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文檔簡(jiǎn)介
1、電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽-傳感器一、二、三、四、五、金屬探測(cè)加速度傳感器光電開關(guān)超聲幾何量金屬探測(cè)甚低頻(VLF)也稱感應(yīng)平衡,可能是兩個(gè)截然不同的線圈:最為常用的一種探測(cè)技術(shù)。甚低頻金屬探測(cè)器有發(fā)射線圈 外環(huán)線圈。里面是一個(gè)由導(dǎo)線繞成的線圈。設(shè)備沿導(dǎo)線交替變換方向發(fā)出電流,每秒鐘變換數(shù)千次。每秒鐘電流方向變換的次數(shù)就形成了探測(cè)器的頻率。接收線圈內(nèi)環(huán)線圈,由另一由導(dǎo)線繞成的線圈組成。這一線圈能起到天線的作用,用來(lái)收集并放大目標(biāo)物發(fā)出的電磁波的頻率。流經(jīng)發(fā)射線圈的電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電磁場(chǎng),就如 也會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)一樣。磁場(chǎng)的極性垂直于線圈所在平面。每當(dāng)電流改變方向,磁場(chǎng)的極性都會(huì)隨之改變。這意味著,如果線圈平行于地
2、面,那么磁場(chǎng)的方向會(huì)不斷地交替變化,一會(huì)兒垂直于地面向下,一會(huì)兒又垂直于地面向上。隨著磁場(chǎng)方向在反復(fù)變化,它會(huì)與所遇的任何導(dǎo)體目標(biāo)物發(fā)生作用,導(dǎo)致目標(biāo)物自身也會(huì)產(chǎn)生微弱的磁場(chǎng)。目標(biāo)物磁場(chǎng)的極性同發(fā)射線圈磁場(chǎng)的極性恰好相反。如果發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向垂直地面向下,則目標(biāo)物磁場(chǎng)就垂直于地面向上。接收線圈能完全發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)。但它不會(huì)從目標(biāo)物傳來(lái)的磁場(chǎng)。這樣一來(lái),當(dāng)接收線圈位于正在發(fā)射磁場(chǎng)的目標(biāo)物上方時(shí),線圈上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)微弱的電流。這一電流振蕩的頻率與目標(biāo)物磁場(chǎng)的頻率相同。接收線圈會(huì)放大這一頻率并將其傳送到金屬探測(cè)器的控制臺(tái),控制臺(tái)上的元件繼而對(duì)這一信號(hào)加以分析。金屬探測(cè)器根據(jù)目標(biāo)物產(chǎn)生的磁場(chǎng)
3、的強(qiáng)度,能近似地判定目標(biāo)物埋藏的深度。目標(biāo)物埋藏得越淺,接收線圈收集到的磁場(chǎng)強(qiáng)度就越大,產(chǎn)生的電流也越大。目標(biāo)物埋藏得越深,磁場(chǎng)就越弱。如果超過(guò)了一定的深度,目標(biāo)物磁場(chǎng)在地表處的強(qiáng)度過(guò)于微弱,就不能被接收線圈感測(cè)到。相移現(xiàn)象使得基于 VLF 技術(shù)的金屬探測(cè)器具有了一種稱為識(shí)別的能力。由于大多數(shù)金屬具有不同的電導(dǎo)值和電阻值,VLF 金屬探測(cè)器可利用一對(duì)稱為相位解調(diào)器的電子線路測(cè)出相移量,并將實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)一種類的金屬相移均值進(jìn)行比較。然后探測(cè)器就會(huì)以聽覺或視覺信號(hào)的形式,將目標(biāo)物可能所處的金屬類型范圍告知探測(cè)者。很多金屬探測(cè)器甚至過(guò)濾出(識(shí)別)超過(guò)某一特定相移水平的目標(biāo)物。通常,您可以設(shè)定需要過(guò)濾的相
4、移水平,一般的方法是調(diào)節(jié)一個(gè)用來(lái)增加或降低閾值的旋鈕。VLF 探測(cè)器還有一種識(shí)別功能,稱為忽略功能。實(shí)際上,忽略功能是一種針對(duì)某一特定相移區(qū)間的識(shí)別濾波器。差拍振蕩器(BFO)技術(shù)探測(cè)金屬的最基本方法是采用一種稱為差拍振蕩器(BFO)的技術(shù)。BFO 系統(tǒng)用到兩個(gè)線圈。較大的一個(gè)線圈位于搜索探頭,而較小的線圈位于控制臺(tái)。每個(gè)線圈都與一個(gè)每秒鐘能產(chǎn)生數(shù)千次電流脈沖的振蕩器相連。兩線圈脈沖頻率之間存在一個(gè)微小的偏移量。脈沖在每個(gè)線圈中時(shí),線圈都會(huì)發(fā)出射頻電波??刂婆_(tái)內(nèi)的微型接收這些射頻電波,并根據(jù)兩線圈的頻率差生成一個(gè)聲音序列(差拍)。當(dāng)搜索探頭內(nèi)的線圈經(jīng)過(guò)金屬物體上方時(shí),線圈內(nèi)的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)
5、在該物體周圍形成另一個(gè)磁場(chǎng)。目標(biāo)物磁場(chǎng)會(huì)干擾搜索探頭發(fā)出的射頻電波的頻率。當(dāng)這一頻率偏離了控制臺(tái)內(nèi)線圈的頻率時(shí),差拍聲音的時(shí)長(zhǎng)和音調(diào)就會(huì)發(fā)生改變。簡(jiǎn)易金屬探測(cè)器這是一個(gè)金屬探測(cè)電路,它可以隔著地毯探測(cè)出地毯下的硬幣或金屬片。這個(gè)小裝置很適合動(dòng)手。電路中的 NPN 型三極管型號(hào)為 9014,三極管 VT1 的放大倍數(shù)不要太大,這樣可以提高電路的靈敏度。VD1-VD2 為 1N4148。電阻均為 1/8W。金屬探測(cè)器的探頭是一個(gè)關(guān)鍵元件,它是一個(gè)帶磁心的電感線圈。磁心可選10 的收音機(jī)天線磁棒,截取 15mm,再用絕緣板或厚紙板做兩個(gè)直徑為 20mm 的擋板,中間各挖一個(gè)10mm 的孔,然后套在磁
6、心兩端,如圖 1 所示。最后0.31 的漆包線在磁心上繞 300 匝。這樣做的探頭效果最好。如果不能,也可以買一只 6.8mH 的成品電感器,但必須是那種繞在“工”字形磁心上的立式電感器,而且電感器的電阻值越小越好。脈沖感應(yīng)(PI)技術(shù)基于脈沖感應(yīng)(PI)技術(shù)的金屬探測(cè)器不是很常見。有別于 VLF 系統(tǒng),PI 系統(tǒng)可以利用單個(gè)線圈來(lái)承擔(dān)和的雙重任務(wù),也可利用兩個(gè)甚至三個(gè)線圈協(xié)同工作。這種技術(shù)向線圈發(fā)送高能、短時(shí)的電流脈沖(沖擊)。每一次脈沖都產(chǎn)生一個(gè)瞬時(shí)磁場(chǎng)。脈沖結(jié)束后,磁場(chǎng)極性會(huì)反轉(zhuǎn),然后迅速衰減,產(chǎn)生一個(gè)的電流毛刺。這一毛刺可持續(xù)幾微秒(一微秒等于百萬(wàn)分之一秒),并導(dǎo)致線圈上產(chǎn)生另一電流。
7、這一電流稱為反射脈沖,持續(xù)的時(shí)間極為短暫,只有 30 微秒左右。隨后下一個(gè)脈沖會(huì)到達(dá)線圈,并重復(fù)上述過(guò)程。基于PI 技術(shù)的金屬探測(cè)器每秒一般要發(fā)送約 100 個(gè)脈沖,但這一數(shù)字可因生產(chǎn)商和產(chǎn)品型號(hào)的不同而有很大變化,每秒發(fā)送的脈沖數(shù)至數(shù)十次,多可達(dá)上千次。如果金屬探測(cè)器下方有金屬物體,脈沖會(huì)在該物體形成一個(gè)反向磁場(chǎng)。當(dāng)脈沖產(chǎn)生的磁場(chǎng)衰減并形成反射脈沖時(shí),目標(biāo)物產(chǎn)生的磁場(chǎng)能夠延長(zhǎng)反射脈沖從衰減到的時(shí)間。這一過(guò)程的原理有些類似于回聲現(xiàn)象:如果您在一個(gè)只有幾面硬壁的房間內(nèi)叫喊,也許只能聽到短暫的回聲,甚至根本聽不到回聲;但如果您在一個(gè)滿是硬壁的房間內(nèi)叫喊,回聲持續(xù)的時(shí)間就會(huì)延長(zhǎng)。PI 金屬探測(cè)器中,
8、目標(biāo)物產(chǎn)生的磁場(chǎng)加強(qiáng)了反射脈沖的“回聲”,使得它持續(xù)的時(shí)間要比沒(méi)有“回聲”時(shí)略長(zhǎng)一些。金屬探測(cè)器中的采樣電路用來(lái)檢測(cè)反射脈沖的時(shí)長(zhǎng)。將實(shí)測(cè)時(shí)長(zhǎng)與預(yù)期時(shí)長(zhǎng)兩相比較,該電路就能判定是否存在另一個(gè)磁場(chǎng)延緩了反射脈沖的衰減。如果反射脈沖的衰減時(shí)間比通常情況下長(zhǎng)出數(shù)微秒,就可能是由于存在了金屬物體而干預(yù)了反射脈沖。PI 系統(tǒng)的探測(cè)深度通常要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他系統(tǒng)。5.1 霍爾式磁敏傳感器在利用半導(dǎo)體材料的磁敏感特性而工作的一類磁敏傳感器(即半導(dǎo)體磁敏傳感器)中,比較重要的包括霍爾磁敏傳感器、磁敏二極管、磁敏三極管以及半導(dǎo)體磁阻器件等,其中應(yīng)用最廣泛的是霍爾磁敏傳感器?;魻柎琶魝鞲衅靼ɑ魻栐突魻柤呻娐?。
9、后者是將分立的霍爾元件與放大器電路等集成在一塊硅片上的。它們都是基于半導(dǎo)體材料中電流與磁場(chǎng)相互作用從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的霍爾效應(yīng)原理工作的。5.1.1 霍爾效應(yīng)1879 年物理學(xué)家 E.H.Hall 首先發(fā)現(xiàn)了霍爾效應(yīng)。如圖 5.1 所示,當(dāng)在長(zhǎng)方形半導(dǎo)體片的長(zhǎng)度方向通以直流電流 I 時(shí),若在其厚度方向存在一磁場(chǎng) B,那么在該半導(dǎo)體片的寬度方向就會(huì)產(chǎn)生電位差 EH,此即霍爾效應(yīng)。ACBIB CDvAdDBL圖 5.1 霍爾效應(yīng)模型圖 5.1 中,磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 的方向垂直向上,長(zhǎng)、寬、厚分別為 L、W、d 的 n 型半導(dǎo)體片呈水平放置在磁場(chǎng)中。若在半導(dǎo)體片中通以沿長(zhǎng)度 L 方向的電流 I,則多數(shù)載流
10、子(電子)的運(yùn)動(dòng)方向與 I 相反。由物理學(xué)知識(shí)知道,磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子將受到力 Fm 的作用,其大小為 evB,其中 e 為電子的電量,v 為電子在垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 方向的運(yùn)動(dòng)速度,且v、B、Fm 三者的方向遵循右手定則。據(jù)此可知,電子將因受到力Fm 的作用而向 CCDD面偏轉(zhuǎn),從而造成該面上電子的堆積,而與其相對(duì)的 AABB 面上則引起空穴的堆積。電荷堆積的結(jié)果就是在 AABB/CCDD 兩個(gè)面之間建立起一個(gè)橫向的靜電場(chǎng) E。該靜電場(chǎng) E 對(duì)其中的電子又會(huì)產(chǎn)生電荷力 Fe,其大小為 eE,其方向朝向 AABB 面。這樣,電子將受到 Fm 和 Fe 兩個(gè)力的共同作用。剛開始 Fe2?;魻栯姌O
11、 B、D 的大小及其相對(duì)位置對(duì)霍爾電勢(shì)的影響如圖 5.3 所示。理想情況下,霍爾電極 A 對(duì)應(yīng)的等電位點(diǎn)在 A,當(dāng)外磁場(chǎng) B=0 時(shí),VH=VAA=0。但實(shí)際上,因?yàn)椋珹的等電位點(diǎn)不在A,而在A,此時(shí)即使外磁場(chǎng) B=0,也會(huì)有 VH=VAA0。為了減小霍爾電極大小及其相對(duì)位置的影響,通常取霍爾電極的寬度尺寸小于霍爾元件長(zhǎng)度尺寸的 1/10。LAA/A/圖 5.3 非理想等位線對(duì)霍爾元件輸出的影響制作霍爾元件的主要材料有 GaAs(砷化鎵)、InSb(銻化銦)、Si(硅)等。其中,前兩種最常用,Si 主要用于霍爾器件與放大器電路封裝在一起的霍爾集成電路。GaAs 和 InSb霍爾器件的對(duì)比如下表
12、 5.1 所示。不同封裝形式的霍爾器件外形如圖 5.4 所示。表 5.1GaAs 和 InSb 霍爾元件的性能對(duì)比(a)直插型封裝(b)貼片型封裝圖 5.4 不同封裝形式的霍爾器件外形5.1.5 霍爾集成電路霍爾集成電路是指不僅包含霍爾元件,還包含有運(yùn)放等電路的 IC 器件,它包括線性型霍爾集成電路與開關(guān)型集成電路兩大類,如表 5.2 所示。表 5.2 霍爾集成電路的分類及特點(diǎn)線性型霍爾集成電路開關(guān)型霍爾集成電路GaAsInSb霍爾電壓VH較小較大靈敏度溫度系數(shù)小較大VH 對(duì) B 線性度好稍差高頻特性好稍差5.1.6 霍爾式磁敏傳感器的應(yīng)用由霍爾效應(yīng)的基本關(guān)系式 5.13 可知,霍爾電壓 VH
13、 與輸入控制電流 Ic 以及磁感應(yīng)強(qiáng)度 B均為線性關(guān)系。因此,可保持 Ic 不變通過(guò)測(cè)量 VH 來(lái)得到 B,也可保持 B 不變通過(guò)測(cè)量 VH 來(lái)得到 Ic,還可測(cè)量 VH 直接得到 Ic 和 B 的乘積,這樣就可以得到各種類型的基于霍爾效應(yīng)的傳感器?;魻栐捎糜诮恢绷麟妷骸㈦娏?、功率以及功率因數(shù)的測(cè)量,還可用于磁場(chǎng)、線圈匝數(shù)、磁性材料矯頑力的測(cè)量。除此之外,還可利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量速度、里程、圈數(shù)、流速、位移、鍍層及工件厚度等,下面給出幾個(gè)相應(yīng)的例子。(1)霍爾元件用于功率的測(cè)量假設(shè)霍爾器件的控制電流 Ic 與負(fù)荷電壓V 成正比,即:V k1Ic(5.25)故有: VI(5.26)ck1若用負(fù)
14、荷電流 I 來(lái)產(chǎn)生相應(yīng)的磁場(chǎng) B,即:B k2I將上述 Ic 和 B 的表達(dá)式代入霍爾效應(yīng)的基本公式(5.13):(5.27)VH KH Ic B(5.13):V K V k I KH k2 VI k P(5.28)HH2kk11K k式中k H 2,而 K ,k ,k一般情況下都是常數(shù),故 k 也是常數(shù),由此可知,只要測(cè)出H12k1了霍爾電壓 VH,就可以得到功率 P。對(duì)于上述功率測(cè)量方法,可參考圖 5.7 電路將負(fù)荷電壓接入霍爾元件的控制端,而負(fù)荷內(nèi)部結(jié)構(gòu)+E線性霍爾集成元件穩(wěn)壓調(diào)整電路霍爾元件+-+ERL霍爾元件+-觸發(fā)器VT U0特點(diǎn)精度高;霍爾電壓隨外磁場(chǎng) B 變化線性度好。輸出隨外
15、磁場(chǎng) B 呈開關(guān)變化;有單穩(wěn)態(tài)和雙穩(wěn)態(tài)兩種形式;無(wú)觸點(diǎn)。電流則通過(guò)一種稱之為霍爾變流器(或稱霍爾 CT,Current Transformer)的器件變換為相應(yīng)的磁場(chǎng),霍爾變流器的原理如圖 5.9 所示。+UH鐵心-負(fù)荷電流I1霍爾元件B1控制電流Ic圖 5.9 霍爾變流器原理圖(2)霍爾元件用于磁場(chǎng)的測(cè)量以及鐵磁物體的探測(cè)圖 5.10 所示為霍爾元件用于磁場(chǎng)測(cè)量的電路原理框圖。它是在保持控制電流 IC 不變的情況下,通過(guò)測(cè)量霍爾電壓 VH 來(lái)得到被測(cè)磁場(chǎng)的。待測(cè)磁場(chǎng)圖 5.10 霍爾磁場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)原理框圖圖 5.10 中恒流驅(qū)動(dòng)電路、三運(yùn)放數(shù)據(jù)放大器的設(shè)計(jì)可分別參考圖 5.7 和圖 5.8。圖
16、 5.11 所示為磁性物體探測(cè)電路原理框圖。當(dāng)磁性物體靠近霍爾元件時(shí),會(huì)引起霍爾元件感磁面的磁場(chǎng)發(fā)生變化,從而引起其輸出的霍爾電壓發(fā)生變化。當(dāng)該電壓大于所設(shè)定的閾值電平時(shí),電平比較電路就會(huì)輸出一(或低電平),使得后級(jí)信號(hào)輸出電路產(chǎn)生輸出信號(hào)。該電路適宜用作諸如檢測(cè)馬達(dá)轉(zhuǎn)速之類的霍爾元件接口電路。圖 5.11 磁性物體探測(cè)電路原理框圖(3)霍爾元件用于微位移的測(cè)量電源永磁鐵信號(hào)輸出電平比較電壓放大霍爾元件恒流驅(qū)動(dòng)電路鐵磁物體電源模塊顯示電路三運(yùn)放數(shù)據(jù)放大器霍爾元件恒流驅(qū)動(dòng)電路一般是將霍爾元件固定在被測(cè)的移動(dòng)物體上,并置于梯度為 a 的均勻磁場(chǎng)中。假定霍爾元件控制電流 Ic 保持不變,且磁感應(yīng)強(qiáng)度
17、 B 的梯度方向與物件基本表達(dá)式 VH KH IC B 兩邊對(duì) x 求導(dǎo),得:移方向 x 一致。將霍爾元dVH (K I ) dB K Ia KH ,IC ,a均為常數(shù) dVH const(5.29)H CH Cdxdxdx兩邊對(duì) x 積分,:VH const x(5.30)由式 5.30 可知,當(dāng)霍爾元件在以均勻梯度變化的磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),其輸出電壓 VH 與霍爾元件在磁場(chǎng)中的位移量成正比,故只要測(cè)出霍爾電壓,就可以得到相應(yīng)的位移。圖 5.12 是將霍爾元件用于物移測(cè)量的原理圖。該電路霍爾輸出電壓 VH 與物移 x 有良好的線性關(guān)系,適合于測(cè)量 0 到 1mm 的位移?;魻栯妷篤H測(cè)量及顯示電路
18、霍爾元件IHIHNS霍爾元件的恒流源驅(qū)動(dòng)電路1mm1mm被測(cè)的移動(dòng)物體圖 5.12 霍爾元件物移測(cè)量原理(4)霍爾轉(zhuǎn)速傳感器通常將永磁鐵固定在被測(cè)旋轉(zhuǎn)體上,當(dāng)它轉(zhuǎn)動(dòng)到與霍爾器件正對(duì)位置時(shí),輸出的霍爾電壓最高。根據(jù)這個(gè)原理,通過(guò)電子線路計(jì)出每分鐘霍爾器件輸出高脈沖的個(gè)數(shù),即到被測(cè)旋轉(zhuǎn)體的轉(zhuǎn)速。在被測(cè)旋轉(zhuǎn)體上所安裝的磁鐵個(gè)數(shù)越多,轉(zhuǎn)速測(cè)量的分辨率就越高。電源-信號(hào)處理-顯示電路開關(guān)霍爾元件固定架B永磁鐵圖 5.13 霍爾轉(zhuǎn)速傳感器用于測(cè)量車輪的轉(zhuǎn)速圖 5.13 示出了霍爾轉(zhuǎn)速傳感器用于測(cè)量車輪轉(zhuǎn)速的工作原理。圖中所示是在轉(zhuǎn)動(dòng)體(車輪)上安裝單個(gè)磁鐵的形式,轉(zhuǎn)速 n 就是 VH 的頻率乘以 60;若
19、安裝有多個(gè)磁鐵,那么轉(zhuǎn)速 n 就是 VH 的頻率除以永磁鐵的個(gè)數(shù)再乘以 60。SN加速度傳感器圖 3-1 加速度傳感器的力學(xué)模型以圖 3-23(b)加速度傳感器為例,并把它簡(jiǎn)化成如圖 3-24 所示的“mkc”力學(xué)模型。其中:k 為壓電器件的彈性系數(shù),被測(cè)加速度a x 為輸人。設(shè)質(zhì)量塊 m 的絕對(duì)位移為 xa,質(zhì)量塊對(duì)殼體的相對(duì)位移 yxax 為傳感器的輸出。由此列出質(zhì)量塊的動(dòng)力學(xué)方程m xa c(xa x) k(xa x) 0(3. 1)或整理成m y c y ky ma m x(3. 2)這是一典型的二階系統(tǒng)方程,其對(duì)位移響應(yīng)的傳遞函數(shù)、幅頻和相頻特性,可參閱概論篇“傳感器典型環(huán)節(jié)的動(dòng)態(tài)響
20、應(yīng)”內(nèi)容描述。幅頻特性為yxKA() (3. 3)x1 ( / )2 2 2 ( / )2nn在此式中, k / m ; c /2 km ;而 K 則為靜態(tài)靈敏度,等于靜態(tài)輸出與輸人之比;由靜態(tài)時(shí)方程 kyma 得ya m 1K (3. 4)k2n代入式(3.33)系統(tǒng)對(duì)加速度響應(yīng)的幅頻特性1/ 2ya1nA()a n A(n )(3. 5)21 ( / )2 2 2 ( / )2nn式中A(n) 1/ 1 ( / n)2 2 2 ( / n)2為表征二階系統(tǒng)固有特性的幅頻特性。由于質(zhì)量塊相對(duì)振動(dòng)體的位移 y 即器件受慣性力 F 作用后產(chǎn)生的變形,在其線性彈性范圍內(nèi)有 Fky。圖 3-2 壓電
21、加速度傳感器的幅頻特性ADXL202 是一種低成本、低功耗、功能完善的雙軸加速度傳感器。它以多晶硅為表面的微機(jī)電傳感器和信號(hào)控制環(huán)路進(jìn)行開環(huán)測(cè)量,測(cè)量結(jié)果直接以模擬信號(hào)形式或者將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈寬占空比的數(shù)字信號(hào)輸出。ADXL202 可測(cè)量正負(fù)加速度,其最大測(cè)量范圍為2 g. ADXL202 可測(cè)量靜態(tài)加速度,也可用作斜度測(cè)量。M1221/1210 單軸 MEMS 加速度計(jì)AT201-SVB-1700S 是一款傾角測(cè)量的 PCB 板,05V 模擬電壓正弦輸出,無(wú)外殼包裝,易嵌入到用戶系統(tǒng)中去。主要特征:雙軸傾角測(cè)量(X 軸和 Y 軸)可靠測(cè)量范圍:15分辨率小于 0.01,精度 0.03單 P
22、CB 板,易嵌入到用戶電路系統(tǒng)中去單電源供電,模擬信號(hào)輸出內(nèi)置溫度傳感器(數(shù)字 SPI 輸出)抗振 20,000g店標(biāo)電子所有分類首頁(yè)動(dòng)態(tài)MPU-6050 模塊 3 三軸陀螺儀+3 三軸加速度傳感器 6 軸姿態(tài)傾斜度模塊中心此商品商品演示購(gòu)物安全防騙消費(fèi)質(zhì)量?jī)r(jià)格: 17.00點(diǎn)此展開/折疊側(cè)欄寶貝詳情 評(píng)價(jià)詳情(136) 成交名稱:MPU-6050 模塊(三軸陀螺儀 + 三軸加速度)(237 件)使用:MPU-6050供電電源:3-5v(低壓差穩(wěn)壓)通信方式:標(biāo)準(zhǔn) IIC 通信協(xié)議內(nèi)置 16bit AD 轉(zhuǎn)換器,16 位數(shù)據(jù)輸出陀螺儀范圍:250 500 1000 2000/s加速度范圍:24
23、816g采用沉金 PCB,機(jī)器焊接工藝保證質(zhì)量引腳間距 2.54mm提供原理圖,相關(guān)及參考文檔MPU-6000 為全球首例整合性 6 軸運(yùn)動(dòng)處理組件,相較于多組件方案,免除了組合陀螺儀與時(shí)之軸間差,減少了大量的包裝空間。MPU-6000整合、 sor)了 3 軸陀螺儀、3 軸,并含可藉由第二個(gè) I2C 端口連接其他廠牌之磁力傳感器、或其他傳感器的數(shù)位運(yùn)動(dòng)處理(DMP: Digital Motion Pro硬件加速引擎,由主要 I2C 端口以單一數(shù)據(jù)流的形式,向應(yīng)用端輸出完整的 9軸融合演算技術(shù)InvenSense 的運(yùn)動(dòng)處理資料庫(kù),可處理運(yùn)動(dòng)感測(cè)的復(fù)雜數(shù)據(jù),降低了運(yùn)動(dòng)處理運(yùn)算對(duì)操作系統(tǒng)的負(fù)荷,
24、并為應(yīng)用開發(fā)提供架構(gòu)化的 API。MPU-6000 的角速度全格感測(cè)范圍為250、500、1000 與2000/sec (dps),可準(zhǔn)確追緃快速與慢速動(dòng)作,并且,用戶可程式控制的全格感測(cè)范圍為2g、4g8g 與16g。產(chǎn)品傳輸可透過(guò)最高至 400kHz 的 I2C 或最高達(dá) 20MHz的 SPI。MPU-6000 可在不壓下工作,VDD 供電電壓介為 2.5V5%、3.0V5%或 3.3V5%,邏輯接口 VVDIO 供電為 1.8V 5%。MPU-6000 的包裝尺寸 4x4x0.9mm(QFN),在業(yè)界是性的尺寸。其他的特征包含內(nèi)建的溫度感測(cè)器、包含在環(huán)境中僅有1%變動(dòng)的振蕩器。應(yīng)用運(yùn)動(dòng)感
25、測(cè)現(xiàn)實(shí)增強(qiáng)電子穩(wěn)像 (EIS: Electronic Image Stabilization)光學(xué)穩(wěn)像(OIS: Optical Image Stabilization)行人導(dǎo)航器“零觸控”手勢(shì)用戶接口快捷方式認(rèn)證市場(chǎng)智能型平板裝置設(shè)備手持型?蝸坊?3D產(chǎn)品可攜式導(dǎo)航設(shè)備特征以數(shù)字輸出 6 軸或 9 軸的旋轉(zhuǎn)矩陣、四元數(shù)(quaternion)、歐拉角格式(Euler Angle forma)的融合演算數(shù)據(jù)。具有 131 LSBs/sec 敏感度與全格感測(cè)范圍為250、500、1000 與 2000/sec 的 3 軸角速度感測(cè)器(陀螺儀)。可程式控制,且程式控制范圍為2g、4g、8g 和16
26、g 的 3 軸。移除與陀螺儀軸間敏感度,降低設(shè)定給予的影響與感測(cè)器的飄移。數(shù)字運(yùn)動(dòng)處理(DMP: Digital Motion Prosing)引擎可減少?gòu)?fù)雜的融合演算數(shù)據(jù)、感測(cè)器同步化、感應(yīng)等的負(fù)荷。運(yùn)動(dòng)處理數(shù)據(jù)庫(kù)支持 Android、Linux 與 Windows內(nèi)建之的需求。時(shí)間偏差與磁力感測(cè)器校正演算技術(shù),免除了客戶須另行校正以數(shù)位輸出的溫度傳感器以數(shù)位輸入的同步引腳(Sync pin)支援電子影相穩(wěn)定技術(shù)與 GPS可程式控制的中斷(errupt)支援識(shí)別、搖攝、畫面放大縮小、滾動(dòng)、快速下降中斷、high-G 中斷、零動(dòng)作感應(yīng)、觸擊感應(yīng)、搖動(dòng)感應(yīng)功能。VDD 供電電壓為 2.5V5%、
27、3.0V5%、3.3V5%;VDDIO 為 1.8V 5%陀螺儀電流:5mA,陀螺儀待命電流:5A;電流:350A,加速器省電模式電流: 20A10Hz高達(dá) 400kHz 快速模式的 I2C,或最高至 20MHz 的 SPI 串行主機(jī)接口(serial host erface)內(nèi)建頻率產(chǎn)生器在所有溫度范圍(full temperature range)僅有1%頻率變化。使用者親自測(cè)試10,000 g 碰撞度為可攜式產(chǎn)品量身訂作的最小最薄包裝符合 RoHS 及環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)(4x4x0.9mmQFN)MPU-6050 模塊 3 三軸陀螺儀+3 三軸加速度傳感器 6 軸姿態(tài)傾斜度模塊淘寶電子元 17 元
28、最近銷量 69 件GY-52 MPU-6050 模塊 3 三軸陀螺儀加速度傳感器 6 軸姿態(tài)傾斜度模塊天貓 創(chuàng)聯(lián)發(fā)數(shù)碼 54 元最近銷量 7 件MMA7361 角度傳感器 傾角傳感器 加速度模塊 替代 MMA7260淘寶 重慶育松電 10.80 元最近銷量 55 件新款 MMA7455 角度傳感器模塊淘寶 重慶育松電 11.50 元最近銷量 15 件三軸數(shù)字加速度傳感器模塊【野火】MMA7455重力傳感器數(shù)字三軸加速度計(jì)角度計(jì)stm32淘寶 野火 stm28 元最近銷量 129 件GY-85 九軸度 IMU 傳感器 9 軸 三軸陀螺儀+三軸加速度+三軸磁場(chǎng)天貓 創(chuàng)聯(lián)發(fā)數(shù)碼 85 元最近銷量 1
29、4 件Realplay MMA7361 角度傳感器天貓 創(chuàng)聯(lián)發(fā)數(shù)碼 21 元最近銷量 6 件傾角傳感器 加速度模塊 替 MMA72602 軸ENC-03 陀螺儀+3 軸模擬加速度傳感器 MMA7361淘寶 landz105 元最近銷量 21 件WaveShare LSM303DLHC天貓 大菠蘿數(shù)碼 38 元最近銷量 3 件三軸 磁力計(jì) 加速度模塊 加速度傳感器模塊新款 ADXL345 IIC /SPI 數(shù)字式 傾角傳感器 加速度模塊淘寶 重慶育松電 11 元最近銷量 29 件奮斗 STM32 開發(fā)板配套-加速度傳感器 MMA7455L 模塊-ucos/ucgui 例程淘寶 sun6840 元
30、最近銷量 32 件ADXL345BCCZ 數(shù)字加速度傳感器 原裝進(jìn)口 假一罰百淘寶 中發(fā)電子元 3.60 元最近銷量 12 件MMA7361LC 三軸加速度傳感器模塊(可替代 MMA7260)傾斜角傳感器模塊淘寶電子元 19 元最近銷量 6 件C62025M 雙軸加速度傳感器 MEMSIC C62025M 電子元件淘寶 廣西民族學(xué) 5 元最近銷量 4 件MMA7361 傾角傳感器 加速度模塊(取代 MMA7260 加速度模塊)淘寶 信德電子 11 元最近銷量 17 件關(guān)鍵|MMA7361LR1 MMA7361 LGA-14天貓 繼盛達(dá)數(shù)碼 15.45 元最近銷量 1 件數(shù)字加速度傳感器【正品特
31、價(jià)】MPU-6050 模塊 三軸加速度傳感器淘寶 厚德芯電子 15 元最近銷量 35 件陀螺儀 6DOF 模塊 MPU 6050 送排針飛思淘寶MMA7455 三軸數(shù)字加速度傳感器模塊電子元 12 元傾角傳感器I2C/SPI最近銷量 5 件【CJMCU】9 軸模塊 MPU9150淘寶 長(zhǎng)江智動(dòng)科 128 元最近銷量 13 件三軸加速度 指南針 陀螺儀 姿態(tài)傳感器LSM303DLH 三軸電子羅盤加速度模塊淘寶 重慶育松電 65 元最近銷量 11 件電子指南針傳感器MMA7660 MMA7660FCR1淘寶 中發(fā)電子元 3 元最近銷量 5 件三軸加速度傳感器關(guān)鍵|MMA7361 角度傳感器天貓 繼盛達(dá)數(shù)碼 24 元最近銷量 4 件傾角傳感器 加速度模塊 替代 MMA7260MMA7455 加速度 角度傳感器模塊淘寶 信德電子 12 元最近銷量 11 件數(shù)字輸出支持SPI II
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