若滿足則可

11、確定其高壓。 光電倍增管的坪寬在150V左右。坪寬太低（低于50V）的光電倍增管將不能使用。第23頁(yè)，共57頁(yè)。密度儀器電路簡(jiǎn)介第24頁(yè)，共57頁(yè)。電路簡(jiǎn)介密度探測(cè)器1密度探測(cè)器2密度源室密度電子線路艙第25頁(yè)，共57頁(yè)。高壓電路第26頁(yè)，共57頁(yè)。 高壓部分采用的是HVC175PB12-02超小型電源模塊。它可帶7M以上負(fù)載，且可開(kāi)路（相當(dāng)負(fù)載為無(wú)窮大）使用。負(fù)載電阻越大，高壓輸出的紋波就越小，中子儀器高壓輸出紋波30mV。 高壓模塊的輸入電壓為12V，輸出電壓最高為+2000V，工作電流小于30mA。輸出電流為250A。 高壓模塊的輸出電壓由2個(gè)電阻來(lái)調(diào)節(jié)，如圖，R21調(diào)節(jié)長(zhǎng)源距的輸出高壓

12、，此電壓一般調(diào)節(jié)在1550V1700V之間，再由R23調(diào)節(jié)短源距高壓，此電壓一般選在+1100V1250V，實(shí)際工作電壓由探測(cè)器的坪曲線決定 高壓電路儀器電路簡(jiǎn)介第27頁(yè)，共57頁(yè)。前放電路第28頁(yè)，共57頁(yè)。由碘化納晶體和光電倍增管組成的探測(cè)器將接收到的伽馬射線轉(zhuǎn)換成電脈沖，經(jīng)電容C1耦合到HA2510運(yùn)算放大器。以長(zhǎng)道電路為HA2510的工作電壓為DC12V，電阻R6、R7，電容C4、C5分別構(gòu)成濾波網(wǎng)絡(luò)對(duì)電源進(jìn)行濾波。 電阻R1負(fù)責(zé)收集光電倍增管來(lái)的脈沖信號(hào)，并且產(chǎn)生壓降輸出。 電阻R4、R5和HA2510對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大，一般調(diào)整電阻R5來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的放大倍數(shù)。密度儀器長(zhǎng)、短道放大倍數(shù)都

13、為K=4。 從光電倍增管輸出的光電峰（觀察點(diǎn)TP1）一般為1-2V的負(fù)脈沖，脈沖寬度在5S左右，經(jīng)放大電路放大后，輸出幅度（觀察點(diǎn)TP3）為7-8V的負(fù)脈沖，脈寬在3S左右。前放電路第29頁(yè)，共57頁(yè)。信號(hào)處理電路第30頁(yè)，共57頁(yè)。信號(hào)處理電路 密度儀器的信號(hào)處理電路只有一塊高溫混合電路LH117068，它集跟隨、鑒別、分頻、整形為一體，外圍元件只有兩個(gè)調(diào)鑒別門檻的電阻，以L道電路為例。LH117068采用DC+12V單電源供電，工作電流為10mA。 電路中電阻R8、R9起調(diào)節(jié)鑒別門檻的作用，如果電阻R9固定在39K，電阻R8應(yīng)該在3.9K左右，最終鑒別電壓應(yīng)該以電阻R8兩端電壓為準(zhǔn)，電阻R

14、8兩端電壓應(yīng)（TP5-TP10）該調(diào)整到U=0.70V。 為防止電纜漏計(jì)和消除整形電路可能產(chǎn)生的阻塞現(xiàn)象，所以采取了分頻措施。為方便起見(jiàn)，在電路印制板上的分頻部分引出了兩個(gè)端子，分別為8分頻和16分頻。儀器出廠時(shí)為8分頻，如果需要16分頻，把LH117068的22腳的引出端與LH117068的2腳的引出端短路即可。 LH117068的輸出信號(hào)為幅度：+10V，脈寬：35-40S的方波。此信號(hào)直接傳輸?shù)紻TB接口。 第31頁(yè)，共57頁(yè)。信號(hào)處理電路的主要波形圖第32頁(yè)，共57頁(yè)。井徑電路第33頁(yè)，共57頁(yè)。井徑測(cè)量電路原理 井徑測(cè)量電路由井徑電源和井徑電位器組成。井徑電源由單獨(dú)的電源提供，它通過(guò)

15、整流、穩(wěn)壓和濾波獲得10V的直流電壓。井徑電位器是一個(gè)三端可調(diào)的拉桿電位器，調(diào)節(jié)范圍在02K之間。儀器在井下所反映的井徑的變化，直接從井徑電位器的可變端上的電壓的變化所獲得。此電壓的變化量接到電壓變壓器輸入端的中心抽頭上，由地面儀器采樣得到。第34頁(yè)，共57頁(yè)。儀器常規(guī)檢查 1. 給井下儀器供電AC180V(電流約為50mA)， 觀察本底計(jì)數(shù)，長(zhǎng)源距每分鐘為805個(gè)， 短源距每分鐘為102個(gè)。如果有標(biāo)準(zhǔn)源， 則在儀器上固定位置，取下標(biāo)準(zhǔn)數(shù)，以后 檢查對(duì)照，效果更好。 2. 推靠器放開(kāi)過(guò)程中，電流不超過(guò)100mA。 3. 推靠器收攏過(guò)程中，電流不超過(guò)200mA。 4. 推靠器在放開(kāi)、收攏過(guò)程中應(yīng)

16、當(dāng)很平穩(wěn)， 不能出現(xiàn)發(fā)卡和自鎖鎖不住現(xiàn)象。 第35頁(yè)，共57頁(yè)。儀器常見(jiàn)故障檢查 觀察本底時(shí)，計(jì)數(shù)不穩(wěn)，有跳動(dòng)現(xiàn)象,此時(shí)可檢查探測(cè)器避光是否良好，管座是否干凈，高壓是否穩(wěn)定，在排除了上述諸方面原因外，可檢查電路板，更換相應(yīng)元件，當(dāng)然認(rèn)真檢查引入引出的信號(hào)線是否破壞也是十分必要的。 第36頁(yè)，共57頁(yè)。儀器常見(jiàn)故障檢查 密度儀器的探測(cè)器和電路在滑板之中,維修時(shí)需從滑板中拆卸時(shí),應(yīng)先把滑板和掛臂頭連接的兩個(gè)頂絲卸下，用螺絲刀把掛臂接頭和滑板分離，這時(shí)再?gòu)幕逦捕诵度バ№斀z，探測(cè)器和線路此時(shí)才能從滑板中旋轉(zhuǎn)卸出。 儀器在室內(nèi)正常，但測(cè)井資料不好，很可能是井下儀器相應(yīng)得水密插頭絕緣破壞造成。 井徑曲線

17、測(cè)不好，可能是井徑電位器接觸不良。 第37頁(yè)，共57頁(yè)。儀器常見(jiàn)故障檢查密度儀器的探測(cè)器和電路部分卸出后，若要通電檢查，則需對(duì)探測(cè)器(光電倍增管和碘化納晶體)進(jìn)行避光，一般是用黑布將探測(cè)器部分罩起來(lái)。若只需檢查電路時(shí)，可將探測(cè)器的高壓斷開(kāi)，這時(shí)可不必對(duì)探測(cè)器采取避光措施。 第38頁(yè)，共57頁(yè)。探測(cè)器維修使用注意事項(xiàng) 在拆卸和安裝光電倍增管時(shí)一定要小心，注意輕拿輕放。光電倍增管和晶體是放在一個(gè)鋁合金做的圓筒里，為了使光電倍增管和晶體間貼和好，在光電倍增管的一端和圓筒的內(nèi)壁里加入了一個(gè)波紋彈簧片，安裝光電倍增管時(shí)一定要注意波紋彈簧片不要受力太大，剛好頂住光電倍增管使它在里面不活動(dòng)就行，否則容易把光

18、電倍增管頂碎。 第39頁(yè)，共57頁(yè)。推靠器使用注意事項(xiàng) 密度儀器放開(kāi)或收攏推靠器時(shí)，井下儀器位置要端正，使滑板正面朝上，以免放開(kāi)時(shí)，因滑板重量大而傾倒。同時(shí)要認(rèn)真注視電流表，萬(wàn)一電流過(guò)大(超過(guò)250mA)要立即斷電，以免傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的部分器件損壞。 第40頁(yè)，共57頁(yè)。儀器刻度 密度儀器調(diào)試完成后，需要對(duì)儀器進(jìn)行刻度才能用于測(cè)井。由于成批儀器的機(jī)械結(jié)構(gòu)和元器件的不一致性，所以生產(chǎn)出的每支儀器都必須進(jìn)行二級(jí)刻度。 要對(duì)密度儀器進(jìn)行二級(jí)刻度，至少需要兩種不同密度的標(biāo)準(zhǔn)地層或刻度塊作為刻度標(biāo)準(zhǔn)，并需要至少兩種比重不同的模擬泥餅對(duì)儀器進(jìn)行泥餅補(bǔ)償實(shí)驗(yàn)。本節(jié)介紹的刻度方法是用標(biāo)定過(guò)的已知密度的標(biāo)準(zhǔn)地層和比重

19、不同的兩種模擬泥餅對(duì)儀器進(jìn)行二級(jí)刻度。 第41頁(yè)，共57頁(yè)。二級(jí)刻度器密度探頭放置在此，滑板面必須與模塊貼和很好。密度半空間模塊第42頁(yè)，共57頁(yè)。儀器刻度準(zhǔn)備 密度探頭必須嚴(yán)格按上述調(diào)試方法調(diào)試好，保證儀器工作正常。 把模塊表面擦拭干凈，尤其是模塊與儀器滑板的接觸面要保持絕對(duì)干凈，不能有細(xì)沙子和泥土。并且刻度模塊要放置在清水中，清水必須淹沒(méi)模塊表面。 由于密度探頭要放入清水中，所以儀器要做好絕緣，密度探頭與穩(wěn)壓電源和定標(biāo)器的引線要用水密插頭與探頭連接。 第43頁(yè)，共57頁(yè)?？潭茸⒁馐马?xiàng) 把密度探頭放在刻度模塊的半圓槽內(nèi)密度滑板面（測(cè)井時(shí)貼靠井壁的一面）朝下，與刻度模塊完全貼和好。并且密度探頭

20、的源倉(cāng)要與刻度模塊的垂直端面保持至少15cm 。 第44頁(yè)，共57頁(yè)。車間刻度原理 刻度過(guò)程: 在描述密度探頭刻度過(guò)程中，我們以中國(guó)石油測(cè)井技術(shù)中心產(chǎn)業(yè)化部現(xiàn)有的標(biāo)定過(guò)的已知密度的標(biāo)準(zhǔn)地層模塊為例，測(cè)井技術(shù)中心產(chǎn)業(yè)化部共用三種刻度模塊來(lái)刻度補(bǔ)償密度儀器，它們的密度值分別為：2.699 g/cm3、2.374 g/cm3、2.185 g/cm3,我 們分別用2.699、2.374、2.185來(lái)表示它們。第45頁(yè)，共57頁(yè)。車間刻度步驟把儀器放置在2.699的刻度模塊上，給儀器加電預(yù)熱2030分鐘，此時(shí)注意觀察儀器的本底計(jì)數(shù)，儀器工作正常后進(jìn)行下一步。 儀器裝上測(cè)井用源，記錄L、S道的計(jì)數(shù)，每組數(shù)

21、采樣時(shí)間要求30秒以上，再平均出每秒的計(jì)數(shù)，記錄下來(lái)。每道不少于五組數(shù)，再算出各道計(jì)數(shù)的平均數(shù)，NL2.699和NS2.699 。 第46頁(yè)，共57頁(yè)。使用現(xiàn)場(chǎng)刻度器的注意事項(xiàng) 把探頭依次移到2.374和2.185兩個(gè)模塊上，記錄探頭在各個(gè)模塊上的計(jì)數(shù)，要求同上步，分別用NL2.374、NS2.374和NL2.185、NS2.185表示。 在對(duì)數(shù)坐標(biāo)紙上以S道計(jì)數(shù)為橫坐標(biāo)，以L道計(jì)數(shù)為縱坐標(biāo)建立坐標(biāo)系。這個(gè)坐標(biāo)系就是密度儀器的脊肋圖。把上面三個(gè)模塊上的點(diǎn)點(diǎn)在坐標(biāo)里。分別用A、B、C表示2.699、2.374和2.185 。A、B、C三個(gè)點(diǎn)應(yīng)該在一條直線上。這條直線就是密度儀器的脊線。如圖所示：

22、 第47頁(yè)，共57頁(yè)。使用現(xiàn)場(chǎng)刻度器的注意事項(xiàng)第48頁(yè)，共57頁(yè)。補(bǔ)償密度測(cè)井儀刻度原理 眾所周知，在無(wú)泥餅條件下，用不同源距的兩個(gè)探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量，它們的計(jì)數(shù)率與地層密度關(guān)系： =1/A(lnNB)現(xiàn)分別用角碼S及L表示短源距和長(zhǎng)源距則有： L=1/AL(lnNLBL) S=1/AS(lnNSBS)因無(wú)泥餅影響 L=S=b 兩式和并有 (lnNLBL)= AL/AS(lnNSBS)即lnNL 與lnNS關(guān)系為一直線，其斜率為 AL/AS，我們把這條線稱為脊線，=arctg(AL/AS)稱為脊角，A=dlnN/b=Um.D為儀器對(duì)地層的靈敏度，與源距成正比，因此，脊角與長(zhǎng)、短探測(cè)器的源距有很大的

23、關(guān)系。第49頁(yè)，共57頁(yè)。補(bǔ)償密度測(cè)井儀刻度原理 由式b= 1/AL(lnNLBL)+1/K(lnNLBL)AL/AS(lnNSBS)在有泥餅影響時(shí)，即0 則有：(lnNLBL) =1/(K+1)AL/AS(lnNSBS)+KAS/(K+1) b每給定一個(gè)b值就能做出一條斜率為1/（K+1）AL/AS的關(guān)系式，即一條肋線，其與水平線的夾角為，tg=1/(K+1)AL/AS=1/(K+1)tg， 由此式可知肋角與系數(shù)K和脊角有關(guān)。K為常數(shù)是近似處理的結(jié)果，若要擴(kuò)大補(bǔ)償?shù)木€性范圍和改變肋角還需采取一些技術(shù)措施，如在短源距探測(cè)器外面加射線過(guò)濾器等，在此我們采用了加隔片來(lái)濾去低能量的伽瑪射線來(lái)滿足儀器

24、肋角的設(shè)計(jì)指標(biāo)。=55。通過(guò)對(duì)短源距探測(cè)器加不同厚度隔片的試驗(yàn)，最后定為L(zhǎng)=0.5mm，S=3mm。第50頁(yè)，共57頁(yè)。補(bǔ)償密度測(cè)井儀刻度原理肋線作為直線處理方式(即通常的補(bǔ)償方程)通常所說(shuō)的密度測(cè)井響應(yīng)方程，是由脊肋圖實(shí)驗(yàn)資料導(dǎo)出，在假設(shè)肋線是直 線的情況下，可以通過(guò)三點(diǎn)刻度的方法求出方程中的五個(gè)系數(shù)，其中K值是近似的處理結(jié)果，只有在肋線為直線時(shí)，才近似為一常數(shù)，其處理方法如下： =ABlnN 對(duì)長(zhǎng)短分別有 L=ALBLlnNL S=ASBSlnNS b=L+1/K(LS)當(dāng)放mgAL時(shí)： Lmg= ALBLlnNLmg LAL= ALBLlnNLAL Smg= ASBSlnNSmg SAL

25、= ASBSlnNSAL 分別求出 AL AS BL BS 再放倒mg： 據(jù)=1/K(LS) 求出K=？ 則b=(ALBLlnNL)+1/K(ALBLlnNL)(ASBSlnNS)第51頁(yè)，共57頁(yè)。補(bǔ)償密度測(cè)井儀刻度原理 肋線作為曲線處理方式（一點(diǎn)刻度方式） 實(shí)際上，當(dāng)?shù)貙拥哪囡灱雍駮r(shí)，即密度校正量較大時(shí)，肋線將開(kāi)始彎曲，肋線不能看成 直線，這時(shí)如用直線處理就會(huì)產(chǎn)生誤差，通常用多項(xiàng)式和分等函數(shù)來(lái)擬合肋線彎曲的背肋圖，這樣刻度變得更為簡(jiǎn)單，操作起來(lái)更為方便，即一點(diǎn)刻度方式。 強(qiáng)源處理方式與數(shù)據(jù)： =ABlnN則長(zhǎng)短源距分別有 L=ALBLlnNL S=ASBSlnNS當(dāng)放 b=2.30g/cm3的Mg塊時(shí)則 有 L=2.30BLlnNL2.30/NL S=2.30BSlnNS2.30/N2.30當(dāng)S /L1時(shí) =-270.156S/L3+792.303S/L2-776.515S/L+254.37當(dāng)S /L1時(shí)