透射電子顯微鏡及其應(yīng)用講課講稿

1、透射電子顯微鏡及其應(yīng)用精品文檔收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除透射電子顯微鏡及其應(yīng)用讀書報告姓名：孫家寶學(xué)號：DG1022076電子科學(xué)與工程學(xué)院2020年5月7日目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark6 o Current Document 第一章透射電子顯微鏡1 HYPERLINK l bookmark8 o Current Document 透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu) 1電子光學(xué)部分 2真空系統(tǒng)4供電控制系統(tǒng) 4 HYPERLINK l bookmark12 o Current Document 透射電子顯微鏡主要的性能參數(shù) 4分辨率4放大倍數(shù)5力口速電

2、壓6 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 透射電鏡的成像原理 6透射電鏡的成像方式 6襯度理論7 HYPERLINK l bookmark16 o Current Document 透射電鏡的電子衍射花樣 7電子衍射花樣 7電子衍射與 X射線衍射相比的優(yōu)點 8電子衍射與 X射線衍射相比的不足之處 8選區(qū)電子衍射 8常見的幾種衍射圖譜 10單晶電子衍射花樣的標定 10 HYPERLINK l bookmark18 o Current Document 第二章透射電子顯微鏡分析樣品制備 12 HYPERLINK l bookmark20 o Curr

3、ent Document 透射電鏡復(fù)型技術(shù)（間接樣品） 12塑料一一碳二級復(fù)型 12萃取復(fù)型（半直接樣品） 13 HYPERLINK l bookmark22 o Current Document 金屬薄膜樣品的制備 13 HYPERLINK l bookmark26 o Current Document 電子顯微鏡中的電光學(xué)問題 15電子射線（束）的特性 16第一章透射電子顯微鏡透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)透射電子顯微鏡(TEM)是觀察和分析材料的形貌、組織和結(jié)構(gòu)的有效工具。TEM用聚焦電子束作照明源，使用對電子束透明的薄膜試樣，以透過試樣的透射電子束或衍射電子束所形成的圖像來分析試樣內(nèi)部的顯微組織

4、結(jié)構(gòu)。圖 1.1 (a) (b)是兩種典型的透射電鏡的實物照片。透射電子顯微鏡的光路原理圖如圖1.2所示。(a) Philips CM12 透射電鏡(b) JEM-2010透射電鏡圖1.1透射電子顯微鏡像統(tǒng)察記系成系觀和求統(tǒng)闋F-1圈曷j禺IBIS1舅二，圖1.3透射電鏡電子光學(xué)部分示意圖圖1.2透射電子顯微鏡的光路原透射電鏡一般是由電子光學(xué)部分、真空系統(tǒng)和供電系統(tǒng)三大部分組成。電子光學(xué)部分整個電子光學(xué)部分完全置于鏡筒之內(nèi)，自上而下順序排列著電子槍、聚光鏡、樣 品室、物鏡、中間鏡、投影鏡、觀察室、熒光屏、照相機構(gòu)等裝置。根據(jù)這些裝置的 功能不同又可將電子光學(xué)部分分為照明系統(tǒng)、樣品室、成像系統(tǒng)及

5、圖像觀察和記錄系 統(tǒng)。圖1.3為透射電子顯微鏡電子光學(xué)部分示意圖。1照明系統(tǒng)照明系統(tǒng)由電子槍、聚光鏡和相應(yīng)的平移對中及傾斜調(diào)節(jié)裝置組成。它的作 用：是為成像系統(tǒng)提供一束亮度高、相干性好的照明光源。為滿足暗場成像的需要照 明電子束可在2-3度范圍內(nèi)傾斜。電子槍。它由陰極、柵極和陽極構(gòu)成。在真空中通電加熱后使從陰極發(fā)射的電子獲得較高的動能形成定向高速電子流。聚光鏡。聚光鏡的作用是會聚從電子槍發(fā)射出來的電子束，控制照明孔徑角、 電流密度和光斑尺寸。2樣品室樣品室中有樣品桿、樣品杯及樣品臺。其位于照明部分和物鏡之間，它的主要作用是通過試樣臺承載試樣，移動試樣。3成像系統(tǒng)一般由物鏡、中間鏡和投影鏡組成。

6、中間鏡和投影鏡的作用是將來自物鏡的圖像進 一步放大。成像系統(tǒng)補充說明：a）由物鏡、中間鏡（1、2個）和投影鏡（1、2個）組成。b）成像系統(tǒng)的兩個基本操作是將衍射花樣或圖像投影到熒光屏上。c）通過調(diào)整中間鏡的透鏡電流，使中間鏡的物平面與物鏡的背焦面重合，可在熒 光屏上得到衍射花樣。d）若使中間鏡的物平面與物鏡的像平面重合則得到顯微像。圖1.5透射電鏡成像系統(tǒng)的兩種基本操作：（a）將衍射譜投影到熒光屏；（b）將顯微4圖像觀察與記錄系統(tǒng)該系統(tǒng)由熒光屏、照相機、數(shù)據(jù)顯示等組成.在分析電鏡中，還有探測器和電子能 量分析等附件，見圖1.6圖1.6透射電鏡圖像觀察與記錄系統(tǒng)示1.12真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)由機械泵

7、、油擴散泵、換向閥門、真空測量儀泵及真空管道組成。它的作用是排除鏡筒內(nèi)氣體，使鏡筒真空度至少要在10-3 pa以上。如果真空度低的話，電子與氣體分子之間的碰撞引起散射而影響襯度，還會使電子?xùn)艠O與陽極間高壓電離導(dǎo) 致極間放電，殘余的氣體還會腐蝕燈絲，污染樣品 1.1.3,供電控制系統(tǒng)加速電壓和透鏡磁電流不穩(wěn)定將會產(chǎn)生嚴重的色差及降低電鏡的分辨本領(lǐng)，所以 加速電壓和透鏡電流的穩(wěn)定度是衡量電鏡性能好壞的一個重要標準。透射電鏡的電路主要由高壓直流電源、透鏡勵磁電源、偏轉(zhuǎn)器線圈電源、電子槍 燈絲加熱電源，以及真空系統(tǒng)控制電路、真空泵電源、照相驅(qū)動裝置及自動曝光電路 等部分組成。另外，許多高性能的電鏡上還

8、裝備有掃描附件、能譜議、電子能量損失 譜等儀器。透射電子顯微鏡主要的性能參數(shù)分辨率分辨率是TEM的最主要性能指標，表征電鏡顯示亞顯微組織、結(jié)構(gòu)細節(jié)的能力 透射電鏡的分辨率分為點分辨率和線分辨率兩種。點分辨率能分辨兩點之間的最短距 離，線分辨率能分辨兩條線之間的最短距離，通過拍攝已知晶體的晶格象測定，又稱晶格分辨率。透射電鏡點分辨率和線分辨率照片如圖1.7所示（a）點分辨率（硅蒸鍍（b）線分辨率（金）圖1.7測量透射電鏡分辨率的照放大倍數(shù)透射電鏡的放大倍數(shù)是指電子圖像對于所觀察試樣區(qū)的線性放大率。目前高性能TEM的放大倍數(shù)范圍為80100萬倍。不僅考慮最高和最低放大倍數(shù)，還要考慮是否 覆蓋低倍到

9、高倍的整個范圍。將儀器的最小可分辨距離放大到人眼可分辨距離所需的 放大倍數(shù)稱為有效放大倍數(shù)。一般儀器的最大倍數(shù)稍大于有效放大倍數(shù)。透射電鏡的 放大倍數(shù)可用下面的公式來表示：2M總=乂物M中乂投=人1中一 B其中M為放大倍數(shù)，A、B為常數(shù)，I中為中間鏡激磁電流，單位為 mA。以下是對透射電鏡放大倍率的幾點說明：a）人眼分辨本領(lǐng)約0.2mm,光學(xué)顯微鏡約0.2叩。b）把0.2叩 放大到0.2mm的M是1000倍，是有效放大倍數(shù)。精品文檔c）光學(xué)顯微鏡分辨率在0.2叩時，有效M是1000倍。d）光學(xué)顯微鏡的M可以做的更高，但高出部分對提高分辨率沒有貢獻，僅是讓人 眼觀察舒服。加速電壓加速電壓是指電子

10、槍陽極相對于陰極燈絲的電壓，決定了發(fā)射的電子的波長入。電 壓越高，電子束對樣品的穿透能力越強（厚試樣）、分辨率越高、對試樣的輻射損傷 越小。普通TEM的最高V一般為100kV和200kV,通常所說的V是指可達到的最高 加速電壓。高分辨透射電子顯微鏡。透射電鏡的成像原理透射電鏡的成像方式透射電鏡的成像方式主要有兩種，一種明場像，一種暗場像。明場像為直射電子所成的像，圖像清晰。暗場像為散射電子所成的像，圖像有畸變，且分辨率低。中心暗 場像為入射電子束對試樣的傾斜照射得到的暗場像，圖像不畸變且分辨率高。成像電 子的選擇是通過在物鏡的背焦面上插入物鏡光闌來實現(xiàn)的。圖1.8為雙光束衍射條件下的衍襯成像方

11、法。圖1,8雙光束衍射條件下的衍襯成像方法 （叫J躅熏南榭彘珠聯(lián)系管理馬森朗場成像 （c）暗場成像（d）中心暗場成像襯度理論襯度的定義為顯微圖像中不同區(qū)域的明暗差別。分為質(zhì)厚襯度和衍射襯度兩種。1質(zhì)厚襯度質(zhì)厚襯度是非晶體樣品襯度的主要來源。樣品不同微區(qū)存在原子序數(shù)和厚度的差 異形成的。來源于電子的非相干散射，Z越高，產(chǎn)生散射的比例越大；d增加，將發(fā)生 更多的散射。不同微區(qū)Z和d的差異，使進入物鏡光闌并聚焦于像平面的散射電子I有差別，形成像的襯度。Z較高、樣品較厚區(qū)域在屏上顯示為較暗區(qū)域。圖像上的襯度 變化反映了樣品相應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)和厚度的變化。質(zhì)厚襯度受物鏡光闌孔徑和加速 V的影響。選擇大孔

12、徑（較多散射電子參與成像），圖像亮度增加，散射與非散射區(qū) 域間的襯度降低。選擇低電壓（較多電子散射到光闌孔徑外），襯度提高，亮度降 低。支持膜法和萃取復(fù)型，質(zhì)厚襯度圖像比較直觀。2衍射襯度衍射襯度是來源于晶體試樣各部分滿足布拉格反射條件不同和結(jié)構(gòu)振幅的差異。例 如電壓一定時，入射束強度是一定的，假為 L,衍射束強度為ID。在忽略吸收的情況 下，透射束為L-IDo這樣如果只讓透射束通過物鏡光闌成像，那么就會由于樣品中各 晶面或強衍射或弱衍射或不衍射，導(dǎo)致透射束相應(yīng)強度的變化，從而在熒光屏上形成 襯度。形成襯度的過程中，起決定作用的是晶體對電子束的衍射。這就是衍射襯度的 由來。透射電鏡的電子衍射花

13、樣電子衍射花樣精品文檔收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除電鏡中的電子衍射，其衍射幾何與X射線完全相同，都遵循布2d Sin 2拉 格 方程所規(guī)定的衍射條件和幾何關(guān)系。衍射方向可以由厄瓦爾德球（反射球）作圖求出。電子衍射與X射線衍射相比的優(yōu)點電子衍射能在同一試樣上將形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析結(jié)合起來。電子波長短，單晶的 電子衍射花樣如晶體的倒易點陣的一個二維截面在底片上放大投影，從底片上的電子 衍射花樣可以直觀地辨認出一些晶體的結(jié)構(gòu)和有關(guān)取向關(guān)系，使晶體結(jié)構(gòu)的研究比X射線簡單。物質(zhì)對電子散射主要是核散射，因此散射強，約為X射線一萬倍，曝光時問短。電子衍射與X射線衍射相比的不足之處電子衍射強度有時幾乎與

14、透射束相當，以致兩者產(chǎn)生交互作用，使電子衍射花 樣，特別是強度分析變得復(fù)雜，不能象 X射線那樣從測量衍射強度來廣泛的測定結(jié) 構(gòu)。止匕外，散射強度高導(dǎo)致電子透射能力有限，要求試樣薄，這就使試樣制備工作較 X射線復(fù)雜；在精度方面也遠比X射線低。選區(qū)電子衍射獲取衍射花樣可通過光闌選區(qū)衍射來實現(xiàn)。光闌選區(qū)衍射是是通過物鏡象平面上插入選區(qū)光闌限制參加成象和衍射的區(qū)域來實現(xiàn)的。另外，電鏡的一個特點就是能夠做到選區(qū)衍射和選區(qū)成象白必 演圖1.10選區(qū)成像與選區(qū)衍射示意圖圖1.11 (a)選區(qū)形貌；(b)選區(qū)衍射斑為了盡可能減小選區(qū)誤差，選區(qū)衍射應(yīng)遵循如下操作步驟：1插入選區(qū)光闌，套住欲分析的物相，調(diào)整中間鏡

15、電流使選區(qū)光闌邊緣清晰，止匕時選區(qū)光闌平面與中間鏡物平面重合；2調(diào)整物鏡電流，使選區(qū)內(nèi)物象清晰，此時樣品的一次象正好落在選區(qū)光闌平面上，即物鏡象平面，中間鏡物面，光闌面三面重合；3減弱中間鏡電流，使中間鏡物平面移到物鏡背焦面，熒光屏上可觀察到放大的電 子衍射花樣4用中間鏡旋鈕調(diào)節(jié)中間鏡電流，使中心斑最小最圓，其余斑點明銳，此時中間鏡 物面與物鏡背焦面相重合。5減弱第二聚光鏡電流，使投影到樣品上 的入射束近似平行束，攝照。常見的幾種衍射圖譜圖1.12 （a）單晶電子彳方射譜；（b）多晶電子圖1.13 （a）、（b）、（c）復(fù)雜電子衍射單晶電子衍射花樣的標定圖1.14所示為某有色材料基體的單晶電子

16、衍射花樣。標定指數(shù)?；又笖?shù)標定步驟如下：JIli 111 220042圖1.14單晶電子衍射花樣1 選靠近中心的斑點 A、B、C、D,測得 Ra = 7mm, Rb = 14mm, Rc= 13.5mm, Rd=18.5mm, /AOB=90 ,Rb /Ra = 1.628。2查JN比值表，（Ra : Rb： Rc ：=河:河:風:），找到與1.628相近的值是 R420 /R311 1.6237, R220/R111 1.6329。3查立方晶系晶面夾角表（該表列出以八水人與h2k2I2為指數(shù)的兩個立方晶系兩個晶面族內(nèi)任意兩組晶面之間所有可能的夾角值），得：220 111 35.26 ,90

17、520 311 17.86 ,43.29 ,51.98 ,66.93 ,80.33 ,86.79432 311 17.86 ,32.88 ,43.29 ,51.98 ,66.93 ,73.74 ,80.33 ,86.79 。4核對夾角，試標指數(shù)，核對 220 111 90 mN比值：與測得的90相符，選A為111、B為220,任取A為（111）,嘗試 90B為（ 220）,將其帶入晶面夾角公式得與實測相符，說明試標指數(shù)正確。若不符，應(yīng)予否定，重新試標指數(shù)。計算 Ra/Rb = Nb / Na = 8/ 3=1.6330,與實測相符。5按矢量運算法則求得其他斑點指數(shù)：得 C斑指數(shù)（3彳1） ,

18、D斑指數(shù)（ 402）。必要時計算/ AOC、/AOD并與實測值核對。6 求晶帶軸uvw : B = gi Xg2 = uvw = h1k111 x h2k2l2 = 220 x=T12第二章透射電子顯微鏡分析樣品制備透射電鏡復(fù)型技術(shù)（間接樣品）對復(fù)型材料的主要要求：復(fù)型材料本身必須是無結(jié)構(gòu)”或非晶態(tài)的；有足夠的強度和剛度，良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和耐電子束轟擊性能。復(fù)型材料的分子尺寸應(yīng)盡 量小，以利于提高復(fù)型的分辨率，更深入地揭示表面形貌的細節(jié)特征。常用的復(fù)型材 料是非晶碳膜和各種塑料薄膜。塑料一一碳二級復(fù)型塑料一碳二級復(fù)型由于其制備過程不損壞金相試樣表面，重復(fù)性好，供觀察的第 二級復(fù)型一碳膜導(dǎo)電導(dǎo)熱

19、性好，在電子束照射下較為穩(wěn)定，因而得到廣泛的應(yīng)用。具石一纏復(fù)理KA.C ift、襯蛾片 討叼城 峨睢片圖2.1塑料-碳二級復(fù)型制備過程示意1在樣品表面滴一滴丙酮，然啟貼上一片與樣品大小相近的 AC紙（6%醋酸纖維素 丙酮溶液薄膜）。注意不要留下氣泡或皺折.待 AC紙干透后小心揭下。反復(fù)貼 AC紙 3-4次以去除腐蝕產(chǎn)物，將最后一片 AC紙留下，這片AC紙就是所需要的塑料一級復(fù) 型；2將AC紙復(fù)型面朝上平整地貼在襯有紙片的膠帶紙上；3將復(fù)型放人真空鍍膜機真空室中，使投影重金屬的蒸發(fā)源與復(fù)型成一定角度，角 度視表面凸凹而定，通常在15 45度之間。常投影后再沿垂直方向噴鍍一層碳.當 無油處白色瓷片

20、變成淺褐色時為宜；4將醋酸纖維一碳復(fù)合膜剪成小于中 3mm小片投入丙酮中，待醋酸纖維素溶解 后，用銀子夾住銅網(wǎng)將碳膜撈起.如果碳膜卷曲，可將其撈人蒸儲水中，靠水的表面 聲力把卷負的碳膜展開，然后再用銅網(wǎng)撈起；5將撈起的碳膜放到濾紙上吸水干燥后即可放人電鏡中觀察。萃取復(fù)型（半直接樣品）圖2.2萃取復(fù)型示意圖金屬薄膜樣品的制備薄膜制備的基本要求首先薄膜應(yīng)對電子束透明，制得的薄膜應(yīng)當保持與大塊樣品相同的組織結(jié)構(gòu)。其次簿膜得到的圖像應(yīng)當便于分析，所以即使在高壓電子顯微鏡中也不宜采用太 厚的樣品，減薄過程做到盡可能的均勻.薄膜應(yīng)具有適當?shù)膹姸群蛣傂浴Ｗ詈?，薄膜制備方法必須便于控制，具備足夠的可靠性和重?fù)

21、性。一般程序J粉卻設(shè)備一圖2.3雙噴電解拋光裝置原理1線切割一一制備厚度約0.20-0.30mm的薄片；2機械研磨減?。河媒鹣嗌凹堁心ブ?00 m左右，不可太薄防止損傷貫穿薄片；3化學(xué)拋光預(yù)減薄一一從圓片的一側(cè)或兩則將圓片中心區(qū)域減薄至數(shù)100 m左右；從薄片上切取3mm的圓片；4雙噴電解終減薄。（拋光液體：10%高氯酸酒精溶液；樣品用丙酮或者無水酒精 裝）。陶瓷材料試樣的制備顆粒試樣的制備方法1粉碎研磨，研磨后的粉末放在無水乙醇溶液里，用超聲波振蕩均勻后滴在微柵上，干燥后進行透射電鏡觀察；2樹脂包埋，理想的包埋劑應(yīng)具有：高強度，高溫穩(wěn)定性，與多種溶劑和化學(xué)藥品不起反應(yīng)，如丙酮等,圖2.4粉末

22、樣品制備工藝圖陶瓷薄膜試樣（離子減?。﹫D2.5透射樣品制備工藝1切割樣品，方法很多，可以用超聲切割，沖壓器沖獲得小 3mm圓片，如果沒有上 面這兩種工具，可以用其他任何方法，把樣品切成小塊，無論是長方形還是正方形，只要對角線不超過3mm,長邊2.5mm即可。把切好的樣品在加熱爐上粘到模具上，自 然冷卻后就可以平磨了；2平面磨，簡單的平面磨可以產(chǎn)生大面積的薄區(qū)，但卻使樣品過于脆弱，很容易損壞，以我們的經(jīng)驗，一般 Si材料可以平磨到50叩左右，對于脆性材料可適當增加厚度，手工平磨使應(yīng)采用不斷變換樣品角度，或者沿 8字軌跡手法，如圖2.6所示：圖2.6平磨樣品手法示意圖用該方法可以避免過早出現(xiàn)樣品邊

23、緣傾斜，用粒度p1500-p200g 1g金剛石拋光膏拋光，每更換一次砂紙，用水徹底清洗樣品。1.2電子顯微鏡中的電光學(xué)問題電子射線（束）的特性透射電鏡與掃描電鏡的區(qū)別?.掃描電鏡原理：掃描電子顯微鏡的制造是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質(zhì)表面時，被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。同時，也可產(chǎn)生電子-空穴對、晶格振動（聲子）、電子振蕩（等離子體）。如對二次電子、背散射電子的采集，可得到有關(guān)物質(zhì)微觀形貌的信息；對x射線的采集，可得到物質(zhì)化學(xué)成分的信息SEM的工作原理是用一束極細的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級電子，次級電子的多 少與電子束入射角有關(guān)，也就是說與樣品的表面結(jié)構(gòu)有關(guān)，次